1、 碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，国产崛起机遇已至国产崛起机遇已至 证券研究报告证券研究报告 （优于大市，维持）（优于大市，维持）余伟民（通信行业首席分析师）余伟民（通信行业首席分析师）SAC号码：号码：S0850517090006 联系人：夏凡联系人：夏凡 2022年年12月月31日日 投资要点投资要点 碳化硅性能优异，先进生产力代表。碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高

2、的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。产业链价值高地，产能释放最关键环节。产业链价值高地，产能释放最关键环节。衬底是碳化硅产业链的核心，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。我们认为，衬底环节是产业链的价值高地，而衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。产能迭代升级，需求起量在即，国产厂商正崛起。产能迭代升级，需求起量在即，国产厂商正崛起。目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。山西烁科为首家宣布可制备8英寸SiC衬底。2021年8月，山西

3、烁科研制出8英寸碳化硅晶体。2022年1月，公司实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。我们认为，随着国内衬底产品日益成熟、扩产进度逐渐加速，中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。投资建议：投资建议：关注天岳先进、晶盛机电、北方华创、高测股份。风险提示：风险提示：产能扩张不及预期，行业景气度不及预期风险；技术研发风险。请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 2 RYnUsQtRUUlWrVZWvX9PaObRsQqQnPpMlOpPnMeRoOm

4、P8OqQvMuOoPoRvPsRtP概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地，产业链：占据价值高地，3.行业格局：国产崛起机遇已至行业格局：国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析 5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 3 材料特征：第三代半导体正当时材料特征：第三代半导体正当时 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：北京通美招股书，第三代半导体联合创新孵化中心，海通证券研究所资料来源：北京通美招股书，第三代半导

5、体联合创新孵化中心，海通证券研究所 常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。4 资料来源：资料来源：彭燕，陈秀芳，谢雪健等彭燕，陈秀芳，谢雪健等.半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展，邢根源，邢根源.SiC单晶生长设备

6、热场设计及仿真分析单晶生长设备热场设计及仿真分析，杨，杨祥龙，祥龙，陈秀芳，谢雪健等陈秀芳，谢雪健等.8英寸导电型英寸导电型4H-SiC单晶的生长单晶的生长，海通证券研究所，海通证券研究所 发展历程：历久弥新，现已步入快车道发展历程：历久弥新，现已步入快车道 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 碳化硅的发展主要可以分为三大阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术 的探索阶段,时间跨度从 1824 年发现 SiC 结构至 1955 年 Lely 法的提出。第二阶段是物理基本性质研究 和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(physical

7、 vapor transport,缩写为 PVT)生长 方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出,至 1994 年 Cree 推出了商用的 2 英寸(50.8 mm)SiC 衬底材料。从 1994 年以后,随着国际上半导体照明及 2 英寸 SiC 单晶衬底的突破性进展,掀起了全球 SiC 器件及相关技术的研究热潮。表：碳化硅表：碳化硅单晶发展历史单晶发展历史 图：中国图：中国碳化硅研发之路碳化硅研发之路 时间 主要研发内容 节点时间 突破点 1824-1955 技术探索：结构基本原理性质和生长技术 1824 发现SiC结构 1885 Acheson法 1955 Lely法 1956-1994 技术积

8、累：物理基本性质研究和英寸级别单晶生长 1978 Modified Lely法 1992 掺V半绝缘技术 1994 商用2英寸4H-SiC衬底 1994-至今 研究技术和产业发展：尺寸扩大，缺陷降低和电学可控 2004 高纯半绝缘技术 2009 4英寸零微管密度衬底 2015 8英寸衬底研发 60年代中国科学院制得的直径3-4mm 6H-SiC晶片 2011年上海硅盐酸研究所制得的76.2mm 4H-SiC晶片 2022年山东大学制得的8 英寸 4H-SiC 衬底，4H 晶型面积比例达到了 100%5 碳化硅衬底主要有2大类型：半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为4

9、 英寸。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。由于下游应用在射频领域，半绝缘型半绝缘型SiC衬底、外延材料均受到美国商务部出口管制。衬底、外延材料均受到美国商务部出口管制。材料分类：半绝缘型材料分类：半绝缘型/导电型导电型 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 表：碳化硅类型及特征表：碳化硅类型及特征 资料来源：资料来源：工业和信息化部原材料工业司，工业和信息化部原材料工业司，BIS，天岳先进招股书，海通证券研究所，天岳先进招股书，海通证券研究所 美国商务部出口管制清单美国商务部出口管制清单 产品种类 图示 产品用途 电阻率(Ohm-c

10、m)常见 厚度 半绝缘型 通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。108 500m 导电型 通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。0.0150.025 350m ECCN 3C005：包括温度为：包括温度为20时，电阻率时，电阻率不低于不低于10000 cm的高电阻碳化硅等材料的高电阻碳化硅等材料 ECCN 3C006：3C001中未指定、由中未指定、由3C

11、005指定的衬底和至少一层碳化硅、指定的衬底和至少一层碳化硅、GaN、氮化、氮化铝或氮化铝镓的外延层组成的材料铝或氮化铝镓的外延层组成的材料 ECCN 3E001：包括高电阻碳化硅及外延材：包括高电阻碳化硅及外延材料等制备技术料等制备技术 6 材料分类：材料分类：半绝缘型半绝缘型/导电型导电型 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：资料来源：Wolfspeed官网官网，天岳先进招股书，天科合达官网，山西烁科官网，同光晶体官网，：，天岳先进招股书，天科合达官网，山西烁科官网，同光晶体官网，：彭燕，陈秀芳，谢雪健等彭燕，陈秀芳，谢雪健等.半绝缘碳化

12、半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展硅单晶衬底的研究进展，海通证券研究所，海通证券研究所 4寸半绝缘型寸半绝缘型 项目 Wolfspeed 天岳先进 天科合达 山西烁科 同光晶体 电阻率 1E6cm 1E6cm 1E10cm 1E9cm 1E7cm 直径 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 厚度 500 m 25m 未披露 500 m 15m（Z级）500 m 25m（P级）500 m 25m 500 m 25m 350 m 25m 弯曲度（绝对值）未披露

13、25m 15m 15m 25m 翘曲度 35m 40m 30m 20m 30m 总厚度变化 10m 15m 5m 5m 10m 多型 5%0 0 0 无披露 微管密度 未披露 1/cm2 1/cm2（Z级）5/cm2（P级）1/cm2 1/cm2（Z级）5/cm2（P级）表面粗糙度 未披露 Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.3nm 基平面位错 BPD 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露 螺位错 TSD 未披露 未披露 500/cm-2 未披露 未披露 半绝缘 SiC 作为衬底是GaN异质外延的优选材料,在微波领域具有重要的应用前景。相比蓝宝石14%、Si 16.9%的

14、晶格失配,SiC 与 GaN 材料仅有 3.4%的晶格失配,加上 SiC 超高的热导率,使其制备的高能效 LED 和 GaN 高频大功率微波器件在雷达、高功率微波设备和 5G 通信系统等方面均有极大的优势。半绝缘 SiC 衬底研发工作一直是 SiC 单晶衬底研发的重点。生长半绝缘 SiC 材料主要有2个难点：1）降低晶体中由石墨坩埚、保温吸附和粉料中掺杂引入的 N 施主杂质；2）在保证晶体质量和电学性质的同时,引入深能级中心补偿残存的具有电学活性的浅能级杂质。目前国内具备半绝缘型SiC生产能力的厂商主要为天岳先进、天科合达、山西烁科及同光晶体。7 材料分类：半绝缘型材料分类：半绝缘型/导电型导

15、电型 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：资料来源：Wolfspeed官网官网，天岳先进招股书，天科合达官网，山西烁科官网，同光晶体官网，三安光电官网，世纪金光官网，天岳先进招股书，天科合达官网，山西烁科官网，同光晶体官网，三安光电官网，世纪金光官网，海通证券研究所海通证券研究所 6寸导电型寸导电型 项目 Wolfspeed 天岳先进 天科合达 山西烁科 同光晶体 三安光电 世纪金光 电阻率 0.015-0.028cm 0.015-0.025cm 0.015-0.024cm 0.015-0.025cm 0.015-0.028cm 0.015-

16、0.028cm 0.015-0.025cm 直径 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.2 mm 150 mm+0.0/-0.5 mm 150 mm 0.2 mm 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.2 mm 厚度 350 m 25m 未披露 350 m 15m（Z级）350 m 25m（P级）350 m 25m 500 m 25m 350 m 25m 350 m 25m 350 m 25m 弯曲度（绝对值）未披露 25m 25m 25m 40m 15m（Z级）；20m（P级）翘曲度 40m 40m 35m 35m 60m 40m 25m（Z

17、级）；40m（P级）总厚度变化 10m 10m 6m 5m 15m 未披露 7m（Z级）；10m（P级）多型 5%0 0 0 0 0 0 微管密度 1/cm2 0.5/cm2 0.2/cm2（Z级）2/cm2（P级）1/cm2 1/cm2（Z级）5/cm2（P级）1/cm2 0.5/cm2（Z级）1/cm2（P级）表面粗糙度 未披露 Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.3nm Ra0.2nm Ra0.5nm 基平面位错 BPD 未披露 未披露 未披露 2000/cm2 未披露 5000/cm2 1500/cm2 螺位错 TSD 未披露 未披露 500/cm2 500/cm2

18、 未披露 500/cm2 12500/cm2 导电型SiC晶体通过向生长气氛中通人氮气实现。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件，碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将大幅提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。由于导电型产品下游主要为电动车、光伏等领域的功率器件中，应用前景空间更加广阔，生产厂商也更加众多。8 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 碳化硅晶型：碳化硅晶型：4H晶型最优晶型最优 碳化硅的典型结构可分为两

19、类，一类是闪锌矿结构的立方碳化硅晶型，称为 3C-SiC 或-SiC，另一类是六角型或菱形结构的大周期结构其中典型的 有 6H-SiC、4H-SiC、15R-SiC 等，统称为-SiC。3C-SiC 制造器件方面具有高电阻率的优势。然而，Si和SiC晶格常数和热膨胀系数的高度不匹配会导致 3C-SiC 外延层中产生大量缺陷。4H-SiC在制造 MOSFET 方面非常有潜力，因为其晶体生长和外延层生长的工艺表现更为优异，电子迁移率方面，4H-SiC 高于 3C-SiC 和 6H-SiC，为 4H-SiC MOSFET 提供了更好的微波特性。图：图：SiC晶型参数对比晶型参数对比 图：图：SiC晶

20、型差异晶型差异 9 资料来源：资料来源：Matsunami H.Fundamental research on semiconductor SiC and its applications to power electronics.Proc Jpn Acad Ser B Phys Biol Sci.2020;96(7):235-254.doi:10.2183/pjab.96.018，Codreanu C,Avram M,Carbunescu E,et al.Comparison of 3CSiC,6HSiC and 4HSiC MESFETs performancesJ.Materials S

21、cience in Semiconductor Processing,2000,3(1-2):137-142.，Jihoon Choi.SiC Nanowires:from growth to related devices.Other.Universit e GrenobleAlpes,2013.English.，海通证券研究所，海通证券研究所 图：图：SiC同质异构体平衡态分布同质异构体平衡态分布 概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地产业链：占据价值高地 3.行业格局：产能供不应求，国产崛起机遇已至行业格局：产能供不应求，

22、国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析 5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 10 材料制备流程材料制备流程 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：天岳先进招股书，海通证券研究所资料来源：天岳先进招股书，海通证券研究所 图：碳化硅衬底制备过程图：碳化硅衬底制备过程 碳化硅材料的制备主要是以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳化硅衬底。碳化硅粉 高纯碳粉 高纯硅粉 原料合成 碳化硅晶锭 晶体生长 碳化硅衬底 加工、

23、切割、研磨、抛光、清洗、检测等 感应式长晶炉 电阻式长晶炉 切割机 研磨机 抛光机 检测设备等 破碎、筛分、清洗 PVT法 HTCVD法 液相法 11 在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。我们认为，衬底是碳化硅产业链的核心环节，衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。图：图：碳化硅器件各环节成本占比（碳化硅器件各环节成本占比（%）图：图：SiC衬底产业链衬底产业链 资料来源：中资料来源：中商情报网，天科合达招股书，三菱电机、富士电机、商情报网，天科合达招股书，三菱电机、富士电机、II-VI、安森美、意法半导体、英飞凌、瞻芯电子官网

24、，新材料研习社微信公、安森美、意法半导体、英飞凌、瞻芯电子官网，新材料研习社微信公众号，海通证券研究所众号，海通证券研究所 碳化硅产业链：衬底为核心，降本为关键碳化硅产业链：衬底为核心，降本为关键 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 衬底衬底 研发研发费用费用 外延外延 总和总和 前段前段 衬底、衬底、外延、外延、前段前段 其他其他 Wolfspeed、II-IV、罗姆等、罗姆等 衬底厂商衬底厂商 长晶炉长晶炉 天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光晶体、晶盛机电、三安光天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光晶体、晶盛机电、三安光电、世纪金光、南砂晶圆、中电化

25、合物、露笑科技、东尼电子、电、世纪金光、南砂晶圆、中电化合物、露笑科技、东尼电子、中科钢研等中科钢研等 Wolfspeed、Aymont、Aixtron、LHT 天科合达、中科天科合达、中科院硅酸盐所、中院硅酸盐所、中国电科四十六所、国电科四十六所、北方华创、晶盛北方华创、晶盛机电机电 多线切割多线切割 日本高鸟、日本高鸟、Meryer Burger、NTC 高测股份、中国高测股份、中国电科四十五所、电科四十五所、湖南宇晶、苏州湖南宇晶、苏州郝瑞特郝瑞特 研磨抛光研磨抛光 日本不二越、韩日本不二越、韩国国NTS、美国斯、美国斯德堡德堡 中电科四十五所、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州湖南宇晶、苏

26、州赫瑞特赫瑞特 12 作为半导体材料生产企业，原材料和生产设备是衬底厂商的重要生产资料。公司生产所需的原材料主要包括碳粉和硅粉等主料和石墨件、石墨毡、抛光液、金刚石粉等辅料。生产设备主要包括长晶炉、切割研磨设备等。据天岳先进招股书，公司主营业务成本构成中，2018-2021H1直接材料和设备折旧的占比分别为 73.10%、67.77%、63.22%和 69.45%，为生产成本的重要组成部分，原材料和生产设备的价格波动会直接影响公司的经营成本。目前原材料、设备仍存在部分依赖外资供应商的情况。目前原材料、设备仍存在部分依赖外资供应商的情况。据天岳先进招股书，公司原材料向外资供应商采购金额占主要原材

27、料采购总额的比例约为77%。截至 2021 年 6 月 30 日，公司现有加工检测设备中无国产替代的进口设备原值为6321.93 万元、已有国产替代的进口设备原值为 903.34 万元，设备国产化率仅占12.5%。图：图：碳化硅衬底成本占比（天岳先碳化硅衬底成本占比（天岳先进）进）资料来源：天岳先进招股书资料来源：天岳先进招股书，海通证券研究所，海通证券研究所 碳化硅产业链成本分析碳化硅产业链成本分析 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20021H1碳粉 硅粉 石

28、墨件 石墨毡 其他 切割钢丝 金刚石粉 抛光液 抛光垫 图：图：原材料外资供应占比（天岳先原材料外资供应占比（天岳先进）进）64.32%76.85%75.97%76.52%50%55%60%65%70%75%80%85%90%95%100%20021H113 材料制备：材料制备：原料合成原料合成/长晶长晶/切磨抛切磨抛 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：汉虹精密官网，晶升装备官网，马康夫，王英民，李斌等资料来源：汉虹精密官网，晶升装备官网，马康夫，王英民，李斌等.生长单晶用生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展粉料合成工

29、艺研究进展，海通证券研究所，海通证券研究所 图：感应式图：感应式/电阻式碳化硅原料合成炉电阻式碳化硅原料合成炉 原料合成过程是将高纯硅粉和高纯碳粉按工艺配方均匀混合，在 2000以上的高温条件下，于反应腔室内通过特定反应工艺，去除反应环境中残余的、反应微粉表面吸附的痕量杂质，使硅粉和碳粉按照既定化学计量比反应合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎、筛分、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅粉原料。固相法：固相法：碳热还原法碳热还原法 自蔓延高温合成法自蔓延高温合成法 机械粉碎法机械粉碎法 优点优点 较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工

30、业化生产。业化生产。缺点缺点 杂质含量高，质量较低。杂质含量高，质量较低。液相法：液相法：是溶胶是溶胶凝胶法凝胶法 聚合物热分解法聚合物热分解法 优点优点 硅粉体纯度高且为纳米级的微粉。硅粉体纯度高且为纳米级的微粉。缺点缺点 工序较为复杂，且易产生对工序较为复杂，且易产生对 人体有害的物质。人体有害的物质。气相法：气相法：化学气相沉积法化学气相沉积法 等离子体法等离子体法 激光诱导法激光诱导法 优点优点 粉体纯度较高，颗粒尺寸小。粉体纯度较高，颗粒尺寸小。缺点缺点 成本高且产量较低，不适合批量化的生产。成本高且产量较低，不适合批量化的生产。表：表：高纯碳化硅粉体原料制备方法高纯碳化硅粉体原料制

31、备方法 14 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 目前碳化硅单晶生长的方法主要有：物理气相传输法（目前碳化硅单晶生长的方法主要有：物理气相传输法（PVT）；高温化学气相沉积法（）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）；顶部籽晶溶液）；顶部籽晶溶液生长法（生长法（TSSG）；。）；。表：表：碳化硅晶体制备方法差异碳化硅晶体制备方法差异 资料来源：资料来源：半导体前沿微信公众号，刘军林半导体前沿微信公众号，刘军林.SiC单晶生长设备热场设计及仿真分析单晶生长设备热场设计及仿真分析，海通证券研究所，海通证券研究所 15 PVT 优点优点 设备成本低，结构简单；

32、技术成熟，目前主流的晶体生长方法；耗材成本低。设备成本低，结构简单；技术成熟，目前主流的晶体生长方法；耗材成本低。缺点缺点 生长速率慢；缺陷较难控制；长晶过程中可监控生长参数少。生长速率慢；缺陷较难控制；长晶过程中可监控生长参数少。HTCVD 优点优点 缺陷少；纯度高；掺杂方便。缺陷少；纯度高；掺杂方便。缺点缺点 设备昂贵；反应缓慢；耗材成本高；原料成本高；生长过程中进气口、排气口易堵塞，设备设备昂贵；反应缓慢；耗材成本高；原料成本高；生长过程中进气口、排气口易堵塞，设备稳定性低；可监控生长参数少。稳定性低；可监控生长参数少。TSSG 优点优点 生长成本低；缺陷密度低；比较适合生长成本低；缺陷

33、密度低；比较适合P型晶体生长。型晶体生长。缺点缺点 生长缓慢；对材料要求高；金属杂质难以控制；生长晶体尺寸小，目前主要应用在实验研究。生长缓慢；对材料要求高；金属杂质难以控制；生长晶体尺寸小，目前主要应用在实验研究。材料制备：原料合成材料制备：原料合成/长晶长晶/切磨抛切磨抛 图：图：PVT法制备原理法制备原理 图：图：HTCVD法制备原理法制备原理 图：图：液相法法制备原理液相法法制备原理 材料制备：原料合成材料制备：原料合成/长晶长晶/切磨抛切磨抛 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：汉虹精密官网，资料来源：汉虹精密官网，Wolfspee

34、d官网，海通证券研究所官网，海通证券研究所 图：感应式图：感应式SiC长晶炉炉长晶炉炉 目前主流普遍采用 PVT 法制备碳化硅单晶。PVT法需要在密闭生长腔室内在 2300C 以上高温、接近真空的低压下加热碳化硅粉料，使其升华产生包含Si、Si2C、SiC2等不同气相组分的反应气体，通过固-气反应产生碳化硅单晶反应源；由于固相升华反应形成的 Si、C 成分的气相分压不同，Si/C 化学计量比随热场分布存在差异，需要使气相组分按照设计的热场和温梯进行分布和传输，使组分输运至生长腔室既定的结晶位臵；为了避免无序的气相结晶形成多晶态碳化硅，在生长腔室顶部设臵碳化硅籽晶在生长腔室顶部设臵碳化硅籽晶（种

35、子种子），输运至籽晶处的气相组分在气相组分过饱和度的驱动下在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。图：电阻式图：电阻式SiC长晶炉炉长晶炉炉 图：图：SiC籽晶作用示意籽晶作用示意 16 材料制备：原料合成材料制备：原料合成/长晶长晶/切磨抛切磨抛 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：日本高鸟官网，国瑞升科技官网，海通证券研究所资料来源：日本高鸟官网，国瑞升科技官网，海通证券研究所 图：多线切割设备图：多线切割设备 切割加工环节中，在考虑后续加工余量的前提下，使用金刚石细线将碳化硅晶棒切割成满足客户需求的不同厚度的切割，并使用全自动测试设备进行

36、翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）、厚度变化（TTV）等面型检测。通过自有工艺配方的研磨液将切割片减薄到相应的厚度，并且消除表面的线痕及损伤。使用全自动测试设备及非接触电阻率测试仪对全部切割片进行面型及电学性能检测。进行研磨后，通过配比好的抛光液对研磨片进行机械抛光和化学抛光，用来消除表面划痕、降低表面粗糙度及消除加工应力等，使研磨片表面达到纳米级平整度。使用 X 射线衍射仪、原子力显微镜、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设 备，检测碳化硅抛光片的各项参数指标，据此判定抛光片的质量等级。目前切磨抛环节设备仍由海外进口为主，国内厂商正处于加速研发中。图：图：SiC研磨机研磨机 检测设

37、备：检测设备：光学显微镜、X 射线衍射仪、原子力显微镜、非接触电阻率测试仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪 检测特征：检测特征：晶片的微管密度、结晶质量、表面粗糙度、电阻率、翘曲度、弯曲度、厚度变化、表面划痕等各项参数指标 检测环节检测环节 17 材料制备：原料合成材料制备：原料合成/长晶长晶/切磨抛切磨抛 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：张玺，王蓉，资料来源：张玺，王蓉，张序清等张序清等.碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势，Yole，海通证券研究所，海通证券研究所 图：激光图：激光/冷分离技术

38、冷分离技术 相比硅材料，碳化硅具有生长慢、晶圆小、材质硬、切割难度大等特点，对成本和产能都有较大影响。为了更好地提高产能，英飞凌几年前就加大了对英飞凌几年前就加大了对“冷切割冷切割”技术的投入技术的投入，能有效提升切割效率。2018年11月12日，英飞凌科技以1.24亿欧元收购了位于德累斯顿的初创公司Siltectra。Siltectra研发了冷切割（Cold Split）这一创新技术，可高效处理晶体材料，并最大限度减少材料损耗。据2017年公司披露的文献数据，与最先进的线锯工艺相比，冷切割技术已经将同一晶体可切出的晶圆数量增加了冷切割技术已经将同一晶体可切出的晶圆数量增加了 50%以上以上，

39、未来的目标是将该数字提高到 65%以上。国内的激光厂商近年也开始涉足SiC晶锭切割领域。据大族激光22年半年报、2021年报披露，大族半导体SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证，预计未来材料利用率对比传统切割可提升至少50%以上。据德龙激光公告，碳化硅晶锭切片技术公司也已完成工艺研发，正在给客户做测试验证。图：激光技术试用公司图：激光技术试用公司 18 概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地产业链：占据价值高地 3.行业格局：国产崛起机遇已至行业格局：国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析

40、5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 19 行业格局：产能向大尺寸转移，国内厂商进展加速行业格局：产能向大尺寸转移，国内厂商进展加速 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 晶盛机电晶盛机电8寸片寸片 目前，碳化硅产业中衬底仍以4-6英寸为主。若将尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的单片面积将增大77.8%，可利用面积大大提高。大直径衬底能够有效降低器件制备成本，以直径 6英寸衬底为例，使用直径 6英寸衬底相对直径 4英寸衬底能够节省大约 30%的器件制备成本。国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近

41、年来发展提速明显。山西烁科为首家宣布可制备8英寸SiC衬底。2021年8月，山西烁科研制出8英寸碳化硅晶体。2022年1月，公司实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。资料来源：资料来源：Wolfspeed官网，晶盛机电官网，天岳先进官网，天科合达官网，官网，晶盛机电官网，天岳先进官网，天科合达官网，CASA，宽禁带半导体技术创新联盟公众号、天岳先进公众，宽禁带半导体技术创新联盟公众号、天岳先进公众号、晶盛机电公众号、烁科晶体官网，海通证券研究所号、晶盛机电公众号、烁科晶体官网，海通证券研究所 20 图：图：

42、6英寸英寸&8英寸碳化硅衬底对比英寸碳化硅衬底对比 烁科晶体烁科晶体8寸片寸片 时间 企业 概况 量产时间 2015 Wolfspeed 展示了8英寸SiC衬底 2022年初 2015 II-VI 展示8英寸导电型SiC衬底 2024年 2019 II-VI 推出半绝缘8英寸SiC衬底 2024年 2021.8 烁科晶体 成功研制8英寸SiC晶体 2022.8 晶盛机电 展示8英寸SiC衬底 2022.10 天岳先进 展示8英寸SiC衬底 2022.11 天科合达 成功研制8英寸SIC衬底 表：海内外厂商表：海内外厂商8英寸进展英寸进展 核心壁垒：缺陷控制核心壁垒：缺陷控制良率提升良率提升产能

43、扩张产能扩张 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 限制 SiC 材料应用的主要因素是晶体中高密度微管缺陷的存在,因此 SiC 微管研究一直是前期研发的重点。对于微管缺陷，2010 年以前研究工作比较多。现阶段研发和商用的 SiC 衬底微管密度都得到了有效控制。近年来,研究学者将目标转向降低 SiC 位错密度的研究。据天岳先进招股书披露，2021 年 H1 公司的晶棒良率达到49.90%，衬底良率达到 75.47%，综合良率目前大约为37.7%。资料来源：半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展，资料来源：半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展，CASA，天岳先进招股书，

44、海通证券研究所，天岳先进招股书，海通证券研究所 21 图：微管密度逐年降低图：微管密度逐年降低 图：图：碳化硅工艺精进将驱动位错密度下降碳化硅工艺精进将驱动位错密度下降 图：图：天岳先进良率天岳先进良率 产业趋势：规模效应下价格渐低，需求起量在即产业趋势：规模效应下价格渐低，需求起量在即 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 近年来，半绝缘型及导电型衬底的单价都在逐年递减，我们预计随着全球产能扩张逐步落地，未来3年内衬底单价将会继续下降，从而有助于加速碳化硅的渗透率整体提升。据Wolfspeed预测，碳化硅材料市场将在2024年突破10亿美元，在22-2

45、6年间增长2.5倍，从7亿美元增长至17亿美元。资料来源：资料来源：CASA，Wolfspeed官网，海通证券研究所官网，海通证券研究所 22 图：碳化硅材料市场空间预测图：碳化硅材料市场空间预测 图：图：SiC 衬底价格（衬底价格（RMB/cm2）发展趋势）发展趋势 市场份额：海外厂商仍为主导，国内厂商逐步崛起市场份额：海外厂商仍为主导，国内厂商逐步崛起 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。碳化硅衬底产品的制造涉及设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测等诸多环节，需要长期的

46、工艺技术积累，存在较高的技术及人才壁垒。根据华经产业研究院援引Yole数据，2020年上半年，碳化硅衬底市场（半绝缘和导电型）Wolfspeed市占率达到45%以上，国内龙头天科合达和山东天岳的合计市场份额不到10%。山东天岳、烁科晶体（中电科孵化）、河北同光（中科院半导体所孵化）现有主要产品为高纯半绝缘衬底，而天科合达（中科院物理所孵化）、世纪金光主要产品为导电型衬底。我们认为，随着国内衬底产品日益成熟、扩产进度逐渐加速，中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。资料来源：华经产业研究院，资料来源：华经产业研究院，CASA，Yole，海通证券研究所，海通证券研究所 23

47、 领域领域 集中度集中度 份额份额 公司公司 SiC 功率半导体 CR5 80%Cree|Wolfspeed 、ROHM、Infineon、Mitsubishi 和 ST GaN 功率半导体 CR4 90%EPC、Transphorm、GaN system、Infineon GaN 射频 CR3 85%住友、Cree|Wolfspeed 和 Qorvo 图：图：2020年年H1碳化硅衬底市场份额占比碳化硅衬底市场份额占比 表：半导体行业集中度情况表：半导体行业集中度情况 CREE 45%Rohm 20%II-VI 13%昭和电工昭和电工 8%天科合达天科合达 5%山东天岳山东天岳 3%其他其他

48、 6%概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地，产业链：占据价值高地，3.行业格局：国产崛起机遇已至行业格局：国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析 5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 24 天岳先进：中国碳化硅衬底上市第一股天岳先进：中国碳化硅衬底上市第一股 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 天岳先进成立于2010年，经过十余年的技术发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心

49、技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。公司于2022年1月12日登录科创板。截至2021年，公司实现扭亏为盈，综合毛利率自2019年后逐渐趋稳。2021全年毛利率有所下降主要受可用来制作成莫桑石的晶棒产品降价的影响，目前市场宏观环境等因素影响饰品类消费市场需求有所下滑，可用来制作成莫桑石的晶棒产品的毛利下滑；此外，公司产能向大尺寸及导电型产品切换，这部分产品短期内生产规模较小导致单位成本较半绝缘产品高，对毛利产生一定影响。公司临港工厂募投一期项目于2021年开工，预计于2022年三季度实现投产，2026年达到30万片/年设计产能，主要生产6英寸导电型碳化硅衬底。2022年

50、4月，公司披露通过16949车规认证。风险提示：募投项目进展不及预期；国内疫情影响。资料来源：天岳先进招股书，资料来源：天岳先进招股书，Wind，海通证券研究所，海通证券研究所 25 图：图：2018-2021年公司毛利率年公司毛利率 图：图：2018-2021公司归母净利润公司归母净利润 图：公司半绝缘型和导电型衬底布局时间表图：公司半绝缘型和导电型衬底布局时间表 0%10%20%30%40%50%60%70%20021综合毛利率 碳化硅业务毛利 其他业务毛利-0.42-2.01-6.42 0.9-500%-400%-300%-200%-100%0%100%200%-7

51、-6-5-4-3-2-920202021归母净利（亿元，左轴）同比（右轴）天科合达：导电型衬底为主，产能高速扩张天科合达：导电型衬底为主，产能高速扩张 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 公司自 2006 年成立以来，一直专注于碳化硅晶体生长和晶片生产领域，先后研制出 2 英寸、3 英寸、4 英寸碳化硅衬底，于 2014 年在国内首次研制出 6 英寸碳化硅晶片，并已形成规模化生产能力，工艺技术水平处于国内领先地位。公司已具备成熟的 6 英寸晶片制备技术并实现规模化供应，8 英寸产品仍在研发阶段。2021年12月，公司披露通过169

52、49车规认证。风险提示：产能扩张不及预期；良率提升不及预期。资料来源：天科合达招股书（申报稿），天科合达官网，海通证券研究所资料来源：天科合达招股书（申报稿），天科合达官网，海通证券研究所 图：图：2017-2020Q1公司产能公司产能 26 图：图：公司发展历史公司发展历史 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 烁科晶体：中电科唯一衬底企业，技术国内领先烁科晶体：中电科唯一衬底企业，技术国内领先 资料来源：烁科晶体官网，海通证券研究所资料来源：烁科晶体官网，海通证券研究所 公司拥有强大的自主供应能力，目前拥有600台单晶生长设备，已实现4英寸高纯半绝缘

53、晶片的产业化，月产能可达8000片。2021年8月，山西烁科晶体有限公司成功研制出8英寸碳化硅晶体，解决大尺寸单晶制备的重要难题。2022年1月，公司再次取得重大突破，实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。风险提示：扩产节奏不及预期。图：图：公司核心产品公司核心产品 图：图：公司研发历程公司研发历程 图：图：公司合作伙伴公司合作伙伴 27 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 同光晶体：中科院技术一脉相承，进入产能落地期同光晶体：中科院技术一脉相承，进入产能落地期 资料来源：同光晶体官网，海通证券研

54、究所资料来源：同光晶体官网，海通证券研究所 河北同光半导体股份有限公司成立于2012年，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。公司自建立以来，成立了“院士工作站”、“SiC单晶材料与应用研究联合实验室”，设立了“中国科学院半导体研究成果转化基地。2021年9月5日河北同光产10万片碳化硅单晶衬底项目投产仪式圆满落幕。“年产10万片碳化硅单晶衬底项目”是2020年涞源县政府与同光晶体正式签约的第三代半导体产业项目。项目位于涞源经济开发区，总投资约9.5亿元，规划占地112.9亩，规划建筑面积860

55、00余平方米。项目采用国际先进的碳化硅单晶衬底生产技术，布局单晶生长炉600台，建成具有国际先进水平的碳化硅单晶衬底生产线。项目建成满产后，可实现年产10万片碳化硅单晶衬底，预计年销售收入5-10亿元。2021年1月，同光晶体宣布完成C轮融资。此轮融资由CPE领投，新资金的注入旨在帮助同光晶体更快更好的完成新一轮产能扩张计划。风险提示：行业竞争激烈；下游客户导入不及预期。图：图：公司产品矩阵公司产品矩阵 28 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 晶盛机电：致力于生长加工技术自主可控晶盛机电：致力于生长加工技术自主可控 资料来源：晶盛机电资料来源：晶盛机

56、电22年半年报，晶盛机电官网，海通证券研究所年半年报，晶盛机电官网，海通证券研究所 晶盛机电是国内领先的半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造企业，公司已建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。8月12日，公司首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题。公司布局碳化硅衬底生长环节与外延设备环节，致力于掌握产业链核

57、心壁垒。风险提示：行业竞争激烈；下游客户导入不及预期。图：图：公司产品布局公司产品布局 图：图：碳化硅衬底产品碳化硅衬底产品 图：图：碳化硅外延生长炉碳化硅外延生长炉 29 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 北方华创：设备代工龙头，受益于碳化硅上游扩产红利北方华创：设备代工龙头，受益于碳化硅上游扩产红利 资料来源：北方华创官网，海通证券研究所资料来源：北方华创官网，海通证券研究所 北方华创以电子专用设备和电子元器件为主要产品。北方华创现已具备大尺寸、导电/高纯半绝缘型、粉料合成/晶体生长/晶锭热处理等多种技术路线的10余种设备机型，助力中国SiC企业

58、实现高速发展。据公司公告披露，2022年公司碳化硅长晶设备订单饱满，累计出货已达千余台，预计22年全年出货将超500台，并已成为国内主流客户的首选产品。同时，公司8吋碳化硅长晶炉已完成研发，并进入客户端。在外延装备方面，北方华创具有10余年外延设备研发的技术积累，在温场、气流场以及平台控制等设计方面优势显著，可针对多种半导体外延装备进行定制开发，涵盖硅与化合物半导体领域。北方华创的4/6吋SiC外延设备已签订单超百台，批量机台已在各大主流外延厂实现稳定量产。风险提示：下游扩产节奏不及预期。图：图：碳化硅长晶炉碳化硅长晶炉 图：图：碳化硅外延生长炉碳化硅外延生长炉 30 请务必阅读正文之后的信息

59、披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 高测股份：聚焦金刚线切割国产化高测股份：聚焦金刚线切割国产化 资料来源：高测股份官网，资料来源：高测股份官网，高测股份向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书高测股份向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书，海通证券研究所，海通证券研究所 目前，公司主要从事高硬脆材料切割设备和切割耗材的研发、生产和销售，产品主要应用于光伏行业硅片制造环节。随着碳化硅金刚线切片机市场需求激发，公司领先行业实现碳化硅金刚线切片机小批量销售并逐步打开市场空间。2022年6月至9月，公司碳化硅金刚线切片机已签订销售订单9台。公司推出的GC-SCDW6500碳化硅金

60、刚线切片专机自去年开始在客户端试用，该机型属于国内首款高线速碳化硅金刚线切片机，对比砂浆切割可提升4倍以上产能，采用0.2mm及以下金刚线切割，显著降低生产成本并提高出片率。我们认为，衬底切割环节正处于国产替代起步阶段，未来随着国产加工设备渗透率提升，加工设备厂商有望在衬底扩产浪潮中收益。风险提示：国产化进程不及预期；龙头厂商渗透不及预期。图：图：公司核心业务布局公司核心业务布局 表：表：金刚线切割已成为高硬脆材料主流加工路径金刚线切割已成为高硬脆材料主流加工路径 31 概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地，产业链：占据价值高

61、地，3.行业格局：国产崛起机遇已至行业格局：国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析 5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 32 观点总结观点总结 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 行业趋势：高速扩张，衬底掌舵行业趋势：高速扩张，衬底掌舵 1.衬底环节工艺缺陷直接影响器件及应用质量 2.衬底扩径、放量和降本进度决定行业渗透进程 3.衬底作为产业链价值高地，掌握话语权 行业格局：关注产业链自主可控，设备国产化将是必然趋势行业格局：关注产业链自主可控，设备国产化将是必然趋势 1.长晶炉设

62、备：国产化水平较高，已进入碳化硅扩产红利期 2.加工设备：海外设备厂商占比高，国产替代正处于早期；随着产能加速扩张，设备自主可控、加工效率迭代将成为必然趋势，国产加工设备环节有望迎来重要机遇。核心壁垒：晶体制备技术；设备自主可控核心壁垒：晶体制备技术；设备自主可控 投资建议：投资建议：关注天岳先进、晶盛机电、北方华创、高测股份。33 投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 34 我们认为，碳化硅衬底行业的核心壁垒主要在于上游的晶体制备技术和产业链自主可控两方面，我们认为，碳化硅衬底行业的核心壁垒主要在于上游的晶体制备技术和产业链自主可控两

63、方面，因此在行业的快速发展中，优质衬底厂商将更加具有竞争力。同时，在上游衬底快速扩产的浪潮因此在行业的快速发展中，优质衬底厂商将更加具有竞争力。同时，在上游衬底快速扩产的浪潮中，国产替代渗透进程将持续加速，设备厂商将有望打开潜在广阔空间。中，国产替代渗透进程将持续加速，设备厂商将有望打开潜在广阔空间。建议关注：天岳先进、晶盛机电、北方华创、高测股份。建议关注：天岳先进、晶盛机电、北方华创、高测股份。代码代码 公司名称公司名称 股价股价 市值市值 EPS（元）（元）PE（倍）（倍）（元）（元）（亿元）（亿元）2020 2021 2022E 2020 2021 2022E 688234.SH 天岳

64、先进 78.00 335.17 0.23 0.13 0.33 335 589 238 300316.SZ 晶盛机电 63.56 831.82 1.33 2.10 2.84 48 30 22 002371.SZ 北方华创 225.30 1,190.82 2.05 3.82 5.24 110 59 43 688556.SH 高测股份 75.02 170.99 1.07 3.00 4.11 70 25 18 表：重点公司盈利预测表：重点公司盈利预测 时间更新至时间更新至2022年年12月月30日，日，EPS均为均为Wind一致预期一致预期 资料来源：资料来源：Wind，海通证券研究所，海通证券研究所

65、 风险提示风险提示 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 风险提示：风险提示：产能扩张不及预期，行业景气度不及预期风险；技术研发风险。35 分析师声明分析师声明 余伟民余伟民 本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，以勤勉的职业态度，独立、客观地出具本报告。本报本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，以勤勉的职业态度，独立、客观地出具本报告。本报告所采用的数据和信息均来自市场公开信息，本人不保证该等信息的准确性或完整性。分析逻辑基于作者的职告所采用的数据和信息均来自市场公开信息，本人不保证该等信息的准确性或完整性。分析逻辑基于作者的职

66、业理解，清晰准确地反映了作者的研究观点，结论不受任何第三方的授意或影响，特此声明。业理解，清晰准确地反映了作者的研究观点，结论不受任何第三方的授意或影响，特此声明。分析师声明和研究团队分析师声明和研究团队 通信研究团队：通信研究团队：通信行业首席分析师通信行业首席分析师 余伟民余伟民 SAC执业证书编号：执业证书编号：S0850517090006 电电 话：话： Email： 联系人：夏凡联系人：夏凡 Email： 36 信息披露和法律声明信息披露和法律声明 投资评级说明投资评级说明 法律声明法律声明 。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本报告中的

67、信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能会波动。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。市场有风险，投资需谨慎。本报告所载的信息、材料及结论只提供特定客户作参考，不构成投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需要。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况。在法律许可的情况下，海通证券及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券并进

68、行交易，还可能为这些公司提供投资银行服务或其他服务。本报告仅向特定客户传送，未经海通证券研究所书面授权，本研究报告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷贝、复印件或复制品，或再次分发给任何其他人，或以任何侵犯本公司版权的其他方式使用。所有本报告中使用的商标、服务标记及标记均为本公司的商标、服务标记及标记。如欲引用或转载本文内容，务必联络海通证券研究所并获得许可，并需注明出处为海通证券研究所，且不得对本文进行有悖原意的引用和删改。根据中国证监会核发的经营证券业务许可，海通证券股份有限公司的经营范围包括证券投资咨询业务。1.投资评级的比较和评级标准：投资评级的比较和评级标准：以报告发布后的 6

69、 个月内的市场表现为比较标准，报告发布日后 6 个月内的公司股价（或行业指数）的涨跌幅相对同期市场基准指数的涨跌幅；2.市场基准指数的比较标准：市场基准指数的比较标准：A 股市场以海通综指为基准；香港市场以恒生指数为基准；美国市场以标普 500或纳斯达克综合指数为基准。类类 别别 评评 级级 说说 明明 股票投资评级 优于大市 预期个股相对基准指数涨幅在 10%以上；中性 预期个股相对基准指数涨幅介于-10%与 10%之间；弱于大市 预期个股相对基准指数涨幅低于-10%及以下；无评级 对于个股未来 6 个月市场表现与基准指数相比无明确观点。行业投资评级行业投资评级 优于大市 预期行业整体回报高于基准指数整体水平 10%以上；中性 预期行业整体回报介于基准指数整体水平-10%与 10%之间；弱于大市 预期行业整体回报低于基准指数整体水平-10%以下。37