1、 1 国产国产 IGBTIGBT 龙头突围， 进口替代进行时龙头突围， 进口替代进行时 I IGBTGBT 是电控系统中的“是电控系统中的“C CPUPU” ，” ，应用应用场景场景广泛广泛。IGBT 兼具 MOSFET 与 BJT 的特点，可以把其看成是一个非通即断的开关器件。根据工作 电压的高低，IGBT 模块一般被划分为三类：低压、中压和高压，低压 IGBT 模块一般用于消费电子、汽车零部件领域，中压 IGBT 模块一般 用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域，高压 IGBT 模块一般用 于轨道交通、新能源发电、智能电网等领域，其中新能源汽车领域需 求的快速增长是高端 IGBT 市场规

2、模增长最重要的驱动因素之一， 营收 占比达 31%。IGBT 行业主要包括设计、制造、封测三大环节，根据产 业链分工的差异划分为 Fabless、Foundry 与 IDM 三种商业模式。 Si SiC C 性能优良但短期难替代性能优良但短期难替代 I IGBTGBT，新能新能源汽源汽车普及在即，车普及在即，有望带动有望带动 车规级车规级 IGBTIGBT 放量增长放量增长。 IGBT 技术不断革新， 已经迭代 7 代， 朝着 “小 尺寸、高功率、低损耗”方向发展。SiC MOSFET 虽性能优良，但在成 本与可靠性上不具优势，故目前全球产业化尚处起步阶段。新能源汽 车行业临近拐点之年，高端车

3、与低端车双双加速放量，预计 2025 年销 量有望达 505 万辆，在新能源汽车等下游应用市场蓬勃发展的拉动下， IGBT 供不应求，IGBT 行业将持续向好发展，我们预计国内车规级 IGBT 2025 年市场空间为 152 亿元，2019-2025 年 CAGR 约 27%。 国内龙头突围国内龙头突围 I IGBTGBT 市场，有望通过技术升级和低价换量实现进口市场，有望通过技术升级和低价换量实现进口 替代。替代。国内车规级 IGBT 行业呈寡头垄断格局，英飞凌占近六成份额， 比亚迪破局而入，市场份额为 18%，国产化程度比较低。技术上，英 飞凌、三菱等国际龙头领先国内龙头 1 代左右，且实

4、现了产品低、中、 高压全覆盖；成本上，低价材料叠加高效生产，使得国际龙头成本占 优，再考虑到其品牌高定价，故毛利率水平高于国内龙头。目前国内 IGBT 对外依存度超 90%，进口替代迫在眉睫，以比亚迪、斯达半导为 代表的国内龙头正在加速推进 IGBT 国产化。未来在与国际龙头竞争 中， 国内龙头有望在技术与成本上双管齐下， 一方面加快 IGBT 技术的 自主研发，缩小与国际水平差距，另一方面扩产降本，以更低价格换 取更多市场，真正实现核“芯”自主可控。 投资建议：投资建议：在政策和车企的共同推动下，未来几年新能源汽车有望 迎来快速发展， 当前车规级 IGBT 供不应求， 国内龙头厂商产能扩张叠

5、 加技术进步，有望加速进口替代，重点推荐开启外供的国内车规级 IGBT 龙头比亚迪（汽车覆盖）和进军车规级市场的自主 IGBT 龙头斯 达半导（电子覆盖） 。 风险提示：风险提示：新能源汽车销量或不及预期；客户拓展或不及预期。 Tabl e_Ti t l e 2020 年年 06 月月 21 日日 汽车汽车 Tabl e_BaseI nf o 行业专题报告行业专题报告 证券研究报告 投资投资评级评级 领先大市领先大市-A 维持维持评级评级 Tabl e_Fi rst St oc k 首选股票首选股票 目标价目标价 评级评级 002594 比亚迪 68.00 买入-A 603290 斯达半导 .

6、00 买入-A Tabl e_C hart 行业表现行业表现 资料来源：Wind资讯 % 1M 3M 12M 相对收益相对收益 -4.71 -15.62 -26.52 绝对收益绝对收益 0.01 -3.42 -19.62 袁伟袁伟 分析师 SAC 执业证书编号：S02 徐慧雄徐慧雄 分析师 SAC 执业证书编号：S02 相关报告相关报告 新能源汽车普及路线图 2020-06-11 丰田宣布在华合资股比不调整，电动化 合作战略加速推进 2020-06-11 国产化，助力 Model 3 进入平价时代 2020-06-08 华为

7、入局，打造汽车智能化主引擎 2020-06-07 特斯拉开通软件订阅服务，未来有望成 为新的收入增长点 2020-06-04 -8% -4% 0% 4% 8% 12% 16% 20% -102020-02 汽车 沪深300 行业专题报告/汽车 2 内容目录内容目录 1. IGBT，电力电子装臵的，电力电子装臵的“CPU” . 4 1.1. IGBT 应用场景广泛. 4 1.2. IGBT 两大工作特性. 5 1.3. IGBT 行业三种商业模式. 6 2. 新能车普及在即，车规级新能车普及在即，车规级 IGBT放量增长放量增长 . 6 2.1. IGBT 技术不断升级，S

8、iC MOSFET 性能更佳但短期难替代 . 6 2.2. 新能车临近普及拐点，工业级应用平稳增长 . 9 2.3. 车规级 IGBT 快速扩张，预计 2025 年国内市场 152 亿元 .11 3. 国产国产 IGBT龙头突围，进口替代有望加速推进龙头突围，进口替代有望加速推进 . 12 3.1. 车规级市场呈“双寡头”竞争格局，IGBT 国产化亟待推进 . 12 3.2. 国际龙头技术和成本双优，但高费率下营业利润率较低. 14 3.2.1. 国际龙头技术领先约 1 代，产品覆盖的应用市场更广 . 14 3.2.2. 国际龙头毛利率占优，但营业利润率较低 . 15 3.3. 技术升级叠加扩

9、产降本，进口替代有望加速 . 16 3.3.1. 政策与资本助力下，国内龙头加快产品技术研发 . 16 3.3.2. 产能扩张叠加技术进步，为自主厂商以价换量创造空间 . 17 4. 标的推荐标的推荐. 18 4.1. 比亚迪（汽车覆盖） . 18 4.2. 斯达半导（电子覆盖） . 18 图表目录图表目录 图 1：IGBT 模块 . 4 图 2：中国 IGBT 下游应用场景分布. 4 图 3：中国 IGBT 下游应用场景营收占比. 4 图 4：IGBT 在新能源汽车中的应用类型 . 5 图 5：IGBT 结构示意图 . 5 图 6：IGBT 等效电路图 . 5 图 7：IGBT 产业链及三种

10、商业模式 . 6 图 8：功率半导体技术演变图. 7 图 9：各代功率半导体器件性能对比 . 7 图 10：各功率半导体电力技术路线图 . 9 图 11：SiC MOSFET 短期内难以取代 IGBT . 9 图 12：中国新能源汽车销量预测 . 10 图 13：IGBT 在新能源汽车上的具体应用. 10 图 14：IGBT 是新能源汽车充电桩的核心部件. 10 图 15：全球 IGBT 市场规模（亿美元） .11 图 16：中国 IGBT 市场规模（亿元）.11 图 17：国内车规级 IGBT 市场规模预测（亿元） . 12 图 18：2018 年全球 IGBT 模块前十大厂商 . 13 图

11、 19：2019 年中国车规级 IGBT 模块前十大厂商 . 14 图 20：斯达半导营业成本构成. 15 图 21：英飞凌与斯达半导毛利率 . 15 图 22：英飞凌与斯达半导研发费用率 . 16 rQqPqOxPpPtMqQrOpRrPmP6MdN9PsQpPnPqQeRrRoQiNnPnP9PmMxOvPsPtPvPsRzR 行业专题报告/汽车 3 图 23：英飞凌与斯达半导销售与管理费用率. 16 图 24：英飞凌与斯达半导营业利润率 . 16 图 25：斯达半导自主研发 IGBT 采购量占 IGBT 采购总量比例. 17 表 1：IGBT 历代特性 . 8 表 2：三代半导体材料对比

12、 . 8 表 3：全球 SiC MOSFET 布局情况. 9 表 4：主要玩家 IGBT 产品对比. 14 行业专题报告/汽车 4 1. IGBT，电力电子装臵的电力电子装臵的“CPU” 1.1. IGBT 应用场景广泛应用场景广泛 IGBT 是电控系统中实现精准调控的“开关” 。是电控系统中实现精准调控的“开关” 。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即 绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合 全控型-电压驱动式-功率半导体器件，因此 IGBT 既有 MOSFET 驱动功率小、开关速度快的 特

13、点，又有 BJT 饱和压降低、载流密度大的优势。简单来说，可以把 IGBT 看成是一个非通 即断的开关器件，通时为导线，断时为开路，能够根据工业装臵中的信号指令来调节电路中 的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。IGBT 是能源变换与传输的核心器 件，俗称电力电子装臵的“CPU” ，作为国家战略性新兴产业，在众多领域应用极广。 图图 1：IGBT 模块模块 资料来源：五金机电网，安信证券研究中心 IGBT 按照电压等级分为三类，下游应用场景广泛。按照电压等级分为三类，下游应用场景广泛。根据工作电压的高低，IGBT 模块一般被 划分为三类：低压（600V 以下） 、中压（600V-1

14、200V）和高压（1700V-6500V） 。低压 IGBT 模块一般用于消费电子、 汽车零部件领域； 中压 IGBT 模块一般用于新能源汽车、 工业控制、 家用电器等领域； 高压 IGBT 模块一般用于轨道交通、 新能源发电、 智能电网等领域。 其中， 新能源汽车领域需求的快速增长是高端 IGBT 市场规模增长最重要的驱动因素之一，根据中 国产业信息网统计， 2018 年应用于新能源汽车的车规级 IGBT 市场规模已达 IGBT 整体市场 规模的 31%。 图图 2：中国：中国 IGBT 下游应用场景分布下游应用场景分布 图图 3：中国：中国 IGBT 下游应用场景营收占比下游应用场景营收占

15、比 资料来源：中国产业信息网，安信证券研究中心 资料来源：中国产业信息网，安信证券研究中心 车规级车规级 IGBT 是新能源汽车的核“芯”之一。是新能源汽车的核“芯”之一。IGBT 芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双 行业专题报告/汽车 5 芯” ， 是影响电动车性能的核心器件之一。 在新能源汽车上， IGBT 主要应用于电池管理系统、 电动控制系统、 空调控制系统、 充电系统等， 主要具有以下功能： 在主逆变器 （Main Inverter） 中，IGBT 将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电；在车载充电机（OBC）中， IGBT可将220V交流电转换为直流并为高压电池充电； 除此

16、之外， IGBT也广泛应用在DC/DC 转换器、温度 PTC、水泵、油泵、空调压缩机等系统中。 图图 4：IGBT 在新能源汽车中的应用类型在新能源汽车中的应用类型 资料来源：汽车功率电子，安信证券研究中心 1.2. IGBT 两大工作特性两大工作特性 顾名思义，顾名思义，IGBT 工作特性体现在“绝缘栅”工作特性体现在“绝缘栅”与与“双极型” 。“双极型” 。所谓“绝缘栅”“绝缘栅” ，是指 IGBT 保 有 MOSFET 的典型原理，即作为控制电路导通的发射极与功率电路部分是绝缘的，需要通 过给发射极施加电压来联通电路；所谓“双极型”“双极型” ，是指 IGBT 保有 BJT 的典型原理，

17、即电 路导通时半导体内同时流通电子与空穴两种粒子。IGBT 可视为一个 PNP 型三极管和一个 N-MOSFET 的组合， 发射极信号控制 MOSFET 的通断。 当 MOSFET 导通时会为 PNP 晶体 管提供基极电流， IGBT 导通； 当 MOSFET 关断时 PNP 晶体管基极电流被切断， IGBT 关断。 图图 5：IGBT 结构示意图结构示意图 图图 6：IGBT 等效电路图等效电路图 资料来源：电工学习网，安信证券研究中心 资料来源：电工学习网，安信证券研究中心 行业专题报告/汽车 6 1.3. IGBT 行业三种商业模式行业三种商业模式 IGBT 行业主要包括设计、制造、封测

18、三大板块，根据公司覆盖面行业主要包括设计、制造、封测三大板块，根据公司覆盖面的差异的差异划分为三种模式。划分为三种模式。 IGBT 行业上游产业主要包括半导体材料 （硅片、 光刻胶等） 与设备 （光刻机、 刻蚀机、 PVD、 CVD 等） ，是支撑 IGBT 行业发展的基石；IGBT 行业根据芯片制造的工序又可依次划分为芯 片设计、晶圆制造、模块封装与测试三个环节；IGBT 行业下游产业为广泛的各细分应用市 场，IGBT 在工业控制、新能源汽车、消费电子、电力储存、轨道交通、家用电器等领域均 大量应用。半导体行业内一般依据覆盖环节的不同而将各半导体公司分类为三种商业模式： Fabless（无工

19、厂芯片供应商）模式、Foundry（代工厂）模式与 IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式。Fabless 模式模式是指只负责芯片的电路设计与销售，将 具体生产环节外包的公司，例如斯达半导、中科君芯等；Foundry模式模式是指负责制造、封装 或测试的其中环节，不负责芯片设计的公司，例如上海先进、江苏宏微等；IDM 模式模式是指集 芯片设计、制造、封测多个环节于一身的公司，例如比亚迪、英飞凌、三菱、士兰微等。 图图 7：IGBT 产业链及三种商业模式产业链及三种商业模式 资料来源：Wind，安信证券研究中心 2. 新能车普及在即，车规级新能车普及

20、在即，车规级 IGBT 放量增长放量增长 2.1. IGBT 技术技术不断升级不断升级，SiC MOSFET 性能更佳但性能更佳但短期难替代短期难替代 功率半导体历史演变分为功率半导体历史演变分为半控型器件、全控性器件、复合型器件、集成电路半控型器件、全控性器件、复合型器件、集成电路四个阶段。四个阶段。 第一阶段第一阶段是以 1957 年为起点、以整流管、晶闸管为代表的半控型器件发展阶段。这一阶段 的功率器件在低频、大功率变流领域中的应用占有优势，取代了早先的汞弧整流器，半控型 器件实现了弱电对强电的控制，在工业界引起了一场技术革命，但半控型器件可通过信号控 制其导通，但无法实现关断，使得其应

21、用有着很大局限性。 第二阶段第二阶段是 20 世纪 70 年代后期为以可关断晶闸管(Gate Turn Off Thyristor, GTO)、功率双 极晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT，也称 Giant Transistor, GTR）和功率场效应晶 体管（Power-MOSFET）等全控型器件为代表的发展阶段。全控型器件通过对门极（基极/ 栅极）的控制，既可使器件导通又可使器件关断，其开关速度高于晶闸管，使变流器的高频 化得以实现。20 世纪 70 年代末 MOSFET 出现，克服了前两代的许多不足，但其导通电阻 却比较大，在高压领域其导通电阻仍旧是

22、很大问题。 第三阶段第三阶段是 20 世纪 80 年代后期以绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）复合型器件为代表的发展阶段。IGBT 是功率 MOSFET 和 BJT 的复合，集中了 BJT 和 MOSFET 的优点，但也正是因为其由 MOSFET 驱动 BJT，导致其开关速度、最大工作频 行业专题报告/汽车 7 率不及 MOSFET，故更适用于只在高压、大功率环境。 第四阶段第四阶段是以功率集成电路（Power Integrated Circuit, PIC）或智能功率集成电路（Smart Power Integrated Ci

23、rcuit, SPIC）为代表的集成电路发展阶段。PIC 即采用一定的工艺，把 一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小 块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微 型结构。20 世纪 90 年代后，PIC 开始进入实用化阶段。集成电路模块中集成电路模块中 MOSFET、IGBT 等功率器件仍是其核心等功率器件仍是其核心， 约占整个芯片面积的 1/2-2/3， 集成电路更多是起到推动电子元器件 朝微小型化、低功耗和高可靠性方面发展的作用。 自功率 IC 出现以后，功率半导体市场从以往单一的功率器件产品市场转变为功率器

24、件与功 率集成电路产品并存的市场。各代功率半导体器件仍在各自结构体系内不断迭代发展，根据 各自特性在不同的应用领域各有应用，形成了多代产品发展共存的局面。 图图 8：功率半导体技术演变图：功率半导体技术演变图 资料来源：CRRC，安信证券研究中心 图图 9：各代功率半导体器件性能对比：各代功率半导体器件性能对比 资料来源：CRRC，安信证券研究中心 IGBT 的的技术技术趋势为趋势为“小尺寸、高功率、低损耗” 。“小尺寸、高功率、低损耗” 。从 1988 年 IGBT 首次问世到 2012 年三 菱电机推出微沟槽场截止型新产品，IGBT 已经经过 7 次迭代升级，朝着减小模块尺寸、增 加输出功

25、率、降低功率损失的目标不断优化。在新能源汽车领域，随着市场对于整车性能要 求的迅速提高，车规级 IGBT 呈现出高电压、高效率、高功率密度和高可靠性的“四高”特 性。在未来，IGBT 行业会在精细化技术、超结技术、高结温终端技术、先进封装技术、功 能集成技术等方向进一步探索，实现尺寸厚度、功率密度、驱动效率、结温、可靠性等方面 的优化，不断降低生产成本。 行业专题报告/汽车 8 表表 1：IGBT 历代特性历代特性 结构特点结构特点 工作结温工作结温() 短路能力短路能力(us) 封装形式封装形式 常见后缀常见后缀 IGBT2 平面栅+NPT 125 10 模块 DLC, KF2C, S4 I

26、GBT3 沟槽栅+场截止 125; 600V: 150 10; 600V: 6 模块 T3, E3, L3 IGBT4 沟槽栅+场截止 150 10 模块 T4, E4, P4 IGBT5 沟槽栅+场截止+表面覆铜 175 10 模块 E5, P5 TRENCHSTOPTM5 微沟槽+场截止 175 / 单管(650V) H5, F5, S5, L5 IGBT6 沟槽栅+场截止 175 3 单管(650V) S6, H6 IGBT7 微沟槽+场截止 过载 175 8 模块 T7, E7 资料来源：公开资料整理，安信证券研究中心 SiC 性能优良，但技术尚不成熟。性能优良，但技术尚不成熟。和第一

27、代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料碳 化硅（SiC）具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，因其禁 带宽度大于或等于 2.3eV，又被称为宽禁带半导体材料。SiC 器件相对于 Si 器件的优势有三 个方面：电能转换过程中的能量损耗更少、更容易实现小型化、更耐高温高压。SiC 器件的 工作结温在 200以上，工作频率在 100kHz 以上，耐压可达 20kV，在高压、高温、高频应 用领域碳化硅基器件相较于传统硅基器件更具优势。但是当前 SiC 芯片技术还不够成熟，仍 面临着很多技术挑战：一是如何制造高质量、低缺陷率的衬底和外延层；二是怎样提高 MOSFET 沟通迁移

28、率和栅氧稳定性；三是沟槽栅 SiC 技术如何做到低损耗、大电流容量、 高稳定性。 表表 2：三代半导体材料对比：三代半导体材料对比 第一代第一代 第二代第二代 第三代第三代 第三代第三代 名称名称 硅 砷化镓 碳化硅 氮化镓 频率频率 2GHz 100GHz 4.5GHz 60GHz 耗电量耗电量 大 小 小 小 高频噪声高频噪声 很大 很小 很小 很小 晶片尺寸晶片尺寸 8-12 英寸 6 4-6 英寸 4-6 英寸 良率良率 高 低 低 低 发展现状发展现状 价格便宜，研发充分 已有突破，有待研究 已有突破，有待研究 已有突破，有待研究 应用应用 IC芯片、功率器件 高频 IC芯片、高频光

29、电产品 高功率芯片、高功率器件 光电产品、高功率芯片 资料来源：意法半导体，安信证券研究中心 当前各主流厂商的车用当前各主流厂商的车用 SiC MOSFET技术的技术的产业产业化进程处于起步阶段。化进程处于起步阶段。全球 SiC 产业格局 呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势，其中美国全球独大，全球 SiC 产量的 70%80%来 自美国公司，典型企业是科锐、安森美、-等；欧洲拥有完整的 SiC 衬底、外延、器件 以及应用产业链， 典型公司是意法半导体、 英飞凌等； 日本是设备和模块开发方面的领先者， 典型公司是罗姆、三菱电机等。在车用产业化领域，虽然 2017 年罗姆曾在 Formula-E

30、电动 方程式赛车锦标赛中为 Venturi 车队赛车配臵了 SiC 逆变器，但真正实现量产是特斯拉在 2018 年推出的封装了 SiC MOSFET 的 Model 3 车型，该产品由意法半导体提供，特斯拉也 因此成为最早采用 SiC MOSFET 制造汽车逆变器的车企， 随后英飞凌也成为了特斯拉的 SiC 功率半导体供应商。2019 年 9 月，科锐与德尔福科技宣布开展汽车碳化硅器件合作，科锐 的 SiC MOSFET 技术将用于德尔福的 800V 电控逆变器中，计划量产时间为 2022 年；同年 12 月， 科锐成为大众汽车集团 FAST （Future Automotive Supply

31、 Tracks， 未来汽车供应链） 项目 SiC 独家合作伙伴，通过功率模块供应，为未来的大众提供碳化硅基解决方案。2019 年 9 日，意法半导体被雷诺-日产-三菱联盟指定为高能效碳化硅技术合作伙伴，为联盟即将 推出的新一代电动汽车的先进车载充电器（OBC）提供功率电子器件。2020 年 6 月，大陆 集团动力总成事业群、汽车电气化领域的领先供应商纬湃科技与罗姆最近签署了一份共同开 行业专题报告/汽车 9 发合作协议，在 800V 碳化硅逆变器以及 400V 碳化硅逆变器解决方案中展开合作。国内厂 商方面，比亚迪积极推进 SiC MOSFET 商业化进程，2020 年旗下中大型轿车比亚迪汉

32、EV 车型电机控制器首次使用了比亚迪自主研发并制造的高性能 SiC MOSFET 控制模块，大大 提高了电机性能。总体来看，全球各厂商已经开始考虑采用 SiC MOSFET 技术，但是目前 仍处于产业化起步阶段。 表表 3：全球：全球 SiC MOSFET 布局情况布局情况 品牌项目品牌项目 合作合作/推出时间推出时间 技术进程技术进程 SiC MOSFET 供应商供应商 特斯拉特斯拉 Model 3 2018 已量产 意法半导体、英飞凌 大众大众 FAST 项目项目 2019 研发中 科锐、英飞凌 雷诺雷诺-日产日产-三菱联盟三菱联盟 2019 研发中 意法半导体 德尔福德尔福 2019 研

33、发中 科锐 比亚迪汉比亚迪汉 EV 2020 已量产 比亚迪 宇通客车宇通客车 2020 研发中心 科锐 大陆集团纬湃科技大陆集团纬湃科技 2020 研发中 罗姆 资料来源：公开资料整理，安信证券研究中心 SiC MOSFET 短期内难以取代短期内难以取代 IGBT，预计国内厂商将形成以，预计国内厂商将形成以 IGBT 为基本盘，以为基本盘，以 SiC 为战为战 略布局的并存局面。略布局的并存局面。SiC 在磊晶制作上有材料应力的不一致性，造成晶圆尺寸在放大时磊晶 层接合面应力会超出拉伸极限， 导致晶格损坏， 降低了产品良率， 故目前 SiC 芯片成品率低， 晶圆尺寸主流仍维持 4 寸或 6

34、寸，无法取得大尺寸晶圆成本优势，生产成本过高生产成本过高。同等级别 的 SiC MOSFET，其成本是 Si IGBT 的 812 倍，而车用领域 SiC 解决方案的整体成本相比 传统 Si IGBT 则高出约 300 美元。其次可靠性难以保证可靠性难以保证，目前 SiC MOSFET 缺少长期可靠 性数据，且由于 SiC 和 SiO2 界面缺陷多，目前栅氧长期稳定性的问题也有待解决。所以对 于各半导体供应商来说，IGBT 在性能达标的情况下具有成本与质量优势在性能达标的情况下具有成本与质量优势，故未来一段时间 内 IGBT 仍会占据市场主导地位，SiC 更多会作为战略布局进行研发试点而非批量

35、生产。 图图 10：各功率半导体电力技术路线图：各功率半导体电力技术路线图 图图 11：SiC MOSFET 短期内难以取代短期内难以取代 IGBT 资料来源：PSMA，安信证券研究中心 资料来源：安信证券研究中心测算 2.2. 新能车临近普及拐点，工业级应用平稳增长新能车临近普及拐点，工业级应用平稳增长 新能源汽车新能源汽车行业行业临近拐点之年，临近拐点之年， 高端车与低端车双双加速放量， 预计高端车与低端车双双加速放量， 预计 2025 年销量有望达年销量有望达 505 万辆万辆。新能源汽车按照车型可以分为 A00 级 （微型车） 、 A0 级 （小型车） 、 A 级 （紧凑型车） 、 B

36、 级（中型车）等。以特斯拉为代表的 B 级 EV 高端车由于科技性溢价高，将持续渗透高端 客群，加速替代同级别的传统燃油车；而比亚迪有望在 2021 年将迎来新一轮产品周期，在 降本提速、政府补贴延续和免征购臵税影响下实现“购臵平价” ，尤其是技术成熟且壁垒很 技术成熟度 质量可靠度 价格便宜度 SiC MOSFET IGBT 行业专题报告/汽车 10 高的 PHEV 高端车型。受补贴退坡刺激，2020 年后低端车产业链将加速降本，预计 2021 年中低端车发力，尤其是 A0 级和 A 级 PHEV 将向大众市场加速渗透，头部企业率先平价。 2022 是行业拐点之年，其中 A级 PHEV 兼具燃油车和电动车的优点，市场接受度较高，有 望在当前换购周期中率先突围。 2023 年开始进入后补贴时代， 新能源汽车行业洗牌或加速， 2024 转向复苏，2025 年重回高增长通道，预计 2025 年我国新能源汽车销量有望突破 500 万辆。 图图 12：中国新能源汽车销量预测中国新能源汽车销量预测 资料来源：中汽协，安信证券研究中心 新能源汽车行业的增长将持续推动新能源汽车行业的增长将持续推动 IGBT行业行业向好向好发展。发展。根据驱动视界数据，在新能源汽车 电