1、分析师：吴文吉登记编号：S03证 券 研 究 报 告2023年1月20日【方正电子 公司深度报告】燕东微（688172.SH）：分立器件+特种IC+晶圆制造+封装测试，募投12吋线赋能产品与代工布局燕东微 业务版图资料来源：Wind，燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理2产品与方案-IDM模式业务占比约15%制造与服务业务占38%分立器件及模拟IC数字三极管浪涌保护器件ECM前置放大器射频功率器件特种IC及器件晶圆制造封装测试分立器件模拟IC电压调整电路钟振控制器运算比较器电路光电码盘专用控制电路特种光电及分立器件低速光电耦合器门驱动光电耦合器高速光电耦合器线性光

2、电耦合器开关及稳压二极管单结晶体管场效应晶体管铝栅CMOS硅栅先进工艺CMOS硅栅高速CMOS硅栅低压CMOSCMOS数字逻辑电路单片集成稳压电路运算放大器基准电压源器件脉宽调制器（PWM）混合IC通用混合集成电路专用混合集成电路6英寸8英寸已量产数字、模拟及数模IC二、三极管功率MOS消费电子家电安防汽车电子通讯电源消费电子工业控制通讯电力电子业务占比约40%业务占比4%SOD/SOT数字IC模拟IC在建12英寸月产能6万片规划月产4万片DFNQFN月产能6万片新能源汽车电子通讯智能终端AIoT家电工业控制LED开关电源通信传输遥感遥测水路运输陆路运输特种领域仪器仪表通用领域研发投入（万元）

3、954902120192020发明专利55项实用新型专利221项截至2022.6.30研发人员数量占比21%379截至2022.6.30SXjYmOpNSWnUpX0ZoY8ObPbRnPoOpNsReRpPnMjMmOpM7NoMrRwMmNsPuOqNrP投资要点 深耕芯片设计+晶圆制造+封测三十余年，制造能力与产品品类双线开花。公司的主营业务包括产品与方案和制造与服务，聚焦于分立器件及模拟IC、特种IC及器件的设计、生产和销售，晶圆制造与封测服务；下游应用于消费/汽车/电力电子、新能源、通讯、智能终端和特种应用等。目前公司的6英寸和8英寸线已量产，月产能均为6万片，

4、覆盖众多主流工艺平台，已布局12英寸线；同时公司众多系列产品如特种IC CC4000系列产品等比肩国际，领先国内。募投12英寸线赋能产品与代工布局。公司的一支400百余人的兼具丰富IC产业经验与专业基础的技术团队正加快建设12英寸线，预计2023年实现量产，2025年实现满产，建成后将提升公司的制程水平与代工布局，推动SiC、GaN第三代半导体的工艺技术研发及产业化。面向第三代半导体与硅基光电子工艺平台等行业先进方向发展，消费/汽车/电力电子等下游市场驱动需求增长。2023-2025年公司将围绕核心战略，巩固现有市占率的基础上，不断强化晶圆制造能力和技术创新能力，持续优化产品结构并提升产能；加

5、大SiC等第三代半导体的研发并实现量产；完成硅基光电子等工艺平台的建设并实现量产；加快建设12英寸线。资料来源：Wind，燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理 盈利预测：我们预计公司2022-2024年营业收入22.5/28.6/39.6亿元，归母净利润5.7/4.5/6.8亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。风险提示：（1）上游原材料及零部件供应短缺风险；（2）下游需求不及预期风险；（3）产品研发及产业化应用不及预期风险；（4）各项营收增速不及预期风险。盈利预测单位/百万20212022E2023E2024E营业总收入2035 2250 2859 3960(+/-)(%)97.45 1

6、0.57 27.09 38.51 归母净利润550 570 452 682(+/-)(%)841.08 3.61-20.71 50.85 EPS(元)0.78 0.48 0.38 0.57 ROE(%)5.43 3.94 3.03 4.38 P/E27.76 45.52 57.41 38.06 P/B2.18 1.80 1.74 1.67 3目录分立器件+特种IC+晶圆制造+封装测试驱动成长1众多产品技术水平比肩国际，领先国内2盈利预测44面向行业先进主流方向发展，下游需求持续赋能业务增长3股权结构：北京电控为控股股东及实际控制人截至2022年12月13日，北京电控直接控股41.26%，并通过

7、下属单位京东方创投等间接控股，合计控制公司60.23%的股份，为公司控股股东及实际控制人。资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理5图表：公司股权结构图燕东微燕东科技吉乐电子瑞普北光宇翔电子飞宇电路锐达芯电子城京东方员工持股平台京国瑞长城资管盐城高投亦庄国投国家集成电路基金9.14%控制电子城IC设计服务公司顿思设计芯连科技北京双仪微电子科技有线公司北京四霖技术有限公司四川广义光电融合基金新相微北京国管北京电控100%北京市国资委100%京东方创新投资有限公司京东方创投电控产投100%100%控制一致行动一致行动33.33%16.67%50%0.91%2.22%41.26%2.26%4.44

8、%11.09%9.92%16.57%2.19%100%100%100%100%100%100%67%45.01%100%45.24%8.17%7.84%6.00%34.88%2.38%员工持股平台指发行人股东联芯一号、联芯二号、联芯三号、联芯 五号、联芯六号、联芯七号、联芯八号、联芯九号、联芯十号、联芯十一号。发展历程：制造能力&产品品类双线开花920002004燕东微成立建成SOT/SOD塑封生产线推出小型化ECM前置放大器封装产品6英寸晶圆生产线量产制造能力资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理6200820020201920182014开始

9、筹建4英寸线4英寸晶圆生产线竣工验收4英寸晶圆生产线量产超小型塑封生产线量产 6英寸晶圆生产线月产突破2万片 超小型塑封生产线年产突破30亿只 6英寸晶圆生产线扩产到3万片 8英寸晶圆生产线立项 8英寸晶圆生产线通线 6英寸晶圆生产线月产突破5万片 沟槽MOSFET/沟槽IGBT/CMOS工艺平台量产 8英寸晶圆生产线月产突破5万片 6英寸SiC晶圆生产线通线 启动12英寸晶圆生产线建设 启动硅光工艺平台建设 BCD工艺平台量产自有产品推出双极晶体管推出ECM前置放大器封装产品推出电压调整电路产品推出首款大功率低容值TVS推出1pf低容值浪涌保护器件推出CMOS数字逻辑电路系统产品推出超高速光

10、电耦合器产品推出0.2pf超低电容浪涌保护器件产品推出高频三极管产品推出0.4*0.2*0.25mm3尺寸CSP0402低容值TVS推出0.3mm厚度超薄ECM前置放大器2016 建成8英寸晶圆生产线 6英寸晶圆生产线扩产，开始对外晶圆代工 建成QFN封装产线，开始对外提供封测服务资料来源：燕东微招股书，半导体行业观察搜狐号，九鼎投资，方正证券研究所整理公司半导体产品的典型工艺流程7芯片设计晶圆制造和代工服务晶圆测试（CP）封装成品测试（FT）产品设计电路设计版图设计工艺流程设计试制批量生产芯片设计支持晶圆级直流测试晶圆级交流测试探针台&测试机分选机&测试机清洗氧化扩散光刻刻蚀离子注入薄膜生长

11、化学机械抛光金属化减薄背面减薄晶圆切割贴片引线键合塑封金属封陶瓷封切筋/成型功能&电参数测试公司进入高速增长期，2022前三季度营收17亿元，同比+23%营收和归母净利润：公司2021年与2022前三季度分别实现营收20.35与17.37亿元，分别同比增长97%与23%。公司2021年与2022前三季度分别实现归母净利润5.50与4.38亿元，分别同比增长841%与29%。产品与方案：2021年营收占比为55%。制造与服务：2021年营收占比为42%。资料来源：Wind，燕东微招股书，方正证券研究所整理8图表：2019-2022Q1-Q3公司营收（亿元）图表：2019-2022Q1-Q3公司归

12、母净利润（亿元）(1.26)0.58 5.50 4.38(2.0)(1.0)0.01.02.03.04.05.06.020022Q1-Q355%42%1.96 3.14 5.20 0.841.061.022.48 2.40 2.78 0.274.380.991.523.310.8110.41 10.30 20.35 17.37 0502020212022Q1-Q3特种光电及分立器件特种混合集成电路特种数字集成电路特种模拟集成电路分立器件模拟集成电路晶圆制造(8英寸)晶圆制造(6英寸)封装测试其他业务其他主营业务总计产品与方案制造与服务公司主要产品量价

13、齐升资料来源：Wind，燕东微招股书，方正证券研究所整理9图表：2019-2022H1公司主要产品的销量情况图表：2019-2022H1公司主要产品的平均单价情况注：公司特种集成电路及器件产品数量和单价信息已申请豁免披露产品与方案：2021年与2022H1公司分立器件及模拟集成电路销量先增多又下降，主要系公司分立器件产品结构变化，2021年公司的单片晶圆上所含芯片数量增长，而2022H1的数量减少。近年来公司特种集成电路及器件的销量增长主要系客户备货需求以及国产化需求强劲。公司产品与方案的单价主要受同业竞争程度、公司产品结构以及下游景气度等影响，近年来产品的平均单价在正常范围波动，2022H1

14、的平均单价上升主要系公司所售的尺寸小、单价低的浪涌保护器件有所减少。制造与服务：近年来公司的晶圆制造销量持续增加，主要系公司生产线逐步达产，以及下游市场景气度提升。2021年公司的晶圆制造单价增幅较大，主要系下游景气度拉动以及公司单片价格较高的8英寸线逐渐增产。2021年公司的封装测试产品平均单价降幅较大主要系公司不再出售单价较高的BTC-LGA产品；2022H1继续下降，主要系SOT、DFN等单价较低的封装形式销售占比增长。242329670923400600800092020202

15、12022H1分立器件及模拟集成电路（元/千只）6英寸晶圆制造（元/片）8英寸晶圆制造（元/片）封装测试（元/千只）21 33 53 27 2 29 21 110 109 144 48 6 8 11 3 02040608000020022H16英寸晶圆制造（万片）8英寸晶圆制造（万片）分立器件及模拟集成电路（亿只）封装测试（亿只）制造与服务主要用于消费电子，产品与方案主要用于特种领域图表：2018-2022H1公司各业务下游应用营收占比情况（%）特种集成电路及器件是指在特殊使用环境下仍具有较高的安全性、可靠性、环境适应性及稳定性

16、的集成电路及器件；从下游应用领域来看，公司的特种集成电路及器件业务收入主要来自于遥感遥测和仪器仪表领域，报告期内收入合计占比为88%、87%、88%和90%，总体保持稳定。资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理1027%25%19%28%61%62%68%62%20022H1仪器仪表通信传输遥感遥测水路运输陆路运输41%35%26%19%58%63%73%80%20022H1消费电子通讯电力电子智能终端汽车电子特种应用85%86%75%76%20022H1消费电子电力电子新能源智能终端通讯汽车电子特种集成电路及器件制造与服务

17、板块产品与方案板块综合毛利率稳步提高，规模效应凸显图表：2019-2022Q1-Q3公司分业务毛利率拆解资料来源：Wind，燕东微招股书，方正证券研究所整理随着下游市场景气度提高与公司的自有产品制造产能提升等，公司综合毛利率呈上升趋势，2022前三季度实现综合毛利率43%。特种集成电路及器件2021年的毛利率为68%，该类产品的毛利率较高主要系该品类具有集成度高、性能参数指标严苛等特征，研发周期较长、研发投入较大，总体产品附加值较高。报告期内公司的封测业务毛利率持续为负，主要系公司封装测试业务产线在报告期内未完全达产、单位成本较高。2019-2022H1公司的四费比率呈下降趋势，规模效应凸显；

18、2019年公司的管理费用率较高，主要系对8英寸生产线进行前期筹备建设；2020年公司的研发费用率有较大提升，主要系公司基于成套国产8英寸装备研发工艺平台开展相关研发活动。11图表：2019-2022H1公司相关费用率24%31%42%43%68%-30%-24%18%87%81%86%-50%0%50%100%20022Q1-Q3综合产品与方案特种集成电路及器件分立器件及模拟集成电路制造与服务晶圆制造封装测试其他业务其他主营业务9%18%8%7%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率供应商稳定，特种IC客户粘性高特种集

19、成电路产品的定制化程度较高，客户对产品的稳定性及质量有严格要求，同时变更供应商的转换成本较高，叠加公司推出以特种集成电路为代表的多类特色产品，因此公司与主要客户长期保持良好合作，客户粘性较高。公司采购材料的前五大供应商及其供应产品比较稳定，不存在向单个供应商采购比例超过采购总额50%的情况，采购渠道通畅，合作情况良好。图表：公司2019-2022H1主要供应商及采购产品资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理122022H12021年2020年2019年L集团（硅片）22%L集团（硅片）17%扬州江新电子（委外封测）21%扬州江新电子（委外封测）15%立昂微（硅片）11%扬州江新电子（委外封

20、测）15%L集团（硅片）14%甬矽电子（委外封测）11%I单位（外壳）11%I单位（外壳）9%立昂微（硅片）9%ADI（芯片）8%扬州江新电子（委外封测）10%立昂微（硅片）9%甬矽电子（委外封测）7%L集团（硅片）8%中微（西安）电子有限公司（芯片）4%深圳市正和兴电子有限公司（封测）4%I单位（外壳）6%立昂微（硅片）5%合计(%)59%55%57%46%合计(万元)323495739833516 26906 注：同一控制下企业已合并计算。图表：公司2019-2022H1前五大客户销售情况2022H12021年2020年2019年A集团（特种产品）10%A集团（特种产品）13%A集团（特种

21、产品）12%北京电控（特种产品等）12%B集团（特种产品）8%B集团（特种产品）7%上海芯导科技（分立器件）9%A集团（特种产品）11%C集团（特种产品）7%C集团（特种产品）7%B集团（特种产品）8%上海芯导科技（分立器件）10%厦门芯一代（晶圆制造）7%厦门芯一代（晶圆制造）6%北京电控（特种产品）8%宜芯微（封装测试）7%北京电控（特种产品）7%北京电控（特种产品）6%宜芯微（封装测试）7%B集团（特种产品）5%合计(%)39%40%44%46%合计(万元)4570 47496 注：1、宜芯微包括宜芯微电子（江苏）有限公司、宜芯微电子（苏州）有限公司及泰莱（香港）控

22、股有限公司三家公司，上述三家公司系同一实际控制人控制的企业；其他主体均包括其控制的下属公司、研究所及事业单位等；2、2019 年向北京电控的销售，包括新相微向京东方及其下属子公司销售的显示驱动等IC产品。目录分立器件+特种IC+晶圆制造+封装测试驱动成长1众多产品技术水平比肩国际，领先国内2盈利预测413面向行业先进主流方向发展，下游需求持续赋能业务增长3技术团队：核心技术团队产业经验雄厚，研发队伍逐步壮大资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理14张彦秀企业技术中心常务副主任韦仕贡企业技术中心副主任主导开发了数十款半导体器件产品，涵盖稳压二极管、开关二极管、瞬态抑制二极管、光电晶体管、数字

23、三极管、结型场效应晶体管、功率MOSFET、电源管理电路等诸多产品；累计申请专利十余项。公司MEMS方向技术带头人，带领研发团队建立了MEMS工艺平台，完成了MEMS麦克风、红外热成像MEMS产品平台开发，为公司向MEMS传感器领域的产品拓展奠定了基础。周源企业技术中心副主任ZHANG XIAOLIN技术总监入职以来主持开发了近二十个工艺平台，包括模拟集成电路工艺平台、保护器件工艺平台、功率器件工艺平台和高频器件工艺平台等；主导开发了数十款集成电路和分立器件产品，包括线性稳压器、运算放大器、低电容二极管、功率MOS和其它各类半导体芯片产品。累计申请专利二十余项。先后主持低电容TVS开发项目、低

24、钳位大功率保护电路芯片研发及产业化项目、平面栅功率MOSFET 开发项目和沟槽栅功率MOSFET开发项目等。带头攻克技术加工难点，如沟槽型功率MOSFET沟槽栅的制作和接触孔工艺的稳定性与一致性问题等。作为第一发明人累计申请专利61项，其中36项专利已获得授权，曾获得北京市青年岗位能手称号及亦麒麟青年科技创新领军人才奖项。擅长CMOS器件工艺特性分析以及工艺集成，失效分析，器件工程；具有丰富MEMS器件工艺开发制造以及研发项目管理经验。曾获得亦城杰出人才等奖项。结合公司的产品战略路线，带领团队深入分析了多类型器件结构、性能特点、制造工艺流程以及关键工艺步骤的规范，尤其是半导体器件产品制造中工艺

25、整合相关的各个环节。研发投入（万元）954902120192020研发人员数量占比21%379截至2022.6.30发明专利55项实用新型专利221项截至2022.6.30功能：数字三极管内置偏置电阻，可以降低电路系统成本和节省PCB板空间，起放大作用。基于电阻R1和R2有不同的阻值搭配，公司不同电阻值数字三极管达30余种。根据公司从客户处了解的信息及对同行业其他供应商年出货量的推测，国内数字三极管产品年总出货量约为 57 亿只，公司在国内数字三极管晶圆市场的市场份额在30%以上。竞争格局：数字三极管国内市场参与者主要包括公司、日本Phenitec公司、杭州友旺电子有限公

26、司等，市场格局相对固定。数字三极管：公司产品竞争力强劲，品类齐全，精度高资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理15图表：公司数字三极管产品与其他公司产品的技术性能对比情况性能指标公司产品日本Phenitec杭州友旺最大输出电流500mA1A100mA最大R1和R2电阻100K200K47K电阻精度30%30%30%注：日本Phenitec公司的R1和R2电阻在100K以上的数字三极管只有NPN型和PNP型各1款。普通三极管数字三极管稳定工作状态吸收降低收入端的漏电流和噪声偏置电阻R2偏置电阻R1发展趋势输出电流增大电阻要求更精准R1与R2组合更多元各类消费电子家电安防设备汽车电

27、子通讯ECM前置放大器 功能&应用场景&工作原理资料来源：燕东微招股书，RFsemi官网，方正证券研究所整理16绷膜环外壳驻极体垫片背极板连接环PCB板电容ECM前置放大器背极座图表：ECM麦克风构成功 能 与 应 用 场 景：ECM（ElectretCondenser Microphone，驻极体电容传声器）麦克风是一种将声音转换为电信号的电子器件；因其具备外围电路结构简单、使用灵活、灵敏度高、指向性好以及性价比高等特点，ECM前置放大器被广泛应用于各类智能终端上，如耳机、音箱以及遥控器等。工作原理：外界的声波信号使驻极体薄膜发生振动，振动使驻极体与另一极板的距离发生变化，进而使由驻极体振膜

28、和另一极板组成的电容器两端的电压发生变化，ECM前置放大器将这一电压信号采集放大后输出。图表：ECM前置放大器结构图ECM前置放大器 麦克风两大技术路线资料来源：燕东微招股书，华经产业研究院，知乎，方正证券研究所整理17技术路线介绍优点发展方向应用领域ECM（驻极体电容传声器）麦克风主要用于将高输入电压转换为较低的输出电压，适用于对电源转换效率较为敏感的场景MEMS 麦克风为新兴路线，其基于 MEMS 技术将电容器集成制造在硅芯片上 更高的增益 更高的信噪比 更高的参数一致性，以获得更高的拾音能力 小型化趋势，以适应更小更薄的封装 各类智能终端上，如耳机、音箱以及遥控器等 专业音频、语音声控

29、TWS耳机、语音识别组件MEMS（微型机电系统）麦克风MEMS麦克风为新兴路线，其基于MEMS技术将电容器集成制造在硅芯片上体积小、一致性好、抗干扰能力强和可使用回流焊技术进行表面贴装 低功耗 高性能 强化语音增强与声源定位功能 智能手机和平板电脑等消费类电子技术路线：目前麦克风领域有两大技术路线ECM麦克风与MEMS（微型机电系统）麦克风，由于二者各具特点，将在较长时期内共存，公司在这两个领域均有布局。图表：麦克风领域的两大技术路线图表：ECM麦克风和MEMS麦克风性能对比ECM麦克风MEMS麦克风工作温度温区窄，-2585温区宽，-40105工作电压固定，2V灵活，1.55.5V产品一致性

30、生产工序人工因素多，一致性一般全自动化生产，一致性高产品稳定性驻存电荷的原理，存在电荷泄露现象偏置电压的原理，稳定性好谐波失真一般极小体积空间较大较小张彦秀作为公司MEMS方向技术带头人，带领研发团队建立了MEMS工艺平台，完成了MEMS麦克风、红外热成像MEMS产品平台开发，为公司向 MEMS 传感器领域的产品拓展奠定了基础。公司正向MEMS传感器领域的产品拓展ECM前置放大器：公司产品技术实力国内领先且市占率高资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，RFsemi官网，电子发烧友，Yole，方正证券研究所整理18竞争格局：目前ECM前置放大器市场集中厚度较高，主要供应商为燕东微、韩国RFsemi

31、等，后续这些主要厂商随着行业成熟度的提高，有望凭借规模经济优势抢占更大的市场份额。公司产品主要用于麦克风中放大电流，应用市场包括智能家居、医疗辅助系统、安防及各类消费电子市场；公司ECM前置放大器品种齐全、成本及性能优势明显，具有较好的频率特性、较高的增益水平和较低的噪声。图表：公司ECM前置放大器与行业主流产品的技术性能对比情况性能指标指标含义公司产品韩国RFsemi公司 行业主流水平覆盖电压增益放大器输出功率和输入功率的比值，该值越小，功率放大器的频率响应曲线越平坦，失真越小，信号的还原度和再现能力越强。1.5dB5dB-1.5dB15dB-1.5dB3dB噪声对目的信号以外的所有信号的一

32、个总称，反应信号输出质量-100dB-107dB-90dB-109dB-100dB107dB最薄厚度产品厚度越小声音效果越好0.3mm0.33mm0.40.45mm30亿只全球2019-2021年ECM麦克风年均出货量公司2019-2021年ECM前置放大器年均出货量20亿只出货量市占约67%1个配置1个耳机麦克风智能门禁系统智能叫号系统声控灯浪涌保护器件 功能&发展历程资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理19功能：浪涌保护器件，是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的半导体器件；具有低钳位电压、低漏电和效应速度快等特点，颗用作各种电路的瞬态电压保护。TVS是一种二极管形式

33、的高效能浪涌保护器件。当TVS的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能在极短的时间内将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其免受各种浪涌脉冲的损坏。新型TVS能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着TVS小型化、更强的浪涌保护能力、更低的电容、多路集成的技术发展方向。普通TVS图表：TVS发展历程20世纪80年代单个PN结构成结构单一；工艺简单台面结构技术21世纪初期以来新型TVS结构更加复杂；工艺要求高多路PN结集成结构多次外延、双面扩结或沟槽设计构成技术构成反向击穿特性通过对浪涌的快速泄放，防护初级浪

34、涌效果较好芯片小型化线宽变窄高集成度低工作电压易受静电&浪涌冲击TVS漏电小钳位电压低响应时间快抗静电能力强防浪涌TVS应用领域移动通讯个人电脑工业电子汽车电子浪涌保护器件：公司部分TVS可替代国外高性能产品，技术国内领先资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，Omdia，方正证券研究所整理20根据OMDIA报告中对2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元的预计及公司2021年TVS 产品销售额推算，公司2021年在全球TVS市场的市场份额约为1.03%；是国内少数拥有芯片设计、制造、封测全产业链经营能力的浪涌保护器件厂商。主要厂商：国内市场来看，TVS的主要厂商包括安世半导体、英飞凌、安

35、森美、商升特半导体、韦尔股份、乐山无线电、燕东微等。图表：公司TVS产品与行业产品的技术性能对比情况性能指标指标含义公司产品安森美行业水平反向工作电压保证二极管不被击穿时的反向峰值电压3.3V55V1V70V-最大峰值浪涌电流浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。1A200A1A140A0.5A几百A最小电容电容越小，表示TVS产品高频响应速度越快，在应用时传输延迟越小0.2pF0.15pF 0.15pF通讯领域消费电子安防设备汽车电子新型TVS覆盖3.3V55V全系列电压浪涌保护器件2004年进入静电保护器件高浪涌低钳位

36、保护器件低容值保护器件可编程防雷击保护电路上百种产品品类覆盖制造工艺平面结构沟槽结构CMOS结构SCR结构十余种封装外形多路封装超薄封装年出货量55亿只2021年全球TVS市场份额1.03%射频功率器件 功能&结构&类型资料来源：燕东微招股书，华经产业研究院，方正证券研究所整理21功能：射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围在300kHz-300GHz之间，射频功率器件即工作在该频率范围内的电子器件。图表：公司射频功率器件的类型、特点以及应用场景类型特点应用场景射频LDMOS 不存在二次击穿问题 工作频率高适用于高频低压长脉冲宽度、高占空比以

37、及连续波工作条件射频VDMOS 不存在二次击穿问题 工作电压高适用于高压长脉冲宽度、高占空比以及连续波工作条件高频三极管 没有热载流子注入问题 非静电敏感器件 工作频率高适用于中低脉冲宽度、低占空比工作条件图表：射频前端结构及部件介绍部件功能功率放大器（PA）实现发射信号通道的射频信号放大双工器（Duplexer和Diplexer）对发射和接收信号的隔离射频开关（Switch）实现射频信号的接收与发射的切换、不同频段间的切换滤波器（Filter）用于保留特定频段内的信号，而将特定频段外的信号滤除低噪声放大器（LNA）用于实现接收通道的射频信号放大基带芯片功率放大器PA滤波器低噪声放大器LNA双

38、工器滤波器射频开关射频前端53%33%7%3%2%2%滤波器功率放大器功率开关双工器低噪声放大器其他图表：射频前端细分结构价值量占比情况射频功率器件：公司产品技术性能国内领先资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理22应用领域：射频功率器件广泛应用于通讯系统、人造卫星、宇宙飞船等领域。主要厂商：目前，国内射频功率器件市场主要由国外厂商占据，包括美高森美、意法半导体、恩智浦、日本NEC、日本瑞萨、美国Polyfet等，国内厂商在产品开发上逐渐取得突破并开始向国内市场供货，国内厂商包括燕东微、苏州华太电子技术有限公司等。对讲机市场是射频LDMOS的细分市场之一，按对讲机射频LDMOS

39、 2020年1.68亿颗的市场规模及公司2020年该领域射频LDMOS 3663万颗的出货量测算，公司在该领域的份额超20%。移动通讯电源安防设备汽车电子通讯射频功率器件良好的频率响应特性高增益高效率内部集成静电保护性能优异良好的热稳定性优秀的鲁棒性年出货量4000万只2020年对讲机用射频LDMOS市场份额超过20%图表：公司射频产品与行业产品的技术性能对比情况性能指标公司产品美国Polyfet行业主流工作频率范围20MHz3GHzDC1.5GHzDC1.5GHz最大功率600W850W4W850W覆盖20V100V全系列电压对讲机细分领域客户认可度高覆盖20MHz3GHz高频三极管可达79

40、GHz射频LDMOS射频VDMOS高频三极管产品门类模拟集成电路：是指将电容、电阻、二极管和晶体管等集成在一起用于处理模拟信号的集成电路；相比非“0”即“1”的数字信号，模拟信号在不同时刻具有不同的电平值。模拟集成电路：公司模拟集成电路产品技术亮点突出且出货量可观资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理23电压调整电路电压调整电路的内部包括启动电路、恒流源、基准电压源、误差放大器等单元电路；以其组成稳压电源需要的外围元件很少，电路非常简单。该电路内部还设置了过流、芯片过热及调整管安全工作区的保护电路，使用安全、可靠图表：公司主要模拟集成电路产品情况消费电子工业控制运算比较器电路该

41、比较器电路内部包含2路或4路独立的比较器，这些比较器具有共用的电源和接地端，内部有独立的运算放大单元，具有灵敏度高、工作电压范围广等特点钟振控制器钟振控制器芯片连接外置晶体，通过电信号激发石英晶体的压电效应，产生稳定、驱动力强的时钟信号。该芯片内置起振电路和门限整形电路，所需外部元件较少，且输出波形整齐，能驱动较大负载光电码盘专用控制电路光电码盘专用控制电路芯片通过接收、比较光探头传入的采样信号，输出逻辑控制信号，用于光电码盘的检测及控制。该产品外围元件需求很少，使用较为简单方便消费电子工业控制通讯工业控制消费电子电力电子工业控制消费电子产品介绍应用领域固定电压类覆盖1.8V15V输入失调电压

42、电流低、功耗电流低、工作电压范围广年出货量2亿只自2018年推出至今已累计出货100万套，且出货量增长迅速负载电流涵盖100mA7.5A特种光电器件：光电耦合器的功能&分类&竞争格局资料来源：燕东微招股书，集成电路研究院公众号，方正证券研究所整理24功能：光电耦合器是基于“电-光-电”转换原理，能够实现电平信号、脉冲信号、数字总线信号、VDMOS栅极驱动信号和模拟信号隔离传输功能的光电器件，常用作隔离输出和信号传输，广泛应用于高可靠电子模块之间的信号传输，提高电子系统抗干扰能力，保障整体系统的稳定可靠运转。图表：光电耦合器工作原理和作用图表：光电耦合器按接收芯片分的主要分类和特点图表：全球光电

43、耦合器主要企业市场份额22%17%15%11%9%5%4%2%15%BroadcomON SemiToshibaVishayLITEONEVERLI.Renesas类型特点晶体管光耦大电流传输比（CTR）、高耐压、低输入电流；传输速度较慢、时序延迟较大施密特光耦将模拟信号波形整形为数字电路能够处理的方波波形，具有滞回特性，抗干扰可控硅光耦控制交流负载高速光耦传输速率极高Photo MOS更长的使用寿命、低电流驱动和快速响应IGBT Gate Driver具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降特性线性光耦稳定性好、线性度高、带宽高、低成本电流电压传感器将电流或电压数据转化为数字信号光电传感

44、器将光信号转化为电信号安规需求性能需求电路A电路B电源电压A接地A电源电压B接地B隔离信号特种光电器件：公司的光电耦合器特种市场份额行业领先资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理25在特种光电器件领域，公司聚焦于光电耦合器产品，产品能够在宽温区条件下稳定工作且技术实力国内领先，根据公司从客户处了解的信息，公司在光电耦合器特种市场的份额处于行业前列。图表：公司主要特种光电器件产品情况低速光电耦合器输出端通常采用光电三极管、达林顿三极管等输出的光电耦合器，传输速率一般在20kb/s以下高速光电耦合器输出端采用集成电路输出的光电耦合器，通过内部不同的电路单元可传递不同频率的信号，可覆盖100kb

45、/s50Mb/s应用范围门驱动光电耦合器输入采用红外发光二极管芯片，输出采用高压高速大电流单片光敏集成电路驱动芯片，采用门电路输出，具有较大的输出驱动能力，常用于电路的伺服驱动系统、无刷电机中驱动IGBT；该类器件的输出电流可分为0.5A、2A、4A线性光电耦合器用于模拟信号隔离的光耦器件，具有线性传输、低温漂、高线性度等特点。产品线性度包括：0.25%、0.1%、0.05%三类产品介绍应用领域仪器仪表、通信传输、遥感遥测、水路运输、陆路运输等特种领域具备输出电流为2A的大电流门驱动光电耦合器的批产配套能力能够实现120种光电耦合器的自主研制国内特种光电器件行业其他厂商先进水平一般为多路低速光

46、电耦合器，电流传输比一致性在 85%以上，高速光电耦合器传输速率在20Mb/s 以上，门驱动光电耦合器最大驱动电流在 2A 以上，以上数据来源于行业其他知名厂家官方网站光电耦合器产品手册。具备传输速率为50Mb/s以下的光电耦合器科研生产配套能力VS特种分立器件 开关二极管&单结晶体管图表：开关二极管和单结晶体管的功能、种类以及工作原理资料来源：燕东微招股书，CHIP37，方正证券研究所整理26产品功能产品种类工作原理开关二极管开关二极管是一种半导体二极管，是专门为电路上的“开”和“关”而设计和制造的，是指具有开关功能的二极管。普通开关二极管 开关二极管通导和关断分别代表开关闭合和打开（电路导

47、通和关闭）。由于半导体二极管的单向导通特性，PN在正偏压下导通，导通状态的电阻很小，大约几十到几百欧姆，在反向偏置下关闭，电阻很大，一般的硅二极管在10M以上。基于这一特性，二极管在电路中控制电流通断，成为理想的电子开关。高速开关二极管超高速开关二极管低功耗开关二极管高反压开关二极管硅电压开关二极管单结晶体管 单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，是一种常用的半导体器件，虽有三个管脚，很像半导体三极管，但只有一个PN结，即一个发射极和两个基极，所以又被称为双基极二极管；它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极

48、e。PNmetal开关二极管的结构b2b1eP区PN结N型硅片特种分立器件 场效应晶体管图表：场效应晶体管的功能、种类以及工作原理资料来源：燕东微招股书，SSF官网，KIA官网，豆丁网，方正证券研究所整理27产品功能&分类类别内部结构场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件；因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。结型场效应管(JFET)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)N沟道JFET结构FETMOSFET增强型N沟道P沟道耗尽型N沟道P沟道JFETN沟道

49、（耗尽型）P沟道（耗尽型）N沟道增强型MOSFET结构PN+N+sgd开关二极管：利用PN结正向导通和反向截止原理工作的二极管，可用于信号的单向传输，作为信号隔离、防止电流倒灌使用。稳压二极管：利用PN结反向击穿特性实现稳压功能的二极管，起到过压保护、系统稳压功能。该类产品在特种装备中广泛应用。单结晶体管：利用负阻特性，可构成张弛振荡器，该类振荡器线路简单，调整容易，广泛用于脉冲发生器、锯齿波发生器、延时电路和可控硅触发电路，是单结晶体管的最基本的应用。场效应晶体管：通常为三极器件，通过改变栅极电压实现调控源极和漏极间电流的功能，主要包括结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管，该类器件

50、速度快，功耗低，应用简单，广泛用于信号放大、恒流源电路、功率驱动、开关电路等场景。特种分立器件：公司产品实现系列化且支持多种封装形式图表：公司主要特种分立器件产品情况资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理28开关及稳压二极管利用 PN 结正向导通反向截止特性实现开关性能和稳压向内的二极管，利用掺金工艺实现开关速度快的特性，产品具有开关速度快、电压稳定性好、体积小、寿命长、可靠性能高等优点单结晶体管利用发射结正偏后注入电荷调整电阻，实现分压比的变化，产品通过外接阻容可构成张弛振荡电路，产品具有可靠性高，分压比范围宽等特点场效应晶体管在栅极施加电压时，利用电场感应电荷或形成的空间电荷区关断或导

51、通源漏区之间的沟道从而形成漏源之间的开关特性，产品具有漏电小、稳定性好、可靠性高等特点产品介绍应用领域通信传输、遥感遥测、水路运输、陆路运输等特种领域优势明显：自动化的加工线、较高的产品质量、较低的芯片焊接空洞率、较小的功率器件热阻，较高的可靠性高压大电流低内阻大功率高效率小型化轻型化第三代半导体特种分立器件发展方向特种模拟集成电路：公司的大电流单片器件技术实力国内先进公司是国内最早研制单片集成稳压电路的企业之一，已形成多个系列产品，电压档位和电流档位齐全，封装形式多样。公司产品在大电流单片器件领域具有一定优势，产品技术实力国内先进。资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理29图表：公司主要

52、特种光电器件产品情况单片集成稳压电路公司最核心的模拟集成电路产品，具有输入输出压差更小（最小压差仅为0.3V）、自身损耗低、输出效率高等特点；该电路在芯片上集成了具低导通电阻的驱动管、精密基准源、差分放大器、延迟器、肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，使用安全、可靠性高基准电压源器件在额定工作电流范围之内，基准电压源器件的精度（电压值的偏差、漂移、电流调整率等指标）要大大优于普通的齐纳稳压二极管或三端稳压器，所以用于需要高精度基准电压作为参考电压的场合，一般用于 A/D、D/A 和高精度电压源和一些电压监控电路运算放大器具有很高的放大倍数的电路

53、单元，是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果脉宽调制器(PWM)对模拟电路进行控制的一种非常有效的方式，通过对一系列脉冲的宽度进行调制，以等效地获得所需要的波形，即通过改变导通时间占总时间的比例，也就是占空比，达到调制电压和频率的目的产品介绍应用领域仪器仪表、通信传输、水路运输、等特种领域最高输入电压可达40V输出电压可覆盖1.25V24V中十余个档位输入输出电压范围广、驱动能力强最大输出电流可达10A根据国内其他典型厂家的产品手册，其单片电源管理电路最大电流一般在5A以下VS特种电源管理电路特种数字集成电路：公司的特种通用逻辑电路产品

54、覆盖范围广在特种数字集成电路领域，特种通用逻辑电路是公司特种数字集成电路的主要产品类别。公司特种通用逻辑电路采用CMOS制造工艺，具有抗闩锁性能好、抗静电能力强、适应温度范围宽等优势，其中CC4000系列和54HC/HCT系列产品为特种通用逻辑电路行业的重要产品，也是公司特种通用逻辑电路的代表产品，占公司特种通用逻辑电路产品总销量的90%以上。资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理30图表：公司特种数字集成电路产品介绍及应用领域铝栅CMOS数字逻辑电路 通用数字逻辑系列，高压低速器件，工作电压3-18V，最高工作频率10MHz以下；具有工作电压高，抗噪声能力强等特点，适用于高压低频电子系统

55、硅栅高速CMOS数字逻辑电路 通用数字逻辑系列，工作电压2-6V，最高工作频率30MHz以下，可兼容TTL输入电平；具有速度快、动态功耗低等特点，适用于各种中压中频电子系统硅栅先进CMOS数字逻辑电路 通用数字逻辑系列，工作电压2-6V，最高工作频率80MHz以下；具有高速、驱动能力强、集成度高的特点，适用于中压高频电子系统硅栅低压CMOS数字逻辑电路通用数字逻辑系列，系低压CMOS电 路，工作电压1.65-3.6V，最高工作频率150MHz以下；具有超低电压、超高频率、低功耗、集成度高的特点，适用于低压高频电子系统产品介绍应用领域通信传输、遥感遥测等特种领域图表：公司主要特种通用逻辑电路覆盖

56、产品范围对比情况产品系列公司德州仪器意法半导体CC4000100+款95款70款54HC/HCT近100款110+款54HC和110+款54HCT67款由于特种通用逻辑电路的所有厂家均执行相同的逻辑功能、引线排列和电特性表，性能参数相同，各厂家的技术竞争力一般体现在其覆盖的产品范围上。注：产品款数信息来自国际龙头公司德州仪器、意法半导体官网产品手册特种混合集成电路：公司的薄膜混合集成电路产品技术国内先进资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理31薄膜混合集成电路是以半导体制造工艺在基片上制作薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成；

57、具有组装密度大、可靠性高、电性能好、设计灵活、便于多品种小批量生产的优势，其参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。图表：公司特种混合集成电路产品介绍及应用领域通用混合集成电路 包括三相桥驱动器、H 桥驱动器和有源滤波器等系列产品；产品具有驱动能力强，组装密度高，可靠性高，多用户使用等特点 三相桥驱动器：将直流电转换为三相交流电，用于控制无刷电机的运转，产品具有工作电压高，驱动电流大的特点；H 桥驱动器：将直流电转换为对称的相位相反的方波电信号，用于控制有刷电机的运转，产品具有工作电压高，驱动电流大的特点；有源滤波器：具有频率选择作用的电路或运算处理系统，对分离的不同频率信号

58、进行选择或抑制，产品具有频率选择性好，通带稳定性高等特点，用于通信传输。专用混合集成电路 包括加速度计专用电路、大电流顺序开关、逆变电源组件等系列产品，满足用户特定需求，为用户定制开发；具有高精密、高稳定性、体积小等特点产品介绍应用领域通信传输、遥感遥测、水路运输、陆路运输等特种领域 加速度计专用电路：对传感器采集的信号进行处理的电路，精度高，稳定性好；大电流顺序开关：按程序设定顺序开启和关闭开关的电路，驱动电流大、可编程；逆变电源组件：把直流电转换成交流电，频率稳定性好，相位准确，驱动电流大特种薄膜集成电路设计能力和多芯片阻容匹配设计能力高精度低温漂内埋置电阻温度系数可达10ppm/根据行业

59、内部技术交流中了解的信息，国内其他典型厂家一般水平为 50ppm/，该指标表示当温度改变 1 摄氏度时电阻值的相对变化（越小越好）VS特种薄膜集成电路特种薄膜混合集成电路生产线复杂的多芯片组装和不同功率芯片的粗细丝键合全密封封装6英寸晶圆生产线：月产能6万片，覆盖多种工艺平台报告期内，公司6英寸晶圆生产线对外提供晶圆制造服务（即为客户代工；22H1销量占比为83%）为主，自用（即销售给公司合并范围内主体，用于产品与方案业务；22H1销量占比为17%）为辅。资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理32图表：公司6英寸晶圆生产线概况产线能力已通过ISO9001、IATF16949体系

60、认证覆盖0.35m及以上制程月产能6万片产能对外代工用于自有BJT平台功率器件平台集成电路平台化合物器件工艺平台模拟ICSiC SBDSiC MOS平面MOS平面IGBTSBDFRDTVSJFET用于自有对外代工LED开关电源智能手机电脑汽车快充家电应用领域产能利用率95%97%98%202%2022H1四川遂宁6英寸晶圆生产线8英寸晶圆生产线：月产能6万片，覆盖多种工艺平台报告期内，公司8英寸晶圆生产线对外提供晶圆制造服务（即为客户代工；22H1销量占比为97%）为主，自用（即销售给公司合并范围内主体，用于产品与方案业务；22H1销量占比为3%）为辅。资料来源：燕东微招

61、股书，燕东微官网，方正证券研究所整理33产线能力已通过ISO9001、IATF16949体系认证覆盖90nm及以上制程月产能6万片产能对外代工平台功率器件平台集成电路平台化合物器件工艺平台BCDMEMS硅基光电子沟槽MOSFET沟槽IGBT平面MOSFET平面IGBT对外代工对外代工SGTCMOS用于自有产能利用率63%89%2021202084%2022H1北京市经济技术开发区8英寸晶圆生产线图表：公司8英寸晶圆生产线概况新能源汽车电子智能终端AIoT家电工业控制应用领域通讯在研红外传感器RF CMOS平面MOSFET覆盖100V1500V工作电压覆盖几至数十安培输出电流业内主流N型和P型功

62、率MOSFET加工能力覆盖12V100V工作电压导通电阻最小达2毫欧沟槽MOSFET12英寸晶圆生产线：65nm工艺建设中，规划月产能4万片项目周期：一阶段2023年4月试生产，2024年7月产品达产；二阶段2024年4月试生产，2025年7月项目达产。该产线涉及建筑面积约16,000（其中超净厂房面积 9,000），本项目在公司现有经营场所实施，不涉及新增土地和房产。资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理34计划总投资750,000万元基于成套国产装备的特色工艺12吋集成电路生产线项目发展方向规划产能募投项目工艺节点月产能4万片65nm规划平台高密度功率器件显示驱动IC电源管

63、理IC硅光芯片公司在建设基于国产装备8英寸线的过程中积累了丰富的装备运维经验，鉴于绝大部分国产12英寸线工艺装备的软硬件与8英寸装备共享平台，8英寸线的运维能力可直接支持12英寸线建设。公司已在8英寸线上完成Trench-MOSFET、0.35mCMOS、0.18mCMOS、高压BCD等工艺平台的建设并量产，正在开发0.13umCMOS、热成像传感器、硅基光电子、SOI等工艺平台，相关工艺平台成果可升级到12英寸生产线，促进12英寸线工艺平台建设，推动产线快速量产。封装测试生产线：不断创新开拓设备与工艺，产线良率较高公司的封装测试业务系接受客户委托，为客户提供半导体封装与测试服务并收取相应加工

64、费。报告期内，公司的封装设备自用（产品与方案业务；22H1数量占比为89%）为主，对外提供封测服务（制造与服务业务；22H1数量占比为11%）为辅。图表：公司封装测试生产线概况资料来源：燕东微招股书，燕东微官网，方正证券研究所整理35通讯工业控制智能手机可穿戴设备物联网汽车电子安防监控封装测试生产线生产设备封装形式测试分选机方形扁平无引脚封装（QFN）划片机焊线机粘片机包封机封测服务双边扁平无引脚封装（DFN）SOD/SOT数字、模拟及数模混合集成电路二极管三极管MOS等分立器件应用领域掌握技术超小芯片高精度芯片粘片技术实现超小尺寸芯片（0.19*0.19mm）的高速粘片超低线弧键合技术超小P

65、ad尺寸键合技术实现最小厚度300m的超薄封装高密度焊线/超长线弧/大转角线弧等焊线技术有效缩小管脚间距，进行多引脚封装多芯片粘片技术、多层线弧控制技术实现多引脚集成电路封装同业对比之公司的四大优势资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理36供应链安全性高：公司批量采购关键国产装备并积极使用国产材料，供应链国产化进展顺利；在国内率先实现了国产成套关键装备在8英寸大规模生产线上的量产应用验证。产能利用更灵活：公司兼具产品与方案和制造与服务业务，可根据市场灵活调配产能。特种业务分散市场风险：公司的特种业务可帮助公司面向不同市场经营从而分散风险。6/8/12英寸产线布局较为完整：公司已量产的6英寸

66、和8英寸产线的月产能各为6万片，且6英寸SiC线已完成SiC SBD产品工艺平台开发并开始转入小批量试产，同时12英寸线进展顺利。图表：公司与同业可比公司在经营情况等方面的对比情况公司名称主营业务晶圆制造产线覆盖情况技术工艺华润微拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力，主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块覆盖6、8英寸线和6英寸SiC 线，12英寸线在建Analog、BCD、MEMS、DMOS、Power Discrete、中低压沟槽栅MOS、屏蔽栅MOS、超结MOS、SBD等制造工艺士兰微以IDM模式为主要发展模式，主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED（

67、发光二极管）产品等三大类，无晶圆制造服务及封装测试服务板块覆盖5、6、8、12英寸线高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器、SIC MOSFET器件等工艺华微电子主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务，无晶圆制造及封装测试服务覆盖4、5、6、8英寸线IGBT、MOS、双极等工艺扬杰科技集研发、生产、销售于一体，致力于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试覆盖4、6英寸线，8英寸线在建IGBT、MOS、双极等工艺华虹半导体兼具8英寸与12英寸晶圆的纯晶圆代工的企业，主要基于自有半导体差异化技

68、术为客户提供晶圆制造服务覆盖8、12英寸线DMOS、SGT、SJ、IGBT、BCD、eFlash等工艺燕东微集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业，国内知名集成电路及分立器件制造和系统方案提供商，主营业务包括产品与方案和制造与服务板块覆盖6、8英寸线，6英寸SiC线小批量试产，12英寸线已完成环评和备案手续以及部分设备的搬入MOS、CMOS、IGBT、BJT、TVS、JFET、SBD、FRD、BCD、MEMS、模拟IC等工艺注：上表信息来源为各可比公司公开披露资料募投：补充流动资金项目资料来源：燕东微招股书，华经产业研究院，2020中国军力发展报告，前瞻产业研究院，中国电子信息产业发

69、展研究院，方正证券研究所整理37图表：公司补充流动资金项目情况研发方向具体介绍硅光器件工艺技术研究 硅光是利用硅CMOS工艺对光电子器件进行开发和集成的一种新技术，既拥有微电子的工艺成熟、集成度高、价格低廉等优点，又兼具光电子的极高带宽、超快速率、抗干扰性、低功耗等优势；广泛应用于高速光通信、智能传感、移动终端、智能驾驶、激光雷达、面部识别、高速互联等领域。据Yole预测，硅光芯片市场规模预计将由2020年的0.87亿美元增至2026年的11亿美元。公司拟利用8英寸线技术基础，开展光开关、激光雷达等光通信类硅光产品的工艺技术的开发研究。红外热成像传感器芯片及真空封装工艺技术研究 红外热成像传感

70、器具备夜视、穿透雨雾烟霾、防眩光，活体鉴别及测温等特色功能；广泛应用在特种、工业、消费、自动驾驶、全像素测温等众多应用领域。据华经产业研究院预测，中国红外热成像仪市场规模可达3,060亿元，按十年的更新换代周期计算，每年有约306亿元市场规模，红外热成像传感器是红外热成像仪的重要部件。公司拟利用8英寸产线，开展MEMS红外热成像传感器晶圆制造工艺技术的开发研究。MicroOLED微显示ASIC 产品工艺技术开发 MicroOLED微显示技术是一种新兴的显示技术，采用单晶硅晶圆为背板，具有超高PPI、超高刷新率、高亮度、高对比度、小体积、低功耗、低制造成本等优势；广泛应用于特种与消费电子领域。中

71、国电子信息产业发展研究院预计2023年中国硅基OLED市场规模有望达900亿美元。公司拟利用8英寸CMOS工艺平台，开展MicroOLED微显示ASIC芯片产品的设计和工艺开发。注：公司拟利用募集资金100,000万元补充流动资金，补充流动资金拟用于研发活动等，满足公司战略发展和对流动资金的需要。核心技术：储备丰富且自主研发为主资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理38图表：公司核心技术情况产品类别核心技术名称专利及其他保护措施技术来源分立器件及模拟集成电路数字三极管设计及工艺技术专有技术自主研发低噪声高频三极管设计及工艺技术已授权专利2项自主研发射频功率VDMOS设计及工艺技术已授权专利

72、7项基于吸收引进的中科院微电子所专利技术，以及公司的自主再创新，拓展形成了射频功率VDMOS 产品的设计和工艺平台射频功率LDMOS设计及工艺技术已授权专利15项基于吸收引进的中科院微电子所专利技术，以及公司的自主再创新，拓展形成了射频功率LDMOS 产品的设计和工艺平台ECM前置放大器设计及工艺技术已授权专利6项自主及合作研发浪涌保护电路设计及工艺技术已授权专利29项自主研发特种光电及分立器件表贴高速光电耦合器结构设计及工艺控制技术已授权专利8项自主研发门驱动光电耦合器结构设计及工艺控制技术已授权专利1项自主研发功率输出型光电耦合器结构设计及工艺控制技术专有技术自主研发玻封二极管冶金键合烧结

73、工艺技术专有技术自主研发特种模拟集成电路高精度运算放大器专有技术自主研发特种数字集成电路铝栅CMOS标准逻辑电路设计及工艺技术已授权专利8项自主研发硅栅CMOS标准逻辑电路设计及工艺技术已授权专利11项自主研发特种混合集成电路特种薄膜集成电路设计及工艺技术已授权专利7项自主研发特种封装工艺特种陶瓷与金属外壳封装技术已授权专利3项自主研发功率器件工艺技术沟槽栅MOS功率器件工艺技术已授权专利12项自主研发平面栅MOS功率器件工艺技术已授权专利15项自主研发沟槽栅IGBT工艺技术已授权专利9项自主研发SiC SBD/MOSFET设计及工艺技术已授权专利10项自主研发BCD工艺技术高密度硅基BCD工

74、艺技术已授权专利13项自主研发MEMS工艺技术光电传感器工艺技术已授权专利7项自主研发资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理项目类别项目名称项目状态项目角色国家科技重大专项xxx专项应用工程项目在研独立承担中关村管委会科技与自主创新专项项目硅基MEMS麦克风封装工艺技术研发及产业化项目验收通过独立承担中关村管委会科技与自主创新专项项目芯片倒装焊（Flip Chip）工艺技术研发及中试线建设项目验收通过独立承担北京市科技计划项目Si器件线改造成SiC器件线工艺研究验收通过独立承担北京市科技计划项目基于8英寸全国产化装备的高压大电流BCD工艺平台开发在研联合承担单位共涉及11项特种科研或技改项

75、目特种系列器件开发项目在研独立承担图表：公司承担的重大科研项目（截至2022年6月30日）39研发实力：承担多项重大科研项目资料来源：燕东微招股书，方正证券研究所整理项目名称拟达到的研发目标研发进度与行业技术水平的比较6英寸SiC芯片研发研发SiC功率器件的设计和晶圆加工技术，形成系列化的SiC肖特基二极管产品，完成SiC MOSFET产品开发试生产主流国际国内水平8英寸MEMS麦克风芯片研发开发更高信噪比的MEMS麦克风产品，满足产品更新及升级换代的需求，进一步提升MEMS工艺技术的竞争能力样品试制国内平均水平IGBT技术升级开发Trench IGBT产品工艺平台，提升功率密度，完成IGBT

76、系列产品升级样品试制国内平均水平中高压模拟开关的工艺平台及产品开发开发建设中高压模拟开关SOI工艺平台和体硅工艺平台，实现中高压模拟开关产品系列化样品试制国内先进水平沟槽分离栅MOSFET工艺平台开发开发建设分离栅沟槽式功率MOSFET工艺平台，形成不同等级电压（60-200V）产品的系列化样品试制国内平均水平BCD工艺平台开发开发超高压BCD工艺平台，完成BCD专用工艺开发，建立器件模型库，基于本平台实现产品系列化试生产国内先进水平热成像工艺平台开发开发建设热成像传感器工艺平台，完成VO生长等关键技术开发，实现热成像传感器产品的量产样品试制国内先进水平硅光工艺平台开发布局前沿技术，开发建设硅

77、光电子工艺平台，完成波导层薄膜生长等关键技术开发，实现光波导器件产品的量产样品试制国内领先水平磁耦合数字隔离器开发研发新一代磁耦合数字隔离器，完成产品设计和工艺设计，提升产品性能样品试制国内平均水平硅高频功率MOS场效应晶体管的系列化研发针对射频领域需求，开发硅高频功率LDMOS和VDMOS场效应晶体管，完成产品系列化样品试制国内先进水平光电线性隔离放大器研发研发新的光电线性隔离放大器，提升产品性能，实现产品系列化试生产国内先进水平40在研项目：MEMS/Trench IGBT/硅光等工艺平台开发+产品升级图表：公司的在研项目（截至2022年6月30日）目录分立器件+特种IC+晶圆制造+封装测

78、试驱动成长1众多产品技术水平比肩国际，领先国内2盈利预测441面向行业先进主流方向发展，下游需求持续赋能业务增长3全球半导体市场规模概览资料来源：燕东微招股书，雪球，WSTS，世界半导体贸易统计组织，艾瑞研究院，方正证券研究所整理42公司集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体，深耕半导体三十余年，已发展为国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商；半导体各部分业务的发展将持续为公司产品的现有布局及拟布局带来巨大机遇。图表：2014-2022年全球半导体产品规模（亿美元）及增速（%）2773274527673432393333323699 333 320 348 380

79、 416 404 434 435 202 186 194 217 241 239 238 303 334 85 88 108 126 134 135 150 191 223-0.2%1.1%21.7%13.7%-12.1%6.8%26.2%13.9%-300%-270%-240%-210%-180%-150%-120%-90%-60%-30%0%30%00400050006000700020002020212022E全球集成电路市场规模全球光电子器件市场规模全球分立器件市场规模全球传感器市场规模全球半导体产品规模全球半导体产品规

80、模增长率半导体DOS器件传感器MEMS光电子LED分立器件晶体管二极管集成电路数字芯片存储器微处理器模拟芯片信号链电源管理公司产品已有布局及拟布局公司布局特种数字IC集成电路CAGR17-21=6.2%光电子器件CAGR17-21=4.5%分立器件CAGR17-21=6.9%传感器CAGR17-21=8.7%中国半导体市场供不应求，进口替代空间大从我国半导体行业进出口金额来看，我国半导体市场供不应求，进口金额长期处于高位，我国半导体产业成长空间巨大。从国产化率角度来看，我国半导体产品的供需差异更为显著。根据IC Insight统计，2020年中国本土企业的集成电路产值（83亿美元）仅为国内制造

81、集成电路产值（227亿美元）的36.5%，更只占中国大陆集成电路需求（1434亿美元）的5.9%。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技的产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期。公司也将充分受益于集成电路行业发展，以及进口替代等历史性机遇。资料来源：燕东微招股书，中国海关，华经产业研究院，方正证券研究所整理43图表：2016-2021年中国半导体行业进出口金额（亿美元）2470 2808 3337 3251 3735 4623 853952000300040005000200192020

82、2021进口金额出口金额83亿美元144亿美元中国本土集成电路制造产值2020在中国大陆建厂的外企如台积电、三星、SK海力士、英特尔等在国内生产集成电路制造产值中国大陆集成电路市场需求1434亿美元227亿美元中国制造集成电路产值36.5%5.9%芯片设计行业：2026E中国芯片设计行业1万多亿元市场空间半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。芯片设计未来的增长逻辑在于整个半导体行业的快速发展，国产化率的提高、5G以及物联网将带来的新一轮机遇。图表：2021年中国集成电路销售额结构资料来源：燕东微招股书，

83、2022年麦克林报告，IC Insights，艾瑞咨询，CSIA，前瞻产业研究院，华经产业研究院，方正证券研究所整理44图表：2015-2026E中国集成电路设计销售规模及增长率图表：2015-2021年中国半导体IC自给率103207%0%5%10%15%20%25%30%020004000600080001000012000中国集成电路设计销售规模（亿元）增速（%）43.21%30.37%26.42%设计制造封装测试8309400128193 239 193 242 312 15.9%13.6%16.4%15.9%14.7%16.6%16.7%0

84、%2%4%6%8%10%12%14%16%18%020040060080000200021远期中国IC市场规模（亿美元）中国IC产值（亿美元）IC自给率：产值/市场规模（%）目标值70%远期晶圆制造行业：三大趋势产业集中趋势明显：近年来，CR5由2009年中的36%升至2020年末的54%中国大陆的高端制程产能不足：从晶圆制造产能地域分布来看，高端制程产能集中于中国台湾和韩国，中国大陆仍存在较为明显的差距。高投资趋势明显：根据公司招股书，预计2021-2025年半导体制造行业的年均投资规模为1560亿美元，

85、较2016-2020年的年均投资规模970亿美元大幅增长61%。图表：2011-2022H1中国芯片半导体行业融资事件数量及规模资料来源：燕东微招股书，IT桔子，IC Insights，方正证券研究所整理45图表：集成电路制造制程产能分布（截至2020年12月）38 29 15 222 235 233 1878 690 862 2316 2014 797 57 41 46 109 198 254 275 349 373 478 686 318 00500600700800050002500融资规模（亿元）事件数量（起）18%8%26%29%30%49

86、%28%28%10%17%20%20%26%28%15%13%0%15%11%13%5%18%57%57%36%39%11%40%21%13%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%中国台湾韩国日本北美中国大陆欧洲其他地区180nm40nm-180nm20nm-40nm10nm-20nm10nm集成电路制造业务投入金额巨大产能爬坡周期较长技术门槛要求较高晶圆制造行业的产业集中度逐渐提高CR5CR6%54%54%70%半导体封装测试行业：2022E全球643亿美元市场空间半导体封装测试属于半导体制造的后道工艺，主要是将通过测试的晶圆按照产品型号及功

87、能需求加工得到独立芯片的过程。相较于集成电路的设计以及晶圆制造环节，封装测试领域对技术要求相对较低。随着近几年的发展，我国在半导体行业在封测领域已经初步具备了全球竞争力。图表：2021年全球半导体封测市场竞争格局资料来源：燕东微招股书，Frost&Sullivan，中商产业研究院，Chipinsights，芯思想研究院，艾瑞咨询，方正证券研究所整理46图表：2016-2022E全球及中国封测市场规模（亿美元）5594618643236 280 332 341 364 412 403 46%53%59%60%61%67%63%0%10%20%30%40%50%60%70%8

88、0%00500600700200022E全球中国中国封测市场规模占比27%14%11%7%5%4%3%3%2%2%日月光安靠科技长电科技力成科技通富微电华天科技智路封测京元电子顾邦南茂半导体封装测试行业：先进封装是大势所趋 传统封装通常指先将圆片切割成单个芯片，再进行封装的工艺形式，包含SIP、DIP、SOP、SOT、TO、QFP、QFN、DFN、BGA等封装形式。先进封装指最前沿的封装形式和技术，目前包括带有倒装芯片（Flip Chip，FC）结构的封装、圆片级封装（Wafer Level Package，WLP）、2.5D封

89、装、3D封装等。近几年，TSMC、Intel以及Samsung等都在积极布局先进封装。根据Frost&Sullivan和中商产业研究院预测，2022年中国先进封装市场规模预计达507.5亿元，同比+27%。图表：Intel先进封装技术路线图资料来源：燕东微招股书，Frost&Sullivan，中商产业研究院，EET，芯榜科技百度号，尚道产业发展，与非网，Intel，交流工业馆搜狐号，方正证券研究所整理47传统封装SIP单列直插封装DIP双列直插封装SOP小外形封装SOT小外形晶体管封装TO晶体管外形封装FC倒装芯片结构封装2.5D结构封装WLP晶圆级封装3D结构封装先进封装DFN双边扁平无引脚

90、封装QFN方形扁平无引脚封装BGA球栅阵列封装Interconnect DensityPower EfficiencyBump pitch:100umBump density:100/mm2Power:1.7pJ/bitSTANDARDPACKAGEBump pitch:55-36umBump density:330-772/mm2Power:0.50pJ/bitBump pitch:50-25umBump density:400-1600/mm2Power:0.15pJ/bitBump pitch:10000/mm2Power:1700V）智能电网37%28%9%8%5%2%11%工业控制新

91、能源汽车新能源发电家电轨道交通电源其他图表：全球IGBT下游应用结构36.5%11.4%9.7%5.8%3.3%2.8%2.7%2.5%2.3%2.1%20.9%英飞凌富士电机三菱塞米控威科斯达半导体日立丹佛斯ABB博世其他图表：2020年全球IGBT模块竞争格局图表：2020年全球IGBT器件竞争格局29.3%15.6%9.3%7.7%5.5%4.6%4.2%3.8%3.1%2.6%14.3%英飞凌富士电机三菱安森美东芝意法半导体力特瑞萨美格纳士兰微其他17132.340.695.093.032320173.172.7820262020CAGR20-26=7.5%2.33Industrial

92、 motor drivesHome appliancesDC charging infrastructureEV/HEVRailPV单位：亿美元注：仅展示主要应用发展方向之SiC/GaN等第三代半导体：性能优势显著资料来源：前瞻产业研究院，智研咨询，方正证券研究所整理53主要材料材料特性与发展过程主要应用第一代半导体材料锗、硅等单元素半导体 上世纪五六十年代逐步应用于晶体管；锗耐高温和抗辐射性能较差，到六十年代后期逐渐被Si器件取代；Si材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用 主要应用于低电压、低频、中功率晶体管和光电探测器；Si是半导体分立器件、集成电路以及太阳能电池的基础材

93、料，是信息产业的基石第二代半导体材料III-V族化合物半导体，典型代表有砷化镓、磷化铟、锑化铟、铝砷化钾、铟砷化钾等 上世纪八十年代逐步发展起来；其材料特性非常适合用于制作高速、高频、大功率晶体管以及发光电子器件，例如高性能微波/毫米波器件以及发光器件 高频、低噪声；广泛应用于卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航系统等第三代半导体材料主要代表是氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝 上世纪九十年代开始逐步发展起来；第三代半导体也称为宽禁带半导体（禁带宽度Eg大于2.3eV，其高温、高压、高电流、低导通电阻以及高频等特性均显著优于前两代半导体）最早在光电子领域大规模应用，例如LED和激光器；可

94、广泛应用在高电压、高功率、高频等领域，例如电力电子、电源管理、无线通信等产品类型主要器件主要应用射频PA、LNA、开关器、MMIC等HEMTHBT通信基站（4G、5G）、低噪放大器、射频开关；卫星通讯、有源相控阵雷达；民用消费（微波加热）功率（电力电子）开关器、稳压器、变流器、变压器、变频器、功率因数校正（PFC）SBDMOSFETIGBT电源开关、无线充电、逆变器；可广泛用于电网、轨道交通、新能源汽车、消费电子等光电蓝光/紫外线LED/激光器电控制器LEDVCSELDFB蓝光用于照明、显示、高密度存储、生物医学；紫外用于光催化、探伤、防伪、杀菌等图表：GaN、SiC的主要产品应用图表：第三代

95、半导体材料的发展过程及主要应用第三代半导体主要包括碳化硅、氮化铝、氮化镓、金刚石、氧化锌，其中，碳化硅和氮化镓为典型代表；第三代半导体行业的产业链涉及多个环节，且在每个环节中举足轻重。上游原材料中游下游第三代半导体制造第三代半导体器件IC设计晶圆制造封装测试微波射频器件电力电子器件光电子器件衬底外延片图表：第三代半导体行业产业链发展方向之SiC/GaN等第三代半导体：2025E中国500亿元市场空间资料来源：燕东微招股书，Yole，智研咨询，CASA，前瞻产业研究院，第三代半导体产业技术创新战略联盟，睿兽，方正证券研究所整理54图表：2016-2025E中国第三代半导体行业市场规模目前，GaN

96、主要应用在射频及快充领域，SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域，叠加第三代半导体高工作温度、高电压、高功率及高频率等特性以及快充、新能源汽车等市场规模的增长，前瞻产业研究院预测2025年中国第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。公司将第三代半导体作为功率器件的重点发展方向，未来三年规划加大SiC等第三代半导体的研发并实现量产。0.713.823.12944.768981432073003 13 19 33 61 83 104 130 163 205 0500300200192020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025ES

97、iC、GaN电子电力器件GaN微波射频器件0.351.90.40.839.82.77.505024E无线基础设施国防军工卫星通信有线电视、商用雷达和航空电子、射频能量图表：2018/2024E全球GaN射频市场规模分布1.1 9.5 3.1 9.8 05024E充电基础设施、光伏、电源、铁路、马达驱动和不间断电源和风力发电等新能源汽车图表：2018/2024E全球SiC功率市场规模分布38%22%15%6%3%3%1%12%新能源汽车消费类电源（PFC）光伏逆变器工业及商业电源不间断电源UPS快充电源工业电机其他注：电网、风力发电市场占比不足1%，未

98、在图中显示图表：2020年中国SiC、GaN电力电子器件下游应用领域分布亿元亿美元亿美元CAGR21-25=45%CAGR21-25=25%SiC、GaN电子电力器件GaN微波射频器件发展方向之硅光芯片：公司未来营收增长点之一，市场空间广阔硅光是利用硅CMOS工艺对光电子器件进行开发和集成的一种新技术，既拥有微电子的工艺成熟、集成度高、价格低廉等优点，又兼具光电子的极高带宽、超快速率、抗干扰性、低功耗等优势，广泛应用于高速光通信、智能传感、移动终端、智能驾驶、激光雷达、面部识别、高速互联等领域。据Yole Developpement 预测，硅光芯片市场规模预计将由2020年的0.87亿美元增至

99、2026年的11亿美元。公司拟利用8英寸线技术基础，开展光开关、激光雷达等光通信类硅光产品的工艺技术的开发研究。图表：硅光子市场规模预测资料来源：燕东微招股书，C114通信网，Yole，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理55图表硅光技术发展历程20050及以后理论和模型研究阶段器件原样研究阶段模块和系统开发阶段功能集成阶段3.6420252019CAGR19-25=40%Datacenter transceiversLong haul transceivers5G transceiversAutomotive LiDAROptical interconnectsImmun

100、oassay testsFiber-optic gyroscope360.441.17单位：亿美元1.860.610.220.180.20发展方向之硅光芯片：硅光技术未来已至，巨头纷纷布局基于硅光技术在通讯设备制造等领域的巨大发展潜力，国外的企业如Intel、Acacia及SiFotonics等行业巨头早已开始布局，均已推出多款基于硅光技术的器件产品，在行业内占据头部地位。国内企业布局硅光领域较晚，仍处于追赶状态。目前公司的8英寸晶圆生产线产品方向已涵盖硅光器件，未来拟实施投产的12英寸晶圆生产线产品方向将覆盖硅光芯片，同时公司在研硅光工艺平台，拟布局波导层薄膜生长等关键技术。图表：国内企业硅

101、光技术布局情况资料来源：燕东微招股书，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理56图表：国外企业硅光技术布局情况企业竞争优势在研或主打的硅光产品Acacia在生产低能耗高速传输的光模块器件中具有优势。注重研发投入硅光集成电路产品（AC100-C，AC100-CFP-M，AC100-CFP-ZR，AC100-CFP-L，CFP2-ACO及AC100-UL）Intel起步早，研发能力强，在低耗高速硅光产品研发上卓有成效，数据中心业务占比大100G硅光收发器，并行单模四路（PSM4）硅光子学产品SiFotonics在CMOS工艺的硅基光电产品的研发上颇具优势，产品涉及光电收发器、芯片等锗硅PD/APD芯片

102、（TP1001芯片）、硅基全集成相干接收机芯片（CR4Q01）Mellonax在无限带宽技术（infiniBand）和以太网领域具有较高的市占率，收购硅光子专家Kotura与并行光互连芯片厂商IPtronics，全面加强其在硅光领域的竞争优势LinkXTM思科收购CoreOptics、Lightwire，可研发针对400Gbps以太网接口的硅光子技术线卡，研发能力强CPAK光模块1Tb线卡，AISC产品企业布局分析在研或主打的硅光产品华为先后收购英国光子集成公司CIP和比利时硅光子公司Caliopa，在集成器和硅光技术运用领域独具优势小型高容量硅光芯片光迅科技数据中心业务占比较大，国家光通信重

103、点扶持企业100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件亨通光电2017年12月公司与英国洛克利硅光子（Rockley）共同出资成立江苏亨通洛克利已通过100G硅光芯片的首件试制和可靠性测试博创科技公司全资子公司上海圭博正推进“硅基高速光收发模块开发和产业化项目”，承担着上海市“硅光子市级重大专项”在研中发展方向之红外热成像传感器芯片：红外热成像市场空间广阔自然界的物体，只要高于绝对零度（-273）都会向外辐射红外线。红外热像仪是指通过光学系统、红外探测器及电子处理系统，将物体表面红外辐射转换成可见图像的设备。目前，中国红外热像仪产品市场处于发展期，Yole调研显示2020年中国红外热像

104、仪全球市场占有率达44%，相较2019年提升了29%，未来红外热成像国产化与自主发展趋势愈加明显。军用红外热成像：我国国防工业从单兵、陆地武器、飞行武器和海军舰艇均需要红外热像产品，随着国防现代化进程的加快，我国军用红外热成像装备正处于快速增长时期。民用红外热成像：从工业检测、检验检疫、电力检测、安防监控等工业消费品领域，逐渐向无人机、物联网、汽车辅助驾驶、智能空调、住宅安防、户外夜视、防火监测、手机及人脸支付、突发公共卫生安全防控等个人消费品领域发展，未来其应用范围会进一步扩大且趋向于高端化。公司补充流动资金进行红外热成像传感器芯片及真空封装工艺技术研究。图表：2020-2025E中国军用和

105、民用红外热成像市场规模资料来源：燕东微招股书，Yole，前瞻产业研究院，Frost&Sullivan，中商产业研究院，方正证券研究所整理57图表：2020年全球红外热成像仪出货量TOP1024.6 29.6 35.641.146.853.142.2 47.3 53.559.564.870.6-0021E2022E2023E2024E2025E民用军用35%17%15%10%10%8%2%1%1%1%FLIR高德红外海康威视睿创微纳LynredSEEK大立科技13 systemDRSBAE亿美元发展方向之硅基OLED：最适用于近眼显示行业的第三代显示技

106、术 硅基OLED（Micro OLED/OLEDoS）：一种新型微显示技术，属于AMOLED技术分支，主要适用于微型显示产品；结构包括驱动背板和OLED器件两部分，是结合CMOS工艺和OLED技术，以单晶硅作为有源驱动背板而制作的主动式有机发光二极管显示器件。资料来源：芯视佳科技BCDtek公众号，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理58Fast-LCDLCoS硅基OLEDMicro LED典型PPI800300035003500典型亮度（nit）0100000像素响应速度msmsusns对比度1500:1100000:1100000:1技术成熟度MPMPMPR&D优势尺寸

107、可做大成本低技术成熟体积小PPI高寿命长技术相对成熟体积小PPI高对比度高响应速度快色彩饱和度高亮度高响应速度快色彩饱和度高寿命长劣势色彩饱和度低对比度低像素相应相对慢，拖影相对明显像素响应速度不高对比度不高光机结构复杂笨重亮度待进一步提升成本相对较高良率低，成本高技术不够成熟市场机型Oculus Quest 2&Pico Neo 2Hololens 1Rokid AirJBD 单色屏（非终端产品）OLED微型显示器中游上游硅基板驱动IC金属材料有机材料封装材料等下游头戴显示产品智能穿戴产品工业仪表医疗仪表图表：硅基OLED产业链图表：硅基OLED器件结构图表：AR/VR微显示领域技术比较发展

108、方向之硅基OLED：众多企业纷纷进军硅基OLED，市场空间广阔 主要厂商：国内外诸多企业具备生产硅基OLED的能力，最早如美国的eMagin、法国的Micro OLED、国内的奥雷德，大多供应军方；消费市场上的硅基OLED屏多 为 Sony 供 应。国 内 方 面，如 Rokid Air、大 疆Goggles 2均使用了合肥视涯研发和生产的硅基OLED屏。最近，由于苹果的需求，LG和三星也已经明确表态进军硅基OLED领域。中国电子信息产业发展研究院预计2023年中国硅基OLED市场规模有望达900亿美元。资料来源：芯视佳科技BCDtek公众号，CINNO Research，CCID，前瞻产业研

109、究院，Markets and Markets TM，德远资本公众号，睿创微纳官网，方正证券研究所整理59应用场景具体情况特种描述瞄准、观察系统瞄具、炮长镜、红外热成像仪、融合望远镜等 OLED微型显示器用于军用瞄准、观察系统，主要是系统前端红外、微光探测器捕获的光信号转变为微弱的电信号，中端图像处理电路对探测器输出的微弱电信号进行电信号处理及数字化采样，在图像处理后将目标物体呈现在后端OLED 微型显示器上。随着前端探测器技术（红外、微光探测技术）和中端机芯图像处理技术的发展，对末端的显示模块要求越来越高。OLED微型显示器体积小、重量轻、功耗低、耐低温、抗震性能强、刷新率高的特点，使其正逐步

110、替代传统 CRT、LCD/LCoS 在军用瞄准、观察系统上的应用。头盔系统数字化单兵系统综合头盔子系统、航空头盔指示系统等 美军的“陆战勇士”数字化单兵系统使用eMagin的OLED微型显示器配套综合头盔子系统的头戴显示器HMD），通过该显示系统，士兵能观看计算机发出的图解数据、数字化地图、情报资料以及安装在武器上热成像武器瞄准器和摄像机的成像。目前各国都在研发或列装数字化单兵系统，如俄罗斯“战士”数字化单兵系统、法国FELIN单兵作战系统、中国QTS11式单兵综合作战系统等。模拟训练系统实战模拟训练系统等 利用OLED微型显示器生产的头配双目显示器可以形成大尺寸3D虚拟图像，直接使用计算机进

111、行各种战术训练。美军进入伊拉克前，各兵种利用微型显示器对作战环境进行多次模拟训练。用微型显示器进行作战模拟训练，已经成为世界主要发达国家军队的重要日常训练方式之一。图表：2023年中国硅基OLED市场空间结构图表：硅基OLED微显示器军事应用场景32%68%国防军事领域AR/VR领域 CINNO Research统计数据显示，2021年全球AR/VR硅基OLED显示面板市场规模将由2021年的约6400万美元增长至2025年的14.7亿 美 元，CAGR 为 119%。Markets and Markets TM预测2024年中国军事领域的微型显示器将实现547百万美元的市场规模，2018-2

112、024年的CAGR为37%。公 司 补 充 流 动 资 金 进 行MicroOLED微显示ASIC产品工艺技术开发；ASIC即专用集成电路，是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路；在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。下游应用之仪器仪表：政策助力国产替代仪器仪表是人类对客观世界的各种信息进行测量、采集、分析与控制的手段和设备，是信息产业的源头和组成部分。仪器仪表行业应用领域广泛，覆盖环境保护、生命健康、生产安全、产品质量、节能增效等多个应用领域。图表：2016-2022E中国仪器仪表行业企业主营业务收入资料

113、来源：燕东微招股书，禾信仪器招股书，中国政府采购网，中国仪器仪表行业协会，华经产业研究院，上海仪器仪表行业协会，中商产业研究院，方正证券研究所整理60图表：仪器仪表分类9,355 9,558 8,092 7,243 7,853 9,101 9,924 0200040006000800000022E仪器仪表制造业通用仪器仪表专用仪器仪表工业自动化仪器仪表电工仪器仪表绘图、计算及测量仪器仪表实验分析仪器试验机制造供应用仪表及其他通用仪器图表：近年来我国针对仪器仪表行业的部分产业政策产业政策发布时间发布单位主要相关内容产业关键共性技术

114、发展指南（2013年）2013年工信部将“质谱分析检测技术”明确列为具有应用基础性、关联性、系统性、开放性等特点的产业关键共性技术，优先发展“十三五”国家战略新兴产业发展规划2016年国务院加强先进适用环保装备在冶金、化工、建材、食品等重点领域应用，加速发展体外诊断仪器、设备、试剂等新产品战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016年版）2017年国家发改委将智能化实验分析仪器、在线分析仪器列为智能制造装备产业，大力发展医用质谱分析仪战略性新兴产业分类（2018）2018年国家统计局将“实验分析仪器制造”列入“高端装备制造业”行业大类产业结构调整指导目录（2019年版）2019年国家发改委将

115、“药品、食品、生化检验用高端质谱仪、色谱仪、光谱仪、X射线仪、核磁共振波谱仪、自动生化检测系统及自动取样系统和样品处理系统”列为鼓励类行业加强“从0到1”基础研究工作方案2020年科技部、国家发改委、教育部、中科院、自然科学基金委加强重大科技基础设施和高端通用科学仪器的设计研发，聚焦高端通用和专业重大科学仪器设备研发、工程化和产业化研究，推动高端科学仪器设备产业快速发展“十四五”规划2021年全国人大明确提出要“加强高端科研仪器设备研发制造”亿元下游应用之遥感遥测：2024E中国遥感卫星113亿元远期市场空间遥感（Remote Sensing）：指非接触的，远距离的探测技术，一般指运用传感器/

116、遥感器对物体的电磁波的辐射、反射特性的探测。遥测（Telemetering）：将对象参量的近距离测量值传输至远距离的测量站来实现远距离测量的技术。遥感卫星：通过卫星上装载的遥感器对地球表面和低层大气进行光学或电子探测来获取有关信息的应用卫星；用卫星作为平台的遥感技术称为卫星遥感。卫星遥感过程中，通过遥测技术可获取卫星运行的参数。资料来源：UCS，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理61图表：遥感卫星的分类遥感卫星非军用遥感卫星民用遥感卫星商业遥感卫星军用遥感卫星39%33%27%1%政府军用商业民用图表：截止2021.4中国遥感卫星按用户类型分类图表：截止2021.4全球遥感卫星存量（颗）442

117、 215 35 34 23 19 10 9 9 00500图表：2022E-2024E中国遥感卫星市场规模预测（亿元）96 104 113 85909552022E2023E2024E下游应用之消费电子：AIoT时代引领消费电子发展公司的制造与服务以及产品与方案板块的下游应用营收占比中，消费电子分别占比76%与19%。随着AI、IoT、大数据、云计算等技术在消费电子产业进一步落地，消费电子产品逐步由单机智能、协作智能发展到场景智能，由用户下达指令进化为机器主动决策和提供智能服务。目前消费电子处于AIoT时代，智能家居与可穿戴设备等AIoT引领发展的品

118、类将持续赋能消费电子的蓬勃发展。资料来源：健康界研究院，智慧城市网，前瞻产业研究院，华经产业研究院，Statista，中商产业研究院，2021全球AIoT开发者生态白皮书，全球智能化商业，未来智库，易观分析，亿信，方正证券研究所整理62图表：2017-2022年中国消费电子行业市场规模AIoT硬件市场20194820亿美元全球AIoT芯片市场规模CAGR19-22=29%2260亿美元2022E智能家居智能穿戴智能汽车智慧安防智慧医疗智慧环保智慧物流智慧零售智慧商显消费驱动政策驱动产业驱动增长驱动力增量应用市场及部分相应市场规模3766亿元中国智慧医疗CAGR18-22=33%1186亿元20

119、22E20182045亿元中国智能安防CAGR16-25=25%221亿元2026E201611000亿元中国智能家居CAGR21-27=11%5800亿元2027E20211012亿元中国智慧汽车CAGR17-22=21%386亿元2022E20171573亿元中国智能穿戴CAGR20-25=20%632亿元2025E2020772亿元中国智慧环保CAGR17-22=10%470亿元2022E201716,120 16,587 17,780 17,347 18,113 18,649 600090002002020212022E

120、亿元下游应用之电力电子：EV/HEV与电机驱动器等驱动力强劲公司的制造与服务板块的下游应用中，22H1电力电子营收占比9%。电力电子技术：应用于电力领域的新兴电子技术，使用电力电子器件（如晶闸管，GTO，IGBT等）对电能进行变换和控制。电动汽车/混合动力汽车（EV/HEV）、电机驱动器、计算和存储等推动了从器件到无源、封装和集成的电力电子市场的增长，其中电气化为电力电子产业的主要驱动力。图表：电力电子行业的驱动力资料来源：燕东微招股书，信息产业报道，MEMS公众号，Yole，方正证券研究所整理63图表：2017-2023年IGBT和MOSFET分立器件及模块的市场规模预测（按电力电子市场驱动

121、应用细分）（十亿美元）LIDARChargingStationGridWindPVMotordriveUPSPowerSupplyEV/HEVIndustrialRenewablesAutomotiveStrongsynergieswith othersegmentsAutonomous driving,IoTRenewable energy,stationary battery energy storage,charging infrastructure,HVDC deploymentEV/HEV inverters,boost converter,DC-DC converter,48V c

122、onverter,on-board chargerTime0.71.352.681.42.322.50.83.163.71.521.51Computing&StorageHome applianceConsumer1IndustrialEV/HEVOthers20232017CAGR17-23=4%1 Consumer segment includes Portable&Wireless and Audio&Image applications 下游应用之汽车电子：汽车功率半导体在新能源浪潮中茁壮成长图表：新能源汽车中功率半导体应用图表：2017-2025年新能源汽车销量（万辆）5510710

123、954055506794535046065065%10%29%27%35%36%30%39%0%10%20%30%40%50%60%70%020040060080072002242025中国海外总体增长图表：汽车半导体成本拆分逆变器(IGBT 模块)空调压缩机车载充电系统(超级结 MOSFET)电池包DC/DC(高压 MOSFET)辅助电源(IGBT分立器件)电机控制器电力电子控制器充电口资料来源：燕东微招股书，EVTank，英飞凌官网，ADI官网，前瞻产业研究院，东微半导招股书，方正

124、证券研究所整理64公司的制造与服务以及产品与方案板块的下游应用营收占比中，汽车电子分别占比2.79%与0.09%；同时经过公司封装测试服务后的产品亦广泛应用于汽车电子等领域。新能源汽车中广泛应用功率半导体：车载OBC，DC-DC，辅助电源，逆变器等部件均应用功率半导体。功率半导体占据汽车半导体总成本的40%，根据英飞凌的估计，单车功率半导体成本达330美元。新能源汽车销量节节攀升带动汽车功率半导体销量上升，EVTank预测2025年新能源汽车销量达到1200万量。下游应用之工业互联网：2027F全球工业芯片854亿美元市场空间资料来源：燕东微招股书，第三方资料，新闻报道，业内专家采访及QYRe

125、search整理研究，工业和信息化部信息通信管理局，智加工业互联网，方正证券研究所整理65工业芯片国产替代需求强劲：目前国内工业芯片中高端市场长期被欧、美、日等的国际巨头企业垄断，国内电力能源、轨道交通等关键工业领域芯片自主化率仍不足10%，高端工业计算类芯片如FPGA、高精度数据转换器ADC、多相高效电源管理芯片、通信射频等中高端工业芯片国产化率低于1%。近年来，新一轮科技革命和产业变革快速发展，互联网由消费领域向生产领域快速延伸，工业经济由数字化向网络化、智能化深度拓展，互联网创新发展与新工业革命形成历史性交汇，催生了工业互联网。随着国家对新基建和工业互联网的重视及发展，未来工业芯片市场必

126、然茁壮成长，同时催生对相关功率半导体等的需求。目前公司在研MES的工业互联网标识数据采集与互通系统项目，22H1获政府补助213万元。图表：2016-2027F全球工业芯片市场销售额及增长率工业互联网图表：芯片按照温度适应能力及可靠性要求分类商业级0-70芯片工业级车规级军工级-40-85-40-120-55-150工业芯片处于整个工业体系架构的基础部分，解决感知、互联、计算、存储等基础问题和执行问题，在工业生产中至关重要。598 638 688 749 796 854 7%-5%0%5%10%15%20%00500600700800900销售额（亿美元）增长率（%）下游

127、应用之新能源：光伏逆变器的巨大更新需求带动IGBT市场增长资料来源：燕东微招股书，国家能源局，立鼎产业研究院，阳光电源公告，MIR 睿工业，德佳咨询，IHS Markit，方正证券研究所整理66公司的制造与服务板块的下游应用中，22H1新能源领域营收占比为7.8%；同时公司的8英寸晶圆生产线生产的芯片被广泛应用于新能源等众多领域。中国光伏发电市场空间巨大：据国家能源局统计，我国2021年新增光伏发电并网装机容量约5300万千瓦，连续9年稳居世界首位。截至2021年底，光伏发电并网装机容量达到3.06亿千瓦，突破3亿千瓦大关，连续7年稳居全球首位。光伏逆变器的巨大更新需求带动核心零部件IGBT市

128、场规模的增长：据IHS Markit统计，2024年全球逆变器替换需求预计达15GW，2020-2024年的年复合增长率约为17%；光伏逆变器的核心零部件为功率半导体IGBT，其使用寿命通常在10-15年左右，基于光伏逆变器的更新需求，未来光伏逆变器的巨大增量将带动IGBT等功率半导体市场的增长。图表：功率半导体在光伏行业的应用直流电蓄电池化学能光伏组件方阵汇流器逆变器变压器低压交流电电网交流电核心零部件为功率半导体IGBT4 6 8 10 12 14 15 0246810121416图表：全球新增逆变器替换需求（单位：GW）图表：逆变器中IGBT的应用数量逆变器类型功率逆变器IGBT总数（个

129、）组串式逆变器10kW20集中式逆变器集散式逆变器10kW18下游应用之通信领域：5G商用加速通信市场规模进一步扩大资料来源：燕东微招股书，东微半导招股书，工信部，前瞻产业研究院，方正证券研究所整理67公司的制造与服务板块的下游应用中，22H1通信领域营收占比为2%；公司的特种集成电路及器件板块的下游应用中，22H1通信传输应用营收占比7%。公司的多芯片、多焊线高精度通信功放模块项目在2019、2020、2021以及2022H1分别获得政府补助283、283、193以及97万元，一定程度上助力公司在通信功放模块的布局。通讯电子市场对模拟芯片的应用主要为通讯基站、交换机、路由器等。以通信基站为例

130、，据工信部统计，2021年全国移动通信基站总数达996万站，全年净增65万站。根据前瞻产业研究院预测，2024年新建5G基站将达到80万站。5G商用将加速通信市场规模的进一步扩大。5596996263 328 372 544 575 590 02004006008006200202021移动电话基站数（万站）4G基站数量（万站）图表：2016-2021中国移动电话基站和4G基站数量80130400%20%40%60%80%100%120%0204060800222

131、02320245G新建基站数量（万站）4G新建基站数量（万站)图表：2019-2024预计新建4G/5G基站数量+65目录分立器件+特种IC+晶圆制造+封装测试驱动成长1众多产品技术水平比肩国际，领先国内2盈利预测468面向行业先进主流方向发展，下游需求持续赋能业务增长3盈利预测69特种集成电路及器件：公司的特种集成电路及分立器件包括特种光电及分立器件、数字IC、模拟IC以及混合IC，产品矩阵较为丰富且性能优势明显，基于该产品历年来的稳健增速，我们赋予该产品2022E/2023E/2024E分别25%/15%/15%的营收增速。同时特种集成电路产品的定制化程度较高，公司与主要特种客户长期保持良

132、好合作，客户粘性较 高，基 于 该 产 品 历 年 的 较 高 毛 利 率，我 们 赋 予 该 产 品 2022E/2023E/2024E 分 别69%/70%/70%的毛利率。分立器件及模拟集成电路：考虑到公司该部分产品绝大多数应用于消费电子及智能终端，近年消 费 电 子 的 疲 软 及 未 来 的 复 苏 趋 势，我 们 赋 予 该 产 品 2022E/2023E/2024E 分 别-10%/10%/10%的营增速。基于公司该部分产品在国内数字三极管等细分市场的较高份额以及性能优势，我们假设该产品继续维持较高毛利水平，赋予该产品2022E/2023E/2024E各34%的毛利率。晶圆制造：

133、公司正加快建设12英寸线，预计2023年实现量产，2025年实现满产，同时随着公司8英寸晶圆生产线产能的逐步提升，未来晶圆制造将贡献较大收入，且终端应用主要用于消费电子，因此我们赋予该业务2022E/2023E/2024E分别10%/50%/70%的营增增速。考虑到公司的12英寸产线建设产生的较大的设备、厂房等固定资产的折旧费用且产能爬坡阶段产能利用率较低，我们赋予该业务2022E/2023E/2024E分别18%/0%/20%的毛利率。封装测试：考虑到公司的封装测试业务产业线未完全达产、终端应用主要用于消费电子以及公司2021年已不再出售单价较高的BTC-LGA产品、2022年SOT、DFN

134、等单价较低的封装形式销售占比增长，因此我们赋予该业务2022E/2023E/2024E分别-45%/10%/10%的营增增速。基于封装业务产品结构的变动如低单价产品营收占比的增长以及封装产线的逐步达产，我们赋予该业务2022E/2023E/2024E分别-20%/-18%/-10%的毛利率。盈利预测70资料来源：Wind，方正证券研究所测算单位：百万元202020212022E2023E2024E产品与方案销售收入689 1118 1291 1471 1676 增长率12%62%15%14%14%毛利336 656 794 921 1054 毛利率49%59%62%63%63%特种集成电路及器

135、件销售收入436 813 1016 1168 1343 增长率23%86%25%15%15%毛利280 554 701 818 940 毛利率64%68%69%70%70%分立器件及模拟集成电路销售收入253 306 275 303 333 增长率-3%21%-10%10%10%毛利56 102 94 103 113 毛利率22%33%34%34%34%制造与服务销售收入273 850 891 1319 2212 增长率33%211%5%48%68%毛利(65)152 144(9)426 毛利率-24%18%16%-1%19%单位：百万元202020212022E2023E2024E晶圆制造销

136、售收入170 770 847 1270 2159 增长率71%353%10%50%70%毛利(57)168 152 0 432 毛利率-33%22%18%0%20%封装测试销售收入103 81 44 49 54 增长率-3%-22%-45%10%10%毛利(9)(16)(9)(9)(5)毛利率-8%-20%-20%-18%-10%其他业务销售收入52 50 51 52 53 增长率50%-4%2%2%2%毛利42 42 44 45 46 毛利率81%86%87%87%87%其他主营业务销售收入16 16 17 18 19 增长率-91%1%5%5%5%毛利10 6 7 7 7 毛利率62%37

137、%38%38%38%合计销售收入1030 2035 2250 2859 3960 增长率-1%97%11%27%39%毛利322 856 989 964 1533 毛利率31%42%44%34%39%可比公司估值资料来源：除本公司外，其他公司预测数据来自Wind一致预期，方正证券研究所整理712023年1月19日证券代码证券简称市值（亿元）归母净利润（亿元）市盈率（倍）TTM2022E2023E2024ETTM2022E2023E2024E688396.SH华润微745.06 26.41 26.01 29.15 34.07 28.21 28.64 25.56 21.87 600460.SH士兰

138、微504.83 15.65 12.24 16.00 21.20 32.27 41.24 31.56 23.81 600360.SH华微电子66.45 0.91-73.07-300373.SZ扬杰科技303.77 11.31 11.54 14.56 18.53 26.85 26.33 20.87 16.40 1347.HK华虹半导体405.12 4.24 35.54 41.23 50.59 95.48 11.40 9.83 8.01 均值26.90 21.95 17.52 688172.SH燕东微259.61 6.50 5.70 4.52 6.82 39.93 45.52 57.41 38.06

139、 风险提示 上游原材料及零部件供应短缺风险；下游需求不及预期风险；产品研发及产业化应用不及预期风险；各项营收增速不及预期风险。72公司财务预测表（单位：百万元）资产负债表20212022E2023E2024E 利润表20212022E2023E2024E流动资产8702 13087 13909 14877 营业总收入2035 2250 2859 3960 货币资金6664 10866 10902 10717 营业成本1179 1261 1896 2427 应收票据605 637 856 1270 税金及附加24 29 37 59 应收账款394 860 472 1554 销售费用22 34 6

140、3 107 其它应收款28 92 22 163 管理费用166 202 263 372 预付账款25 33 45 61 研发费用162 191 329 424 存货755 380 1367 844 财务费用-35-56-119-120 其他232 220 246 268 资产减值损失-18 9 12 11 非流动资产4371 4555 4668 4730 公允价值变动收益0 0 0 0 长期投资51 73 103 129 投资收益9 7 9 12 固定资产2870 3767 4112 4343 营业利润663 694 541 840 无形资产209 200 189 178 营业外收入1 0 0

141、 0 其他1241 515 264 80 营业外支出5 0 0 0 资产总计13073 17642 18577 19607 利润总额659 694 541 840 流动负债1062 1286 1753 2078 所得税90 104 73 134 短期借款45 45 45 45 净利润569 590 468 705 应付账款584 751 1146 1353 少数股东损益19 19 15 23 其他433 490 562 680 归属母公司净利润550 570 452 682 非流动负债1707 1707 1707 1707 EBITDA810 1128 917 1295 长期借款1060 10

142、60 1060 1060 EPS（元）0.78 0.48 0.38 0.57 其他647 647 647 647 负债合计2770 2993 3461 3785 少数股东权益173 192 208 231 股本1019 1199 1199 1199 资本公积8517 12093 12093 12093 留存收益594 1164 1616 2299 归属母公司股东权益10130 14457 14909 15591 负债和股东权益13073 17642 18577 19607 73资料来源：Wind，方正证券研究所整理公司财务预测表（单位：百万元）现金流量表20212022E2023E2024E经

143、营活动现金流442 1164 689 496 净利润569 590 468 705 折旧摊销248 507 517 598 财务费用46 44 44 44 投资损失-9-7-9-12 营运资金变动-430 39-317-829 其他18-9-12-11 投资活动现金流-572-675-609-638 资本支出-582-602-529-566 长期投资10-79-88-84 其他0 7 9 12 筹资活动现金流4921 3713-44-44 短期借款0 0 0 0 长期借款532 0 0 0 普通股增加-1666 180 0 0 资本公积增加6230 3577 0 0 其他-176-44-44-

144、44 现金净增加额4790 4202 37-186 74资料来源：Wind，方正证券研究所整理主要财务比率20212022E2023E2024E成长能力营业总收入97.45%10.57%27.09%38.51%营业利润10357.35%4.59%-22.09%55.34%归属母公司净利润841.08%3.61%-20.71%50.85%获利能力毛利率42.06%43.94%33.70%38.71%净利率27.05%25.35%15.81%17.22%ROE5.43%3.94%3.03%4.38%ROIC11.57%14.12%7.64%9.87%偿债能力资产负债率21.19%16.96%18.

145、63%19.31%净负债比率-60.27%-75.43%-71.00%-63.42%流动比率8.19 10.18 7.93 7.16 速动比率7.30 9.73 7.03 6.64 营运能力总资产周转率0.16 0.13 0.15 0.20 应收账款周转率5.17 2.62 6.06 2.55 应付账款周转率3.48 3.00 2.50 2.93 每股指标(元)每股收益0.78 0.48 0.38 0.57 每股经营现金0.43 0.97 0.57 0.41 每股净资产9.94 12.06 12.43 13.00 估值比率P/E27.76 45.52 57.41 38.06 P/B2.18 1

146、.80 1.74 1.67 EV/EBITDA19.70 14.39 17.68 12.65 分析师声明作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，保证报告所采用的数据和信息均来自公开合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解，本报告清晰准确地反映了作者的研究观点，力求独立、客观和公正，结论不受任何第三方的授意或影响。研究报告对所涉及的证券或发行人的评价是分析师本人通过财务分析预测、数量化方法、或行业比较分析所得出的结论，但使用以上信息和分析方法存在局限性。特此声明。免责声明本研究报告由方正证券制作及在中国（香港和澳门特别行政区、台湾省除外）发布。根据证券期货投资者适当性管理办法，本报告内容仅

147、供我公司适当性评级为C3及以上等级的投资者使用，本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。若您并非前述等级的投资者，为保证服务质量、控制风险，请勿订阅本报告中的信息，本资料难以设置访问权限，若给您造成不便，敬请谅解。在任何情况下，本报告的内容不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需求，方正证券不对任何人因使用本报告所载任何内容所引致的任何损失负任何责任，投资者需自行承担风险。本报告版权仅为方正证券所有，本公司对本报告保留一切法律权利。未经本公司事先书面授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容，不得将报告内容作为诉

148、讼、仲裁、传媒所引用之证明或依据，不得用于营利或用于未经允许的其它用途。如需引用、刊发或转载本报告，需注明出处且不得进行任何有悖原意的引用、删节和修改。公司投资评级的说明强烈推荐：分析师预测未来半年公司股价有20%以上的涨幅；推荐：分析师预测未来半年公司股价有10%以上的涨幅；中性：分析师预测未来半年公司股价在-10%和10%之间波动；减持：分析师预测未来半年公司股价有10%以上的跌幅。行业投资评级的说明推荐：分析师预测未来半年行业表现强于沪深300指数；中性：分析师预测未来半年行业表现与沪深300指数持平；减持：分析师预测未来半年行业表现弱于沪深300指数。THANKS专注专心专业方正证券研究所北京市 西城区展览路48号新联写字楼6层上海市 静安区延平路71号延平大厦2楼上海市 浦东新区世纪大道1168号东方金融广场A栋1001室深圳市 福田区竹子林紫竹七道光大银行大厦31层广州市 天河区兴盛路12号楼 隽峰苑2期3层方正证券长沙市 天心区湘江中路二段36号华远国际中心37层联系人：吴文吉邮箱：