1、 2022021 1年年1212月月2626日日 东芯股份东芯股份( (688110688110):):本土本土中小容量中小容量存储芯片领存储芯片领导者，受益于利基型市场爆发导者，受益于利基型市场爆发 推荐推荐 ( (首次首次) ) 投资要点投资要点 基本数据基本数据 20212021- -1 12 2- -2626 当前股价（元） 45.51 总市值（亿元） 201.3 总股本（百万股） 442.2 流通股本（百万股） 84.8 52周价格范围（元） 44.7-52.67 日均成交额（百万元） 1,060.6 市场表现市场表现 资料来源：Wind，华鑫证券研究 存储行业存储行业市场广阔市场广

2、阔，新兴行业，新兴行业崛起带来契机崛起带来契机 存储芯片为整个集成电路市场中规模占比最大的细分领域，2021年占比达到35.05%。随着汽车电子、5G通讯、物联网、可穿戴等新兴领域的崛起，存储芯片在整个产业链中扮演的角色将更加重要。根据IC Insights预测，2021-2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1,552亿美元、1,804亿美元及2,196亿美元，增幅分别达到 22.5%、16.2%和21.7%。国内市场方面，世界半导体贸易统计协会预计2023年国内存储芯片市场规模将达6,492亿元。从竞争格局来看，从竞争格局来看，目前全球储存芯片市场被海外企业垄断，头部集中度高，但整个市

3、场呈现分化现象，中小容量存储市场存在差异化发展机遇，目前中小容量存储芯片供应商主要为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新和东芯股份等企业，其中华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额，未来随着国产化需求的不断提高，大陆企业有望迎来良好的发展契机。 聚焦中小容量市场，具备清晰自主知识产权聚焦中小容量市场，具备清晰自主知识产权 东芯股份成立于2014年，聚焦中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM内存以及MCP的设计、生产和销售，是中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM产品并在中小容量闪存芯片市场与全球同行业知名公司直接竞争并突破海外技术垄断的公司之

4、一。公司核心技术均来源于自主研发，包括6项NAND Flash相关技术、2项NOR Flash相关技术以及1项DRAM相关技术，产品工艺制程国内领先。供应链方面，公司已与中芯国际、力积电等知名晶圆代工厂商以及紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。下游客户方面，下游客户方面，公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、大华股份、歌尔股份、传音控股、中兴通讯、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，未来有望逐步放量。2021年前三季度，公司实现营业收入7.85亿

5、元，同比增长32.75%，实现归母净利润1.68亿元，同比增长923.57，同时盈利能力持续提升，毛利率达到38.59%，创下历史新高，净利率达到23.29%。 布局布局1xnm1xnm和车规级等高阶产品带来长期成长和车规级等高阶产品带来长期成长 募投7.5亿元布局四大项目：1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目-10%-5%0%5%10%东芯股份沪深300证证券券研研究究报报告告 公公司司深深度度报报告告 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 2 诚信、专业、稳健、高效 和补充流动资金。其中1xnm闪存项目系公司与中芯国际合作研发

6、，旨在实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，加速实现国产替代。车规级存储项目则是公司顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的高附加值车规级存储芯片以提升竞争力。此外，公司研发中心项目包括研发存算一体化芯片、DTR NAND 等前瞻性产品，旨在拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品结构，改善盈利中枢，为长期发展确立竞争优势。 盈利预测盈利预测 预测公司2021-2023年收入分别为11.71、15.

7、44、20.86亿元，EPS（暂未考虑超募资金做其他用途）分别为0.55、0.76、0.99元，当前股价对应PE分别为82、60、46倍，给予“推荐”投资评级。 风险提示风险提示 存储行业产品价格周期下行风险；技术升级导致产品迭代不及预期风险；所处市场规模较小，市占率存在进一步降低风险；成本尚不具备规模优势风险；国际贸易摩擦风险；募投项目进度不达预期的风险等。 预测指标预测指标 20202020A A 20202121E E 20202222E E 20202323E E 主营收入（百万元）主营收入（百万元） 784 1,171 1,544 2,086 增长率（增长率（% %） 15.5% 4

8、9.3% 31.8% 35.1% 归母净利润（百万元）归母净利润（百万元） 20 245 335 436 增长率（增长率（% %） -130.6% 1152.0% 37.0% 30.3% 摊薄每股收益（元）摊薄每股收益（元） 0.06 0.55 0.76 0.99 ROEROE（% %） 3.1% 6.3% 8.1% 9.7% 资料来源：Wind资讯、华鑫证券研究 qRrPmOoQrNxPoMpMyRyQyRaQdN9PnPoOoMpOlOoPsQjMsQzR8OmNqQNZoOmNxNnMnN证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 3 诚信、专业、稳健、高效 正文正文目录目录

9、1、 广阔存储市场，新型应用+差异布局带来发展契机 . 6 1.1、 集成电路持续高景气，存储市场规模占比第一 . 6 1.2、 各有所长，三大主流存储产品持续演进 . 7 1.3、 发展新契机，新兴行业崛起加速产业发展 . 10 1.4、 头部效应显著，中小容量细分市场带来机遇 . 13 2、 东芯半导体：本土中小容量存储芯片领导者，受益于利基型市场爆发 . 15 2.1、 存储东方之芯，产品覆盖三大主流存储芯片 . 15 2.2、 自主知识产权，差异化竞争聚焦中小容量市场 . 21 2.3、 完备供应链体系，与中芯国际建立战略合作关系 . 23 2.4、 广泛平台认证，期待销售逐步放量 .

10、 24 2.5、 布局1xnm和车规级等高阶产品，发展潜力巨大 . 24 3、 关键假设. 27 4、 投资建议与盈利预测 . 29 5、 风险提示. 29 图表图表目录目录 图表1：全球集成电路市场规模（单位：亿美元） . 6 图表2：2021年全球集成电场细分行业市场规模占比 . 6 图表3：存储芯片分类 . 7 图表4：2020年全球存储芯片细分产品占比 . 7 图表5：三类存储产品差异性比较 . 8 图表6：NAND Flash分类 . 8 图表7：NAND Flash晶体管结构图及剖面图 . 8 图表8：NOR Flash晶体管结构图及剖面图 . 9 图表9：DRAM晶体管结构 .

11、9 图表10：DRAM产品持续迭代演进 . 9 图表11：存储芯片技术发展趋势 . 10 图表12：全球存储芯片市场规模（单位：十亿美元） . 10 图表13：中国存储芯片市场规模（单位：亿元） . 10 图表14：存储器是智能驾驶关键 . 11 图表15：全球ADAS中NAND Flash需求（单位：亿GB） . 11 图表16：5G通讯、物联网、TWS耳机和AMOLED等下游持续增长 . 12 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 4 诚信、专业、稳健、高效 图表17：全球SLC NAND市场规模（单位：亿美元） . 12 图表18：全球NOR Flash市场规模（单位：亿

12、美元） . 12 图表19：全球DRAM市场规模（单位：亿美元） . 13 图表20：2020年全球存储芯片企业市场份额 . 13 图表21：全球存储芯片市场参与者 . 13 图表22：中国存储芯片行业发展历程 . 14 图表23：公司发展历程 . 15 图表24：公司股权结构及其控股公司 . 16 图表25：公司主要产品类别 . 16 图表26：公司产品下游应用领域 . 16 图表27：2017-2021年公司营业收入及净利润 . 17 图表28：2017-2021年子公司Fidelix营收及净利润 . 17 图表29：公司毛利率及净利率情况 . 18 图表30：公司期间费用情况 . 18

13、图表31：公司各系列芯片销售占比情况 . 18 图表32：公司各系列芯片毛利率情况 . 18 图表33：公司NAND系列各细分产品占比 . 19 图表34：公司NAND系列产品销量及单价（万颗，元/颗） . 19 图表35：公司NOR系列各细分产品占比 . 20 图表36：公司NOR系列产品销量及单价（万颗，元/颗） . 20 图表37：公司DRAM系列各细分产品占比 . 20 图表38：公司DRAM系列产品销量及单价（万颗，元/颗） . 20 图表39：公司MCP产品销量及单价（万颗，元/颗） . 21 图表40：公司研发投入情况 . 21 图表41：公司研发人员占比 . 21 图表42：公

14、司自主研发的核心技术 . 22 图表43：公司产品覆盖中小容量存储 . 22 图表44：公司产品制程国内领先 . 22 图表45：公司产品技术水平与国际主流水平及国内其他水平对比. 23 图表46：公司具备稳定可靠供应链体系 . 24 图表47：公司终端客户开发情况 . 24 图表48：公司募投项目情况(单位:万元) . 25 图表49：公司募投项目丰富拓展自身产品结构 . 25 图表50：公司布局的1xnm闪存芯片为国内先进制程产品 . 25 图表51：2025年全球汽车存储IC市场规模83亿美元 . 26 图表52：全球汽车存储IC市场规模情况（单位：亿美元） . 26 证券研究报告证券研

15、究报告 请阅读最后一页重要免责声明 5 诚信、专业、稳健、高效 图表53：消费电子和汽车领域半导体参数要求对比 . 26 图表54：公司研发中心研发项目情况 . 26 图表55：分项目业务财务假设（亿元，%） . 28 图表56：东芯股份可比公司估值 . 29 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 6 诚信、专业、稳健、高效 1 1、 广阔存储市场广阔存储市场，新型应用，新型应用+ +差异布局带来差异布局带来发展契机发展契机 1.11.1、 集成电路持续高景气，集成电路持续高景气，存储存储市场规模占比第一市场规模占比第一 根据WSTS数据显示，2015-2018年全球集成电路市

16、场规模保持不断增长，从2015年的 2,745亿美元增长至2018年的3,933亿美元，年均复合增长率达12.73%。受国际贸易摩擦影响，2019年全球集成电路行业市场规模为3,304亿美元，较2018年下降16.00%。随着 5G通信、新能源汽车、物联网、人工智能和其他新兴应用的持续增长，2020年集成电路行业有所复苏，全球市场规模为3,612亿美元，较2019年增长9.32%。根据WSTS预计，2021年及2022年全球集成电路市场规模将分别达到4,596.85亿美元及5,107.88亿美元，较上一年增长率分别为27.3%及11.1%。依功能不同，集成电路产品主要分为四类，分别为存储器芯片

17、、逻辑芯片、模拟芯片以及微处理器。根据WSTS预计，2021年整个集成电路市场中，规模增长最快的是存储器芯片，占整个集成电路行业市场规模的比重将提高至35.05%，而逻辑芯片、微处理器以及模拟芯片的市场规模占比分别为 32.49%、16.82% 和 15.64%。 图表图表 1 1：全球集成电路市场规模全球集成电路市场规模（单位：亿美元）（单位：亿美元） 图表图表 2 2：2 2021021 年年全球集成电场细分全球集成电场细分行业市场规模占比行业市场规模占比 资料来源：WSTS，华鑫证券研究 资料来源：WSTS，华鑫证券研究 存储芯片，存储芯片，又称半导体存储器，又称半导体存储器，是指利用电

18、能方式存储信息的半导体介质设备，其存是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。储与读取过程体现为电子的存储或释放。存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片RAM（断电后数据丢失）与非易失性存储芯片ROM（断电后数据不丢失）。易失性存储芯片常见的有DRAM 和SRAM，通常和 CPU 一起使用，为 CPU 提供运算时中间数据的存储。非易失性存储芯片包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器），其中闪存芯片又分NAND Flash和NOR Flash 两种。NAND Flash

19、容量大，主要用于大容量数据存储，NOR Flash容量较小，但可以直接在芯片内执行程序代码（XIP），通常用来存储开机软件程序。ROM 目前应用最多的主要为 EEPROM，存储容量更小，通常用来存取少量的程序代码。 01,0002,0003,0004,0005,0006,0002001820192020 2021E 2022E16%32%35%17% 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 7 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 3 3：存储芯片分类存储芯片分类 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 D DRAMRAM和和N NAND FAND Fl las

20、hash占据存储芯片九成以上市场。占据存储芯片九成以上市场。从存储芯片细分产品来看，目前DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的市场份额，根据IC Insights数据显示，DRAM销售额在2020年约占整个存储市场的53%，闪存的比重约达到45%，其中NAND闪存为44%，NOR闪存为1%。 图表图表 4 4：2 2020020 年全球存储芯片细分产品年全球存储芯片细分产品占比占比 资料来源：前瞻产业研究院，华鑫证券研究 1.21.2、 各有所长，三大主流存储产品各有所长，三大主流存储产品持续演进持续演进 由于存储单元的技术原理和电路结构的实现方式不同，存储产品之间呈现出明显

21、的差由于存储单元的技术原理和电路结构的实现方式不同，存储产品之间呈现出明显的差异性异性： DRAM53%NAND Flash44%NOR Flash1%2% 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 8 诚信、专业、稳健、高效 图表图表5 5：三类存储产品差异性比较三类存储产品差异性比较 比较项目比较项目 非易失性非易失性 易失性易失性 NAND Flash NOR Flash DRAM 存储原理存储原理 浮栅型 浮栅型/电子俘获型 电容充放电型 读取速度读取速度 较慢 较快 极快 擦除擦除/ /写入速度写入速度 快 较慢 极快 存储容量存储容量 高（Gb/Tb） 中（Mb/Gb）

22、 中（Mb/Gb） 擦写次数擦写次数 十万级别 十万级别 - 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 N NAND FlashAND Flash具备存储容量大、写入具备存储容量大、写入/ /擦除速度快等特点。擦除速度快等特点。NAND Flash是通用型非易失性存储芯片的一种，其存储阵列是由存储单元通过串联方式连接而成，一串闪存单元首尾相连，“共用”一根bit line，以“页”为单位进行读写操作，以“块”为单位进行擦除操作，因此具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，多应用于大容量数据存储（通常在1Gb1Tb），如智能手机、平板电脑、U盘、固态硬盘、服务器等领域。NAND Flash以类型分

23、类，分为SLC（single level，1bit，2种状态）、MLC（multi level，2 bit，4种状态）、TLC（tipple level，3 bit，8种状态）和QLC（quad level，4 bit，16种状态）四类，每个单元存储的信息依次递增。因为底层结构不同，产品性能也更不相同，SLC NAND Flash 由于其结构决定了其拥有高可靠性、高擦除性和高带宽等优势，同时SLC NAND Flash 也是进入大容量NAND Flash的必经之路，具有不可替代性。 图表图表 6 6：N NAND FlashAND Flash 分类分类 图表图表 7 7：N NAND FAND

24、 Fl lashash 晶体管结构图及剖面图晶体管结构图及剖面图 资料来源：公司官网，华鑫证券研究 资料来源：公司官网，华鑫证券研究 NOR FlashNOR Flash具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性。NOR Flash是一类通用型的非易失性存储芯片，其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，每个cell都有单独的word line和bit line，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行。NOR Flash 主要用来存储代码及部分数据，具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特

25、性，在中低容量（通常在 1Mb1Gb）应用时具备性能和成本上的优势，如计算机、消费电子（智能手机、TV、TWS耳机、穿戴式设备）、安防设备、汽车电子（ADAS、车窗控制、仪表盘）、5G 基站、工业控制（智能电表、机械控制）及物联网设备等领域。 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 9 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 8 8：N NOR FOR Fl lashash 晶体管结构图及剖面图晶体管结构图及剖面图 资料来源：公司官网，华鑫证券研究 DRAMDRAM具具备备读写速度快的特点读写速度快的特点，占据存储芯片最大市场占据存储芯片最大市场。DRAM是动态随机存取存储器，市场上主

26、要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储，其只能将数据保持很短的时间，所以为了保持数据必须隔一段时间刷新（refresh）一次。DRAM系列主要包括DDR产品和低功耗的LPDDR产品，目前国际先进的产品已达到 DDR5/LPDDR5。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理，主要应用于手机、计算机和服务器，DRAM市场份额较高主要系下游应用领域广泛，手机、计算机和服务 器等涉及数据里的电子设备中均需配备DRAM，如智能手机中配置8G bit DRAM和128G bit NAND Flash，市场需

27、求较高。 图表图表 9 9：D DRAMRAM 晶体管结构晶体管结构 图表图表 1010：D DRAMRAM 产品持续迭代演进产品持续迭代演进 资料来源：电子发烧友，华鑫证券研究 资料来源：宇芯有限公司官网，华鑫证券研究 未来未来存储芯片将继续围绕先进制程、提高容量和降低功耗等方向存储芯片将继续围绕先进制程、提高容量和降低功耗等方向发展发展。NAND Flash方面，中小容量产品工艺水平已经达到1x nm，未来有望进一步微缩制程，同时将在降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。NOR Flash产品整体表现出功耗指标下降的趋势，低功耗已经成为存储器芯片产品的重要竞争力体

28、现。DRAM方面，未来产品会继续向提升产品制程、提高产品性能的方向发展。此外，新型存储的应用路径将持续探索，未来有望成为行业发展方向之一。 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 10 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 1111：存储芯片技术发展趋势存储芯片技术发展趋势 资料来源：前瞻产业研究院，华鑫证券研究 1.31.3、 发展新契机发展新契机，新兴行业崛起加速产业发展新兴行业崛起加速产业发展 随着随着汽车电子、汽车电子、5G5G通讯、物联网、通讯、物联网、可穿戴可穿戴等等新兴新兴领域的领域的崛起崛起，存储芯片存储芯片在整个产业链在整个产业链中扮演的角色将更加重要。中扮演的角色

29、将更加重要。2015-2018年，全球存储器芯片市场规模从780亿美元增长至1,633亿美元，年均复合增长率达27.93%，2019年受整个集成电路行业规模下滑影响，全球存储器芯片市场规模降至1,104亿美元。随着下游应用领域的复苏及芯片涨价因素影响，IC Insights预测，2021-2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1,552亿美元、1,804亿美元及2,196亿美元，增幅分别达到 22.5%、16.2%和21.7%。在国内市场，随着中国在电子制造领域水平的不断提升，国内存储芯片产品的需求量逐步攀升，根据世界半导体贸易统计协会数据，预计2023年国内存储芯片市场规模将达6,492

30、亿元，但自给率仅15.70%，未来发展空间广阔。 图表图表 1212：全球存储芯片市场规模全球存储芯片市场规模（单位：（单位：十十亿美元）亿美元） 图表图表 1313：中国存储芯片市场规模（单位：亿元）中国存储芯片市场规模（单位：亿元） 资料来源：IC insights，华鑫证券研究 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 0500004000500060007000 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 11 诚信、专业、稳健、高效 以以A ADASDAS为主的智能汽车领域存储芯片需求强劲。为主的智能汽车领域存储芯片需求强劲。随着汽

31、车电动化与智能化，电动汽车和智能驾驶发展迅猛，相应的辅助驾驶系统ADAS、电池管理系统等被广泛应用，汽车中配置的电子零组件占比越来越高。根据IHS统计，2016年全球汽车电子的市场规模为1,160亿美元，预计2022年将达到1,602亿美元，年均复合增速为5.51%。其中ADAS板块2016年市场规模为70.88亿美元，2022年预计将达到214.47亿美元。ADAS系统包含行车记录、智能导航、全景影像、车道偏移警示等功能，叠加配套器件如行车记录仪等带动的需求，其市场规模的快速增长将带动车用存储器市场规模提升。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费

32、2.2亿GB，由于智能汽车领域的快速发展，预计至2024年，全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019-2024年复合增速达79.8%。 图表图表 1414：存储器是智能驾驶关键存储器是智能驾驶关键 图表图表 1515：全球全球 A ADASDAS 中中 N NANDAND FlashFlash 需求需求（单位：亿（单位：亿 G GB B） 资料来源：SK 海力士官网，华鑫证券研究 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 5 5G G通讯、物联网、可穿戴通讯、物联网、可穿戴、A AMOMOLEDLED及及T TDDIDDI等应用领域推动中小容量存储芯片发展。等应

33、用领域推动中小容量存储芯片发展。5G 通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。以5G宏基站为例，其部署环境复杂恶劣且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明显的优势。物联网设备的特点是具备网络连接功能与简单的计算能力，一般的物联网设备对存储空间要求较低，一般在几兆（Mb）至几百兆之间，NOR Flash凭借其随机存储、可靠性强、读取速度快及芯片内执行等特性，被认为是物联网设备代码闪存应用的首选。此外，消费电子方面，TWS蓝牙耳机和AMOLED、TDDI等手机屏幕相关的产品需求成为了NOR Flash市场增长的主要驱动力。由于TWS耳机中主控蓝牙芯片内

34、存有限，为了存储更多固件和代码程序，需外扩一颗小体积、低功耗的NOR Flash，同时随着很多厂家加入空中下载功能（OTA），NOR Flash的容量需求逐渐从原先的8Mb或者16Mb，提升至32Mb、64Mb甚至128Mb。此外，手机中AMOLED屏幕及TDDI均需外挂NOR Flash进行代码存储以对其进行参数调整或性能优化，未来在TWS蓝牙耳机需求爆发增长，手机屏幕分辨率、色彩度等性能迅速提升等因素的驱动下，NOR Flash的市场需求相应持续增长。 0554045201820192020E2021E2022E2023E2024ECAGR=79.8% 证券研究报告证

35、券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 12 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 1616：5 5G G 通讯、物联网、通讯、物联网、T TWSWS 耳机和耳机和 A AMOLEDMOLED 等下游持续增长等下游持续增长 资料来源：前瞻产业研究院，Counterpoint Research，HIS，TrendForce，华鑫证券研究 根据Gartner数据统计，2019年全球SLC NAND市场规模达到16.71亿美元，预计在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域的影响下，SLC NAND市场将继续保持增长态势，2024年市场规模达到23.24亿美元，2019年至2024年SLC NAN

36、D全球市场份额预计复合增长率将达到6%。NOR Flash方面，随着应用场景的不断扩展，如物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的出现，根据CINNO Research的数据，预期其在2022年的市场规模会增长到37亿美元。 图表图表 1717：全球全球 S SLC NANDLC NAND 市场规模（单位：亿美元）市场规模（单位：亿美元） 图表图表 1818：全球全球 N NOROR F Flashlash 市场规模市场规模（单位：亿（单位：亿美元美元） 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 DRAM市场方面，根据IC Insights数据，2020年

37、全球DRAM预计实现销售额652.15亿美元，2016-2020年市场年均复合增长率为12.4%。未来随着汽车电子、服务器等下游领域的快速发展，DRAM市场规模有望持续提升，根据前瞻产业研究院数据，预计到2026年全球DRAM市场规模有望达到1219亿美元左右。 057201820192020E 2021E 2022E 2023E 2024E0%2%4%6%8%10%12%05540200202021E2022E市场规模增长率 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 13 诚信、专业、稳健、高效 图表图表 1919

38、：全球全球 D DRAMRAM 市场规模（单位：亿美元）市场规模（单位：亿美元） 资料来源：公司招股说明书，前瞻产业研究院，华鑫证券研究 1.41.4、 头部效应显著，中小容量细分市场带来机遇头部效应显著，中小容量细分市场带来机遇 目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。根据前瞻产业研究院数据，2020年，全球DRAM市场中三星、SK海力士、美光市场份额分别达到42.71%、29.27%、22.52%；NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局；全球NOR Flash领域海外垄断程度

39、最低，华邦、旺宏、兆易创新市占率前三，合计占据63%份额。 图表图表 2020：2 2020020 年全球存储芯片企业市场份额年全球存储芯片企业市场份额 资料来源：前瞻产业研究院，华鑫证券研究 图表图表2121：全球存储芯片市场参与者全球存储芯片市场参与者 公司公司 主要产品主要产品 简介简介 三星电子三星电子 NAND Flash、DRAM 主要从事电子产品的制造和销售以及半导体和显示部件的制造，其产品在DRAM和NAND Flash领域都处于全球领先的位置 S SK K海力士海力士 NAND Flash、DRAM 主要从事半导体存储器的生产和销售业务的韩国公司，主要产品包括DRAM、NAN

40、D等，该公司在全球范围内销售其产品 美光科技美光科技 NAND Flash、DRAM 半导体解决方案的全球供应商之一，通过制造并向市场推出DRAM、NAND Flash等其他半导体组件以及存储器模块 0200400600800020000202021E 2026E 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 14 诚信、专业、稳健、高效 铠侠铠侠 NAND Flash 原为东芝旗下的东芝存储（Toshiba Memory）于2018年被贝恩资本等财团收购部分股权，收购完成更名为铠侠株式会社，主要产

41、品为NAND Flash 华邦电子华邦电子 NOR Flash、DRAM 台湾地区内存芯片的设计、制造与销售公司，其产品包含闪存、动态随机存取内存，可提供全球客户全方位的中低密度利基型内存解决方案服务 旺宏电子旺宏电子 NAND Flash、NOR Flash 台湾地区存储器设计生产制造公司，提供客户广泛规格的NAND Flash及NOR Flash产品，以应用于消费、通讯、电脑、汽车电子等相关领域 赛普拉斯赛普拉斯 NOR Flash 美国电子芯片制造商，在数据通讯、消费类电子等领域提供芯片解决方案，可服务于移动手机、计算机、数据通信、汽车、工业和军事等市场 兆易创新兆易创新 NAND Fl

42、ash、NOR Flash 以中国为总部的全球化芯片设计公司，致力于存储器、控制器及周边产品的设计研发，其主要产品为NOR Flash、NAND Flash及MCU，应用于消费类电子产品、网络、电信设备及工业控制设备等领域 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 差异化竞争形成中小容量存储市场机遇，国产替代持续推进。差异化竞争形成中小容量存储市场机遇，国产替代持续推进。存储芯片市场规模巨大，但整个市场呈现分化现象，三星电子、海力士、美光科技、铠侠等企业提供全面的存储产品，近年来专注研发大容量、高性能存储芯片，不断推进先进存储技术并凭借技术优势获取较高市场份额。行业其他企业由于各家处于的发展阶段

43、不同，在以领先企业为目标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。目前中小容量存储芯片供应商主要为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等企业，其中华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额，未来随着国产化需求的不断提高，大陆企业有望迎来良好的发展契机。 图表图表 2222：中国存储芯片行业发展历程中国存储芯片行业发展历程 资料来源：前瞻产业研究院，华鑫证券研究 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 15 诚信、专业、稳健、高效 2 2、 东芯半导体：东芯半导体：本土中

44、小容量存储芯片领本土中小容量存储芯片领导者，受益于利基型市场爆发导者，受益于利基型市场爆发 2.12.1、 存储存储东方之芯东方之芯，产品覆盖三大主流存储芯片产品覆盖三大主流存储芯片 东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，是本土拥有自主知识产权的专注于中小容量存储芯片研发设计公司。公司聚焦于中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM内存以及MCP的设计、生产和销售，是中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM产品并在中小容量闪存芯片市场与全球同行业知名公司直接竞争并突破海外技术垄断的公司之一。2015年公司成功研发首款具备自主知识产权的NAND F

45、lash芯片，此后持续在容量、制程方面进行升级迭代，2016年公司获得上海市高新技术企业认定，2019年正式变更为东芯半导体股份有限公司，2021年成功登录科创版。荣誉方面，荣誉方面，公司先后获得“第七届中国电子信息博览会创新奖”、“2019年度上海市专精特新中小企业”、“2020年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器”、“上海市集成电路行业协会20周年行业新芯奖”等称号。 图表图表 2323：公司发展历程公司发展历程 资料来源：公司官网，华鑫证券研究 蒋学明为公司实际控制人，华为蒋学明为公司实际控制人，华为、中芯国际中芯国际、国家大基金国家大基金参投。参投。根据 Wind 最新数据，东方恒信

46、为公司控股股东，共计持有公司 43.18%的股份，蒋学明通过东方恒信、东芯科创间接控制发行人 49.96%的表决权成为公司实际控制人。其他持有公司 5%以上股份的主要股东为聚源聚芯、齐亮、东芯科创（员工持股平台）、中金锋泰、董玮及董玮控制的鹏晨源拓，其中聚源聚芯股东包括中芯国际以及国家集成电路产业基金。此外，公司股东中包括华为公司旗下哈勃科技，持有公司4.00%的股份。 F Fidelixidelix 为公司控股子公司，于为公司控股子公司，于 2 2015015 年并购整合并合并报表。年并购整合并合并报表。截至目前，公司拥有一家分公司和三家全资子公司，分别为东芯深圳分公司、东芯香港、东芯南京

47、证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 16 诚信、专业、稳健、高效 和 Nemostech。此外，公司拥有一家控股子公司 Fidelix，1990 年成立，于 1997年在韩国 KOSDAQ 上市，是韩国具备一定知名度的存储芯片公司，主要从事 DRAM和 MCP 产品开展研发和销售，同时从事 Nand Flash 和 NOR Flash 的研发。2015年，公司通过受让股份并增资的方式成为 Fidelix 控股股东及实际控制人，收购整合后双方定位清晰，公司主要负责闪存芯片 SLC NAND Flash、NOR Flash 的研发，Fidelix 则继续从事 DRAM 及 MCP

48、 的研发和升级。 图表图表 2424：公司股权结构及其控股公司公司股权结构及其控股公司 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 成功打造以成功打造以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品体系低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品体系。公司立足中国、面向全球，深耕全球最大的存储芯片应用市场，凭借自主清晰的知识产权、 成熟完善的研发体系及持续创新的研发设计能力，经过多年的经验积累和技术升级，已构建了包括 NAND、NOR、DRAM 及 MCP 等存储芯片在内的丰富产品线。具体来说，公司所售产品主要为 NAND 产品中的 SLC NAND，NOR 系列产品主要为消费级的 NOR，DRAM 产

49、品主要为针对利基型市场的中小容量 DRAM，包括 DDR3 和 LPDDR1/2，MCP系列产品主要系将 NAND 或者 NOR 与 DRAM 合封在同一个封装内的存储芯片，目前公司产品被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。 图表图表 2525：公司：公司主要产品类别主要产品类别 图表图表 2626：公司公司产品下游应用领域产品下游应用领域 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 17 诚信、专业、稳健、高效 资料来源：公司官网，华鑫证券研究 资料来源：公司招股说明书，华鑫证券研究 主营业务快速发展，营收规模持续稳定增长。主营业务快速发展，营收规模持续稳

50、定增长。顺应行业发展趋势，公司凭借关键核心技术和高性价比产品，实现了营业收入的持续高速增长。2018-2020 年公司营业收入分别为 5.1 亿元、5.14 亿元和 7.84 亿元，年均复合增长率达到 24.01%，实现归母净利润分别为-0.22 亿元、-0.64 亿元和 0.2 亿元，其中 2018-2019 年亏损的原因主要系公司产品价格随行业周期性波动整体呈下行趋势，同时公司尚未具备规模优势且研发投入较大。2020 年受益于 NAND 系列产品价格企稳，公司部分产品经过前期市场培育和大客户开拓开始放量，公司成功实现扭亏为盈，2021年延续高增长态势，截至 2021 年 Q3，公司实现营业