【公司研究】斯达半导-投资价值分析报告：本土IGBT龙头受益国产替代进程加速-210312（41页）.pdf

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1、压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化项目，达产后可形成年产 36 万片功率半导体芯片的产能;2)7 亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目，达产后预计可形成年产 400 万片功率模块的产能; 3) 8 亿元用于补充流动资金。公司原本采取的是“Fabless+ 封装”的模式，本次募投项目投产后，也将具备晶圆制造能力。但需要注意的是，公司并非要转型为纯 IDM 模式，本次建设的晶圆产线为一条 6 寸线，产品规划为高压特色功率芯片(面向 3300V 及以上的智能电网和轨道交通领域)和 SiC 芯片(面向电动车)，与现有代工厂的工艺平台(6501700V，且未布局 SiC 产线

2、)形成差异化。因此预计未来公司在 6501700V 的 IGBT 芯片领域仍将与代工厂保持良好合作，同时通过自建产线加快布局 33006500V IGBT 芯片以及 SiC 芯片，在实现转型升级的同时打开更大成长空间。IGBT 是关系国民经济命脉的电力电子领域核心器件，但国内自给率不足 15%。IGBT 可实现电能转换和电路控制，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，广泛应用于工业控制、新能源车、光伏风电、高铁动车等诸多关系国计民生的关键领域，属于事关国家发展的基础性产品。由于中国 IGBT 工艺基础薄弱且产业化起步较晚，目前国内 IGBT 产品仍主要依赖进口，根据工信部数据，2018 年我国 IGBT 自给率不足 15%。

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