1、目前，公司采用 Fabless 经营模式，主要从事功率半导体产品的研发、设计和销售，并为客户提供系统解决方案。功率器件业务方面，公司进行产品研发、设计，将晶圆制造、封装测试等主要生产环节外包给供应商进行，并通过直销或经销方式销售产品。系统解决方案业务方面，公司进行产品研发、设计，采购所需元器件，委托供应商按照公司设计的电路拓扑1进行电路板及线缆加工，之后自主或委托供应商完成产品组装与测试，并主要通过直销方式对外销售。未来，公司还将通过自建 8 英寸功率半导体外延片产线的方式，自主掌控超结 MOSFET、IGBT 等公司核心产品晶圆制造过程中的特色工艺环节，增强产能保障，提高产品一致性与可靠性，
2、提高研发效率，逐步实现由 Fabless 模式向Fab-Lite 模式的转变。公司是国内领先的功率半导体设计公司之一，自设立以来便投入功率器件的研发设计，具备独立的功率 MOSFET 芯片设计能力和工艺技术平台，掌握了超结 MOSFET、屏蔽栅沟槽 MOSFET 等特色工艺技术，并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司研发形成的“超结金属氧化物半导体场效应管的研发及产业化”项目获得 2019 年度陕西省技术发明奖二等奖，牵头或参与制定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范(SJ/T 9014.8.2-2018)、碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范(T/CASA 001-2018)、
3、硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法(GB/T 39145-2020)等国家、行业标准。公司是行业中较早掌握超结理论，并量产超结 MOSFET 的公司之一，早在2016年公司的超结L1、L2平台部分产品便被英飞凌列入同类产品竞品参照列表。公司是国内少数拥有超结 MOSFET、平面型 MOSFET、屏蔽栅沟槽 MOSFET 和沟槽型 MOSFET 四大主流功率 MOSFET 产品类别的公司，产品型号超过 500 种，可满足客户多元化的需求。截至本招股说明书签署日，公司已取得与主营业务相关的国家专利 32 项(其中发明专利 22 项)、集成电路布图设计登记证书 104 项。公司是行业
4、中较早掌握超结理论，并量产超结 MOSFET 的公司之一，早在2016年公司的超结L1、L2平台部分产品便被英飞凌列入同类产品竞品参照列表。公司基于对超结理论的深入理解和市场判断，基于华虹宏力的平台开发 250V 系列中低压超结 MOSFET，是国内率先将超结技术应用于中低压产品的厂商，公司 250V 超结 MOSFET 产品的比导通电阻 Rsp2相较于同电压平台的屏蔽栅沟槽MOSFET 低 30%以上，极大提高了功率密度和系统效率。基于“新平台新产品派生产品”的研发模式，公司成为国内少数拥有超结 MOSFET、平面型 MOSFET、屏蔽栅沟槽 MOSFET 和沟槽型 MOSFET 四大主流功
5、率 MOSFET产品类别的公司，产品型号超过 500 种，可满足客户多元化的需求。公司的功率 MOSFET 产品在提高功率密度，降低功率损耗、提高系统效率，增强器件鲁棒性等方面具有比较优势，技术水平处于国内领先地位：公司功率 MOSFET 核心技术指标比导通电阻 Rsp 处于国内领先水平，有利于提高功率密度，降低终端产品尺寸。公司 650V 超结 MOSFET 产品的 Rsp达到了 16.45m*cm2，而英飞凌先进的 CoolMOSTM P7 系列产品 Rsp 为8.80m*cm2，公司与行业龙头的核心技术指标差距不断缩小，并与国内同行业公司相比处于领先水平。公司陆续研发量产的沟槽型 MOSFET、平面型 MOSFET和屏蔽栅沟槽 MOSFET 也具有较低的比导通电阻。公司功率 MOSFET 拥有较低的品质因子 FOM，有利于降低功率损耗，提高系统效率。公司的各类 MOSFET 产品在保持较低的导通损耗下降低栅极电荷，满足客户更低能耗、更高效率的要求。公司各类产品的 FOM 值处于国内领先水平。
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