【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）.pdf

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IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入 IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛(为了实现大功率化)。具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺(如Taiko、Temporary Bonding 技术)进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退火技术来精确控制硅片面的能量密度。特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200m，对于要求较高的器件，甚至需要减薄到6080m。当硅片厚度减到100-200m的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎和翘曲。从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重背面高能离子注入(氢离子注入)，容易导致裂片，对设备和工艺要求更高

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