2021年光刻胶产业链与全球格局分析报告（80页）.pdf

编号：38549

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2021年光刻胶产业链与全球格局分析报告（80页）.pdf

1、半导体光刻胶发展史:技术不断迭代半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。随着IC集成度的提高，世界集成电路的制程T艺水平已由微米级进入纳米级。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)一i线(365nm)- +KrF(248nm)- + ArF(193nm)- +F2(157nm)-EUV(1 3.5nm)的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。根据摩尔定律，光源波长与加工线宽呈线性关系，当采用低于248nm的深紫外光，将在单位面积半导体光刻胶的发展趋势

2、随着ArF技术的成熟，光网增强技术、近X- 射线技术、例子投影技术、电子束直写技术，将工艺节点推进至7nm。但是，7nm节点的沉浸式ArF光刻技术需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度高。因此，晶圆工厂迫切现需要下一代EUV光刻技术。全球EUV光刻机龙头ASML于2006年成功开发第一台分辨率40nm的原型机Alpha Demo Tools。在这之后，EUV技术从原理到材料逐渐成熟起来。2019年5月，台积电7nm + EUV开始批量生产。这是台积电第一次，也是行业第一次量产EUV技术。 2020年2月20日，三星宣布其首条基于EUV技术的半导体产线V1已经开始大规模量产。自此，台积电和三星都已进入EUV的时代。随着线宽的继续缩小，我们认为，EUV光刻胶的进一步前进方向在分子玻璃光刻胶和金属氧化物光刻胶。上实现更高的电子元件集成度，进而大幅提升芯片性能。

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