1、激光技术已渗透入 OLED 柔性屏产线的多道工艺。例如阵列段的基板制造过程中，LTPS(高质量低温多晶硅)结晶化技术主要依托ELA(准分子激光退火);成盒段中的激光剥离(LLO)技术是分离柔性基底和刚性背板的关键工序;在模组段，激光切割技术逐渐成为 OLED 屏幕主流切割工艺;在OLED 全制程中均可采用激光修复工艺，以提高产品的良品率。准分子激光器领导OLED中的准分子激光退火技术(ELA)。应用在AMOLED中最成熟的TFT 背板技术是低温多晶硅(LTPS)技术。在LTPS 技术中，最重要的工艺难点即为多晶硅沟道层的制备。工艺流程中首先使用 PECVD 等方法在不含碱离子的玻璃基板上淀积一
2、层非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅结构，从而减少缺陷并得到较高的电子迁移率。对 LTPS 结晶化技术而言，激光结晶化技术尤其是准分子激光退火(ELA)技术在小尺寸应用方面已经较为成熟，全球已经量产的 AMOLED 产品基本都使用了 ELA 技术。激光切割技术已广泛应用于柔性OLED 产线。随着柔性AMOLED、5G时代的来临，3D 曲面造型及玻璃材质将成为手机的标准配置。对于手机全面/曲面屏的普及，其屏幕通常有别于传统的四方形状，大都带有异形。从OLED(硬屏)的结构来看，切割时需要将两层玻璃按照尺寸和加工边缘的要求进行切割。用传统刀轮切割方式
3、加工比较困难，容易出现崩边大，裂纹等问题，导致切割良率比较低下;再加上对显示面板要求日趋变薄，对于超薄玻璃的加工，传统切割方式更加难以解决。激光切割(尤其是超快激光切割)具有切割尺寸精度高、切口无毛刺、切缝不变形、切割速度快且不受加工形状限制等特点，此外激光采用非接触加工方式，具有先天的优势。因此激光切割技术已广泛应用于 OLED 产线中。针对OLED 屏幕，激光切割可以做到两层玻璃一次性切断，并且可异形切割，具有切割边缘崩边小，精度高，无裂纹等优点。激光剥离技术(LLO)是柔性OLED 面板的制备过程中核心工艺之一。S2S柔性显示面板制备方法是在载体玻璃基板上沉积聚合物薄膜，而后采用激光剥离
4、的方式，从基板上将柔性屏幕剥离下来。OLED 面板制作过程中，终端基底材料难以承受沉积、蒸镀等工艺的高温而极易发生损伤变形一直是柔性器件制造技术中的共性问题,需要在制造前期以玻璃、蓝宝石、硅片等刚性材料作为搭载基底,然后再通过后期的剥离工艺完成器件向柔性基底的转移.相比于化学剥离、机械剥离和离子束等其他高能束剥离,激光剥离技术具有能量输入效率高、器件损伤小、设备开放性好、应用方式灵活等优势,更易满足低损高效及大规模工业化生产加工的需求,已成为柔性电子器件制造核心工艺之一。超快激光有望成为未来LLO 主流技术。紫外波长的准分子激光是激光剥离技术最常用的能量源,但准分子激光纳秒级脉宽能量注入所带来的热损伤,一直是应用中难以克服但又必须克服的技术难点。超快激光的能量输入直接作用于材料分子振动的时间尺度,对辐照热效应具有突出的抑制效果,更适合柔性器件制造的低损伤和高选择性要求,有望取代纳秒级脉宽激光成为未来激光剥离技术的主流激光源。
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