1、Rambus 体量较小、科研能力较落后。Rambus 是一家主攻接口 IP 和内存接口芯片的公司，2018 年内存接口芯片市场份额约 6%。2020Q22021Q2 的总营收分别为 62/57/62/71/85 百万美元，其中专利使用费依次为 19/17/28/29/42 百万美元，产品销售收入依次为 32/30/22/31/31 百万美元，合同和其他收入依次为 11/11/12/11/12 百万美元。由此可知 Rambus 近几个季度营收的增长主要来源于专利使用费的增加，产品销售额并没有发生重大变化。根据 Rambus 年报披露，虽然近年 Rambus 市场份额有一定增长，但公司内存接口芯片

2、更多面向中低端市场，且订单大多为短期、紧急并且没有定金的订单，市场认可度较低。公司技术水平与竞争对手差距较大，没有 LRDIMM 解决方案，在 DDR5 时代很难赶超澜起科技和 IDT。Rambus 在 DDR5 研发方面取得了一定突破。2017 年 9 月，Rambus 宣布在其实验室开发出了 DDR5 DIMM 芯片。2021 年 10 月 14 日，Rambus 宣布了第二代 DDR5 RCD(寄存时钟驱动器)芯片，业界第一个将频率做到了 5600MHz，相比第一代的 4800MHz 提速多达 17%，并且已经试产，并提供给各大内存模组厂商。IDT 被瑞萨电子收购，内存接口芯片业务战略地

3、位下降。IDT 是一家主攻混合信号集成电路公司，主要产品包括硅定时、无线电源、5G RF、传感器和接口&连接产品，面对的对象不仅限于服务器，也包括台式机、笔记本和其他存储设备。其中内存接口芯片与澜起科技直接竞争，2018 年全球业务市场份额占 42%。IDT与 2019 年 3 月被日本瑞萨电子收购，根据瑞萨电子披露，瑞萨电子本次收购旨于增强其在自动驾驶和 5G 领域的市场地位，主要看重 IDT 在模拟混合信号领域的竞争优势。为配合瑞萨电子战略发展目标，我们预计 IDT 重心将会在时钟、传感器和 RF 产品上，而内存接口芯片业务会被置于相对次要地位，未来市场占有率可能会有一定程度降低。

4、IDT 近年来也在 DDR5 领域取得了成绩。2017 年 10 月，IDT 发布业界首个 DDR5服务器内存模块电源管理 IC;2018 年 1 月，IDT 开始对下一代数据中心的 DDR5注册时钟驱动器(RCD)进行采样;2019 年 3 月，IDT 发布业界首款用于 DDR5服务器内存模块的 SPD Hub IC;2019 年 10 月，IDT 发布业界首个 DDR5 客户端内存模块电源管理 IC;2020 年 9 月，瑞萨电子推出面向高性能服务器和云服务应用的 DDR5 数据缓冲器。技术+认证双壁垒高企，新厂家难以突破。内存接口芯片行业工艺和制造技术难度高、研发周期长，较高的技术壁垒使

5、得行业龙头企业在短时间内难以被赶超。DDR5 是 JEDEC 标准定义的第 5 代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与DDR4 相比，DDR5 采用了更低的工作电压(1.1V)，同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步，其支持的最高速率可能超过 6400MT/S，是 DDR4 最高速率的 2 倍。公司自主研发的 DDR5 第一子代内存接口芯片包括 RCD 芯片和 DB 芯片。RCD 芯片支持双通道内存架构，符合 JEDEC 标准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V 工作电压，更为节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于 RDIMM 之外，还可以与 DDR5 DB 芯片组成套片，用

6、于 LRDIMM，以提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。DB 芯片是一款 8 位双向数据缓冲芯片，该芯片与 DDR5 RCD 芯片一起组成套片，用于 DDR5 LRDIMM。该芯片符合 JEDEC 标准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V 工作电压。在 DDR5 LRDIMM 应用中，一颗 DDR5 RCD 芯片需搭配十颗 DDR5 DB 芯片，即每个子通道配置五颗 DB 芯片，以支持片上数据校正，并可将数据预取提升至最高 16 位，从而为高端多核服务器提供更大容量、更高带宽和更强性能的内存解决方案。公司实现 DDR5 第一子代相关产品量产。2021 三季报显示，公司完成了 DDR5 第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片正式量产前的准备工作。2021 年 10 月，公司 DDR5 第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片已成功实现量产，包括寄存时钟驱动器(RCD)、数据缓冲器(DB)、串行检测集线器(SPD)、温度传感器(TS)和电源管理芯片(PMIC)。针对 DDR5 第二子代内存接口芯片及内存模组配套芯片的相关技术标准，公司正积极参与 JEDEC 组织相关技术讨论和标准制定工作。