1、 敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告|公司点评报告 2023 年 04 月 18 日 增持增持（维持）（维持）在手订单大超预期，沉积、键合等产品线持续拓展在手订单大超预期，沉积、键合等产品线持续拓展 TMT 及中小盘/电子 当前股价：448.0 元 拓荆科技拓荆科技发布发布 2022 年报，全年收入年报，全年收入 17.06 亿元亿元，同比，同比+125%；归母净利润；归母净利润 3.69亿元亿元，同比，同比+438%。公司。公司全年新签订单全年新签订单 43.62 亿元（亿元（不含不含 DEMO 机台机台），各产各产品线持续拓展，长期增长动力充沛，维持“增持”投资评级品线持续拓展，长期增长

2、动力充沛，维持“增持”投资评级。全全年收入业绩高增长，年收入业绩高增长，股权激励彰显长期增长信心。股权激励彰显长期增长信心。2022 全年收入 17.06 亿元，同比+125%；毛利率 49.3%，同比+5.3ppts；归母净利润 3.69 亿元，同比+438%；扣非净利润 1.78 亿元，同比大幅扭亏为盈。根据股权激励计划，22/23/24/25 年收入目标分别不低于 15.16、22.74、30.32、37.9 亿元，归母净利润目标不低于 2.53、4.04、5.48、6.85 亿元，彰显长期增长信心。PECVD 快速放量，快速放量，SACVD 和和 ALD 持续持续起量。起量。1）PEC

3、VD：收入 15.63 亿元，同比+131.4%；售出 98 台，同比+96%；毛利率 49.4%，同比+6.8ppts；2）ALD：收入 3259 万元，售出 1 台，毛利率 46%；3）SACVD：收入 8948万元，同比+117.4%；售出 5 台，去年同期仅售出 1 台，毛利率 46.8%。从库存情况来看，截至 2022 年底，公司 PECVD、ALD、SACVD 设备库存量分别为 141、6、13 台，HDPCVD 和其他设备库存量均为 1 台。在手订单超预期在手订单超预期，未来收入有望延续高增长态势，未来收入有望延续高增长态势。截至 2022 年底，合同负债13.97 亿元，较三季

4、度末增加 4.7 亿元；存货 23 亿元，较三季度末增加 2 亿元，已取得正式销售订单的发出商品占库存数量的 80%以上，金额占存货的56%。公司全年新签订单 43.62 亿元（不含 DEMO 机台），同比+95.36%，截至 2022 年底在手订单共 46.02 亿元（不含 DEMO 机台）。根据招股书，截至 21Q3，公司发出商品中 DEMO 机台数量占比 33.78%，成熟机台验收周期大约 3-6 个月，DEMO 机台验收周期大概 15-24 个月，在手订单有望保证未来收入高速增长。国内国内 PECVD、SACVD 等设备龙头地位不断稳固，等设备龙头地位不断稳固，Thermal ALD、

5、HDPCVD、晶圆键合等新品持续拓展晶圆键合等新品持续拓展。公司产品线包括 PECVD、ALD、SACVD 三大产品线，其他领域新品持续完善。1）PECVD：PF-300T、PF-300T eX 扩大应用面，Lok I、ACHM、ADC I、HTN 等薄膜均通过客户验证，进入量产；针对先进封装开发了 80-200的低温沉积设备，用于 SiN、TEOS 等，并实现量产；NF-300H 设备实现首台产业化应用并取得重复订单，用于 Thick TEOS 等；氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是 3D NAND 存储的底层结构，也是最难沉积的结构之一，公司技术已达到国际先进水平。2）ALD：PEALD

6、 用于沉积 SiO2、SiN 等介质薄膜，用于填孔、侧墙、衬垫层等工艺，PF-300T Astra 完成产业化验证，NF-300H Astra 在客户端验证顺利；Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair）设备已完成研发，并出货至不同客户端进行验证，可以沉积 Al2O3 等金属化合物薄膜；3）沟槽填充）沟槽填充 CVD：SACVD 实现 SA TEOS（PF-300T SA）、BPSG、SAF（PF-300T SAF）沉积，均通过验证并实现产业化应用；HDPCVD 用于沉积 SiO2、FSG、PSG 等，PF-300T Hesper 已通过验证并实现销售，

7、TS-300S Hesper（可最多同时搭载 PECVD、ALD 及 HDPCVD 共 5 个反应腔）已取得不同客户订单；4）晶圆键合：）晶圆键合：公司产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品，可以实现直接或基于层间的键合工艺、复杂的常温共价键。基础数据基础数据 总股本（万股）12648 已上市流通股（万股）2841 总市值（亿元）567 流通市值（亿元）127 每股净资产（MRQ）29.3 ROE（TTM）9.9 资产负债率 49.

8、3%主要股东 国家集成电路产业投资基金股份有限公司 主要股东持股比例 19.86%股价表现股价表现%1m 6m 12m 绝对表现 40 86 499 相对表现 37 79 501 资料来源：公司数据、招商证券 相关相关报告报告 1、拓荆科技（688072）：2022 全年盈利能力大幅提升，22Q4 收入环比稳健增长2023/02/26 2、拓荆科技（688072）深度报告：国内 CVD 设备龙头，成长动力强劲2022-08-28 3、半导体行业深度专题之十二薄膜沉积设备篇工艺升级提升薄膜设备需求，国内厂商差异化布局加速国产化进程2022/05/28 鄢凡鄢凡 S02 曹辉

9、曹辉 S01 -00400500Apr/22Aug/22Nov/22Mar/23(%)拓荆科技沪深300拓荆科技拓荆科技（688072.SH）敬请阅读末页的重要说明 2 公司点评报告 首台 W2W 产品 Dione 300 已经出货至客户端验证，D2W 产品 Pollux 完成研发，目前正在客户端验证；5）紫外线固化设备紫外线固化设备：基于现有 PF-300T 平台开发，可以与 PECVD 设备成套使用，为 PECVD HTN、Lok等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司 UV Cure（HTN 工艺）设备已通过不同客户产线验证，实现销售收入，并实现产业

10、化应用。投资建议投资建议。根据 SEMI，2022 年全球薄膜沉积设备市场空间大约 229 亿美元，市场主要被 AMAT、LAM 等垄断，伴随下游中芯国际、长江存储、长鑫存储等的持续扩产，拓荆科技在国内产线份额预计持续提升。考虑到公司当前在手订单 46 亿元（不含 DEMO 机台），并且 CVD、键合设备等产品线不断完善，长期增长动力充沛。我们上修 2022/2023/2024 收入至 31.32、42.56、50.11 亿元，对应 PS 为 18.1/13.3/11.3，上修经营性净利润至 6.87、9.67、12.1 亿元，对应 PE 为 82.6/58.6/46.9 倍，由于公司 202

11、3/2024/2025 年股权激励摊销费用分别为 1.83、1.01、0.56 亿元，因此归母净利润预计为 5.04、8.66、11.54 亿元，维持“增持”投资评级。风险提示：风险提示：收入确认受下游晶圆厂投资周期影响较大收入确认受下游晶圆厂投资周期影响较大、国际贸易摩擦加剧影国际贸易摩擦加剧影响供应链安全、市场竞争加剧、响供应链安全、市场竞争加剧、DEMO 机台无法实现最终销售、产品验收周机台无法实现最终销售、产品验收周期较长的风险期较长的风险。财务财务数据数据与与估值估值 会计年度会计年度 2021 2022 2023E 2024E 2025E 营业总收入(百万元)758 1706 31

12、32 4256 5011 同比增长 74%125%84%36%18%营业利润(百万元)56 357 496 859 1146 同比增长-509%533%39%73%33%归母净利润(百万元)68 369 504 866 1154 同比增长-696%438%37%72%33%每股收益(元)0.54 2.91 3.99 6.85 9.12 PE 827.4 153.8 112.4 65.4 49.1 PB 47.5 15.3 13.6 11.4 9.5 资料来源：公司数据、招商证券 QVlZjWQVkYjWpMpMtR9P9R8OpNmMtRsRiNqQmQiNrQwO7NnMxOuOmMsPNZ

13、mMtP 敬请阅读末页的重要说明 3 公司点评报告 正文正文目录目录 1、全年收入业绩高增长，在手订单大超预期.5 2、PECVD：制程不断升级，Lok I、ACHM、ADC I、HTN 等薄膜均进入量产.7 3、ALD：PEALD 实现产业化应用，Thermal ALD 取得客户订单并进行验证.9 4、沟槽填充 CVD：SACVD 全薄膜覆盖，HDPCVD 已实现销售.10 5、混合键合设备：W2W 产品验证取得突破性进展，D2W 产品正在客户端验证.12 风险提示.17 图表图表目录目录 图 1：拓荆科技营收及 yoy.5 图 2：拓荆科技主营业务收入结构拆分（亿元）.5 图 3：拓荆科技

14、毛利率.6 图 4：拓荆科技分产品毛利率.6 图 5：拓荆科技利润情况.6 图 6：拓荆科技存货和合同负债.7 图 7：拓荆科技存货结构（万元）.7 图 8：拓荆科技 PECVD 产品布局.8 图 9：拓荆科技 UV Cure 产品布局.9 图 10：拓荆科技 PEALD 多重曝光过程.9 图 11：拓荆科技 ALD 产品布局.10 图 12：典型 HDP-CVD 反应原理图.10 图 13：SACVD 反应结构.11 图 14：SACVD 应用场景.11 图 15：拓荆科技沟槽填充类设备布局.11 图 16：W2W 键合过程及后续工艺流程.12 图 17：晶圆键合设备流程.12 图 18：D

15、2W 键合工艺.12 图 19：2.5D 及 3D 封装示意图.13 图 20：晶圆键合过程及后续工艺流程.13 敬请阅读末页的重要说明 4 公司点评报告 图 21：晶圆键合设备构成.13 图 22：RF 器件应用的晶圆键合工艺.14 图 23：GaN on SOI 中的晶圆键合工艺.14 图 24：长江存储 Xtacking 技术应用晶圆键合工艺.14 表 1：拓荆科技产品产销量（单位：台）.5 表 2：拓荆科技关联交易情况（单位：万元）.7 表 3：晶圆键合工艺分类及应用.14 表 4：混合键合工艺的应用.15 表 5：拓荆科技晶圆键合设备产品布局.16 敬请阅读末页的重要说明 5 公司点

16、评报告 1、全年收入业绩高增长，在手订单大超预期、全年收入业绩高增长，在手订单大超预期 2022 全年收入高增长，全年收入高增长，股权激励彰显未来收入增长信心。股权激励彰显未来收入增长信心。拓荆科技 2022 全年收入 17.06 亿元，同比增长 125%，主要系下游晶圆产线需求旺盛，同时公司销售订单大幅增长。根据公司股权激励目标，2022/2023/2024/2025 年收入目标值分别不低于 15.16、22.74、30.32、37.9 亿元，彰显长期收入增长信心。PECVD 设备快速设备快速放量，放量，ALD 和和 SACVD 设备设备均有起量。均有起量。1）PECVD：收入 15.63

17、亿元，同比+131.4%；售出 98 台，同比+96%；2）ALD：收入 3259 万元，售出 1 台；3）SACVD：收入 8948 万元，同比+117.4%；售出 5 台，去年同期仅售出 1 台。从库存情况来看，截至 2022 年底，公司 PECVD、ALD、SACVD 设备库存量分别为 141、6、13台，HDPCVD 和其他设备库存量均为 1 台。国内客户不断拓展，前五大客户占比明显降低。国内客户不断拓展，前五大客户占比明显降低。根据公司招股书，2021 年前三季度公司前五大客户收入占比高达92.44%，公司主要收入来自逻辑产线，第一大客户为中芯国际，占比 28.8%。根据公司 202

18、2 年报，由于公司逻辑和存储端客户持续拓展，前五大客户收入占比降低至 67.8%，第一大客户占比为 23.2%。图图 1：拓荆科技拓荆科技营收及营收及 yoy 图图 2：拓荆科技：拓荆科技主营业务收入主营业务收入结构拆分结构拆分（亿元）（亿元）资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券 表表 1：拓荆科技产品产销量（单位：台）拓荆科技产品产销量（单位：台）产品产品 生产量生产量 销售量销售量 库存量库存量 PECVD 158 98 141 ALD 5 1 6 SACVD 10 5 13 HDPCVD 1 1 其他设备 1 1 资料来源：拓荆科技公告，招商证券 规模化效应规模化效

19、应逐步显现，公司盈利逐步显现，公司盈利能力大幅提升。能力大幅提升。拓荆处于快速放量期，规模化效应平滑固定成本，同时在客户端议价能力提高，因此毛利率快速攀升，2022 全年毛利率 49.3%，同比增长 5.3ppts，其中 PECVD 设备毛利率 49.4%，同比+6.8ppts，ALD 设备毛利率 46%，SACVD 设备毛利率 46.8%。2022 全年归母净利润为 3.69 亿元，同比+438%，扣非归母净利润为 1.78 亿元，同比大幅扭亏为盈，全年扣非净利率达到 10.4%。根据公司股权激励目标，2022/2023/2024/2025 年归母净利润不低于 2.53、4.04、5.48、

20、6.85 亿元，公司 2022 年归母净利润同比大幅提升，并且大幅超过股权激励目标值。0%50%100%150%200%250%300%0246800212022营收（亿元）YoY0246800212022PECVDALDSACVD 敬请阅读末页的重要说明 6 公司点评报告 图图 3：拓荆科技毛利率拓荆科技毛利率 图图 4：拓荆科技拓荆科技分产品毛利率分产品毛利率 资料来源：Wind，招商证券 资料来源：Wind，招商证券 图图 5：拓荆科技：拓荆科技利润情况利润情况 资料来源：Wind，招商证券 拓荆在手

21、订单大幅增长，拓荆在手订单大幅增长，未来未来收入有望延续高增长态势。收入有望延续高增长态势。截至 2022 年底，公司合同负债 13.97 亿元，较 22Q3 末增加 4.7 亿元；存货 23 亿元，较 22Q3 末增加 2 亿元，库存数量中 80%以上为已取得正式销售订单的发出商品，发出商品金额占比为 56%。公司 2022 全年新签订单 43.62 亿元（不含 DEMO 机台），同比+95.4%，截至 2022 年底在手订单共 46.02 亿元（不含 DEMO 机台）。根据公司招股书，截至 21Q3，公司发出商品中 DEMO 机台数量占比 33.78%，成熟机台验收周期约为成熟机台验收周期

22、约为 3-6 个月，个月，DEMO 机台验收周期约为机台验收周期约为 15-24 个月个月。中短期维度来看，公司在手订单充足，成熟机台预计贡献未来收入；长期来看，薄膜沉积设备行业空间巨大，中芯国际、长江存储等产线持续扩产，长期有望延续收入较高增长态势。0%10%20%30%40%50%60%200212022-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%200212022PECVDALDSACVD-2.0-1.00.01.02.03.04.0200212022归母净利润（亿元）扣非归母净利润（亿元）敬请阅读末页的重

23、要说明 7 公司点评报告 图图6：拓荆科技存货和合同负债拓荆科技存货和合同负债 图图7：拓荆科技存货结构（万元）拓荆科技存货结构（万元）资料来源：Wind，招商证券 资料来源：拓荆科技招股书，Wind，招商证券 公司增加公司增加 2023 年零部件采购需求，并新增与盛合晶微的销售关联交易。年零部件采购需求，并新增与盛合晶微的销售关联交易。公司预计 2023 年采购富创精密原材料（零部件）共 1 亿元，并且新增加关联方盛合晶微，预计 2023 年向其销售共 5000 万元产品。盛合晶微（原名中芯长电）总部位于江阴，此前股东为中芯国际和长电科技，后将股权全部转让。公司提供中段凸块、晶圆测试（CP

24、Test）、晶圆级芯片封装（WLCSP）等业务，并投资 16 亿美元兴建三维多芯片集成封装项目，项目建成后将形成月产 12 万片晶圆级封装及 2 万片芯片集成加工的生产能力，满足 5G、AI、HPC、IOT、汽车电子等市场领域先进封装的需求。目前，公司生产厂房 FAB2 主体二次结构和中央动力厂房结构施工完成，墙体砌筑完成，正进行室内净化装修施工。表表 2：拓荆科技关联交易情况（单位：万元）拓荆科技关联交易情况（单位：万元）类别类别 关联人关联人 2023 年预计关联交易金额年预计关联交易金额 2022 年实际发生金额年实际发生金额 备注备注 向关联人采购原材料等 中微公司 400 312.1

25、2 富创精密 10000 6148.06 因业务发展需要，采购需求增加 向关联人销售产品 中微公司 50 13.73 盛合晶微 5000/新增加关联方 资料来源：拓荆科技公告，招商证券 公司拥有三个募投项目，公司拥有三个募投项目，面向面向 PECVD 扩产、扩产、ALD 及更先进制程的及更先进制程的 PECVD 研发等研发等。1）高端半导体设备扩产项目：）高端半导体设备扩产项目：总投资 0.8 亿元，在原有半导体薄膜设备研发生产基地基础上进行二期洁净厂房建设等，目前二期洁净厂房已基本完成建设并投入使用，预计 2023 年 7 月达到预定可使用状态；2）ALD 设备研发与产业化项目：设备研发与产

26、业化项目：总投资 2.7 亿元，在上海临港新片区购置整体厂房，建筑面积为 5181.68 平方米，开展 29-10nm ALD 薄膜沉积设备研发与量产工作，目前已基本完成建设并投入使用，预计 2024 年 4 月达到预定可使用状态；3）先进工艺装备研发与产业化：）先进工艺装备研发与产业化：使用 IPO募集的部分资金和超募资金，总投资 13.3 亿元。在上海临港新建产业基地，总建筑面积 39990.2 平方米，主要包括面向 28nm-10nm 制程 PECVD 设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的平台架构研发及 UV Cure 系统设备研发。截至 2022 年底，

27、公司已取得土地摘牌并签订土地出让合同，预计 2024 年 12 月达到预定可使用状态。2、PECVD：制程不断升级，制程不断升级，Lok I、ACHM、ADC I、HTN 等薄膜均进入量产等薄膜均进入量产 拓荆科技拓荆科技 PECVD 主要包括主要包括 PF-300T、PF-200T、NF-300H、TFLITE 四四大产品线，实现大产品线，实现 28nm 以上制程全介质薄膜以上制程全介质薄膜覆盖覆盖，目前，目前主要致力于制程的升级，主要致力于制程的升级，以以完善完善 14nm 及以下薄膜种类的覆盖。及以下薄膜种类的覆盖。PF-300T：公司产品均面向 12 寸晶圆设计并向下兼容 8 寸晶圆，

28、含有一个平台（TM）和三个反应腔（PM）。1）PF-300T 面向 28nm 以上制程，对通用、先进、硬掩膜材料等介质薄膜实现全覆盖，并实现产业化应用；2）PF-300T 05820022存货（亿元）合同负债（亿元）金额占比金额占比金额占比金额占比原材料592016.5%891717.0%1564416.1%8189535.1%在产品627517.5%52059.9%53435.5%180347.7%库存商品-0.0%14152.7%1650.2%17260.7%发出商品2350365.7%3674670.2%7562478.0%13123356.2

29、%委托加工物资750.2%860.2%1240.1%6040.3%低值易耗品110.0%130.0%170.0%230.0%账面余额35783100.0%52381100.0%96916100.0%233516100.0%减：存货跌价准备7852.2%11732.2%16001.7%38571.7%存货净额3499897.8%5120897.8%9531698.3%22965998.3%项目20022 敬请阅读末页的重要说明 8 公司点评报告 ex 是 PF-300T 的加强版，面向 14-28nm，并实现产业化应用；3）PF-300T px 是面向 10nm 及以下先进

30、制程的设备，目前正在研发。公司主力机型 PF-300T、PF-300T eX 量产机扩大应用面，Lok I、ACHM、ADC I、HTN等薄膜均通过客户验证，并进入量产；PF-200T：面向 8 寸晶圆设计，并面向 90nm 以上；NF-300H（六站式）（六站式）：面向 12 寸晶圆，主要针对 32-128 层 3D NAND 或 19nm 以下 DRAM 中的 Thick TEOS 介质材料薄膜，目前已在 DRAM 产线实现首台产业化应用。NF-300H 是大腔室产品，同样具备一个平台和三个反应腔，但每个反应腔可以同时沉积 6 片晶圆；TFLITE：主要用于 LED 领域，正在产业化验证；

31、针对先进封装：针对先进封装：开发了反应温度在 80-200的低温薄膜沉积设备，用于 SiN、TEOS 等介质薄膜，并实现量产。另外，氧化硅另外，氧化硅/氮化硅（氮化硅（ONON）堆栈薄膜是）堆栈薄膜是 3D NAND 存储的底层结构，也是最难沉积的结构之一，要求各层膜厚、存储的底层结构，也是最难沉积的结构之一，要求各层膜厚、均匀性等指标基本一致，并且要控制界面缺陷程度，公司该技术也已达到国际先进水平。均匀性等指标基本一致，并且要控制界面缺陷程度，公司该技术也已达到国际先进水平。图图 8：拓荆科技：拓荆科技 PECVD 产品布局产品布局 资料来源：拓荆科技招股书、公告，招商证券 UV Cure（

32、紫外线固化处理）设备：（紫外线固化处理）设备：UV Cure 属于辐射固化的一种，利用紫外线 UV 产生辐射聚合、辐射交联等作用，一般用于印刷、涂层、立体光刻及多种产品材料组装等。在半导体沉积环节中，UV Cure 设备可以有效改善薄膜后处理制程的高效能和热预算，提升薄膜应力、颗粒度、硬度等关键性能指标。基于 PF-300T 开发，可与 PECVD 设备成套使用，为 HTN、Lok 等薄膜进行紫外线固化处理。UV Cure（HTN 工艺）设备已通过不同客户产线验证，实现销售收入，并实现产业化应用。公司 UV Cure 设备已完成设计开发，可以与 PECVD 设备成套使用，为 PECVD Lok

33、 II、HTN 等薄膜沉积（主要制程为 14-28nm）进行紫外线固化处理，已出货至客户端进行产业化验证，并取得了客户订单。敬请阅读末页的重要说明 9 公司点评报告 图图 9：拓荆科技：拓荆科技 UV Cure 产品布局产品布局 资料来源：拓荆科技公告，招商证券 3、ALD：PEALD 实现实现产业化应用产业化应用，Thermal ALD 取得客户订单取得客户订单并进行验证并进行验证 ALD主要分为主要分为PE-ALD和和Thermal ALD两大类，分别用来沉积低两大类，分别用来沉积低k介质和栅极等。介质和栅极等。PEALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Depo

34、sition）采用等离子体在低温环境下进行沉积，对器件损伤小，形成的薄膜性能好，一般用来沉积 lok 等低 k 介质；Thermal ALD（Thermal Atomic Layer Deposition）是热原子层沉积，采用高温反应，沉积速率快，薄膜致密性更好，但高温可能会损伤薄膜，Thermal ALD 一般用来形成栅极。拓荆科技拓荆科技 PEALD 设备采用多重曝光方法，设备采用多重曝光方法，配合配合 DUV 光刻机实现先进制程薄膜沉积光刻机实现先进制程薄膜沉积。由于 ASML EUV 光刻机对国内禁售，国内中芯南方、华力微等产线主要使用 DUV 光刻机，并采用多重曝光的方法作为向 EU

35、V 光刻技术的过渡。多重曝光工艺也是国内 ALD 最大的应用市场，拓荆科技 ALD 产品以 PEALD 为主，配合多重曝光技术使用，能够在 20nm的光刻下沉积出 10nm 甚至更低制程的侧墙等薄膜。公司产品包括公司产品包括 PF-300T（双站式）和（双站式）和 NF-300H（六站式），（六站式），用于沉积用于沉积 SiO2、SiN 等介质薄膜等介质薄膜。其中 PF-300T 已完成产业化验证，用于 40/28nm 及以下 SADP、STI Liner 等工艺，55-40nm BSI 工艺，以及 DRAM 产线；NF-300H 在128 层 3D NAND 产线验证顺利。图图 10：拓荆科

36、技：拓荆科技 PEALD 多重曝光过程多重曝光过程 资料来源：拓荆科技 IPO 路演材料，招商证券 拓荆科技拓荆科技Thermal ALD用于用于存储和存储和逻辑芯片，逻辑芯片，PF-300T已取得客户订单。已取得客户订单。Thermal ALD【PF-300T（双站式）、TS-300】主要用于存储芯片和 28nm 及以下逻辑芯片，用来沉积 Al2O3、AlN 等多种金属化合物薄膜材料。PF-300T 产品已完成研发，取得客户订单并出货至客户端进行验证；TS-300（多边形高产能平台）采用六边形传输平台的设计，实现同时搭载最多 5 个反应腔（共 10 个反应站，即一次沉积 10 个晶圆）；同时

37、，TS-300 能够进行多种工艺的集成组合，可以同时搭载 PECVD、ALD 及 HDPCVD 反应腔，实现在真空环境下进行连续多步骤沉积处理，目前已完成研发，并出货至不同客户端进行验证。敬请阅读末页的重要说明 10 公司点评报告 图图 11：拓荆科技：拓荆科技 ALD 产品布局产品布局 资料来源：拓荆科技招股书、公告，招商证券 4、沟槽填充、沟槽填充 CVD：SACVD 全薄膜覆盖，全薄膜覆盖，HDPCVD 已已实现销售实现销售 沟槽填充类沟槽填充类 CVD 主要包括主要包括 SACVD、HDP-CVD、FCVD 等，是专门用于沟槽、孔洞处薄膜填充的设备，拓荆科技沟等，是专门用于沟槽、孔洞处

38、薄膜填充的设备，拓荆科技沟槽类填充类槽类填充类 CVD 主力产品为主力产品为 SACVD，同时向，同时向 HDP CVD 和和 FCVD 进行技术延伸，进行技术延伸，HDPCVD 已经实现已经实现销售销售。130-45nm 制程：使用制程：使用 HDP-CVD 方法用方法用 PSG 填充金属前介质层、用填充金属前介质层、用 SiO2填充填充 STI 等工艺。等工艺。HDP-CVD（高密度等离子 CVD）是 PECVD 的一种特殊形式，同时发生薄膜沉积和溅射，能够实现对沟槽和孔隙自下而上的填充，HDP-CVD沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。图图 12：典型：典型 HDP-CVD 反应原理图反

39、应原理图 资料来源：集成电路产业全书，招商证券 45-14nm：使用：使用 SACVD（次常压（次常压 CVD）方法实现对）方法实现对 STI（浅沟槽隔离）、（浅沟槽隔离）、PMD（金属前介质层）等沟槽的填充或（金属前介质层）等沟槽的填充或薄膜的沉积。薄膜的沉积。SACVD 设备在次常压环境下反应，高压环境可以减小气相化学反应材料的分子自由程，通过臭氧在高温环境下产生高活性的氧自由基，增加分子间的碰撞，实现优越的填孔（Gap Fill）能力。敬请阅读末页的重要说明 11 公司点评报告 图图13：SACVD 反应结构反应结构 图图14：SACVD 应用场景应用场景 资料来源：拓荆科技招股书，招商

40、证券 资料来源：拓荆科技 IPO 路演材料，招商证券 14nm 及以下：采用及以下：采用 FCVD（流体（流体 CVD）方法完成对细小沟槽的无缝隙填充。）方法完成对细小沟槽的无缝隙填充。FCVD 是远程等离子体沉积技术，反应前驱物定向引入反应腔室，对沟槽实现自下而上的填充，可以满足 14nm 以下制程要求的填孔能力。拓荆拓荆 SACVD 设备覆盖全薄膜，设备覆盖全薄膜，HDPCVD 实现销售实现销售，FCVD 技术逐步积累。技术逐步积累。1）SACVD：技术相对简单，并且由于国内产线制程主要以 28-40nm 为主，因此国内沟槽 CVD 市场中 SACVD 占比最大。拓荆科技为国内 SACVD

41、 设备龙头，实现薄膜全覆盖，全球竞争对手主要为 AMAT。拓荆 SACVD 实现 SA TEOS（PF-300T SA）、BPSG、SAF（PF-300T SAF）沉积，均通过验证并实现产业化应用；2）HDPCVD：主要用于 MEMS、CIS 等产线，伴随近年来国内 45-90nm 产线的发展，国内 HDPCVD 空间也有所扩大。公司 HDPCVD 用于沉积 SiO2、FSG、PSG 等，PF-300T Hesper 已通过验证并实现销售，TS-300S Hesper（可最多同时搭载 PECVD、ALD 及 HDPCVD 共 5 个反应腔）已取得不同客户订单；3）FCVD：一般用于 14nm

42、以下先进制程，但由于国内 14nm 产线发展较缓慢，因此 FCVD 方法应用场景相对较少。拓荆科技技术逐步向 FCVD 延伸，但由于产品验证需要有下游晶圆厂配套，因此该设备进展有待国内先进制程产线更加完备。图图 15：拓荆科技：拓荆科技沟槽填充类沟槽填充类设备布局设备布局 资料来源：拓荆科技招股书、公告，招商证券 敬请阅读末页的重要说明 12 公司点评报告 5、混合混合键合设备：键合设备：W2W 产品验证取得突破性进展，产品验证取得突破性进展，D2W 产品正在客户产品正在客户端端验证验证 键合（键合（Bonding）属于后道封装过程，分为属于后道封装过程，分为晶圆晶圆-晶圆晶圆键合（键合（Wa

43、fer-to-Wafer，W2W）和和芯片芯片-晶圆晶圆键合（键合（Die-to-Wafer，D2W）。）。键合主要指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使两片半导体材料成为一体的技术。W2W 是指通过化学或物理反应将晶圆与晶圆、晶圆与玻璃基板或其他材料圆片永久结合起来的工艺。键合过程为，在外能量的作用下，两个晶圆接合界面上的原子相互反应形成共价键，从而使晶圆接合并达到一定的界面键合强度；D2W 指在划片工艺之后，将从晶圆上切割的芯片黏贴在封装基板（引线框架或印刷电路板）上。芯片键合工艺可分为传统和先进方法，

44、传统方法采用芯片键合（Die Bonding）和引线键合（Wire Bonding），先进方法采用倒装芯片键合（Flip Chip Bonding）、混合键合（Hybrid Bonding）等技术。图图16：W2W 键合过程及后续工艺流程键合过程及后续工艺流程 图图17：晶圆键合设备流程晶圆键合设备流程 资料来源：3D 集成晶圆键合装备现状及研究进展，招商证券 资料来源：3D 集成晶圆键合装备现状及研究进展，招商证券 图图 18：D2W 键合工艺键合工艺 资料来源：SK 海力士，招商证券 晶圆键合晶圆键合技术源于技术源于 MEMS，伴随，伴随 IC 三维集成发展而逐渐应用于三维集成发展而逐渐应

45、用于 IC 制造制造及封装工艺中及封装工艺中。随着摩尔定律接近材料和器件的物理极限，IC 封装逐步从二维转为三维结构，需要将晶圆磨至 100um 以下，晶圆与晶圆之间通过 TSV（硅通孔）垂直互联，形成高密度的 3D 封装，从而实现从另一个角度突破摩尔定律。晶圆键合技术（Wafer to Wafer，W2W）源于 MEMS，并逐渐应用于 IC 制造过程，能够实现存储器、逻辑器件、射频器件等部件的三维堆叠同质/异质集成。敬请阅读末页的重要说明 13 公司点评报告 图图 19：2.5D 及及 3D 封装示意图封装示意图 资料来源：Semiconductor Engineering，招商证券 晶圆键

46、合分为临时键合和永久键合晶圆键合分为临时键合和永久键合，键合精度、材料选择等是工艺成功的关键，键合精度、材料选择等是工艺成功的关键。晶圆键合工艺是半导体器件物理、材料物理化学、精密机械设计、高精度自动控制等多学科交叉的领域，对对位精度、键合温度均匀性、键合压力范围及控制精度等要求较高，另外用于固定薄晶圆的键合胶也是工艺成功的关键。1）临时键合：临时将晶圆键合至较厚的载体上，方便后续进行减薄等一些列工艺。）临时键合：临时将晶圆键合至较厚的载体上，方便后续进行减薄等一些列工艺。柔性、易碎、翘曲是减薄后晶圆的特点，因此需要通过临时键合工艺，用中间材料将薄晶圆键合到较厚的载体片上，再经过背面减薄、TS

47、V 开孔、重布互联等工艺后，再输入外界能量（光、电、热、力等）使粘层失效，无损地将晶圆与载体片分离；2）永久键合：）永久键合：指通过化学或物理反应将晶圆与晶圆、晶圆与玻璃基板或其他材料圆片永久结合起来的工艺。指通过化学或物理反应将晶圆与晶圆、晶圆与玻璃基板或其他材料圆片永久结合起来的工艺。在外能量的作用下，两个晶圆接合界面上的原子相互反应形成共价键，从而使晶圆接合并达到一定的界面键合强度。在 TSV封装工艺中，为了形成良好的电学互联，精度要达到连接柱直径的 10%，对连接精度要求很高，TSV 连接柱的直径一般为 5um 以下，那么连接精度就要求在 0.5um 以下，这时候采用晶圆对晶圆的对准方

48、式就能实现很好的对准精度。图图20：晶圆键合过程及后续工艺流程晶圆键合过程及后续工艺流程 图图21：晶圆键合设备构成晶圆键合设备构成 资料来源：3D 集成晶圆键合装备现状及研究进展，招商证券 资料来源：3D 集成晶圆键合装备现状及研究进展，招商证券 晶圆键合工艺晶圆键合工艺包括包括阳极键合、熔融与混合键合、金属扩散键合等，可用于微机电系统（阳极键合、熔融与混合键合、金属扩散键合等，可用于微机电系统（MEMS）、绝缘体上硅（）、绝缘体上硅（SOI）和基于和基于 Si 的器件集成，在光电领域也可以实现高质量的同质结的器件集成，在光电领域也可以实现高质量的同质结/异质结。异质结。在 MEMS 中，晶

49、圆键合工艺已经应用数十年；在 CMOS 中，需要首先生产一个逻辑晶圆，再生产一个用于像素处理的单独晶圆，通过晶圆键合将二者结合，再将各芯片切成小片形成 CMOS 传感器；在 HBM 中，DRAM Die 之间进行4-12 层的堆叠，晶圆键合将各层之间互联；在 3D NAND 中，例如长江存储的 Xtacking 工艺也需要晶圆键合工艺来实现 CMOS 和存储晶圆的互联，实现并行的、模块化的设计和制造，为引入 NAND 外围电路的创新功能以及实现NAND 闪存的定制化提供可能性。敬请阅读末页的重要说明 14 公司点评报告 图图22：RF 器件应用的晶圆键合工艺器件应用的晶圆键合工艺 图图23：G

50、aN on SOI 中的晶圆键合工艺中的晶圆键合工艺 资料来源：半导体封装工程师之家，招商证券 资料来源：Semicond.Sci.Technol，招商证券 图图 24：长江存储：长江存储 Xtacking 技术应用晶圆键合工艺技术应用晶圆键合工艺 资料来源：长江存储，招商证券 表表 3：晶圆键合工艺分类及应用晶圆键合工艺分类及应用 工艺工艺 要点要点 典型器件及应用典型器件及应用 阳极键合(Anodic Bonding)硅/金属和玻璃绝缘体之间产生密封，无需中间层。高碱离子浓度硼硅酸盐玻璃是该工艺的主要要求，加热键合，对基底材料施加电场，洁净，原子接触 MEMS 器件，硅-玻璃键合，临时键合

51、 高真空键合(High Vacuum Wafer Bonding Technology)高真空处理和加工，晶圆表面活化，无氧化物直接键合，室温直接键合，具有真空下校准能力，无吸气剂高真空封装 工程基板，MEMS 封装，“超越CMOS”器件，叠层太阳能电池，高性能逻辑器件，功率器件 芯片到晶圆熔融与混合键合(Die-to-Wafer Fusion and Hybrid Bonding 1)CO-D2W:载体制备、载体填充、晶圆键合(临时和永久)和载体分离 2)DP-D2W:载流子填充、芯片清洁和溃活以及直接放置倒装芯片 高带宽存储器，小芯片，3D 堆叠式背面照明 CMOS 图像传感器 晶圆共晶键

52、合(Eutectic Bonding)共晶温度远低于粘结过程中材料的熔化温度，对不规则表面、划痕和颗粒不太敏感，从而有利于大批量生产，有更好的脱气性和气密性 AI-Ge、Au-Sn 和 Au-In 等MEMS 器件，陀螺仪 熔融与混合键合(Fusion and Hybrid Bonding)在环境条件下的预键合，小于 100nm 的非常高的对准允许使用晶圆到晶圆熔合键合。铜焊盘可与介电层平行加工，允许在环境温度下预结合介电层，而在退火期间可通过金属扩散结合实现电接触 CMOS 图像传感器、存储器以及三维片上系统(SoC)敬请阅读末页的重要说明 15 公司点评报告 金属扩散键合(Metal Di

53、ffusion Bonding)具有高扩散率的金、铝和铜是最稳定的材料，用于热压键合。与铝和铜相比，金需要较少的扩散温度，并且具有不被氧化的额外优势 RF-MEMS、发光二极管(led)、激光二极管以及功率器件 临时键合与解键合(Temporary Bonding and Debonding)临时键合是为薄晶片或将超薄晶片提供机械支撑的一个重要过程 超薄芯片和封装 瞬时液相键合(Transient Liquid Phase Bonding)与共晶键合相比，液相键合界面通过扩散而不是冷却到熔点以下而凝固，形成具有快速扩散特性和高可靠性的组合物 高可靠性键合线或电气连接的场合 资料来源：3D 集成

54、晶圆键合装备现状及研究进展，招商证券 混合键合技术混合键合技术能够实现芯片模块间快速通信，能够实现芯片模块间快速通信，成为最先进的新一代键合技术成为最先进的新一代键合技术。在混合键合之前，2D、2.5D、3D 封装均使用焊球凸点或微凸点来实现芯片与基板、芯片与中介层之间的连接，而由于凸点间距逐渐缩小，芯片模块间的通信速度不断提升，原来的锡焊球无法满足工艺要求；混合键合（Hybrid Bonding）通过精密间隔的铜焊盘垂直连接D2W 或 W2W，信号丢失率可忽略不计，在高数据量、高性能计算领域优势明显。Chiplet 等先进封装工艺带动临时键合、混合键合等需求。等先进封装工艺带动临时键合、混合

55、键合等需求。在传统工艺中，每一代 SoC 上集成更多的功能，但芯片缩放越来越困难，而使用 Chiplet 技术，大型 SoC 被分割成更小的 Dies 或 IP 块，并重新聚合成一个全新的设计，对临时键合、混合键合等需求均有拉动。1）临时键合需求：）临时键合需求：在 Chiplet 技术中，为了缩小芯片体积、提高芯片散热性能和传导效率等，晶圆减薄工艺会被大量应用，为了不损伤减薄中以及减薄后晶圆，需要将晶圆片与玻璃基板临时键合并在完成后续工艺后最终解键合。同时在 Chiplet 技术路线下，Fan-out、CoWoS 等封装工艺路线都要经过单次或多次的临时键合及解键合工艺来实现芯粒互联；2）混合

56、键合需求：）混合键合需求：随着台积电、英特尔、三星等厂商开始采用 3D 封装工艺，Chiplet 应用范围扩大，混合键合越来越多用于 CPU、GPU 及高性能计算中。最早实现 Hybrid Bonding 量产的产品是索尼的图像传感器，下部电路芯片和上部像素芯片之间增加了铜连接焊盘，同时建立物理和电气连接；又如在 AMD 的一个方案中，AMD 堆叠了 SRAM和一个处理器芯片，形成了 3D 封装形式，并在顶部结合了高性能的 MPU 和高速缓存，使用混合键合连接各个 Die。表表 4：混合混合键合工艺的应用键合工艺的应用 背面发光背面发光 图像传感器图像传感器 存储存储 逻辑逻辑 3D NAND

57、 HBM 叠层叠层 DDR6+下一代存储下一代存储 SoC 分割分割成更小的成更小的 Die 缩放缩放 键合 形式 光电二极管+DRAM+Logic NAND Block+周边 12+层堆叠 Peri under DRAM Peri on MRAM、FeRAM、PCM 3D SoC SRAM+Logic Backside PDN（5nm node）键合 过程 W2W W2W W2W and/or W2W W2W W2W W2W W2W hybrid hybrid hybrid hybrid hybrid hybrid hybrid hybrid 间距 2um1um 2um1um 5um3um

58、2um1um 2um1um 9um2um 2um By scanner 成熟度 大规模生产 大规模生产 研发 研发 研发 试产 试产 试产 应用 示例 资料来源：EVG Group，招商证券 半导体晶圆键合设备全球市场空间大约半导体晶圆键合设备全球市场空间大约9亿美元，亿美元，混合键合设备细分市场有望迎来指数级增长混合键合设备细分市场有望迎来指数级增长。根据thebrainyinsights数据，2021 年全球半导体键合设备市场空间大约 8.74 亿美元，当前晶圆键合设备主要为海外厂商垄断，行业龙头包 敬请阅读末页的重要说明 16 公司点评报告 括奥地利的 EVG Group、德国的 SUS

59、S、日本 TEL 等，国内尚无多模块集成的晶圆键合设备，技术与国外差距较大，国内主要厂商为上海微电子（SMEE），苏州芯图（芯睿科技）、华卓精科等，芯源微正在研键合机、解键合机等新型设备。伴随着“后摩尔时代”来临，三维集成领域进入成长期，混合键合设备细分市场有望迎来指数级增长 子公司拓荆键科（海宁）子公司拓荆键科（海宁）产品包括晶圆对晶圆键合（产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding，W2W）产品和芯片对晶圆键合表面）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation，D2W）产品）

60、产品，目前均正在客户端验证目前均正在客户端验证。拓荆科技键合设备主要由控股子公司拓荆键科（海宁）开展，拓荆键科成立于 2020 年 9 月 30 日，母公司持股比例为 55%。拓荆键科联合拥有先进晶圆片键合机的技术储备的海宁君鑫科技，利用自身掌握的晶圆键合对准技术，进而开拓晶圆键合设备市场。1）晶圆对晶圆常温混合键合（晶圆对晶圆常温混合键合（Hybrid Bonding）和熔融键合（）和熔融键合（Fusion Bonding）：）：可以实现复杂的 12 英寸晶圆对晶圆常温共价键合，搭载了晶圆表面活化、清洗、键合和自研的键合精度检测模块，具有对准精度高、产能高、无间隙等性能特点；2）晶圆及切割后

61、芯片的表面活化及清洗：晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗：可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序，包括晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗工艺。首台 W2W 产品 Dione300 已经出货至客户端验证，并取得突破性进展，D2W 产品 Pollux完成研发，正在客户端验证。2023 年 1 月 21 日，公司公告将部分高管下沉至子公司，拓荆科技副总经理周坚辞去公司副总经理职务但仍在公司内部任职，调整后仍担任子公司拓荆键科（海宁）总经理职务，未来将进一步加强键合设备开发力度。2022 年度，拓荆键科实现收入 22.9 万元，亏损 1746 万元，去年同期亏损 623.7 万元，亏损幅度扩大主要系研发投

62、入较多。表表 5：拓荆科技拓荆科技晶圆键合设备产品布局晶圆键合设备产品布局 产品产品 产品型号产品型号 产品应用情况产品应用情况 晶圆对晶圆键合设备 Dione 300 主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验证，可实现 12 寸晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合。芯片对晶圆键合表面预处理设备 Pollux 主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验证，主要应用于晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗。资料来源：拓荆科技公告，招商证券 敬请阅读末页的重要说明 17 公司点评报告 风险提示风险提示 1）收入）收入确认确认受下游晶圆厂投资周期影响较大受下游晶圆厂投资周期影响较大 晶

63、圆厂系半导体专用设备的下游客户，晶圆厂产能投资规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资受到集成电路终端产品销售市场变动、晶圆厂新技术导入计划、晶圆厂对于未来行业发展判断的影响，具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的产能投资强度降低，公司将面临市场需求下降的情况，对于公司的经营业绩会造成不利影响。2）国际贸易摩擦加剧影响公司供应链安全的风险）国际贸易摩擦加剧影响公司供应链安全的风险 近年来，美国和中国之间互相在特定领域加征关税或设置其他贸易壁垒。由于国内半导体产业起步较晚，半导体设备上游零部件行业与海外同行业先进水平存在一定差距。国际知名半导体零部件供应商在产品机械精度、产品使用寿命等方

64、面较国内零部件供应商更为成熟。目前，公司部分零部件的最优选择仍为美国、英国、日本、韩国等国外供应商。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。3）市场竞争）市场竞争加剧加剧风险风险 半导体设备行业具有很高的技术壁垒、市场壁垒和客户准入壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，产品线丰富、技术储备深厚、研发团队成熟、资金实力较强等优势，国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。2019 年

65、，在 CVD 设备全球市场中，应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）的市场占有率分别为 30%、21%和 19%；在ALD 设备全球市场中，东京电子（TEL）、先晶半导体（ASMI）的市场占有率分别为 31%和 29%。相比国际巨头，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域，开发同类产品的可能，同时公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。例如，在 ALD 设备领域，除公司外，北方华创、盛美上海、屹唐股份及中微公司已推出自产设备或有进入 ALD 设备市场的计划。如果公司无法有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位

66、、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。4）Demo 机台无法实现最终销售的风险机台无法实现最终销售的风险 公司产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造，主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行的生产活动。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始的生产活动，包括根据 Demo 订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动。对于 Demo 机台，通常在公司与客户充分沟通产品型号、参数、配置等信息，便开始组织生产，完工后以 Demo 订单的形式发往客户端进行验证。一般在 Demo 机台获得客户端验证通过后，客户才会下达正式订单进

67、行采购。如果遇到集成电路产业景气度大幅下滑、客户需求大幅减弱、订单意外取消等不利因素，可能导致 Demo 机台未来最终无法获得客户验证通过，相关机台可能无法实现销售，公司可能面临调整生产计划、更换已完工机台的部分模块导致生产成本加大、存货库龄加长等情形，对公司的生产、业绩造成不利影响。5）产品验收周期较长风险）产品验收周期较长风险 晶圆制造属于高精密制造领域，对产线上各环节的良率要求极高，任何进入量产线的设备均需经过长时间工艺验证和产线联调联试。特别是对薄膜沉积设备而言，由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在

68、成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间相比其他半导体专用设备可能更长。对于新客户的首台订单或新工艺订单设备，一般从前期的客户需求沟通、方案设计、样机试制、场内工艺测试与调优到客户端样机安装调试、工艺验证到最后的工艺验证和产品验收通过，整个流程可能需要 6-24 个月甚至更长时间。敬请阅读末页的重要说明 18 公司点评报告 对于重复订单设备，由于已通过客户工艺验证，新到设备的工艺技术一般无需做较大改动，从出货到

69、设备验收通常需要 3-24 个月的时间。如此宽幅的验收周期时间波动主要是受到客户产线条件、客户端安装调试、客户工艺要求调整、客户验收流程限制以及其他偶然性因素的影响。如果受某些因素影响，公司产品验收周期延长，公司的收入确认将有所延迟。另外，可能存在公司设备验收不通过、收款时间延后等风险，增加公司的资金压力，影响公司的财务状况。敬请阅读末页的重要说明 19 公司点评报告 参考报告：参考报告：1、拓荆科技（688072）：2022 全年盈利能力大幅提升，22Q4 收入环比稳健增长2023/02/26 2、拓荆科技（688072）深度报告：国内 CVD 设备龙头，成长动力强劲2022-08-28 3

70、、半导体行业深度专题之十二薄膜沉积设备篇工艺升级提升薄膜设备需求，国内厂商差异化布局加速国产化进程2022/05/28 敬请阅读末页的重要说明 20 公司点评报告 附：财务预测表附：财务预测表 资产负债表资产负债表 单位：百万元 2021 2022 2023E 2024E 2025E 流动资产流动资产 2175 6820 8848 11089 13012 现金 965 3827 1902 2735 3909 交易性投资 0 46 1500 1000 500 应收票据 1 21 38 52 61 应收款项 103 262 447 607 715 其它应收款 2 6 11 15 18 存货 953

71、 2297 4283 5775 6746 其他 151 362 667 905 1063 非流动资产非流动资产 343 493 641 779 907 长期股权投资 0 0 0 0 0 固定资产 216 382 535 677 809 无形资产商誉 43 44 39 36 32 其他 85 67 67 66 66 资产总计资产总计 2518 7313 9489 11868 13920 流动负债流动负债 1016 2947 4680 6277 7316 短期借款 0 400 0 0 0 应付账款 406 871 1631 2199 2569 预收账款 488 1397 2614 3524 411

72、7 其他 122 279 435 554 631 长期负债长期负债 309 659 659 659 659 长期借款 0 270 270 270 270 其他 309 389 389 389 389 负债合计负债合计 1324 3605 5338 6935 7975 股本 95 126 126 126 126 资本公积金 1003 3122 3122 3122 3122 留存收益 95 464 912 1702 2725 少数股东权益 1 (4)(9)(17)(29)归 属 于 母 公 司 所 有 者 权 益 1193 3712 4160 4950 5973 负债及权益合计负债及权益合计 25

73、18 7313 9489 11868 13920 现金流量表现金流量表 单位：百万元 2021 2022 2023E 2024E 2025E 经营活动现金流经营活动现金流 137 248 (15)428 844 净利润 67 364 499 858 1143 折旧摊销 18 28 34 45 55 财务费用 0 (1)(40)(40)(40)投资收益 0 (14)(150)(130)(110)营运资金变动 53 (129)(386)(328)(221)其它 0 0 28 24 17 投资活动现金流投资活动现金流(150)(151)(1493)441 421 资本支出(150)(111)(189

74、)(189)(189)其他投资 0 (40)(1304)630 610 筹资活动现金流筹资活动现金流(3)2790 (418)(36)(91)借款变动 587 915 (402)0 0 普通股增加 0 32 0 0 0 资本公积增加(278)2119 0 0 0 股利分配(341)(374)(56)(76)(131)其他 30 98 40 40 40 现金净增加额现金净增加额(15)2886 (1926)833 1174 利润表利润表 单位：百万元 2021 2022 2023E 2024E 2025E 营业总收入营业总收入 758 1706 3132 4256 5011 营业成本 424 8

75、65 1619 2183 2551 营业税金及附加 7 17 32 43 51 营业费用 97 192 329 340 351 管理费用 45 81 157 170 150 研发费用 288 379 689 830 912 财务费用(19)(18)(40)(40)(40)资产减值损失(5)(26)0 0 0 公 允 价 值 变 动 收 益 0 16 0 0 0 其他收益 145 163 150 130 110 投资收益 0 14 0 0 0 营业利润营业利润 56 357 496 859 1146 营业外收入 11 8 8 8 8 营业外支出 0 0 0 0 0 利润总额利润总额 67 364

76、 504 866 1154 所得税 0 0 5 9 12 少数股东损益(2)(4)(5)(9)(11)归 属 于 母 公 司 净 利 润归 属 于 母 公 司 净 利 润 68 369 504 866 1154 主要财务比率主要财务比率 2021 2022 2023E 2024E 2025E 年成长率年成长率 营业总收入 74%125%84%36%18%营业利润-509%533%39%73%33%归母净利润-696%438%37%72%33%获利能力获利能力 毛利率 44.0%49.3%48.3%48.7%49.1%净利率 9.0%21.6%16.1%20.4%23.0%ROE 5.9%15.

77、0%12.8%19.0%21.1%ROIC 3.2%12.1%10.3%16.8%19.2%偿债能力偿债能力 资产负债率 52.6%49.3%56.3%58.4%57.3%净负债比率 0.0%9.2%2.8%2.3%1.9%流动比率 2.1 2.3 1.9 1.8 1.8 速动比率 1.2 1.5 1.0 0.8 0.9 营运能力营运能力 总资产周转率 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 存货周转率 0.6 0.5 0.5 0.4 0.4 应收账款周转率 8.6 8.8 8.2 7.4 7.0 应付账款周转率 1.4 1.4 1.3 1.1 1.1 每股资料每股资料(元元)EPS 0.54

78、 2.91 3.99 6.85 9.12 每股经营净现金 1.09 1.96 -0.12 3.39 6.67 每股净资产 9.43 29.35 32.89 39.14 47.23 每股股利 0.28 0.44 0.60 1.03 1.38 估值比率估值比率 PE 827.4 153.8 112.4 65.4 49.1 PB 47.5 15.3 13.6 11.4 9.5 EV/EBITDA 1087.4 156.2 115.1 65.3 48.6 资料来源：公司数据、招商证券 敬请阅读末页的重要说明 21 公司点评报告 分析师分析师承诺承诺 负责本研究报告的每一位证券分析师，在此申明，本报告清

79、晰、准确地反映了分析师本人的研究观点。本人薪酬的任何部分过去不曾与、现在不与，未来也将不会与本报告中的具体推荐或观点直接或间接相关。鄢凡：鄢凡：北京大学信息管理、经济学双学士，光华管理学院硕士，14 年证券从业经验，08-11 年中信证券，11 年加入招商证券，现任研发中心董事总经理、电子行业首席分析师、TMT 及中小盘大组主管。11/12/14/15/16/17/19/20/21/22年 新财富 电子最佳分析师第2/5/2/2/4/3/3/4/3/5名，11/12/14/15/16/17/18/19/20年 水晶球 电子第2/4/1/2/3/3/2/3/3名，10/14/15/16/17/1

80、8/19/20 年金牛奖TMT/电子第 1/2/3/3/3/3/2/2/1 名，2018/2019 年最具价值金牛分析师。曹辉：曹辉：上海交通大学工学硕士，2019/2020 年就职于西南证券/浙商证券，2021 年加入招商电子团队，任电子行业分析师，主要覆盖半导体领域。王恬：王恬：电子科技大学金融学、工学双学士，北京大学金融学硕士，2020 年在浙商证券，2021 年加入招商电子团队，任电子行业分析师。程鑫：程鑫：武汉大学工学、金融学双学士，中国科学技术大学硕士，2021 年加入招商电子团队，任电子行业研究助理。谌薇：谌薇：华中科技大学工学学士，北京大学微电子硕士，2022 年加入招商证券，

81、任电子行业研究助理。涂锟山：涂锟山：昆士兰大学金融学学士，伦敦大学学院金融学硕士，2023 年加入招商电子团队，任电子行业研究助理。评级评级说明说明 报告中所涉及的投资评级采用相对评级体系，基于报告发布日后 6-12 个月内公司股价（或行业指数）相对同期当地市场基准指数的市场表现预期。其中，A 股市场以沪深 300 指数为基准；香港市场以恒生指数为基准；美国市场以标普 500 指数为基准。具体标准如下：股票股票评级评级 强烈推荐：预期公司股价涨幅超越基准指数 20%以上 增持：预期公司股价涨幅超越基准指数 5-20%之间 中性：预期公司股价变动幅度相对基准指数介于 5%之间 减持：预期公司股价

82、表现弱于基准指数 5%以上 行业评级行业评级 推荐：行业基本面向好，预期行业指数超越基准指数 中性：行业基本面稳定，预期行业指数跟随基准指数 回避：行业基本面转弱，预期行业指数弱于基准指数 重要重要声明声明 本报告由招商证券股份有限公司（以下简称“本公司”）编制。本公司具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告基于合法取得的信息，但本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。本报告所包含的分析基于各种假设，不同假设可能导致分析结果出现重大不同。报告中的内容和意见仅供参考，并不构成对所述证券买卖的出价，在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议。除法律或规则规定必须承担的责任外，本公司及其雇员不对使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失负任何责任。本公司或关联机构可能会持有报告中所提到的公司所发行的证券头寸并进行交易，还可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务服务。客户应当考虑到本公司可能存在可能影响本报告客观性的利益冲突。本报告版权归本公司所有。本公司保留所有权利。未经本公司事先书面许可，任何机构和个人均不得以任何形式翻版、复制、引用或转载，否则，本公司将保留随时追究其法律责任的权利。