1、 电子制造 从从新基建与消费电子看第三代半导体材料新基建与消费电子看第三代半导体材料 2020 年年 5 月月 29 日日 电子电子行业行业深度深度报告报告 公司具备证券投资咨询业务资格公司具备证券投资咨询业务资格 相关报告： 半导体行业深度报告（系列之一）成 长 与 迁 移 ， 全 球 半 导 体 格 局 演 变 -191204 行业行业数据与预测数据与预测 Wind 资讯 电子（可比口径） 2020Q1 整体收入增速（%） 0.03 整体利润增速（%） -10.00 综合毛利率（%） 14.80 综合净利率（%） 3.01 行业 ROE（%） 1.31 平均市盈率（倍） 40.60 平均市

2、净率（倍） 3.21 资产负债率（%） 53.42 请务必阅读文后重要声明及免责条款 核心观点核心观点： 1. 功率半导体受益于下游新兴领域快速发展功率半导体受益于下游新兴领域快速发展，未未来增量空来增量空 间明显间明显。中国是全球最大的功率半导体消费市场，未来 有望保持高速发展，预计年复合增速达 4.8%。从增量来 源来看，5G、光伏智能电网、新能源汽车等是主要的增 量来源。未来功率半导体将呈现高性能，高增长，高集中 度的发展趋势：1）下游新兴行业增量显著：下游以汽车 电子为代表的新兴应用增速进一步加快， 假设 2025 年新 能源汽车市场规模达到 150 亿元，按照汽车电子化率 30%测算

3、，新能源汽车中的电子元器件增量为 50 亿元； 2）自给率仍然偏低，替代空间巨大，目前自给率不足 20%，假设自给率提升到 50%，国内至少仍有 50 亿美元 的市场空间增量；3）未来集中度会进一步提升，产品碎 片化将有所改善：由于产品种类繁多，总体较为碎片化， 但部分高端产品如 IGBT、 MOSFET 技术壁垒提升， 下游 对高端产品的依赖度会随之增加， 细分领域集中度提升是 必然趋势。 2. 第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。第三代半 导体材料众多战略行业可以降低 50%以上的能量损失， 最高可以使装备体积减小 75%以上，是半导体产业进一 步

4、跃进的基石。先进半导体材料已上升至国家战略层面， 2025 年目标渗透率超过 50%。 底层材料与技术是半导体 发展的基础科学，在 2025 中国制造中，对第三代半导体 单晶衬底、 光电子器件/模块等细分领域做出了目标规划。 在任务目标中提到 2025 实现在 5G 通信、高效能源管理 中的国产化率达到 50%；在新能源汽车、消费电子中实 现规模应用，在通用照明市场渗透率达到 80%以上。 3. 新基新基建与消费电子建与消费电子将将明显提升明显提升第三代半导体材料第三代半导体材料需求需求空空 间间。新基建视角下： 5G 通信中含有 GaN 的基站 PA 有望 实现爆发式增长。 目前我国 5G

5、宏基站使用的 PA （Power Amplifier，功率放大器）数量在 2019 年达到 1843.2 万 个，2020 年有望达到 7372.8 万个，相对于去年增长近 4 倍。预计今年，基于 GaN 工艺的基站 PA 占比将由去年 的 50%达到 58%。消费电子中：OPPO、小米等国内主 流厂商依次跟进，高功率，小体积成最明显优势；汽车电 子化程度上升直接带动汽车产业链价值迁移， 国内市场有 望超千亿规模。 4. 风险风险提提示示。研发进度不及预期，成本控制不及预期。 行行业业评评级：级： 强于大市强于大市 （维持维持） 分分析析师师：陈建生陈建生 执业证书号：S

6、02 联系电话： 邮箱： 研研究究助助理理：魏魏大千大千 联系电话： 邮箱： 电子（801080.SI）与沪深 300 对比表现 -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 19-04 19-05 19-06 19-07 19-08 19-09 19-10 19-11 19-12 20-01 20-02 20-03 20-04 电子(申万)沪深300 证券研究报告 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 1 - 目目 录录 一、为什么推荐投资第三代半导体材料一、为什么推荐投资第

7、三代半导体材料. 4 4 1、功率半导体下游细分领域带动需求爆发式增长，将带动第三代半导体材料应用 . 4 2、贸易摩擦加剧与摩尔定律见顶双重背景下，底层材料提供了弯道超车的可能性 . 4 3、新基建与消费电子为国内需求打开空间 . 5 二、功率半导体受益于下游新兴领域快速发展二、功率半导体受益于下游新兴领域快速发展 . 5 5 1、功率半导体是电路控制的核心元器件 . 5 2、市场规模平稳增长，未来增量空间来自于新兴领域 . 7 3、国内是最大的消费市场，自给率不足 20% . 9 三、第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石三、第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石 . 1111 1、第三代

8、半导体材料对性能提升有明显优势 . 11 2、产业应用集中在衬底、射频器件，2025 年渗透率将达到 50%以上 . 12 3、底层材料突破是摩尔定律延续的关键 . 14 四、新基建视角：四、新基建视角：5G 射频端需求带动射频端需求带动 GaN 爆发式增长爆发式增长 . 1717 1、宏基站射频元器件数量大增，GaN 渗透率有望持续提升 . 17 2、小基站性能优势明显，高功率高频段环境下需求度提升 . 18 五、消费电子视角：高效能、小体积加速五、消费电子视角：高效能、小体积加速 GaN 消费电子中的应用消费电子中的应用 . 2020 1、以充电器为代表，GaN 支持下的快充效率翻倍提升

9、. 20 2、新能源汽车市场拐点已至，GaN 功率器件空间可期 . 22 六、相关上市公司六、相关上市公司 . 2727 1、海特高新 . 27 2、三安光电 . 28 3、斯达半导 . 29 七、风险提示七、风险提示 . 3030 1、研发进度不及预期 . 30 2、替代效果不及预期 . 31 3、成本控制不及预期 . 31 rQsNmNoNsPqRwPnPyQtPuMaQ9RbRoMoOmOpPkPmMrPiNoOrQ8OmMvMwMmRsOwMrNoO 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 2 - 图图表表目录目录 Figure 1 功率半导体主要分类 . 6 Figure

10、2 各功率半导体的主要特性及应用场景 . 7 Figure 3 全球功率半导体市场规模及增速 . 8 Figure 4 国内半导体市场规模及增速 . 8 Figure 5 功率半导体按照输出功率分类的应用场景 . 9 Figure 6 2018 年全球 IGBT 市场格局 . 9 Figure 7 2018 年全球 MOSFET 市场格局 . 9 Figure 8 2018 年全球功率半导体产品结构 . 10 Figure 9 2018 年国内功率半导体产品结构 . 10 Figure 10 2018 年全球功率半导体市场份额 . 11 Figure 11 2018 年中国功率半导体市场份额

11、. 11 Figure 12 三代半导体材料主要特征 . 11 Figure 13 第三代半导体与硅的特性对比 . 12 Figure 14 2025 第三代半导体材料发展目标 . 14 Figure 15 摩尔定律：1971-2018 年集成电路晶体管数量变化 . 15 Figure 16 各国第三代半导体领域研发项目 . 16 Figure 17 GaN 将逐步取代 LDMOS 市场份额 . 17 Figure 18 2019 年起 5G 基站将走向建设高峰 . 17 Figure 19 GaN 射频器件需求量 . 18 Figure 20 Massive MIMO 在 5G 中将大量出现

12、 . 18 Figure 21 小基站设备形态及应用场景 . 19 Figure 22 ANKER 快充及实际参数 . 20 Figure 23 小米 Type-C65W 最大输出功率发热情况 . 20 Figure 24 各充电方案对比 . 21 Figure 25 智能手机与可穿戴设备中 GaN 快充测算 . 22 Figure 26 不同自动驾驶级别所对应的智能程度 . 23 Figure 27 汽车电子占整车成本未来趋近 50% . 23 Figure 28 新能源汽车是电子化的重要标志 . 23 Figure 29 汽车电子涉及主要环节 . 24 Figure 30 全球与国内汽车电

13、子市场规模（亿美元） . 24 Figure 31 NEV 绝大部分零部件将被电子元器件代替 . 25 Figure 32 新能源汽车驱动系统及控制系统中主要的功率元器件拆分 . 26 Figure 33 新能源汽车与传统燃油车半导体价值量拆分 . 27 Figure 34 海特高新营业收入变化 . 28 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 3 - Figure 35 海特高新归母净利润变化 . 28 Figure 36 海特高新毛利率及净利率变化情况 . 28 Figure 37 海特高新三项费用变化情况 . 28 Figure 38 三安光电营业收入变化 . 29 Figur

14、e 39 三安光电公司归母净利润变化 . 29 Figure 40 三安光电毛利率及净利率变化情况 . 29 Figure 41 三安光电三项费用变化情况 . 29 Figure 42 斯达半导营业收入变化 . 30 Figure 43 斯达半导公司归母净利润变化 . 30 Figure 44 斯达半导毛利率及净利率变化情况 . 30 Figure 45 斯达半导三项费用变化情况 . 30 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 4 - 一一、为什么推荐投资第三代为什么推荐投资第三代半导体材料半导体材料 1、功率半导体功率半导体下游下游细分领域带动需求爆发式增长细分领域带动需求爆发式

15、增长，将，将带动第三代带动第三代半半导导体材体材 料应用料应用 功率半导体在电子行业中应用广泛， 且技术相对成熟， 目前是以硅片为衬底， 带隙宽度较小，市场普遍认为，增长弹性不大，整体规模保持稳定。与之有 差异的是，我们认为，未来功率半导体将呈现高性能，高增长，高集中度的 发展趋势，从而带动第三代半导体材料应用需求，主要原因有以下几点：1） 下游新兴行业增量显著；2）自给率仍然偏低，替代空间巨大；3）未来集中 产品碎片化将有所改善，高端产品如 IGBT、MOSFET 产品性能和技术壁垒 同步提升， 下游对高端产品的依赖度会随之增加。 功率半导体市场规模较大， 高性能驱使下，新型半导体衬底材料渗

16、透率有望进一步提升。 2、贸易摩贸易摩擦擦加剧加剧与摩尔与摩尔定律定律见顶双重背见顶双重背景景下下，底层材料，底层材料提供了提供了弯道超车弯道超车的的 可能性可能性 美方美方对对华华为制裁为制裁规模未有缩小趋势，同时加剧了多方面的技术围剿，规模未有缩小趋势，同时加剧了多方面的技术围剿，底层材底层材 料的重要性不容忽视料的重要性不容忽视。美方将计划限制华为使用美国技术和软件在海外设计 和制造半导体的能力来保护国家安全，华为及其被列入实体清单的分支机构 生产的以下产品将受出口管理条例（EAR）的约束，具体而言包括以下两个 方面：1）华为及相关公司利用美国管制清单（CCL）上的软件和技术直接生 产的

17、产品；2）根据华为的设计规范，在美国海外的地方利用 CCL 清单上的 半导体制造设备生产的芯片等产品，此类产品在向华为及其分支机构出货时 需要申请许可证。 摩尔摩尔定律定律在在硅时代硅时代已接近已接近效效能能极极限限，台积电已开始，台积电已开始 2nm 探索性研发探索性研发，单一，单一 增加制程精度增加制程精度的方式的方式不可持续不可持续。 “摩尔定律” 在过去的几十年中是集成电路性 能增长的黄金定律。其核心内容：价格维持不变时，集成电路上可容纳的元 件数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。根据 ITRS 的观点，传统的硅晶体管微缩至 6 纳米已达极限。以硅材料为根基的

18、摩尔定 律即将失效。若半导体仍以摩尔定律趋势发展，则需要在底层材料中形成突 破。美国、欧盟、日韩等国家和地区组织已经通过制定研发项目的方式来引 导产业发展。目前主要的突破手段存在于几个方面：1）底层材料突破，除氮 化镓、砷化镓外，以碳基为材料的半导体技术也在持续突破；2）以 SIP 封 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 5 - 装为代表的高密度集成方式，一定程度上满足了性能的发展需求。 3、新基建与消费电新基建与消费电子子为国内需求打开空间为国内需求打开空间 国内基站端建设国内基站端建设投资力度扩大投资力度扩大，国内需求将大于国外国内需求将大于国外。预计 2020 年 5G 新

19、 建基站有望达到 80w 座以上，其中大部分将以“宏基站为主，小基站为辅” 的组网方式。在射频端高频高速的背景下，第三代半导体材料的渗透率将会 大幅提升， 2023 年 GaN RF 在基站中的市场规模将达到 5.2 亿美元， 年复合 增长率达到 22.8%。未来随着 GaN 技术进步和规模化发展，GaN PA 渗透率 有望不断提升，预计到 2023 年市场渗透率将超过 85%。5G 宏基站使用的 PA（Power Amplifier，功率放大器）数量在 2019 年达到 1843.2 万个，2020 年有望达到 7372.8 万个，同比增长有望达到 4 倍。预计今年，基于 GaN 工 艺的基

20、站 PA 占比将由去年的 50%达到 58%。 消费电子消费电子市场规模分别受益于快充渗透率市场规模分别受益于快充渗透率与与新能源汽车新能源汽车电子化率电子化率的提升的提升。假 设智能手机未来三年 GaN 快充渗透率为 1%、3%、5%，可穿戴需求度相对 手机端有所降低，三年的渗透率为 0.5%、1%、2%；我们预计 2020 年全球 GaN 充电器市场规模为 24.41 亿元，2022 年有望达到 87.74 亿元。在新能 源车型中，目前混动新能源汽车占新能源汽车总量的 80%以上，电机与电控 是核心元器件。GaN 可用于 48VDC/DC 以及 OBC(On Board Charger 车

21、载 充电机)。据 Yole 的预测，2023 年该领域的市场规模将达到 2500 万美元。 新能源汽车无疑是电力电子设备市场的主要驱动力，也是不同技术路线（Si、 SiC 和 GaN）的主要争夺市场。 二二、功率半导体功率半导体受益受益于下游新兴领域快速发展于下游新兴领域快速发展 1、功率半导体是电路控制的核心元器件功率半导体是电路控制的核心元器件 功功率率 IC 和功和功率分立器件率分立器件占功占功率半率半导体的绝大部导体的绝大部分分。功率器件是通过控制电 子设备中电压、电流、频率以及交流（AC）直流（DC）的转换，从而达到 控制元器件的功能。功率半导体属于半导体的一个细分领域，是通过变换电

22、 能的交直流、电压电流频率大小从而实现对电路控制的核心器件，可以分为 功率 IC 和功率分立器件两大类。功率 IC 是将控制电路和大功率器件集成在 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 6 - 同一块芯片上控制的集成电路，主要的应用产品是电源管理，承担变换、分 配、检测电压电流频率的功能，由于在电子设备系统中每个模块所需供电电 压和电流各不相同，需要电源管理芯片对不同元器件所需电能情况进行转换 和调节。功率分立器件主要包括有二极管、晶体管及晶闸管，晶体管占有重 要的份额，其中 MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）和 IGBT（绝缘 栅双极型晶体管）产品性能优越，控制能力及范围

23、有出色的表现，近年来市 场规模增长较快，结构占比不断提升。 Figure 1 功率半导体主要分类 资料来源：CNKI、世纪证券研究所 从细从细分产分产品来看，功率半导体品来看，功率半导体因其不同的因其不同的性能性能，发挥作用也，发挥作用也有所不同。有所不同。 二极管具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管 导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通 和截止，则相当于开关的接通与断开。 晶闸管。晶闸管设计用于在高电流和高电压下工作，并且通常用于 AC 电流 到 DC 电流的整流以及 AC 电流频率与幅值的调整。通常将晶闸管可以分为 可控硅整流器（通常称

24、为晶闸管）和栅极关断晶闸管（GTO） ，以上均属于 高功率器件。 MOSFET 属于晶体管的一种，与标准双极晶体管之间的基本区别在于源极- 漏极电流由栅极电压控制，使其工作比需要高基极电流导通的双极晶体管更 节能。此外，它具有快速关闭功能及允许高频率切换，由于工作环境可以承 受更高的温度，特别适用于家用电器，汽车和 PC 电源的电源设计。 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 7 - IGBT 将双极晶体管的某些特性与单个器件中的 MOSFET 的特性结合在一 起。IGBT 与 MOSFET 有显着差异，制造起来更具挑战性。IGBT 器件可以 处理大电流（如双极晶体管）并受电压控制

25、（如 MOSFET） ，使其适用于高 能量应用，如变速箱，重型机车，大型船舶螺旋桨等。 Figure 2 各功率半导体的主要特性及应用场景 类型类型 可可控控性性 驱动形式驱动形式 导通导通 电压电压 特点特点 应用应用领领域域 二极管 不可控 电流驱动 单向 低于 1V 电压电流较小，只能单向导电 电子、工业 晶闸管 半控 电压驱动 单向 高于 1000V 体积小、耐压高 工业、变频器、电焊机 MOSFET 全控 电压驱动 双向 10-1000V 能承受高电压，不能放大电压 消费电子、 通信、 工业控制、 汽车电子等领域 IGBT 全控 电压驱动 双向 高于 600V 开关频率高，不耐超高压

26、，可改变 电压 轨交。工控、新能源、白色 家电 功率 IC 将功率元器件集成在一个整体的集成电 路上。 根据不同器件类型决定控制类型和 驱动电压。 体积小、重量轻、寿命长、功能多 消费电子、通信、计算机和 工控 资料来源：CNKI、世纪证券研究所 2、市场规模平稳增长市场规模平稳增长，未来增量，未来增量空间来自于空间来自于新兴领新兴领域域 全球市全球市场规模场规模平平稳稳增长增长，国内市场国内市场需求有望保需求有望保持高速增长持高速增长。功率半导体作为 电子设备中最基础的元器件， 应用领域极其广泛。 从市场规模来看， 根据 IHS Markit 数据， 2018 年全球功率半导体市场规模约为

27、400 亿美元， 预计到 2021 年市场规模将增长至 441 亿美元，年复合增速为 4.1%。中国是全球最大的 功率半导体消费市场，未来有望保持高速发展，根据 IHS Markit 数据，2018 年国内市场规模达到 138 亿美元，增速为 9.5%，占全球需求比例高达 35%， 预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长， 2021 年市场规模有望达 到 159 亿美元，年复合增速达 4.8%。从增量来源来看，由于下游新能源以 及汽车电子化程度的提升，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子 拓展至光伏、风电、智能电网、变频家电、新能源汽车等诸多市场，下游新 型领域市场的发展情况是功率

28、半导体未来增量的重要保证。 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 8 - Figure 3 全球功率半导体市场规模及增速 Figure 4 国内半导体市场规模及增速 -6% -4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 2001720182019E2020E2021E 全球功率半导体（亿美元）增速（%） -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 14% 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 20017

29、20182019E2020E2021E 中国功率半导体（亿美元）增速（%） 资料来源：IHS、世纪证券研究所 资料来源：IHS、世纪证券研究所 从从应用范围应用范围角度看，角度看，任何需要任何需要电能电能转换转换、电能与信号转换电能与信号转换地方都需要功率半地方都需要功率半 导体导体。从。从应用应用功率大小功率大小来看来看，可以划分为可以划分为四四大应大应用场景：用场景： 1）消费类电子产品/白色家电，功率范围 10W-100W： 功率半导体是消费电子产品中控制充电机制、 功率输出和能效的核心元器件。 在白色家电中，优化的感应技术以及变频需求，也使得功率半导体也是白色 家电走向智能化的核心。

30、2）新能源汽车及数据通信，功率范围 100W-10kW： 新能源汽车的电气化占比快速提升，目前新能源汽车相比于燃油车电子零部 件价值增加 5 倍以上，新增的功率半导体器件的性能和功率效率是电动汽车 运行的关键，功率元件主要用于逆变器、电源控制系统。 功率半导体保证数据中心不间断供电以及电压稳定方面具有重要作用，主要 用于整流，电池充电和 DC/AC 逆变。UPS 是 IDC 的必需设备，极大程度增 加了服务器系统中功率半导体元件的使用，未来氮化镓的使用和能量比例计 算将继续增加数据中心中功率半导体使用的广度。 3）可再生能源及交通运输，功率范围 10kW-1000kW: 可再生能源发电也需要高

31、功率半导体，因为可再生能源不规则，需要高的发 电效率才能实现经济可持续发展。以每兆瓦时为基础，风电场需要比传统燃 煤电站多 30 倍的功率半导体价值量。 使用 IGBT 的变速驱动器越来越多地取代工业应用中的传统电机，因为它们 可以显着提高能效。 功率半导体对于工厂的进一步自动化也至关重要， “工业 4.0”的革命在很大程度上取决于增加的功率和传感器半导体内容，以驱动工 厂的机器人技术。 4）智能电网和储能，功率范围 1000kW 以上： 2020 年 5 月 股市有风险 入市需谨慎 - 9 - 可再生能源（特别是风能和太阳能）的消纳对于智能电网的稳定性带来了巨 大的挑战，电能的难以存储也为储

32、能带来了更大的难度。有效的能量存储对 于向可再生能源对总发电的更高贡献的转变至关重要，并且需要再次有效地 转换电能，即功率半导体。 Figure 5 功率半导体按照输出功率分类的应用场景 资料来源：CNKI、世纪证券研究所 3、国内是最大的国内是最大的消费市场，自消费市场，自给率不足给率不足 20% 功率功率 IC 与功率分立器件与功率分立器件市场份额市场份额占比占比接近接近各半，各半，IGBT、MOSFET 在分在分立器立器 件中占比件中占比较大。较大。 在全球功率半导体市场， 功率 IC 和功率分立器件几乎平分了 整个市场份额。根据 Yole、IHS、Gartner 数据汇总分析，2018

33、 年，功率 IC 和功率器件全球市场份额分别为 54%和 46%。 其中， 在功率分立器件市场中， MOSFET 和 IGBT 占比较大，分别为 17%和 15%，功率二极管/整流桥占比 稍低，为 12%。 Figure 6 2018 年全球 IGBT 市场格局 Figure 7 2018 年全球 MOSFET 市场格局 英飞凌 34% 三菱 10% 富士电机 10% 赛米控 8% 威科电子 5% 其他 33% 英飞凌 27% 安森美 13% 意法半导体 8% 东芝 7% 瑞萨 7% 其他 38% 资料来源：IHS、世纪证券研究所 资料来源：IHS、世纪证券研究所 2020 年 5 月 股市有

34、风险 入市需谨慎 - 10 - 在中在中国功国功率半导体市率半导体市场，电源管理场，电源管理 IC、MOSFET 和和 IGBT 合合计占据了计占据了 95% 的市的市场份额。场份额。其中，电源管理 IC 市占率高达 61%，占比最大，MOSFET 和 IGBT 市场份额分别为 20%和 14%。得益于下游消费电子、新能源汽车、通 讯行业近几年的快速发展，电源管理 IC 市场保持稳健增长，截止 2018 年， 中国电源管理 IC 市场规模已达 84.3 亿美元。同时，未来伴随新能源汽车行 业的快速发展，MOSFET 和 IGBT 也将迎来广阔的成长空间。 Figure 8 2018 年全球功率

35、半导体产品结构 Figure 9 2018 年国内功率半导体产品结构 功率IC 54% MOSFET 17% 功率二极管/整流 桥 15% IGBT 12% 其他 2% 电源管理IC 61% MOSFET 20% IGBT 14% 其他 5% 资料来源：IHS、世纪证券研究所 资料来源：IHS、世纪证券研究所 中国中国为全为全球最球最大的消费国大的消费国和进口和进口国国，随随下游新兴领域下游新兴领域发展加快发展加快，国产替代空，国产替代空 间明间明显显。由于功率半导体下游应用广泛，市场普遍认为行业增速弹性不大， 整体规模保持稳定。与之有差异的是，我们认为，未来功率半导体将呈现高 性能，高增长，高集中度的发展趋势，主要原因有以下几点：1）下游新兴下游新兴 行业增量显著行业增量显著：下游以汽车电子为代表的新兴应用增速进一步加快，除去传 统电子控制系统外，电驱、电控、电池三大件对于功率半导体的需求量爆发 式增长，假设 2025 年新能源汽车市场规模达到 150 亿元，按照汽车电子化 率 30%测算，仅在新能源汽车中的电子元器件增量为 50 亿元；2）自给率仍自给率仍 然然偏偏低低，替代空间巨大替代空间巨大：国内需求增加的同时，自给率不足 20%，从国内外 产业链的对比来看，假设自给率达到 50%，国内至少仍有 50 亿美元的市场 空间增量；3）未来集中度会