捷佳伟创-HJT整线设备供应商技术突破打开成长新空间-210829（24页）.pdf

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1、AL-BSF 改造为 PERC 产线并不复杂，但效率提升明显。从产线改造角度看，铝背场电池技术的生产工艺主要包括清洗制绒、扩散制结、蚀刻、制备减反射膜、印刷电极、烧结及自动分选七道工序和关键设备。绝大多数设备竞争较为激烈，捷佳伟创、北方华创、迈为股份等国内厂商在产线前端和后端分别进行设备布局。PERC 电池只需在铝背场基础上增加钝化叠层和激光开槽两道工序，所需设备包括增加PECVD 和激光开槽设备，也均实现国产化。而从效率提升角度看，根据 CPIA 数据，截至 2020 年，PERC 电池平均转换效率 22.8%，而传统铝背场的转换效率则不足20%，效率提升是加速PERC 产能占比提升的核心因

2、素之一。TOPCon 电池可由 PERC 产线改造。隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳能电池于 2013 年由德国 Fraunhofer 太阳能研究所首次提出。主流 TOPCon 电池采用N 型硅片，首先在电池背面制备一层 12nm 的隧穿氧化层，再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。TOPCon电池可由 PERC 产线改造，包括增加硼扩散设备，背面的 SiO2 隧穿层和掺杂多晶硅层分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积)中沉积，因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD、退火炉和湿法刻蚀设备。TOPCon 设备中，

3、扩散设备、PECVD、印刷设备占产线价值量是 33%、17%、15%，设备本身在 N 型电池中国产化程度更高，成熟度更高。目前 TOPCon 最大的任务是简化工艺降低成本，从目前产业化发展的进展看， LPCVD 是目前主流工艺路线。主要包括三种工业化流程，以捷佳伟创为代表的国内厂商均有所布局：方法一：本征+扩磷。LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺。此工艺成熟且耗时短，生产效率高，已实现规模化量产，但绕镀和成膜速度慢是目前最大的问题。该技术为目前 TOPCon 厂商布局的主流路线。方法二：直接掺杂。LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕

4、度，但扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的 LPCVD，投资成本高、良率更高。方法三：原位掺杂。PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用 PECVD 制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。但仍存在气体爆膜现象导致良率偏低，稳定性有待进一步观察，因此产业化进程较慢。异质结电池(HJT)：在 N 型晶体硅片正反两面依次沉积厚度为 510nm 的本征和掺杂的非晶硅薄膜以及透明导电氧化物(TCO)薄膜，从上到下依次形成了 TCO-N-i-N-i-P-TCO 的对称结构。HJT 优势明显，包括： HJT 电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和 TCO 以及双面印刷电极，其结构对称、工艺相对简单低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 PN 结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度，避免了传统晶体硅电池形成PN 结获得较高的转换效率。HJT 电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压由于电池上表面为 TCO 导电玻璃，电荷不会在电池表面的 TCO 上产生极化现象和PID 现象(电势诱导衰减)。

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