2021年全球存储器市场及深科技公司产业链布局分析报告（44页）.pdf

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2021年全球存储器市场及深科技公司产业链布局分析报告（44页）.pdf

1、DRAM 先进制程不断突破，1z 制程已开始量产。同时，DRAM 的先进工艺制程已突破 20nm，并逐渐向 10nm-class 过渡。10nm-class 的 DRAM 制程主要包括 1x、1y、1z 等，其中 1x 相当于 1619nm 制程、1y 相当于 1416nm 制程，1z-nm 则相当于 1214nm 制程。以 1x、1y、1z 为代表的的先进制程可以大幅缩小 DRAM 的存储单元间距，从而实现更高的存储密度、更低的能耗以及更大的产能。目前，三星、海力士和美光均在努力推进先进制程的研发和量产。 2019 年 3 月，三星宣布研发出第三代 1z 制程的 8GB DDR4 产品;美光

2、于 2019 年 8 月大规模量产 1z 制程的 16GB DDR4 产品;此后，海力士于 2019 年 10 月也宣布推出基于 1z 制程的 16GB DDR4 产品，且产能相较前代 1y 制程产品提升约 27%，功耗降低了 40%。2020 年 8 月，三星宣布其韩国平泽生产线已开始量产业界首款采用极紫外光(EUV)技术的 16GB LPDDR5 DRAM，新的 16GB LPDDR5 基于三星第三代 10nm 级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量，LPDDR5 封装也比上一代产品薄 30%;2021 年 1 月，美光公布其用于 DRAM 的 1新工艺，该技术

3、有望将 DRAM 位密度提升 40%，功耗降低 15%。1工艺最初被用于生产 DDR4 和 LPDDR4 内存，未来或将但覆盖美光所有类型的 DRAM;2021 年 2 月，海力士宣布其韩国京畿道 M16 新厂竣工，公司计划运用 EUV 光刻机，从 2021 年下半年起生产第四代 1a 纳米级 DRAM 产品。DRAM 先进制程占比逐步提升。目前，1x 制程已成为 DRAM 的主流制造工艺，1y 制程占比提升显著。随着三星、海力士和美光等厂商持续推进 1z 和更先进制程的量产， DRAM 的先进制程占比持续提升，有望推动 DRAM 市场的进一步发展。根据智研咨询的数据，2018 年，全球 DRAM 存储器的出货量已达 1063GB，同比增长 12.13%。根据 Yole 的数据，2020 年全球 DRAM 存储器市场规模有望达 870 亿美元，同比增长 17.57%，未来有望保持持续增长。

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