1、乘新能源之风，行业需求有望高增乘新能源之风，行业需求有望高增碳化硅行业深度报告长城证券研究院电子首席分析师：邹兰兰执业证书编号：S01研究助理：张元默执业证书编号：S06证券研究报告 主要观点主要观点|2 碳化硅是第三代半导体重要基础材料，衬底是产业链最核心环节：碳化硅是第三代半导体重要基础材料，衬底是产业链最核心环节：SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特性，相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等优势。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件

2、制造及下游应用四大环节。需求端：需求端：电动车技术升级拉动市场扩容，低耗优势契合能源发展潮流电动车技术升级拉动市场扩容，低耗优势契合能源发展潮流：目前SiC主要应用于汽车、能工业、交通运输、通信等领域，主要产品形式有电动车逆变器、车载充电器、DC/DC变换器、充电装置、光电能量转换器和铁路。行业市场空间方面，根据Yole预测，2021年到2027年，SiC器件市场规模将由10.9亿美元增长至63.0亿美元，CAGR将超过34%。目前多个整车厂例如特斯拉，比亚迪，蔚来等车企搭载SiC模块，800V平台的应用能够大幅提高电动汽车的充电效率，提升续航里程。未来SiC在新能源汽车渗透率有望持续提升。供

3、给端：供给端：衬底成制造工艺关键点，国内厂商加速崛起衬底成制造工艺关键点，国内厂商加速崛起：碳化硅产业链中，衬底材料是产业链的基础，产业链价值占比达46%，处于核心地位。从SiC晶圆成本来看，衬底成本占比44%，良率损失占比32%，提高良率是SiC降本的核心。SiC衬底竞争格局方面，Wolfspeed占据了45%市场份额，Rohm排名占据20%市场份额，国内天科合达和山东天岳分别占据5%和3%市场份额。SiC器件竞争格局方面，ST占据40%市场份额，英飞凌占据22%市场份额。海外大厂大力扩产占据主要市场，而国内厂商正加速布局，国产化率有望持续提升。投资投资建议：建议：斯达半导、时代电气、天岳先

4、进、三安光电、士兰微。风险风险提示提示：市场需求不达预期；中美经贸摩擦、新冠肺炎疫情等外部环境风险；原材料价格波动和供应风险，SiC衬底成本高昂制约下游应用发展的风险。PWlZdUmUMBbWqXtYaQaOaQtRnNoMmOfQrQmMeRrQrN8OmMxOuOqMwPwMsPtN产业链概况：高压性能击中新能源痛点产业链概况：高压性能击中新能源痛点|2 定义：碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是第三代半导体材料，因具备宽禁带特性，也被称为宽禁带半导体材料。优势：SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特性,以SiC材料制成

5、的半导体器件相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等优势。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造及下游应用四大环节。SiCSiC产业链概况产业链概况|3三代半导体材料的指标参数对比：三代半导体材料的指标参数对比：指标参数指标参数第一代第一代第二代第二代第三代第三代材料材料硅（硅（SiSi）砷化镓（砷化镓（GaAsGaAs）磷化铟（磷化铟（InPInP）碳化硅（碳化硅（SiCSiC）氮化镓（氮化镓（GaNGaN）禁带宽度（eV）1.121.431.33.23.4饱和电子漂移速率（107cm/s）1.01.02.02.51.0热导率（Wcm-1K-1）1.50.540.74.91

6、.3击穿电场强度（MV/cm）0.30.40.52.83.3介电常数11.913.110.810.19最高工作温度/资料来源：天岳先进招股书、天科合达招股书、应用材料官网、华东交通大学电力电子技术表：表：三代半导体材料的指标参数对比三代半导体材料的指标参数对比图：半导体材料图：半导体材料对比对比图：硅基图：硅基IGBTIGBT与碳化硅与碳化硅MOSFETMOSFET对比对比Si IGBTSiC MOSFET40kHz开关频率开通损耗关断损耗导通损耗 SiCSiC产业链概况产业链概况|4资料来源：天岳先进招股书、天科合达招股书、应用材料官网 衬底：衬底即通过沿特定的结晶

7、方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片，可分为半绝缘型及导电型。外延：外延即在晶片的基础上，经过外延工艺生长出的特定单晶薄膜，衬底晶片和外延薄膜合称外延片。若外延薄膜和衬底的材料相同，称为同质外延片，若不相同，称为异质外延片。器件：SiC器件主要分为功率器件和微波射频器件，分别由同质外延片和异质外延片加工而成，其中功率器件主要包含SiC二极管、SiC晶体管（SiC-MOSFET/SiC-BJT/SiC-IGBT等），主要用于高温、高压场景，下游应用涵盖新能源汽车、光伏发电等领域。微波射频器件主要包含HEMT等，主要用于高频、高温场

8、景，下游应用涵盖5G通讯、卫星、雷达等领域。图：图：SiC晶片用途晶片用途图：图：SiCSiC衬底分类衬底分类产品种类产品种类图示图示产品用途产品用途半绝缘型通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT 等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。导电型通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。需求端：电动车技术升级拉动市场扩容，低耗优势契需求端：电动车技术升级拉动市场扩容，低耗优势契合能源发展潮流合能源发展

9、潮流|5 SiCSiC市场空间：电动汽车成需求扩容最大推力，节能减排顺应发展潮流市场空间：电动汽车成需求扩容最大推力，节能减排顺应发展潮流 目前SiC的主要应用于汽车、能源、工业、交通运输、通信等领域，主要产品形式有电动车逆变器、车载充电器、DC/DC变换器；充电装置；光电能量转换器和铁路。这些应用的首代技术在2017-2018年已实现了商业化，并已进入快速增长阶段，最快将在2023年实现商业价值，预计2024-2026年这些应用将实现大规模出货。SiC市场空间有望快速扩张。根据Yole预测，2021年到2027年，SiC器件市场规模将由10.9亿美元增长至63.0亿美元，CAGR将超过34%

10、。据三安光电预测，2025年碳化硅在高压平台需求量将达到219万片，中高压平台需求将达到437万片。而2025年碳化硅衬底/芯片的产能预计为242-282万片，预计存在约400万片的产能缺口。数据来源：HTI预测、Yole、三安光电、长城证券研究院|6图：图：SiCSiC下游应用下游应用图：图：SiCSiC器件市场规模及下游应用展望（亿美元）器件市场规模及下游应用展望（亿美元）SiCSiC市场空间：提升电动汽车结构短板，高压技术平台快速拉动需求市场空间：提升电动汽车结构短板，高压技术平台快速拉动需求 车载领域，SiC功率器件主要应用于电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载DC

11、/DC转换器）、非车载充电桩等核心电控领域，提供更高效的电能转换。在整车性能方面，搭载SiC的车辆损耗将会降低80%，充电速度可提高2倍，功率密度提升80%，体积减小50%。800V平台的应用能够大幅提高电动汽车的充电效率，进一步满足远距离行驶的需求。相较于600V平台，在同等充电功率下，工作电流更小，节省线束体积，降低电路内阻损耗，提高充电效率和安全率；而在同等电流的情况下，800V平台可大幅提升总功率，显著提高充电速度，已成为快速直流电充电的新解决方案。据ST测试数据显示，在800V电压平台下，SiC器件损耗显著低于IGBT，在25%的负载下损耗低于IGBT80%。未来随着电压平台的升级，

12、车载充电系统、电源转换系统和非车载充电等均需要迭代升级，SiC器件将发挥重要作用。数据来源：英飞凌、华夏EV、长城证券研究院|7图：电动汽车平台正在向高压升级图：电动汽车平台正在向高压升级图：图：SiCSiC功率器件在汽车领域的应用功率器件在汽车领域的应用图：图：SiCSiC在高压平台在高压平台800V800V的优势的优势 SiCSiC市场空间：提升电动汽车结构短板，高压技术平台快速拉动需求市场空间：提升电动汽车结构短板，高压技术平台快速拉动需求数据来源：iFind、半导体行业观察、汽车之家，长城证券研究院 2022年1月-8月，中国新能源汽车销量达到386万辆，同比增长114.8%。随着未来

13、更多国家新能源汽车推广政策的实施，新能源汽车的产销量将会持续快速增长，拉动SiC器件需求爆发。多个整车厂例如特斯拉，比亚迪，蔚来等车企搭载SiC模块，车企已开启800V电压平台时代。|8-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%0500300350400450中国新能源汽车销量（万辆）YOY（%）示意图的右边的示意图用列表表示近期整车厂示意图的右边的示意图用列表表示近期整车厂装载装载SiCSiC器件的情况，器件的情况，近期整车厂装载近期整车厂装载SiCSiC器件情况器件情况企业名称企业名称4 4英寸英寸特斯拉特斯拉Model3/Y车型采用T

14、PAK碳化硅MOSFET模块，结合多管并联技术，可以在其电动汽车驱动系统中，按照不同的功率等级选择不同数量的TPAK并联，并根据不同的效率和成本要求选择碳化硅MOSFET或者IGBT作为TPAK核心芯片。之后相继推出的Model Y以及Model S Plaid也采用了SiC技术现代IONIQ 5车型采用800V逆变器，内部使用了英飞凌生产的SiC模块比亚迪比亚迪在2020年发布的汉EV高性能四驱版，是国内首款采用自研SiC模块的车型，并于2022年推出1200V 1040A的SiC模块。蔚来蔚来ET7采用了具备碳化硅功率模块的第二代高效电驱平台小鹏小鹏G9是国内首款搭载800V碳化硅高压电驱

15、平台量产电动车长城长城汽车全新品牌沙龙汽车旗下首款车型机甲龙引进800V高压技术，支持800V超级快充。该款车型已应用SiC产品，后续系列车型也将规模化应用SiC。表：近期整车厂装载表：近期整车厂装载SiCSiC器件情况器件情况图：中国新能源汽车销量（万辆）及其同比增速（图：中国新能源汽车销量（万辆）及其同比增速（%）SiCSiC市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花 光伏领域，目前光伏产业正在迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”的时代。通过元器件升级，提高功率密度可以极大地帮助光伏逆变器提效将本。与Si器件相比，SiC器件

16、的高击穿电压、低导通电阻、栅极电荷、反向恢复电荷等特性，使其可以在更高的电压、频率以及电流下切换，同时进行有效散热。光伏电压等级从1000伏提升至1500伏，要求必须使用第三代半导体材料SiC功率器件。随着光伏电压等级的不断提高，未来光伏功率器件将会以SiC为主。数据来源：中国汽车工业信息网、锦浪科技招股说明书、长城证券研究院|9图：图：SiCSiC逆变器与普通逆变器对比（逆变器与普通逆变器对比（%）0%20%40%60%80%100%120%能量损耗转换效率普通逆变器碳化硅逆变器图：光伏逆变器示意图图：光伏逆变器示意图 SiCSiC市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花市场空间：

17、契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花 2020年SiC功率器件在光伏逆变器的渗透率为10%，随着光伏电压等级的提升，SiC功率器件的渗透率将不断提高，预计2050年达到85%的渗透率。在全球光伏产业迅速发展的推动下，全球光伏逆变器市场保持良好发展态势，全球光伏逆变器出货量由2017年的98.5GW上涨至2021年的201GW，CAGR高达17.90%。预计2022年增长至221GW。20世纪90年代起，中国崛起了如阳光能源、SMA等跨国光伏逆变器企业，占据了全球市场的主要份额。目前华为占据了全球光伏逆变器市场的23%。本土光伏逆变器企业的崛起，为SiC的应用创造了优良的下游市场环境。10%

18、50%70%75%80%85%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%20202025E2030E2035E2040E2050E98.5106126.74185.0002020212022E23%19%7%5%5%41%华为阳光能源SMAPower Electronics古耐瓦特其他数据来源：CASA、中商产业研究院、长城证券研究院|10图：图：SiCSiC功率器件在光伏逆变器的渗透率功率器件在光伏逆变器的渗透率图：全球光伏逆变器出货量（千兆瓦）图：全球光伏逆变器出货量（千兆瓦）图：全球光伏逆变器竞争格局图：全

19、球光伏逆变器竞争格局 SiCSiC市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花 2020年SiC功率器件在光伏逆变器的渗透率为10%，随着光伏电压等级的提升，SiC功率器件的渗透率将不断提高，预计2050年达到85%的渗透率。在全球光伏产业迅速发展的推动下，全球光伏逆变器市场保持良好发展态势，全球光伏逆变器出货量由2017年的98.5GW上涨至2021年的190.3GW，CAGR高达17.90%。预计2022年增长至213.8GW。20世纪90年代起，中国崛起了如阳光能源、SMA等跨国光伏逆变器企业，占据了全球市场的主要份额。目前华为占据

20、了全球光伏逆变器市场的23%。本土光伏逆变器企业的崛起，为SiC的应用创造了优良的下游市场环境。10%50%70%75%80%85%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%20202025E2030E2035E2040E2050E23%19%7%5%5%41%华为阳光能源SMAPower Electronics古耐瓦特其他数据来源：CASA、中商产业研究院、长城证券研究院|10图：图：SiCSiC功率器件在光伏逆变器的渗透率功率器件在光伏逆变器的渗透率图：全球光伏逆变器竞争格局图：全球光伏逆变器竞争格局98.5106126.74185.1190.3213.8050100150

21、2002502002020212022E图：全球光伏逆变器出货量（千兆瓦）图：全球光伏逆变器出货量（千兆瓦）SiCSiC市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花市场空间：契合新能源发展趋势，能源领域需求多点开花 风能是指通过风力涡轮机产生高压交流，再通过变换器把不稳定的交流整流后逆变成高压电网所需的稳定交流电压。应用SiC材料的逆变器可以提高电能转化效率，减轻重量，从而带来系统成本的降低。预计中国2030年风电容量将达到400GW，2050年达到1000GW，装机量的迅速增长将极大地拉动SiC器件的市场空间。SiC技术的器件在储能领域（如电动汽车充电和附加电池的

22、太阳能系统）中的应用包括DC/DC升压转换器、双向逆变器（直流电和交流电相互转换）、灵活的电池充电电路。使用碳化硅可以使系统效率提高3%，功率密度提高50%，并减少无源元件的体积和成本。SiC在智能电网的主要应用场景包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置。碳化硅突破了硅基功率半导体器件的局限性，推动智能电网的发展和变革。数据来源：Yole、中商情报局、长城证券研究院|11图：中国风电装机容量（万千瓦）图：中国风电装机容量（万千瓦）图：图：SiCSiC在下游在下游领域市场空间领域市场空间 SiCSiC市场空间：低损耗降低系统能耗成本，商

23、用市场更添助力市场空间：低损耗降低系统能耗成本，商用市场更添助力 服务器电源为服务器提供电能，保证服务器的正常运行。在服务器电源中应用碳化硅器件，可以提升服务器电源的功率密度和效率，整体缩小数据中心的体积，降低建设成本，提高环保效率。GaN-on-SiC是通过在半绝缘型SiC衬底上生长GaN薄膜制成的微波射频器件，在高温、高频、大功率射频组件应用中具备独特优势。据工信部资料显示，中国5G基站数量从2019年的13万个增长至2022年的185.4万个，增长势头迅猛。以每万人拥有26个5G基站，全国14亿人进行估算，预计2025年将建成364万个。GaN-on-SiC作为5G基站的重要核心材料，未

24、来必会随着5G基站大规模建设，产生更大的市场空间。轨道交通车辆中需要大量应用功率半导体器件，SiC器件可用于牵引变流器、辅助变流器、主辅一体变流器、电力电子变压器、电源充电机等。据CASA预测，未来碳化硅器件将会逐渐取代硅基器件，2050年以碳化硅为原料的器件占比将达到90%。1371.8142.5185.4364050030035040020022.62025E数据来源：工信部、CASA、长城证券研究院0%8%15%20%0%5%20%40%2%17%35%30%98%70%30%10%0%20%40%60%80%100%120%201820302

25、0402050碳化硅分立器件全碳化硅器件混合碳化硅器件硅基IGBT器件|12图：轨道交通领域碳化硅器件占比图：轨道交通领域碳化硅器件占比图：中国图：中国5G5G基站数量（万个）基站数量（万个）图：图：GaNGaN-onon-SiCSiC优势优势 供给端：衬底成制造工艺关键点，供给端：衬底成制造工艺关键点，IDMIDM更更具发展潜力具发展潜力|15 SiC竞争格局：巨头紧密强化布局，技术路径渐成行业共识竞争格局：巨头紧密强化布局，技术路径渐成行业共识 SiC上游产业链包括原材料、衬底材料及外延材料，中游包括芯片结构设计、芯片制造、器件及模块，下游应用领域包括太阳能光伏、半导体行业、汽车行业、轨道

26、交通行业、5G基站、建材行业和钢铁行业。SiC的生产有着一百多年的历史，早期应用于LED（发光二极管）和避雷器。1989年，B.Jayant Baliga（NCSU）首次描述了SiC用于电力电子设备的好处。SemiSouth Laboratories在2008年推出了第一款商用JEFT（结型场效应管），Cree则于2011年推出了第一个SiC功率MOSFET。以SiC为代表的第三代宽禁带半导体电力电子器件已实现商品化，目前SiC器件在600V-1700V中低压领域实现了产业化，国际巨头Wolfspeed、罗姆、英飞凌等已批量供应额定电流40A的SiC SBD（肖特基二极管）及MOSFET（场效

27、应晶体管）产品。SiC的应用使得器件性能突破Si材料的理论极限，展现出巨大的潜力。部分碳化硅器件部分碳化硅器件分类分类产品名称产品名称特点特点产品种类产品种类制造商制造商功率器件碳化硅肖特基二极管（SBD）是一种单极性器件，由于导通过程中没有额外载流子注入和储存，基本没有反向恢复电流，关断过程快，开关损耗小。单个器件电流等级1-20A，电压等级为300V、600V和1200V的高压SiC肖特基二极管产品Cree、Infineon、Microsemi、SemiSouth、ST Microelectronics、Rohm结型场效应管（JEFT）是一种具有放大功能的三端有源器件，是单极场效应管中最简

28、单的一种。分为N沟道和P沟道两种联创光电、蓝箭电子、东芝金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种电压型控制器件，驱动电路简单、驱动功率小、开关速度快、具有较高的工作频率。横向双扩散型场效应晶体管（LDMOS）、平面型双扩散型场效应晶体管（Planar MOS）、沟槽双扩散型场效应晶体管（Trench MOS）英飞凌、安森美、瑞萨、意法半导体、东芝、华润微、斯达半导体、闻泰科技、比亚迪半导体绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。工业级I

29、GBT模块、汽车级IGBT模块、高铁动力IGBT模块、600V IGBT单管、IGBT驱动芯片等英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控、日立、安森美、中车时代电气、比亚迪、士兰微、华微射频器件射频功率放大器（RF PA）碳化硅基氮化镓结合了碳化硅优异的导热性和氮化镓高功率密度和低损耗能力,衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行,结温将随RF功率缓慢升高,RF性能更好。线性功率放大器和开关型功率放大器两种高通、村田、台湾立积、韩国WIPAM、唯捷创芯、飞镶科技、慧智微、紫光展锐、昂锐徽芯朴、芯百特、锐时创芯数据来源：半导体商城、长城证券研究院|14表：表：SiCSiC器件介绍器件介绍 SiC竞争格

30、局：巨头紧密强化布局，技术路径渐成行业共识竞争格局：巨头紧密强化布局，技术路径渐成行业共识SiCSiC产业链主要厂商分布产业链主要厂商分布海外海外/国内国内设备设备衬底衬底外延外延制造制造设计设计封测封测下游应用下游应用海外厂商AMAT（美国）CREE（美国）、Rohm（日本）特斯拉、西门子、哈里伯顿、SMA、Sumgrow、奥迪、博格华纳道康宁（美国）英飞凌（德国）、安森美（美国）、东芝（日本）、意法半导体（意大利/法国）、松下（日本）、瑞萨电子（日本）拉姆研究（美国）昭和电工（日本）II-VI（美国）国内厂商北方华创三安光电华为、小鹏汽车、比亚迪、宇通、阳光能源、长城汽车、欣锐科技北方华卓

31、长飞半导体长飞半导体昂坤天科合达、中电化合物泰克天润、中车时代电气、闻泰科技、士兰微电子、扬杰科技、瞻芯、中科汉韵捷佳创天岳先进瀚天天成晶盛机电同光晶体东莞天域芯源微烁科精微世纪金光、中电科55所、中电科13所芯三代晶越半导体百识电子科技宽能中瑞宏芯长电科技纳设南砂晶圆嘉晶电子汉磊韦特森华天科技 从全球范围来看，SiC产业链的海外厂商有Wolfspeed（Cree）、罗姆、英飞凌、安森美、意法半导体、贰陆等，国内厂商包括三安光电、天岳先进、天科合达、士兰微等。国际巨头纷纷布局SiC产业，SiC的应用即将大规模放量成为行业共识。数据来源：集微咨询、中商情报网，长城证券研究院|15表：表：SiCS

32、iC产业链主要厂商分布产业链主要厂商分布 SiC竞争格局：衬底成制造工艺关键点，产能扩充释放行业发展约束竞争格局：衬底成制造工艺关键点，产能扩充释放行业发展约束图：图：SiCSiC器件器件成本成本结构结构46%23%20%11%衬底外延制造其他图：图：SiCSiC晶圆成本拆分（晶圆成本拆分（6 6英寸衬底）英寸衬底）7%44%32%17%外延衬底良率损失正面和背面处理 碳化硅产业链中，衬底材料是产业链的基础，产业链价值占比达46%，处于核心地位。从SiC晶圆成本来看，衬底成本占比44%，良率损失占比32%，提高良率是SiC降本的核心。据Wolfspeed预测，2022年SiC材料的市场规模为7

33、亿美元，器件市场规模为43亿美元。2026年SiC材料的市场规模达到17亿美元，器件市场规模将达到89亿美元。2022至2026年，材料市场规模年均复合增长率为24.84%，超过器件市场规模的年均复合增长率。由此可见，SiC衬底产能的扩大对行业的发展有极大的推动作用。数据来源：Wolfspeed、前瞻研究院、应用材料官网、长城证券研究院图：图：SiCSiC器件及材料市场规模的预测器件及材料市场规模的预测|16 SiC衬底供给格局：市场份额呈现集中状态，巨头营收快速增长衬底供给格局：市场份额呈现集中状态，巨头营收快速增长数据来源：Yole、Wolfspeed、HTI、长城证券研究院33%36%3

34、0%1%WolfspeedII-VI山东天岳其他图：图：20202020年全球半绝缘型年全球半绝缘型SiCSiC衬底市场份额衬底市场份额 从全球SiC衬底整体市场份额来看，Wolfspeed占据了45%的市场份额，Rohm排名第二，占据20%的市场份额，国内仅有天科合达和山东天岳，分别占据5%和3%的市场份额。从导电型SiC衬底的市场份额来看，Wolfspeed占据超60%的市场份额，在SiC单晶市场价格和质量标准上有极大的话语权。从半绝缘型SiC衬底的市场份额来看，Wolfspeed、II-VI和山东天岳三家公司平分秋色，占据约30%的市场份额。2021年，Wolfspeed的SiC材料收入

35、为2.81亿美元，预计2026年将达到10.28亿美元，年均复合增长率为21%，市场占有率保持在40%以上。据Wolfspeed预测，2022年的毛利率约为30%-40%，至2026年毛利率将提高至50%-54%，盈利空间不断扩大，利润收入可观。2021年Wolfspeed导电型衬底产能为18万片/年，据Yole、HTI预测，2026年Wolfspeed导电型衬底产能将达到100万片/年。62%16%12%4%2%2%1%1%1%WolfspeedII-IVSiCrystalDow昭和电工天科合达山东天岳Norstel其他|17图：图：WolfspeedWolfspeed毛利率预测毛利率预测图

36、：图：20202020年全球导电型年全球导电型SiCSiC衬底市场份额衬底市场份额 SiC器件供给格局：器件供给格局：IDM模式仍占据主动，资本开支进入高峰期模式仍占据主动，资本开支进入高峰期|18数据来源：Yole、英飞凌、ST意法、安森美、罗姆、长城证券研究院40%22%14%10%7%2%5%ST英飞凌WolfspeedRohm安森美三菱电机其他4.52.481.651.080.780.2800.511.522.533.544.55ST英飞凌WolfspeedRohm安森美三菱电机 从全球SiC器件市场份额来看，ST意法半导体占据的市场份额达到40%，排名第一，英飞凌其次，占据22%的市

37、场份额。2021年，英飞凌SiC营业收入增长100%，超13亿元，预计2022年SiC营收增长90%，超24亿元。英飞凌2025年的SiC营收目标为64亿元，预计占据30%的市场份额。英飞凌计划投资额为24亿欧元，将在奥地利和马来西亚增加两条SiC产线，扩大碳化硅的制造能力；ST意法计划在2022年前将SiC器件产能扩大2.5倍，2023年实现8英寸SiC晶圆商业化生产；安森美花费15亿美元收购GTAT，总投资约40亿元，计划将SiC晶圆产能扩产4倍；罗姆投资1700亿日元，计划2025年前碳化硅功率半导体营收超1000亿日元/年，产能增加至2021年时的6倍。图：图：20212021年全球年

38、全球SiCSiC器件器件市场份额市场份额图：图：20212021年主要厂商碳化硅器件销售额（亿美元）年主要厂商碳化硅器件销售额（亿美元）SiC供给格局：国产化率亟待提升，本土企业布局加速供给格局：国产化率亟待提升，本土企业布局加速|19SiCSiC衬底厂商进展衬底厂商进展企业名称企业名称4 4英寸英寸6 6英寸英寸8 8英寸英寸天科合达2017年，导电型量产销售2019年，半绝缘型量产销售2020年，实现量产销售2020年启动研发天岳先进2018年，半绝缘型批量出货2017年实现导电型量产2019年实现半绝缘型量产2020年启动导电型研发东尼电子2022年4月，导电型衬底交付样片露笑科技202

39、2年7月实现月产500-1000片6英寸导电型衬底世纪金光2019年开始小批量试产烁科晶体2022年实现N型碳化硅抛光片小批量生产天成半导体预计在2022年内实现衬底产业化同光晶体2015年量产2021年成功研制6英寸SiC单晶中电化合物半导体2020年6英寸衬底及外延片进入客户认证阶段SiCSiC器件产能规划器件产能规划企业名称企业名称产品产品状态状态产能规划产能规划士兰微碳化硅SBD、MOSFET建设中计划6英寸产能达14.4万片/年斯达半导体碳化硅功率器件即将投产计划6英寸达产产能达6万片/年，车规级SiC功率模组产能达8万颗/年华润微碳化硅SBD投产目前6英寸产能1k片/月，爬坡中时代

40、电气碳化硅SBD、MOSFET建设中计划6英寸产能达2.5万片/年三安光电碳化硅SBD、MOSFET投产2021年年底6英寸产能3k/月，爬坡中，预计2022年底达产3万片/月振华科技碳化硅功率器件建设中计划6英寸产能达12万片/年泰科天润碳化硅SBD、MOSFET投产计划6英寸产能达6万片/年，预计2023年扩产至10万片/年芯粤能碳化硅SBD、MOSFET、功率模组等即将投产计划6英寸产能达24万片/年，计划8英寸产能达24万片/年 国际龙头企业，如Wolfspeed、II-VI、SiCrystal，起步早，有着生产技术成熟、规模化生产等天然优势，占据大部分SiC市场份额。目前国内厂商仍处

41、于发展初期，与国际巨头存在一定的差距。衬底方面，国内厂商正加速布局，部分厂商已实现6英寸衬底量产销售，有望未来2-3年内具备大规模量产能力，与国际巨头间的差距正在不断缩小。器件方面，国内厂商正建设并逐步投入使用SiC功率器件生产线，部分企业投产后可实现超10万片/年的产能，未来产能空间广阔。数据来源：IFinD，长城证券研究院表：表：SiCSiC衬底厂商进展衬底厂商进展表：表：SiCSiC器件产能规划器件产能规划 投资建议投资建议|22 斯达半导斯达半导603290.SH|21 公司简介：公司简介：嘉兴斯达半导体股份有限公司主营业务为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发、生产,并以

42、IGBT模块形式对外实现销售。主要产品有600V IGBT模块系列,1200V IGBT模块系列,1700V IGBT模块系列,MOSFET模块系列,600V IPM模块系列等；产品可用于功率范围从0.5kW至1MW以上的不同领域,包括:变频器、电焊机、感应加热、激光、太阳能、风能发电装置、高压直流输变电装置、家用电器、机车牵引、UPS、医疗设备等等。根据全球著名市场研究机构IHS在2019年发布的最新报告,2018年度公司在全球IGBT模块市场排名第八,市场占有率2.2%,是唯一进入前十的中国企业。各产品收入：各产品收入：公司主营业务收入是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产

43、，主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等。2019年至2021年报告期内，公司IGBT模块占主营业务收入的比重分别为98%、94.65%、93.46%。公司其他主营业务占主营业务收入的比重分别为2%、4.97%、5.91%。7.619.1215.950.160.481.0402021IGBT模块其他主营业务其他业务图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司各业务收入情况（亿元）数据来源：iFinD，长城证券研究院图：公司图：公司20212021年各业务收入占比年各业务收入占比93.46%5.91%0.62%IGB

44、T模块其他主营业务其他业务 斯达半导斯达半导603290.SH|22 财务数据分析财务数据分析 公司营业收入保持快速增长公司营业收入保持快速增长，归母净利润呈增长态势归母净利润呈增长态势。2017年至2021年公司营业收入分别为4.38亿元、6.75亿元、7.79亿元、9.63亿元和17.07亿元，归母净利润分别为0.53亿元、0.97亿元、1.35亿元、1.81亿元和3.98亿元。公司营业收入持续增长，归母净利润也呈现增长态势，表现出较高的成长性和较强的盈利能力。公司得益于新能源汽车产业、新能源产业、节能环保产业、高端装备制造产业的快速发展，IGBT需求增长迅速，主营业务收入持续增长。图：图

45、：公司营业收入（亿元）、增速及毛利率公司营业收入（亿元）、增速及毛利率图：图：公司净利润（亿元）、净利率及公司净利润（亿元）、净利率及ROEROE图：图：公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收图：图：公司总资产及资产负债率公司总资产及资产负债率数据来源：iFinD，长城证券研究院0%20%40%60%80%100%0500212022H1营业收入（亿元)同比增速（%）毛利率（%）0%10%20%30%40%00212022H1归母净利润（亿元）净利率（%）ROE（%

46、）-20%-10%0%10%20%30%40%-2-00212022H1经营性现金流金额（亿元）占营收比（%）0%10%20%30%40%50%00702002020212021H1总资产（亿元）资产负债率（剔除预收账款）斯达半导斯达半导603290.SH|23 行业分析：行业分析：IGBT作为能源变化和传输的核心器件，下游应用非常广泛。国家七大战略新兴产业中，IGBT是新能源汽车产业、新能源产业、节能环保产业、高端装备制造产业不可缺少的半导体器件，随着这些产业快速发展，为IGBT提供了更广阔的市场。受益于

47、新能源汽车、新能源等产业的发展，IGBT需求迅速增加。根据集邦咨询预测，2018-2025中国IGBT年复合增长率达19.96%，到2025年中国IGBT市场规模将达到522亿人民币，复合增长率达19.11%，是细分市场中发展最快的半导体功率器件之一。SiC功率器件受下游新能源汽车等行业需求拉动，市场规模增长快速。根据IHS数据，受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，2018-2027年的复合增速接近40%。近期募投项目：近期募投项目：公司定增的募集资金将用于高压特色工艺功率芯片研发及

48、产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、补充流动资金，项目建设周期为3年，预计项目达成后可以生产年产30万片6寸高压特色功率芯片、6万片6寸SiC芯片和400万片功率半导体模块。募集资金投资项目的基本情况如下：序号募投项目名称拟投入募集资金（万元）1高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目150,000.002SiC芯片研发及产业化项目50,000.003功率半导体模块生产线自动化改造项目70,000.004补充流动资金80,000.00合计350,000.00数据来源：iFinD，长城证券研究院表：表：募集资金具体投资项目概况募集资金具体投资项目概况(万元）万

49、元）时代电气时代电气688187.SH|24 公司简介：公司简介：株洲中车时代电气股份有限公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务，具有“器件+系统+整机”的产业结构，产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。公司牵引变流系统产品型谱完整，市场占有率居优势地位，根据城轨牵引变流系统市场招投标等公开信息统计，公司2012年至2019年连续八年在国内市场占有率稳居第一。各产品收入：各产品收入：公司主营业务收入是轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售，主要产品为以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信

50、号系统等。公司还积极布局轨道交通以外的产业，在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。2019年至2021年报告期内，公司轨道交通装备产品占主营业务收入的比重分别为88.53%、86.63%、81.02%。公司新兴装备产品占主营业务收入的比重分别10.83%、11.86%、17.01%。图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司图：公司20212021年各业务收入占比年各业务收入占比144.34138.9122.5217.6519.0125.721.042.422.9702040608002019202

51、02021轨道交通装备新兴装备其他业务122.5225.722.97轨道交通装备新兴装备其他业务数据来源：iFinD，长城证券研究院 时代电气时代电气688187.SH|25 财务数据分析财务数据分析 公司公司营业收入稳定营业收入稳定，毛利率处于较高水平毛利率处于较高水平。2017年至2021年，公司主营业务收入分别为151.44亿元、156.58亿元、163.04亿元、160.34亿元和151.21亿元，归母净利润分别为25.23亿元、26.12亿元、26.59亿元、24.75亿元和20.18亿元。2021年营业收入同比下降5.69%，主要原因是轨道交通装备产品收入下降。2022年上半年营业

52、收入同比增长23.19%，得益于轨道交通装备产品业务的反弹回升以及新型装备业务的扩张。图：图：公司营业收入（亿元）、增速及毛利率公司营业收入（亿元）、增速及毛利率图：图：公司净利润（亿元）、净利率及公司净利润（亿元）、净利率及ROEROE图：图：公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收图：图：公司总资产及资产负债率公司总资产及资产负债率-10%0%10%20%30%40%50%05002020212022H1营业收入（亿元）同比增长率（%）毛利率（%）0%5%10%15%20%050172

53、00212022H1归母净利润（亿元）销售净利率（%）ROE-加权（%）-10%0%10%20%30%-2002020212022H1经营活动现金流量净额（亿元）占比（%）0%10%20%30%40%005002002020212022H1资产合计（亿元）资产负债率（剔除预收账款）（%）数据来源：iFinD，长城证券研究院 时代电气时代电气688187.SH|26 近期募投项目：近期募投项目：公司IPO募集资金将用于以下项目，其中，轨道交通牵引网络技术及系统研发应用项目可进一步提升现有

54、轨道交通领域变流平台的各项性能指标；轨道交通智慧路局和智慧城轨关键技术及系统研发应用项目有助于推进轨道交通领域数字化智能化产业突破；新产业先进技术研发应用项目的实施将进一步攻克相关核心技术，开拓新的业务领域。行业分析：行业分析：公司是我国轨道交通行业具有领导地位的牵引变流系统供应商。在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，具备芯片、模块、组件及应用全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。受国际环境日趋复杂、疫情反复持续、宏

55、观经济短期下行压力大等多方面因素影响，轨道交通产业面临发展瓶颈，但交通强国建设纲要、“双碳”等国家顶层战略的发布和持续实施，将给公司轨道交通和新能源装备产业的发展带来新的机遇。序号募投项目名称投资总额（万元）拟投入募集资金（万元）1轨道交通牵引网络技术及系统研发应用项目209,550.00209,550.002轨道交通智慧路局和智慧城轨关键技术及系统研发应用项目107,083.00107,083.003新能源汽车电驱系统研发应用项目50,371.0050,371.004新型传感器研发应用项目14,796.0014,796.005工业传动装置研发应用项目11,760.0011,760.006深海

56、智能装备研发应用项目10,000.0010,000.007新型轨道工程机械制造平台建设项目402,733.00402,733.008新型轨道工程机械装备研发应用项目30,000.0030,000.009创新实验平台建设工程项目93,100.0093,100.0010补充流动资金200,000.00167,661.20合计1,129,393.001,097,054.20数据来源：iFinD，长城证券研究院表：募集资金具体投资项目概况表：募集资金具体投资项目概况(万元）万元）天岳先进天岳先进688234.SH|27 公司简介：公司简介：山东天岳先进科技股份有限公司是一家国内领先的宽禁带半导体（第三

57、代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。公司自主研发的半绝缘型碳化硅衬底产品，实现了我国核心战略材料的自主可控。同时，公司的6英寸导电型碳化硅衬底正在全球知名的电力电子领域客户中进行验证，并开始批量供货。各产品收入：各产品收入：公司核心产品和收入来源为碳化硅衬底，包括半绝缘型衬底以及导电型衬底（2英寸、3英寸、4英寸、6英寸）。其他业务包括晶棒、不合格衬底及其他产品。2018年至2021年报告期内，公司碳化硅衬底产品占主营业务收入的比重分别为62.5%、69.14%、82.12%、78

58、.34%。公司其他业务占主营业务收入的比重分别37.5%、30.86%、17.88%、21.66%。0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.520021碳化硅衬底其他业务图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司图：公司20212021年各业务收入占比年各业务收入占比碳化硅衬底其他业务数据来源：iFinD，长城证券研究院 |28 财务数据分析财务数据分析 公司业务持续发展公司业务持续发展，逐渐扭亏为盈逐渐扭亏为盈。2018年至2021年，公司营业收入分别为1.36亿元、2.69亿元、4.25亿元以及4.94亿元，归母净利润分别为

59、-0.42亿元、-2.01亿元、-6.42亿元和0.9亿元。在全球贸易争端不断、世界经济增长放缓、疫情影响持续、国内经济下行压力加大的背景下，公司2022年的营业收入受到影响，但随着半导体行业的发展，公司未来营业收入规模将会扩大。图：图：公司营业收入（亿元）、增速及毛利率公司营业收入（亿元）、增速及毛利率图：图：公司净利润（亿元）、净利率及公司净利润（亿元）、净利率及ROEROE图：图：公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收图：图：公司总资产及资产负债率公司总资产及资产负债率数据来源：iFinD，长城证券研究院天岳先进天岳先进688234.SH-50%

60、0%50%100%150%00022H1营业收入（亿元）同比增长率（%）毛利率（%）-200%-150%-100%-50%0%50%-8-6-4-202200212022H1归母净利润（亿元）销售净利率（%）-50%0%50%100%150%-2.0-1.00.01.02.03.0200212022H1经营活动现金流量净额（亿元）占比（%）0%20%40%60%80%100%120%020406080200212022H1资产合计（亿元）资产负债率（剔除预收账款）（%）|29 近期募投

61、项目：近期募投项目：公司IPO募集资金将用于碳化硅半导体材料项目及补充流动资金，项目建设周期为6年，计划于2022年试生产，预计2026年100%达产。项目计划内容包括但不限于新建生产厂房、配电和仓储设施，引进国内外先进的生产设备，储备生产所需的碳粉、石墨件等关键原材料，聘请工程师、专家及其他技术人才，最终形成数字化和自动化生产线，以进一步提升公司碳化硅衬底材料的生产能力、生产技术、生产效率和精益化制造水平。行业分析：行业分析：根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2020年的10.62亿美元增长至2025年的28.39亿美元，期间

62、年均复合增长率达到21.73%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。在全球半绝缘型碳化硅衬底市场，天岳先进市占率连续三年位于世界前三、在中国市场处于领先位置。根据Yole报告，2020年碳化硅功率器件的市场规模为7.31亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至44.67亿美元，复合年增长率约43.62%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。序号募投项目名称投资总额（万元）拟投入募集资金（万元）1碳化硅半导体材料项目250,000.00200,000.002使用超募资金永久补充流动资金35,000.0035,000.00合计285,0

63、00.00235,000.00天岳先进天岳先进688234.SH数据来源：iFinD，长城证券研究院表：表：募集资金具体投资项目概况募集资金具体投资项目概况(万元）万元）三安光电三安光电600703.SH|30 公司简介：公司简介：三安光电股份有限公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司作为国家人事部认定的博士后工作站及国家级企业技术中心，公司曾获得国家科学技术进步奖一等奖,二等奖和多项福建省市级科技进步奖一等奖,二等奖，公司是国家科技部及信息产业部认定的“半导体照明工程龙头企业”。公司现拥有M

64、OCVD设备产能规模居国内首位。各产品收入：各产品收入：公司核心产品和收入来源为LED业务以及集成电路业务，其中，LED业务包括LED外延芯片和LED应用产品，集成电路业务包括射频滤波器模块、电力电子模块以及光通讯模块。2018年至2021年报告期内，公司LED业务占主营业务收入的比重分别为80.5%、76.66%、70.63%、64.65%，公司集成电路业务占主营业务收入的比重分别为2.04%、3.23%、11.52%、12.19%。007080200202021LED外延芯片材料、废料销售集成电路芯片LED应用产品租金、物业、服务、利息收入图：公

65、司各业务收入情况（亿元）图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司图：公司20212021年各业务收入占比年各业务收入占比LED外延芯片材料、废料销售集成电路芯片LED应用产品租金、物业、服务、利息收入数据来源：iFinD，长城证券研究院 |31 财务数据分析财务数据分析 主营业务收入保持增长主营业务收入保持增长，经营业绩将持续改善经营业绩将持续改善。2018年至2021年，公司主营业务收入分别为83.94亿元、83.64亿元、74.6亿元、84.54亿元和125.72亿元，归母净利润分别为31.64亿元、28.3亿元、12.98亿元、10.16亿元和13.13亿元。由于集成电路业务产线投建新增较

66、大金额的固定资产折旧及摊销费用，而项目产能释放、实现收入需要一定时间，导致短期出现大幅亏损。后续随着产能不断释放，销售收入不断实现，经营业绩将持续改善。图：图：公司营业收入（亿元）、增速及毛利率公司营业收入（亿元）、增速及毛利率图：图：公司净利润（亿元）、净利率及公司净利润（亿元）、净利率及ROEROE图：图：公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收图：图：公司总资产及资产负债率公司总资产及资产负债率数据来源：iFinD，长城证券研究院三安光电三安光电600703.SH-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%020406080100120

67、20022H1营业收入（亿元）同比增长率（%）毛利率（%）0%10%20%30%40%0552002020212022H1归母净利润（亿元）销售净利率（%）ROE-加权（%）0%10%20%30%40%50%07200212022H1经营活动现金流量净额（亿元）占比（%）0%10%20%30%40%50%005006002002020212022H1资产合计（亿元）资产负债率（剔除预收账款）（%）|32 近期募投项目：近

68、期募投项目：公司本次非公开发行人民币普通股公司本次非公开发行人民币普通股(A股股)400,916,380股股，每股面值人民币每股面值人民币1.00元元，每股发行认购价格为每股发行认购价格为人民币人民币17.46元元，共计募集人民币共计募集人民币7,000,000,000元元。项目建设周期为4年，达产期为7年，内容包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板块。项目实施后，将建成包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片；高端砷化镓LED外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。实际募集资金扣除发行费用后拟用于以

69、下项目：行业分析：行业分析：据TrendForce预测，2026年LED市场产值有望成长至303.12亿美元，2021-2026年复合成长率达11%。Arizton数据显示，全球Mini LED市场规模将由2021年的1.5亿美元增长至2024年的23.2亿美元。除此以外，Micro LED需求也逐渐浮现，除拼接屏和会议一体机等商业显示外，AR智能眼镜、车载显示等领域也在逐步推进。由于5G的普及以及全球漫游或更高网络速度采用的新频段，射频前端市场份额仍将继续增加，根据Yole预测，全球射频前端终端市场规模将由2019年124.05亿美元增长至2026年216.70亿美元，期间年复合增长率达8.

70、3%。据Yole预测，受汽车市场以及工业、能源等市场推动，预计碳化硅功率器件市场将从2021年10.90亿美元增长至2027年62.97亿美元，期间年复合增长率达34%。序号募投项目名称投资总额（万元）拟投入募集资金（万元）1半导体研发与产业化项目（一期）1,380,542.00700,000.00合计1,380,542.00700,000.00三安光电三安光电600703.SH数据来源：iFinD，长城证券研究院表：募集资金具体投资项目概况表：募集资金具体投资项目概况(万元万元）|33 公司简介：公司简介：杭州士兰微电子股份有限公司的主营业务是电子元器件的研发、生产和销售。产品主要有集成电路

71、、器件、发光二极管。公司被国家发展和改革委员会、工业和信息化部等国家部委认定为“国家规划布局内重点软件和集成电路设计企业”，陆续承担了国家科技重大专项“01专项”和“02专项”多个科研专项课题。各产品收入：各产品收入：公司核心产品为分立器件产品、集成电路产品、发光二极管产品。2021年报告期内，公司分立器件产品、集成电路产品和发光二极管产品占主营业务收入的比重分别为53.01%、31.88%和9.84%。受国家政策拉动、消费升级、进口替代等多种因素的影响，国内半导体行业进入了快速发展期，公司产品持续在白电、通讯、工业、光伏、新能源汽车等高门槛市场取得突破；电源管理芯片、MEMS传感器、IPM（

72、智能功率模块）、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等产品的营业收入大幅增长。0554045200021分立器件产品集成电路发光二极管产品其他业务其他图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司各业务收入情况（亿元）图：公司图：公司20212021年各业务收入占比年各业务收入占比分立器件产品集成电路发光二极管产品其他业务其他士兰微士兰微600460.SH数据来源：iFinD，长城证券研究院 |34 财务数据分析财务数据分析 公司业务规模迅速扩大公司业务规模迅速扩大，拉动归母净利润持续增长拉动归母净利润持续增长。公司营

73、业收入由2015年19.26亿元增长至2021年71.94亿元，2015年至2019年报告期内，公司营业收入同比增长率在15%左右。得益于半导体行业的快速发展，2020年至2021年同比增长率分别为37.61%和68.07%。，营业收入增速处于较高水平，业务快速增长。2022年上半年受全球经济的影响，增速略有回落。图：图：公司营业收入（亿元）、增速及毛利率公司营业收入（亿元）、增速及毛利率图：图：公司净利润（亿元）、净利率及公司净利润（亿元）、净利率及ROEROE图：图：公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收公司经营活动现金流量净额（亿元）及占营收图：图：公司总资产及资产负债率公司总资产及资

74、产负债率数据来源：iFinD，长城证券研究院0%20%40%60%80%0204060802000212022H1营业收入（亿元）同比增长率（%）毛利率（%）-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%024685200022H1归母净利润（亿元）销售净利率（%）ROE-加权（%）-10%-5%0%5%10%15%20%-50562002020212022H1经营活动现金流量净额（亿元）占比（%）0%10%20%30%40%50

75、%60%05000212022H1资产合计（亿元）资产负债率（剔除预收账款）（%）士兰微士兰微600460.SH |35 近期募投项目：近期募投项目：公司增发募集的资金将用于公司增发募集的资金将用于8 8英寸集成电路芯片生产线二期项目英寸集成电路芯片生产线二期项目、偿还银行贷款和购买杭州集华投资偿还银行贷款和购买杭州集华投资有限公司有限公司1919.5151%的股权以及杭州士兰集昕微电子有限公司的股权以及杭州士兰集昕微电子有限公司2020.3838%的股权的股权。8英寸集成电路芯片生产线二期项目（新增年产43.2万片8英寸芯片技

76、术改造项目）达产后，预计实现营业收入96,601.91万元，利润总额估算为20,757.36万元。静态回收期预计为5.56年，动态回收期预计为6.35年，年平均投资回报率为17.66%。行业分析：行业分析：2022年上半年，受地缘政治冲突、疫情、通胀等多种因素的影响，全球经济增长进一步放缓。全球半导体行业经历了2021年高速增长后，2022年上半年增速开始回落。根据半导体行业协会（SIA）发布的二季度半导体市场数据显示，2022年二季度全球半导体销售额达到1,525亿美元，同比增长13.3%，环比今年一季度增长0.5%。分月数据看，二季度末（6月份）销售额为508亿美元，环比下滑1.9%，同比

77、增速也自2021年2月以来首次降至15%以下。根据Gartner的最新预测，2022年全球半导体收入预计将增长7.4%，相比上一季度预测的13.6%有所下降，并且远低于2021年的26.3%。根据国家统计局发布的2022年6月份规模以上工业运行情况数据，6月份我国集成电路产量288亿块，环比上月增长4.7%，同比去年则下降10.4%，今年上半年（1-6月）我国集成电路产量合计为1,661亿块，同比下滑6.3%，为2009年以来同比增速首次转负。序号募投项目名称投资总额（万元）拟投入募集资金（万元）18英寸集成电路芯片生产线二期项目150,840.0056,100.002偿还银行贷款56,100

78、.0056,100.003购买杭州集华投资有限公司19.51%的股权以及杭州士兰集昕微电子有限公司20.38%的股权112,243.05112,243.05合计319,183.05224,443.05士兰微士兰微600460.SH数据来源：iFinD，长城证券研究院表：募集资金具体投资项目概况表：募集资金具体投资项目概况(万元）万元）重点公司估值重点公司估值（百万百万元元）斯达半导斯达半导时代电气时代电气天岳先进天岳先进三安光电三安光电士兰微士兰微收入2022E2,828.7417,170.98718.0816,307.209,970.34归母 2022E758.352,296.88113.6

79、92,124.921,434.06市值（市值（10月月12日日）5547PE（2022E）|36数据来源：iFinD一致预期，长城证券研究院 风险提示风险提示|39 风险提示风险提示 宏观经济波动风险宏观经济波动风险 碳化硅行业需求直接受到下游功率器件、射频器件制造及终端应用的影响。如果未来全球宏观经济发生剧烈波动，可能导致新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通等终端市场需求下降，进而导致下游功率器件、射频器件等终端应用产品的产销规模下滑。中美经贸摩擦、新冠肺炎疫情等外部环境风险中美经贸摩擦、新冠肺炎疫情等外部环境风险 当前全球疫情仍在持续，全球半导体产业的原材料、供

80、应链、下游行业等多方面由此受到持续的冲击，此外中美经贸摩擦仍存在不确定性。基于上述背景，半导体行业部分供需或出现较大波动，相关行业面临的供应链风险加大。原材料价格波动和供应风险原材料价格波动和供应风险 受地缘政治冲突影响，以原油为代表的能源类商品价格持续波动，若主要原材料价格后续呈现持续上涨趋势，或将对半导体行业的经营产生不利影响。同时，如因外部政治经济环境变化，可能导致部分原材料存在供应风险。碳化硅衬底成本高昂制约下游应用发展的风险碳化硅衬底成本高昂制约下游应用发展的风险 碳化硅衬底短期内依然面临制备难度大、成本高昂的挑战，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅

81、器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，成本制约因素可能导致碳化硅器件难以在下游市场快速实现行业应用的渗透和发展，导致整体行业发展不达预期。汇率风险汇率风险 汇率波动可能会对半导体行业的经营结果造成一定的影响。|61 证券分析师承诺证券分析师承诺本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，在执业过程中恪守独立诚信、勤勉尽职、谨慎客观、公平公正的原则，独立、客观地出具本报告。本报告反映了本人的研究观点，不曾因，不因，也将不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接接收到任何形式的报酬。长城证券投资评级说明长城证券投资评级说明公司评

82、级：买入预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅15%以上;增持预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于5%-15%之间;持有预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于-5%-5%之间;卖出预期未来6个月内股价相对行业指数跌幅5%以上.行业评级：强于大市预期未来6个月内行业整体表现战胜市场;中性预期未来6个月内行业整体表现与市场同步;弱于大市预期未来6个月内行业整体表现弱于市场|38 特别声明特别声明证券期货投资者适当性管理办法、证券经营机构投资者适当性管理实施指引（试行）已于2017年7月1日起正式实施。因本研究报告涉及股票相关内容，仅面向长城证券客户中的专业投资者及风险承受能力为稳健型、积极型、

83、激进型的普通投资者。若您并非上述类型的投资者，请取消阅读，请勿收藏、接收或使用本研究报告中的任何信息。因此受限于访问权限的设置，若给您造成不便，烦请见谅！感谢您给予的理解与配合。|39 免责声明免责声明长城证券股份有限公司（以下简称长城证券）具备中国证监会批准的证券投资咨询业务资格。本报告由长城证券向其机构或个人客户（以下简称客户）提供，除非另有说明，所有本报告的版权属于长城证券。未经长城证券事先书面授权许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制和发布，亦不得作为诉讼、仲裁、传媒及任何单位或个人引用的证明或依据，不得用于未经允许的其它任何用途。如引用、刊发，需注明出处为长城证券研究所，且不得

84、对本报告进行有悖原意的引用、删节和修改。本报告是基于本公司认为可靠的已公开信息，但本公司不保证信息的准确性或完整性。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为或被视为出售或购买证券或其他投资标的的邀请或向他人作出邀请。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。长城证券在法律允许的情况下可参与、投资或持有本报告涉及的证券或进行证券交易，或向本报告涉及的公司提供或争取提供包括投资银行业务在内的服务或业务支持。长城证券可能与本报告涉及的公司之间存在业务关系，并无需事先或在获得业务关系后通知客户。长城证券版权所有并保留一切权利。|40 长城证券产业金融研究院2022年10月12日长城研究长城研究 与您共成长与您共成长|41