1、敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 兆易创新兆易创新（6 60303986986） 公司研究/点评报告 事件：事件： 公司披露三季报，前三季度公司实现营业收入 31.74 亿元，同比增长 44.02%；归属于上市公司股东的净利润 6.73 亿元，同比增长 49.65%；归 属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 5.76 亿元，同比增长 45.77%。 主要观点主要观点： Q Q3 3 需求旺盛助力营收净利创新高，需求旺盛助力营收净利创新高，净利率维持高位净利率维持高位 公司 Q3 实现营业收入 15.16 亿元（前高 2019Q3 为 10.02 亿元），同比增 长 51.35

2、%；归母净利润 3.10 亿元（前高 2019Q3 为 2.62 亿元），同比增 长 18.12%；毛利率维持在 40.77%，与 Q2 相当的水平，净利率 20.43%略 有下滑。得益于由于消费类、计算机等市场需求的同比增加以及新产品 的量产销售，Q3 经营业绩达到了较高的增长。我们持续看好公司拓宽产 品应用与业务范围，不断推动技术创新与产品结构优化，适应科技时代 下的技术需求。 三驾马车三驾马车助力业绩持续成长助力业绩持续成长，顺应科技趋势，顺应科技趋势 公司主攻中小容量 NOR Flash，2019 年全球市占率第三，充分受益新增 市场红利，并从消费领域走向工业与汽车领域。公司也推出 2

3、4nm 工艺节 点的 4Gb SPI NAND Flash 等新产品满足市场需求。 公司 MCU 市场份额位列国内前三。ARM Cortex-M 系列产品覆盖中高端 需求，推出全球首颗 RISC-V 架构 MCU，相关工艺进程向 40nm 进发， 以领先姿态切入 IoT 万亿级市场。同时开拓指纹识别芯片市场，全球市 场份额为 9.40%排名第三，技术差距与一线厂商逐渐缩小，订单量有望 进一步提升。 投资建议投资建议 我们预计公司 2020-2022 年的营业收入分别是：48.88 亿元、62.32 亿、 70.97 亿元，归母净利润分别是 9.72 亿元、13.28 亿元、15.89 亿元，对

4、应 EPS 分别为 2.84 元、3.88 元、4.64 元，对应的 PE 分别为 64.33 倍、47.08 倍、39.36 倍，给予公司“买入”评级。 风险提示风险提示 研发项目不及预期；宏观经济下行；同业竞争加剧。 三季度业绩符合预期三季度业绩符合预期，下游需求持续旺盛下游需求持续旺盛 行业行业评级：评级：买入（买入（维持维持） 报告报告日期日期： 20202020- -1010- -2 29 9 收盘价（元） 177.00 近 12 个月最高/最低（元） 205.46/165.02 总股本（百万股） 471.57 流通股本（百万股） 417.89 流通股比例（%） 88.61 总市值（

5、亿元） 835 流通市值（亿元) 740 公司公司与沪深与沪深 300300 走势比较走势比较 分析师：尹沿技分析师：尹沿技 执业证书号：S00 研究助理：华晋书研究助理：华晋书 执业证书号：S00 邮箱: 相关报告相关报告 1.华安证券_行业研究_行业深度_大国雄 芯.半导体系列报告(一)：科技创“芯”， 时代最强音2020-05-13 2.华安证券_公司深度_兆易创新(603986) 深耕存储器市场，MCU 生物识别开拓新 增长点2020-10-29 -50% 0% 50% 100% 150% 200% 250% 兆易创新沪深300 兆易创新（兆

6、易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 2 / 21 证券研究报告 重要财务指标重要财务指标 单位单位: :百万元百万元 主要财务指标主要财务指标 2019 2020E 2021E 2022E 营业收入 3203 4888 6232 7097 收入同比(%) 43% 53% 28% 14% 归属母公司净利润 607 972 1328 1589 净利润同比(%) 50% 60% 37% 20% 毛利率(%) 40.5% 41.4% 41.7% 41.6% ROE(%) 11.6% 9.4% 11.6% 12.4% 每股收益(元) 1.29 2.84 3.88 4.6

7、4 P/E 141.96 64.33 47.08 39.36 P/B 16.49 8.32 7.51 6.72 EV/EBITDA 82 51 37 31 资料来源：wind，华安证券研究所 pOnQnMmMsPmNqPsQnQnNoR8OcM6MmOoOpNmMkPoPmMfQnOnN6MrRwPxNtQqPNZnOnQ 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 3 / 21 证券研究报告 图表目录图表目录 图表图表 1 1 公司产品线梳理公司产品线梳理 . 4 4 图表图表 2 2 20162016- -20192019 年公司营业收入及增速年公司营

8、业收入及增速 . 4 图表图表 3 3 20162016- -20192019 年公司归母净利润及增速年公司归母净利润及增速 . 4 图表图表 4 4 2012018 8- -20192019 年按产品结构营收、毛利占比年按产品结构营收、毛利占比. 5 图表图表 5 5 20162016- -20192019 年公司三费变化年公司三费变化 . 5 图表图表 6 6 20162016- -20192019 年公司毛利率、净利率变化年公司毛利率、净利率变化 . 5 图表图表 7 7 2012015 5- -20192019 年公司研发收入及占比年公司研发收入及占比 . 6 图表图表 8 8 公司与

9、主要竞争对手毛利率对比公司与主要竞争对手毛利率对比 . 6 图表图表 9 9 公司与主要竞争对手净利率对比公司与主要竞争对手净利率对比 . 6 图表图表 1010 存储器产品分类存储器产品分类 . 7 图表图表 1111 存储器层级结构存储器层级结构 . 7 图表图表 1212 半导体存储器产品简介半导体存储器产品简介 . 8 图表图表 1313 RAMRAM 组成结构及工作原理组成结构及工作原理 . 8 图表图表 1414 SRAMSRAM 和和 DRAMDRAM 特点对比特点对比 . 9 图表图表 1515 ROMROM 组成结构及工作原理组成结构及工作原理 . 9 图表图表 1616 N

10、ORNOR F FLASHLASH和和 NANDNAND F FLASHLASH特点对比特点对比 . 9 图表图表 1717 SLCSLC、MLCMLC、TLCTLC 性能对比性能对比 . 9 图表图表 1818 20172017- -2019Q32019Q3 全球全球 NORNOR F FLASHLASH市场份额市场份额 . 10 图表图表 1919 20162016- -20202020 全球全球 TWSTWS 耳机出货量耳机出货量 . 10 图表图表 2020 四大类蓝牙传输方案四大类蓝牙传输方案 . 11 图表图表 2121 TWSTWS 耳机带动耳机带动 NORNOR F FLASH

11、LASH增量市场预测增量市场预测 . 11 图表图表 2222 全球智能手机面板出货量及全球智能手机面板出货量及 OLEDOLED 渗透率渗透率 . 12 图表图表 2323 智能手机屏幕带动智能手机屏幕带动 NORNOR F FLASHLASH增量市场预测增量市场预测 . 12 图表图表 2424 20182018- -20232023 年全球年全球 I IO OT T 市场规模市场规模 . 12 图表图表 2525 20201616- -20202020 全球智能家居出货量全球智能家居出货量 . 13 图表图表 2626 AIAI- -I IO OT T 带动带动 NORNOR F FLA

12、SHLASH增量市场预测增量市场预测 . 13 图表图表 2727 NORNOR F FLASHLASH应用于应用于 5G5G 基站示意图基站示意图 . 14 图表图表 2828 5G5G 基础设施带动基础设施带动 NORNOR F FLASHLASH增量市场预测增量市场预测 . 14 图表图表 2929 NORNOR F FLASHLASH营业收入预测营业收入预测 . 14 图表图表 3030 SLCSLC NANANDND F FLASHLASH营业收入预测营业收入预测. 14 图表图表 3131 合肥长鑫发展历程合肥长鑫发展历程 . 15 图表图表 3232 合肥长鑫和世界主流厂商合肥长

13、鑫和世界主流厂商 DRAMDRAM 进展演变进展演变 . 15 图表图表 3333 合肥合肥长鑫长鑫 DDR4DDR4 颗粒成品内存条颗粒成品内存条 . 16 图表图表 3434 20152015- -20222022 年全球年全球 MCUMCU 市场规模及出货量市场规模及出货量 . 16 图表图表 3535 20152015- -20222022 年全球年全球 MCUMCU 市场规模及出货量市场规模及出货量 . 17 图表图表 3636 MCUMCU 位数及其应用场景位数及其应用场景 . 17 图表图表 3737 20182018 年中国年中国 C CORTEXORTEX- -MM 厂商市场

14、份额占比厂商市场份额占比 . 17 图表图表 3838 兆易创新兆易创新 MCUMCU 业务类别业务类别 . 18 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 4 / 21 证券研究报告 图表图表 1 1 公司公司产品线梳理产品线梳理 产品线产品线 系列系列 容量范围容量范围 介绍介绍 下游应用下游应用 NOR Flash 3.0V 2.5V 1.8V 1.65-3.6V 1M-512M 2M-128M 512K-256M 512K-8M 提供单通道、双通道、四通道 SPI 工 作模式；四通道 SPI 数据吞吐量高达 532Mb/s，优于许多异步并行闪存；

15、高 可靠性，数据保留时间 20 年，编程/ 擦除周期达 100000 次； 手持移动终端、WLAN、 物联网终端，通信设备、 医疗设备、汽车电子、智 能可穿戴设备以及工业控 制设备等 NAND Flash 1.8/3V 1G-4G 主要产品为 GD5F 系列产品，容量可 提供 1Gbits 至 4Gbits；高可靠性，数 据保留时间 10 年，编程/擦除周期达 100000 次 为移动设备、机顶盒、数 据卡、电视等应用的多媒 体数据存储提供所需的大 容量存储和性能 DARM DDR4 8G 与合肥长鑫的合作方面已上架 10nm 规格的 DDR4、LPDDR4；自主研发 的部分正处于募资阶段 语

16、音声控、影像识别、汽 车传感，无线通讯等 MCU ARM 架构 32bit 融合了兆易创新先进的专利 gFlash 存 储器技术，功能更丰富，设计灵活性 更高 工业控制、人机交互、电 源监测、警报系统、消费 电子和智能家居、物联 网、变频控制等 RISC-V 内核 32bit GD32VF103 系列 32 位 RISC-V MCU， 主频高达 108MHz，支持 flash 访问零 等待，以提供最大效率，高达 128 KB 的片上 flash 以及 32 KB 的 SRAM 人机交互传感 指纹识别芯片 收购思立微，并实现了国内首套完整 的按压式指纹识别方案 智能手机、AI、物联网等 资料来源

17、：华安证券研究所整理 图表图表 2 2 20162016- -20192019 年公司营业收入及增速年公司营业收入及增速 图表图表 3 3 20162016- -20192019 年公司归母净利润及增速年公司归母净利润及增速 0 10 20 30 40 50 0 50,000 100,000 150,000 200,000 250,000 300,000 350,000 20019 营业收入(万元,左轴)同比增速(%,右轴) 0 20 40 60 80 100 120 140 0 10,000 20,000 30,000 40,000 50,000 60,000 70,0

18、00 20019 归母净利润(万元,左轴)同比增速(%，右轴) 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 5 / 21 证券研究报告 资料来源：wind，华安证券研究所 资料来源：wind，华安证券研究所 图表图表 4 4 20182018- -20192019 年按产品结构营收、毛利占比年按产品结构营收、毛利占比 资料来源：wind，华安证券研究所 图表图表 5 5 20162016- -20192019 年公司三费变化年公司三费变化 图表图表 6 6 20162016- -20192019 年公司年公司毛利率毛利率、净利率、净利

19、率变化变化 资料来源：wind，华安证券研究所 资料来源：wind，华安证券研究所 79.79% 13.85% 6.34% 0.02% 2019年主营收入占比 存储芯片销售 微控制器 传感器 其他业务 81.88% 18.01%0.02% 0.09% 2018年主营收入占比 存储芯片销售 微控制器 其他业务 技术服务及其他 76.60% 15.52% 7.86% 0.02% 2019年毛利收入占比 存储芯片销售 微控制器 传感器 其他业务 79.28% 20.58% 0.01% 0.12% 2018年毛利收入占比 存储芯片销售 微控制器 其他业务 技术服务及其他 -2 0 2 4 6 8 20

20、019 财务费用率(%)销售费用率(%)管理费用率(%) 0 10 20 30 40 50 20019 毛利率(%)净利率(%) 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 6 / 21 证券研究报告 图表图表 7 7 20152015- -20192019 年公司研发收入及占比年公司研发收入及占比 资料来源：wind、华安证券研究所 图表图表 8 8 公司与主要竞争对手毛利率对比公司与主要竞争对手毛利率对比 图表图表 9 9 公司与主要竞争对手净利率对比公司与主要竞争对手净利率对比 资料来源：wind，华安证券

21、研究所 资料来源：wind，华安证券研究所 0 2 4 6 8 10 12 0 10,000 20,000 30,000 40,000 20019 研发费用(万元,左轴)研发占营收比(%,右轴) 15 20 25 30 35 40 45 20019 兆易创新(%)华邦(%)旺宏(%) -5 0 5 10 15 20 25 20019 兆易创新(%)华邦电(%)旺宏(%) 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 7 / 21 证券研究报告 图表图表 1010 存储器存储器产品分类产品分类

22、资料来源：华安证券研究所整理 图表图表 1111 存存储器层级结构储器层级结构 资料来源：电子发烧友、华安证券研究所 存储器 光学存 储 DVDCDCD- ROM等 半导体 存储 RAM:随机存 储器，断电 数据会丢失 SRAM:静态随机 存储器 DRAM:动态随机 存储器 异步存储：FP DRAM,EDO DRAM 同步存储:SDRAM 显存平 台:GDDR-1-4 笔记本平 台:LPDDR PC平 台:SDR,DDR1- 4 伪静态随机存储器 PSRAM ROM：只读 存储器，断 电数据不会 丢失 EEPROM PROM EPROM 掩膜ROM FLASH NOR FLASH 串行NOR

23、并行NOR NAND FLASH: eMMC， SSD,USB3.0 2D NAND 3D NAND 新型RAM： 断电数据不 会丢失 3D-Xpoint RRAM阻 变 MRAM磁 阻 FRAM铁 电 PCM相变 磁性存 储 磁盘、软盘、机械硬 盘等 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 8 / 21 证券研究报告 图表图表 1212 半导体存储器产品简介半导体存储器产品简介 分类分类 存储产品存储产品 简介简介 ROM：只读 存储器，断电 后数据不会丢 失 ROM Read only memory,即只读存储器，数据存入无法修改与删除,常用于系统

24、。 PROM 可编程只读存储器，只能永久写入一次数据，写错就报废。目前用处非常少。 EPROM 可擦除可编程只读存储器，高电压写入数据，紫外线下清空，弥补 ROM 不足。 EEPROM 电子式可擦除可编程只读存储器，写入与擦除都是电压下进行，弥补了 EPROM 的容易曝光缺失数据的不足。 Flash 全名叫 Flash EEPROM Memory,具备 ROM 与 RAM 的优势，可以用特定的程序修 改数据，快速的读取数据，写入很慢。 NorFlash 操作以 bit 为单位，bit 单元是并联的，适用数据量较小的场合。 NandFlash 以数据块为单位进行读取，bit 单元是串联的，适用于

25、数据量大 ROM。 RAM：随机 存储器，断电 丢失数据 RAM Random access memory,随机存储器。可以随时读取与存储，速度很快。数据的临 时存储器，断电后数据清零。 SRAM Static RAM,存储器只要通电，数据保持恒定，可以随机读取与存入。 DRAM Dynamic RAM,每隔一段时间，存储器会自动充电一次，内部数据会更新。 新型 RAM： 下一代技术变 革 3D-Xpoint 英特尔与美光研发中，基于电阻基础的存储技术，性能远超当前存储器。 RRAM 阻变式存储器，施加金属氧化物电压不同，电阻变化不用，控制电流流向。 MRAM 磁性随机存储器，用电流磁场进行编

26、制，不涉及电子穿越芯片材料，可以无限次 读写，不对芯片造成损伤。 FRAM 利用铁电效应实现数据存储，依靠电场实现晶体原子的运动，不受磁场干扰 PCRAM 利用硫系化合物在电流热作用下实现结晶与非结晶状态，从而改变电阻。 资料来源：CSDN，华安证券研究所 图表图表 1313 RAMRAM 组成结构及工作原理组成结构及工作原理 资料来源：科普中国，华安证券研究所 兆易创新（兆易创新（6 60398603986） 敬请参阅末页重要声明及评级说明 9 / 21 证券研究报告 图表图表 1414 SRAMSRAM 和和 DRAMDRAM 特点对比特点对比 存储信息存储信息 刷新刷新 速度速度 集成度

27、集成度 静态功耗静态功耗 动态功耗动态功耗 价格价格 用途用途 SRAM 触发器 不需要 快 低 低 高 高 CPU 中 CACHE DRAM 电容 需要 慢 高 高 低 低 内存条 资料来源：CSDN，华安证券研究所 图表图表 1515 ROMROM 组成结构及工作原理组成结构及工作原理 资料来源：科普中国，华安证券研究所整理 图表图表 1616 NORNOR FlashFlash 和和 NANDNAND FlashFlash 特点对比特点对比 读取速度读取速度 写入速度写入速度 擦除速度擦除速度 擦除单元擦除单元 读取代码读取代码 价格价格 用途用途 NOR Flash 极快 慢 慢 大 能 高 BIOS NAND Flash 慢 快 快 小 否 低 SSD 等 资料来源：CSDN，华安证券研究所整理 图表图表 1717 S SLCLC、MLCMLC、TLCTLC 性能对比性能对比 SLCSLC MMLCLC T TLCLC 每单位储存比特数量 1 2 3 可擦写次数 100000 3000 1000 读取时间 25us 50us 75us 编译速度 200-300us 600-900