1、pOrOqQoQqRmQpOtRnQqPmRaQ8Q7NsQoOoMmMfQqRqRfQtQrR8OpOsOxNsPpQvPrQnO 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 3 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 目录目录 一、下游需求旺盛驱动功率半导体市场规模增一、下游需求旺盛驱动功率半导体市场规模增长长 . 4 （一）功率半导体用途广泛，市场空间广阔 . 4 （二）新能源汽车产业发展提振功率半导体需求 . 6 （三）新能源发电装机量持续增长，带动功率半导体需求提升 . 10 （四）5G 时代四大场景，驱动功率半导体需求提升 . 11 （五）消

2、费电子为功率半导体带来巨大增量 . 12 二、晶圆代工产能紧张，有望带动功率半导体二、晶圆代工产能紧张，有望带动功率半导体价格上涨价格上涨 . 14 三、性能优势三、性能优势加速发展集成电路制造业;提升先进封装测试业发展水 平;突破集成电路关键装备和材料;并从成立国家集成电路产业发展领导小组、设立国 家产业投资基金、加大金融支持力度、落实税收支持政策、加强安全可靠软硬件的推 广应用、强化企业创新能力建设、加大人才培养和引进力度、继续扩大对外开放等八 个方面配备了相应的保障措施。 2015.05 国务院 中国制造 2025 着力提升集成电路设计水平，不断丰富知识产权 (IP)和设计工具，突破关系

3、国家信 息与网络安全 及电子整机产业发展的核心通用芯片，提升国产芯 片的应用适配能 力。掌握高密度封装及三维(3D) 微组装技术，提升封装产业和测试的自主发展能 力。形成关键制造装备供货能力。 2017.01 财政部、科技部、 国家发改委、工信 部 战略性新兴产业重点 产品和服务指导目录 2016 版） 明确电力电子功率器件的战略性新兴行业地位，包括 MOSFET，IGBT 及模块，12 英寸 以上大功率晶闸管，中小功率智能模块等 2017.09 国务院办公厅 国务院办公厅关于进 一步激发民间有效投资 活力促进经济持续健康 发展的指导意见 提出发挥财政性资金带动作用，通过投资补助、资本金注入、

4、设立基金等多种方式， 广泛吸纳各类社会资本，支持企业加大技术改造力度，加大对集成电路等关键领域和 薄弱环节重点项目的投入。 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 23 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 2020.08 国务院 国务院关于印发新时 期促进集成电路产业和 软件产业高质量发展若 干政策的通知 （国发20208 号） 规定了不同纳米级别、经营期限的集成电路生产企业或项目的企业所得税的优惠政 策，免除了进口自用生产设备、原材料及零配件的关税，从税收政策上支持集成电路 生产企业的发展。规定了集成电路的设计、装备、材料、封装、测试企业和软件

5、企业 的税收优惠。另外从投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策等八方面全 面支持集成电路产业的发展。 资料来源：国务院、国家发改委、工信部，民生证券研究院 （三）技术进步产能扩张，国产替代未来可期（三）技术进步产能扩张，国产替代未来可期 国内功率半导体厂商研发支出国内功率半导体厂商研发支出/人员不断扩大。人员不断扩大。近年来国内厂商加大研发投入，研发 支出快速增长， 多家厂商 2020 年度前三季度的研发支出已接近 2019 年全年水平， 研发人 员数量也呈快速增加趋势。 图图34:国内功率半导体厂商研发支出国内功率半导体厂商研发支出（万元）（万元） 图图35:国内功率半导体厂商研发人

6、员数量国内功率半导体厂商研发人员数量（人）（人） 资料来源：公司公告，民生证券研究院 资料来源：公司公告，民生证券研究院 部分产品技术水平已达到国外主流水准。部分产品技术水平已达到国外主流水准。持续的研发投入带来了国内功率半导体厂 商的技术进步。部分功率半导体产品已达到与国外主流竞品的同等技术水平。比如，华润 微已建立国内领先的 Trench-FS 工艺平台， 具备 600V-6500V IGBT 工艺能力， 在 MOSFET 方面可提供-100V 至 1500V 的全系列产品。斯达半导拥有基于第六代 Trench Field Stop 技 术的 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管

7、芯片技术。新洁能 MOSFET 国内领先，可 提供 12-250V 沟槽型/500-900V 超结/30-300V 屏蔽栅 MOSFET 产品，性能接近英飞凌主 流产品。 表表4:国内主要功率半导体厂商概况国内主要功率半导体厂商概况 公司名称公司名称 产业链环节产业链环节 市场地位市场地位 主要产品及技术储备主要产品及技术储备 MOSFETMOSFET 工艺工艺 IGBTIGBT 工艺工艺 新洁能 设计&封测 名列“中国半导体功率器件 十强企业”，2019 排名第 6 MOSFET，IGBT 等，储备 SiC 肖特基二极管工艺、氮化镓 功率 HEMT 工艺等 超结功率 MOSFET，对标 英飞

8、凌 cool-MOSTM 产品 斯达半导 设计&封装 2018 年 IGBT 领域全球排名 第 8，国内排名第 1 IGBT 模块（IGBT 芯片，快恢 复二极管芯片） 第六代 Trench Field Stop 技术的 1700V IGBT 3841 4904 5400 5241 2162 3284 3450 2910 2095 2604 3718 4879 0 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 6,000 斯达半导新洁能捷捷微电 145 22 31 65 81 100 120 0 20 40 60 80 100 120 140 160 斯达半导新洁能捷捷微电 本公

9、司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 24 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 闻泰科技 IDM 安世在多品种功率半导体细 分市场中排名全球前三，中 国 2020 年度最佳 IDM MOSFET 等，旗下安世半导体 的 GaN、SiC 器件（其中 GaN FET 已通过车规级认证，开 始向客户供货） RDS（on）最低的超微型 MOSFET,对标 NXP 相应产 品。 华润微 IDM 国内空间最大、品线最全的 功率半导体厂商，MOSFET 领域龙头 MOSFET、功率 IC、IGBT、二 极管等 中低压功率 SGT MOSFET 对标国际先进水平

10、最新的第六代 捷捷微电 IDM 消费电子晶闸管龙头,2019 年晶闸管全球市占率约 6%，国内市占率 45%以上 晶闸管、MOSFET、IGBT 等， 储备氮化镓技术、大功率半 导体器件 SGT 技术等 扬杰科技 IDM 功率器件产品线齐全，中国 半导体功率器件十强企业， 2016/2017 年都位列第二名 二极管、整流桥、MOSFET、 IGBT、硅片等，储备 SiC 功 率器件、MOS 系列产品等 推出 SGT NMOS 和 SGT PMOS N/P 30V150V 等系 列产品 ；英飞凌对应产 品电压规格为 12V- 300V。 槽场终止 1200V IGBT 芯片系列对应 英飞凌目前主

11、流产 品 士兰微 IDM 国内唯一的 8 英寸功率半导 体 IDM IGBT、Mini LED，高压、高 功率器件等产品 MOSFET、LED 芯片等 超薄片槽栅 IGBT （第六代技术） 立昂微 材料&制造 全球硅片排名第 7；国内硅 片市占率 30%，排名前列； 车载电源开关资格认证的肖 特基二极管芯片供应商 肖特基二极管芯片及 MOSFET 芯片、半导体硅片，射频芯 片，储备 GaN 器件 引进日本三洋半导体 MOSFETT 的完整知识产权 及工艺技术 派瑞股份 设计&制造 高压直流阀用晶闸管在国内 超高压和特高压直流输电工 程中拥有较高的市场份额 晶闸管系列产品 资料来源：各公司公告，

12、民生证券研究院 国内厂商国内厂商产能扩张产能扩张助力份额提升助力份额提升。 在技术进步的同时， 国内功率半导体厂商也不断加 大投资建厂步伐，扩大产能以提升市场份额。如：斯达半导投资 2.5 和 2.2 亿元用于新能 源汽车用 IGBT 模块扩产项目和 IPM 模块项目，士兰微投资 15 亿元用于 8 英寸生产线， 新洁能投资 3.2 亿元用于半导体功率器件封装测试产线。 表表5:国内主要功率半导体厂商概况国内主要功率半导体厂商概况 公司名称公司名称 项目名称项目名称 预计完工时间预计完工时间/建建 设周期设周期 预计年产量预计年产量 计划投资计划投资 总额（万总额（万 元元 派瑞股份 大功率电

13、力半导体器件及新型功率器件产业 化项目 2024 年 57,031 新洁能 半导体功率器件封装测试生产线建设 32,015 斯达半导 新能源汽车用 IGBT 模块扩产项目 IPM 模块项目 700 万个 25,000 22,000 士兰微 8 英寸生产线 2024 年 12 月 150,000 华微电子 8 英寸生产线 2020 年 96 万片 闻泰科技 12 英寸功率半导体自动化晶圆制造中心 2-3 年 1,200,000 资料来源：公司公告，民生证券研究院 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 25 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 通过

14、以上分析， 我们认为通过以上分析， 我们认为国内厂商有望凭借技术进步、 成本优势和快速响应能力实现国内厂商有望凭借技术进步、 成本优势和快速响应能力实现 国产替代国产替代、份额提升份额提升。当前功率半导体国产化率较低主要集中在高端产品领域。但功率半 导体行业因为技术迭代较慢、产品生命周期较长、投资强度相对较小的特点，有望成为国 产替代的最佳赛道。 当前国内功率半导体厂商凭借持续的研发投入， 部分产品的性能已达 到国际主流水平，在国内政策积极支持的有利条件下，有望凭借技术进步、快速响应能力 和成本优势完成国产替代，实现市场份额的大幅提升。 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声

15、明 证券研究报告 26 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 五五、投资建议投资建议 下游需求旺盛，带动功率半导体市场空间持续增长，叠加 8 英寸晶圆代工产能紧张，功率 半导体价格有望上涨，迎来量价齐升。国内厂商有望凭借技术进步、产能扩张、成本优势和快 速响应能力实现份额提升。建议关注：立昂微、斯达半导、华润微、新洁能、闻泰科技、扬杰 科技、捷捷微电。 立昂微：国内硅片龙头企业，布局肖特基二极管、立昂微：国内硅片龙头企业，布局肖特基二极管、MOSFET 功率芯片功率芯片。立昂微为国内硅 片龙头， 深耕硅材料领域 20 年， 掌握从拉单晶到外延片的完整硅片生产工艺， 产品覆盖 6/8

16、/12 英寸硅片，其中“12 英寸集成电路用硅片项目”建成后产能将达到 15 万片/月。公司同时切入 中游功率器件和砷化镓射频芯片制造领域， 打造从硅片到芯片的一站式制造平台。 功率半导体 产品包括肖特基二极管和 MOSFET 芯片，其中肖特基二极管的产能达到 10 万片/月。公司肖 特基芯片已经获得国际一流汽车电子企业博世和大陆集团的体系认证， 竞争优势显著。 射频芯 片方面，现有砷化镓射频芯片产能 3 万片/年，预计 2021 年 6 月底扩产至 7 万片/年。随着下 游需求旺盛，带动公司产能利用率提升，叠加明年新产能扩产，有望迎来业绩高增。 斯达半导： 专注于斯达半导： 专注于 IGBT

17、 模块产品， 市占率国内第一、 全球第模块产品， 市占率国内第一、 全球第八八。 公司自主研发设计 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片，并封装成 IGBT 模块对外销售，产品主要应用于工业控制、电源、 新能源汽车、变频白色家电等行业。2018 年公司在 IGBT 市场的份额位居国内第一、全球第 八，与上海华虹、上海先进等代工厂商合作多年，主要客户均为国内外大型企业。公司针对不 同客户的需求，开发出多种系列的 IGBT 模块产品，已经成为国内多家知名变频器企业的 IGBT 模块主要供应商， 并成功跻身于国内汽车级 IGBT 模块的主要供应商之列， 与国际企业 同台竞争，不断扩大市场份额。此外，在新

18、能源汽车和家电行业蓬勃发展的背景下，公司顺应 市场需求扩充产能提高市场竞争力，募集资金投入新能源汽车用 IGBT 模块扩产项目和 IPM 模块项目，完全达产后 IGBT 模块产能将达到 120 万个/年，年均利润增厚 0.64 亿元；IPM 模 块产能达到 700 万个/年，年均利润增厚 0.50 亿元。 华润微：国内功率华润微：国内功率 IDM 龙头，龙头，MOSFET 市占率国内第一市占率国内第一。公司是国内最大的功率器件 IDM 厂商，主要提供 MOSFET、IGBT、FRD、SBD 等功率器件产品。其中在 MOSFET 领域， 目前公司是国内少数能够提供 -100V 至 1500V 范

19、围内低、 中、 高压全系列 MOSFET 产品的 企业， 包括沟槽栅 MOS、 平面栅 VDMOS 及超结 MOS 等， 可以满足不同客户和不同应用场 景的需要。 新洁能：新洁能：MOSFET 产品系列齐全，对标国际一流厂商产品系列齐全，对标国际一流厂商。公司专注于 MOSFET、IGBT 等 半导体芯片和功率器件的研发设计， 按产品平台分为沟槽型 MOS、 超结 MOS、 屏蔽栅 MOS、 IGBT，产品覆盖 12V-1350V 电压范围、0.1A-350A 电流范围的多系列细分型号，产品性能已 接近国外主流厂商水平。公司未来将逐步加大超结、屏蔽栅、IGBT 产品的占比，达到 50%以 上，

20、 同时预计 2021 年推出第三代半导体产品， 丰富公司的产品系列和提升产品竞争力。 此外， 公司通过与代工厂商华虹合作， 成为国内第一个量产 12 英寸平台芯片产品的功率半导体厂商， 预计未来 12 寸产能将进一步增加。 闻泰闻泰科技：收购安世切入功率半导体，与科技：收购安世切入功率半导体，与 ODM 业务协同发展业务协同发展。公司是全球手机 ODM 龙 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 27 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 头企业，市占率稳居全球第一，同时积极拓展业务类型，目前已新增笔电、IoT 模块、CPE、 工业网关、TWS 耳

21、机等新产品线，加上对供应链的精细化管理，大幅提升盈利能力和市场竞 争力。此外，公司 2019 年顺利完成对安世集团的收购，纳入安世的半导体业务与传统的 ODM 业务形成互补。 安世是全球领先的功率半导体厂商， 在各细分产品领域的市占率均排在全球前 列，产品广泛应用于汽车电子、消费电子、计算机等领域，服务于博世、华为、苹果、三星等 国内外主流客户。在 5G 应用需求旺盛、汽车电子化程度不断加深的推动下，稳健增长、稳定 客户、稳定现金流的安世半导体将充分发挥与 ODM 业务的协同作用。 扬杰科技：不断优化晶圆线产品结构，持续向高端转型扬杰科技：不断优化晶圆线产品结构，持续向高端转型。公司采用 ID

22、M 的经营模式，主 要提供功率二极管、整流桥、三极管、MOSFET 和 IGBT 等功率器件，产品广泛应用于 5G、 电力电子、消费类电子、安防、工控、汽车电子等诸多领域。公司持续建设中高端二极管、 MOSFET、IGBT 等产品线，并同步推进碳化硅基同类晶圆和封装产线的建设，目前 PSBD、 TSBD 芯片已实现全系列量产并持续扩充新规格，LBD、TMBD、ESD 防护芯片、LOW VF 等 新产品已实现小批量多规格量产。 捷捷微电：国内晶闸管龙头，逐步拓宽功率器件产品种类捷捷微电：国内晶闸管龙头，逐步拓宽功率器件产品种类。公司以晶闸管业务起家，至今 已有 25 年研发历史，2019 年晶闸

23、管业务营收超过 3.3 亿元，以 2019 年全球晶闸管 7.78 亿美 元的市场空间计算，公司的全球市占率约为 6.06%，是国内晶闸管行业的龙头企业。此外，公 司积极拓宽产品系列，向功率器件全领域延伸，目前主要产品包括晶闸管器件和芯片、防护类 器件和芯片、二极管器件和芯片、MOSFET 器件和芯片、碳化硅器件等。 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 28 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 六六、风险提示风险提示 下游下游需求不及预期需求不及预期。 功率半导体是新能源汽车领域、 工业电子领域和消费电子领域使用的 核心元器件。 若未来新能源

24、汽车渗透率不及预期， 家电销售不及预期， 5G 基础建设不及预期， 功率半导体出货都会受到影响。 客户认证不及预期客户认证不及预期。高端功率半导体器件中，国外厂商市占率较高。若国内终端厂商对功 率器件认证进度缓慢，实现期间国产化的进程将受影响。 国产替代国产替代不及预期不及预期。 目前功率半导体器件中， 只有二极管可做到全面替代， MOSFET， IGBT 等中高端器件替代率较低。 若国内厂商研发进度不及预期， 将会对国内厂商经营业绩产生影响。 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 29 Table_Page 深度研究深度研究/电子电子 插图目录插图目录 图

25、 1: 功率半导体的应用领域 . 4 图 2: 功率半导体按类型分类 . 4 图 3: 全球功率半导体市场空间（亿美元） . 5 图 4: 中国功率半导体市场空间（亿美元） . 5 图 5: 2019 年全球功率半导体下游应用领域占比 . 5 图 6: 2019 年中国功率半导体下游应用领域占比 . 5 图 7: 全球主要国家二氧化碳排放管理与发展 . 6 图 8: 纯电动汽车结构图. 7 图 9: 中国汽车、新能源汽车销量测算（万辆） . 7 图 10: 新能源电动汽车直流充电桩控制电路图 . 8 图 11: 新能源电动汽车交流充电桩控制电路图 . 8 图 12: 中国充电桩保有量与测算（万

26、辆） . 9 图 13: 采用全桥拓扑架构的光伏逆变器电路 . 10 图 14: 光伏逆变器成本结构占比 . 10 图 15: 带动功率半导体增长的四个 5G 场景 . 11 图 16: 不同通信制式下基站耗电量对比图 . 11 图 17: 4G、5G MIMO 功率半导体用量对比 . 11 图 18: 快速充电器电路示意图 . 12 图 19: 单机家电平均功率半导体使用量（欧元） . 13 图 20: 全球家电出货量（百万台） . 13 图 21: 部分 8 英寸晶圆代工厂产能利用率 . 14 图 22: 全球 8 英寸厂和 12 英寸厂数量变化 . 15 图 23: SiC 器件的主要应

27、用领域 . 16 图 24: SiC，GaN，Si 在功率半导体器件中的渗透率 . 17 图 25: SiC 功率元件市场发展与应用趋势（亿美元） . 18 图 26: GaN 功率元件市场发展与应用趋势（亿美元） . 18 图 27: 2017 年功率半导体各器件国产化率 . 19 图 28: 2018 年全球功率半导体分立器件及模组的竞争格局 . 19 图 29: 中国二极管及类似半导体器件进出口情况 . 20 图 30: 2018 年全球 IGBT 分立器件市场格局 . 20 图 31: 2018 年全球 MOSFET 分立器件市场格局 . 20 图 32: 2019 年国内功率半导体厂商营收（亿人民币） . 21 图 33: 英飞凌各代 IGBT 产品进入市场后收入变化情况 . 21 图 34: 国内功率半导体厂商研发支出（万元） . 23 图 35: 国内功率半导体厂商研发人员数量（人） . 23 表格表格目录目录 表 1: 中国新能源汽车功率半导体市场空间测算 . 8 表 2: 中国充电桩 IGBT 市场空间测算 . 9 表 3: 功率半导体行业政策梳理 . 22 表 4: 国内主要功率半导体厂商概况 . 23 表 5: 国内主要功率半导体厂商概况 . 24