1、2022 年深度行业分析研究报告 目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月3 3概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断 光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是一种有机化合物，受特定波长光线曝光作用后其化学结构改变，在显影液中的溶解度会发生变化，因此又称光致抗蚀剂。正胶在曝光后发生光化学反应，可以被显影液溶解，留下的薄

2、膜图形与掩膜版相同；而负胶经过曝光后变成不可溶物质，非曝光部分被溶解，获得的图形与掩膜版相反。 主要成分：主要成分：光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成，其中树脂和感光剂是最核心的部分。概述概述| |光刻光刻胶：胶：光刻时用于接收图像的介质光刻时用于接收图像的介质使用使用UVUV光的简易光刻工艺图光的简易光刻工艺图光刻胶主要成分光刻胶主要成分4 4树脂（聚合物）感光剂添加剂光刻胶在光照下不发生化学反应，主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，也决定了一些其他特性如膜厚、弹性、热稳定性等受特定波长光照后在曝光区发生光固化反应，使得材料的物理特性，尤其是溶解性发生

3、显著变化溶剂用以改变光刻胶的某些特性，如为改善发生反射而添加染色剂等为了方便涂覆，要将溶质加入溶剂进行溶解，形成液态物质 光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术用于电路图形生成和复制，是半导体制造最为关键的技术。光刻技术的进步是集成电路技术遵循摩尔定律更新的重要技术先导，其先进程度决定了半导体制造技术水平的高低。光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺始终，当代超大规模集成电路制作需要几十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小线条尺寸是集成电路发展水平的标志。 基本光刻工艺流程包括表面处理、涂胶、前烘、对准和曝光、显影、后烘等工序，将所需要的微细图形从光罩转移到

4、待加工基片上。概述概述| |光刻技术是半导体制造最关键的技术光刻技术是半导体制造最关键的技术光刻工艺基本流程光刻工艺基本流程半导体产业链及制造工艺流程半导体产业链及制造工艺流程5 5 光刻胶应用分类：光刻胶应用分类：光刻胶按照下游应用领域划分，主要可分为PCB、面板、半导体三类，每一类光刻胶又有各自细分品类。其中半导体光刻胶技术门槛最高，按照光源波长的从大到小，可分为紫外宽谱(300-450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品类，每一种品类的组分、适用的IC制程技术节点也不尽相同。概述概述| |半导体光刻胶是

5、光刻胶重要应用领域之一半导体光刻胶是光刻胶重要应用领域之一半导体光刻胶品类半导体光刻胶品类光刻胶按应用领域分类光刻胶按应用领域分类全球光刻胶市场结构全球光刻胶市场结构6 6主要品类主要品类曝光波长曝光波长使用光源使用光源适用晶圆适用晶圆尺寸尺寸组分组分适用适用ICIC制程技制程技术节点术节点紫外宽谱 300-450nm汞灯5吋聚乙烯醇肉桂酸酯3m以上环化橡胶、双叠氮化物2m以上g线436nm汞灯6吋酚醛树脂、重氮萘醌化合物0.5m以上i线365nm汞灯6吋、8吋0.50.35mKrF248nmKrF准分子激光器8吋聚对羟基苯乙烯及其衍生物、光致产酸剂0.250.15mArF（干法）193nmA

6、rF准分子激光器 8吋、12吋聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物、光致产酸剂65130nmArF（浸润法）45nm、32nmEUV13.5nm等离子体12吋聚脂衍生物分子玻璃单组份材料、光致产酸剂32nm、22nm及以下 曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径：根据著名的瑞利判据公式分辨率R=K1*/NA，光刻工艺分辨率的提升可以通过减小光源波长、增加光刻物镜数值孔径NA、减小工艺因子K1三方面实现，而后两者的变动范围相对有限，因此波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径。 发展路径清晰：发展路径清晰：制程节点进化的需求是光刻胶行业发展的驱动因素，光刻胶和光

7、刻机技术的相辅相成、兵合一处是制程得以进步、摩尔定律得以实现的关键。相应的，光刻胶的光化学反应与光刻机曝光波长的适配是提高光刻工艺分辨率的关键。技术演进技术演进| |与光刻技术曝光波长适配下的分辨率提升与光刻技术曝光波长适配下的分辨率提升光刻技术发展图谱：分辨率提升超光刻技术发展图谱：分辨率提升超100 x100 xASMLASML使用使用EUVEUV实现微缩化的历史实现微缩化的历史7 7壁垒壁垒| |专利技术、原材料、设备验证、客户认证等专利技术、原材料、设备验证、客户认证等高筑行业壁垒高筑行业壁垒8 8光刻胶产品需要根据不同的应用需求定制，产品品类多，配方中原材料比重的细微差异将直接影响光

8、刻胶的性能，且配方难以逆向解析，严重依赖于经验积累所形成的技术专利。客户认证设备验证原材料专利技术由于光刻胶的品质会直接影响最终的芯片性能、良率等，试错成本极高，因此客户准入壁垒高，验证周期通常需要2-3年。客户产品验证需要经过PRS(基础工艺考核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量试产)、RELEASE(量产)四个阶段。送样前，光刻胶生产商需要购置光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受国外限制，尤其是EUV光刻机目前全球只有ASML能批量供应。上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素，目前我国光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂

9、高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月9 9概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断 全球全球光刻胶光刻胶市场规模市场规模：据前瞻产业研究院数据显示，2019年全球光刻胶市场为82亿美元，预计2026年有望达123亿美元，2019-2026年年复合增速约为6%。 中国中国光刻胶光刻

10、胶市场规模：市场规模：得益于PCB、LCD、半导体等产业制造产能的东移，国内上游的电子材料产业快速发展。据中商产业研究院数据，中国光刻胶市场规模从2016年的53.2亿元增长至2020年的84亿元，预计2021年为93.3亿元，同比增长11%。1010市场空间市场空间| |20222022年全球年全球光刻胶光刻胶市场有望达到市场有望达到123123亿美元亿美元全球全球光刻胶光刻胶市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）中国中国光刻胶光刻胶市场规模（亿元）市场规模（亿元） 全球半导体全球半导体光刻胶光刻胶市场规模市场规模：据TECHCET预测，2021年全球半导体光刻胶市场规模将同比增长11，达到1

11、9亿美元。在全球缺货的大环境下，芯片制造，尤其是晶圆代工产能供不应求为半导体光刻胶提供了持久的增长动力。未来几年，全球半导体光刻胶市场将保持稳定的增长。 中国半导体中国半导体光刻胶光刻胶市场规模：市场规模：据SEMI数据显示，中国光刻胶半导体市场规模从2015年的1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元。随着国内晶圆代工产能的不断提升，2025年中国光刻胶半导体市场规模有望达到100亿元，2020-2025年年复合增速将达到35%，明显高于全球市场增速。1111市场空间市场空间| |20252025年中国半导体年中国半导体光刻胶光刻胶市场有望达市场有望达100100亿元亿元中中国半导体国半导

12、体光刻胶光刻胶市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）全球半导体全球半导体光刻胶光刻胶市场规模（百万美元）市场规模（百万美元）CAGR=21.9%CAGR=21.9% SEMI的数据显示，2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座，其中有26座设于中国大陆，占全球总数的42%。预计从2020年到2024年至少新增38个12英寸晶圆厂，其中中国将新建19座（中国台湾11座，中国大陆8座）。8吋晶圆月产能至2024年也将达660万片规模。光刻胶等半导体材料供应商将有望受益于扩产浪潮。1212需求端需求端| |晶圆厂扩产是拉动行业增长的重要驱动因素晶圆厂扩产是拉动行业增长的重要驱动因素全球全球

13、8 8英寸晶圆厂月产能（千片）英寸晶圆厂月产能（千片）公司公司扩产地点扩产地点投资金额投资金额扩产情况（月增产能）扩产情况（月增产能）预估产能释放时间预估产能释放时间士兰微厦门50亿元扩增至3万片12英寸90-65纳米2021-2022杭州21亿元扩增至8万片8英寸2021-2022华润微重庆新建3万片12英寸2022闻泰科技上海120亿元新建3-4万片12英寸2022-2023博世德国10亿欧元新建2万12英寸2021德州仪器美国扩建12英寸2023-2025华虹集团无锡52亿元扩増至6.5万片12英寸90-65/55纳米2021-2022中芯国际天津未知扩增至4.5万片8英寸2021-20

14、22北京未知扩增1万片12英寸28纳米及以上2021-2022深圳23.5亿元新建4万12英寸28纳米及以上2022-2023北京76亿美元新建10万12英寸28纳米及以上2024-2025晶合集成合肥未知新増N2厂4万片12英寸55-40纳米2022-2023合肥未知新建N3厂16万片12英寸未知粤芯半导体广州65亿元二期扩増2万片12英寸2021-2022绍兴中芯绍兴扩增至9万片上英寸2021-2022宁波中芯宁波新増3万片8英寸2022-2023海辰半导体无锡14亿美元释放约5万片8英寸2021无锡軽放约6.5万片8英寸2022台积电南京28.87亿美元新建2万片12英寸28纳米及以上2

15、023美国120亿美元新建2万片12英寸5纳米2024-2029中国台湾270亿美元扩増3纳米、5纳米和7纳米等先进工艺2023联电台南15亿美元12英寸1万片28纳米及以上2021-2022台南30亿美元12英寸3万片28纳米2023-3024厦门4亿美元12英寸5000片28纳米2021-2022力积电铜锣2780亿新台币12英寸10万片1x-50nm2023世界先进新竹未知新建4万片8英寸2023-2024格芯美国未知扩建FAB82023-2024新加坡、德国、美国14亿美元扩増12纳米至90纳米2021-2022三星美国170亿美元扩增3万片12英寸7-5纳米2023-2024英特尔美

16、国200亿美元扩建12英寸产能，部分代工全球晶圆厂持续扩产全球晶圆厂持续扩产 全球半导体材料市场规模全球半导体材料市场规模：半导体材料分为前道晶圆制造材料和后道封装材料两类，以前者为主，主要包括硅片、光刻胶、掩膜版、溅射靶材、电子特气、湿电子化学品、CMP抛光材料等。根据SEMI的数据，2020年，全球半导体材料市场规模增长至553.1亿美元，其中晶圆制造材料为349亿美元；中国大陆市场规模快速增长至97.6亿美元，首次成为全球第二大市场，增速12%，增幅跃居全球第一。 光刻胶增长强劲：光刻胶增长强劲：在晶圆制造材料细分市场中，增长最为强劲的是光刻胶和光刻胶配套材料、湿化学品以及CMP抛光材料

17、。据统计，光刻胶和光刻胶配套试剂分别占晶圆制造材料市场的6%和8%。1313需求端需求端| |中国半导体材料市场突飞猛进，中国半导体材料市场突飞猛进，光刻胶增长强劲光刻胶增长强劲全球半导体材料市场规模（亿美元）全球半导体材料市场规模（亿美元）00500600700200021E20202020年晶圆制造材料市场结构年晶圆制造材料市场结构 全球半导体光刻胶市场呈结构性增长，据TECHCET数据显示，2020年和2021年，用于KrF和ArFi的光刻胶市场较高，而EUV的应用范围正在从逻辑芯片扩展到DRAM，预计2021年EUV光刻

18、胶市场超过2000万美元，到2025年将超过2亿美元，年复合增速超过50%。然而目前，EUV光刻胶的市场几乎被日本的TOK、信越化学和JSR三分天下。1414半导体光刻胶市场结构变化半导体光刻胶市场结构变化行业趋势行业趋势| |光刻胶光刻胶市场结构变化，市场结构变化，EUVEUV增速最快增速最快半导体光刻胶细分品类应用范围比较半导体光刻胶细分品类应用范围比较0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20202023E2025Eg/i线KrFArFAiFiEUV20192019- -20212021年年ASMLASML光刻光刻机机销售额结构变化销售额结构变化0%10%20

19、%30%40%50%60%70%80%90%100%201920202021EUVArFiArF dryKrFI-line 设备供不应求设备供不应求，预计预计20222022年销售额将继续增长年销售额将继续增长2020% %：近日，荷兰光刻机巨头ASML发布了2021年度财报，实现186.1亿欧元销售收入，同比增长33%；实现净利润58.8亿欧元，同比增长65.6%。2021年，ASML共交付了42台EUV光刻机，贡献营收63亿欧元，营收占比33.85%，平均每台售价1.5亿欧元。此外，ASML还销售了81台ArFi光刻机、131台KrF光刻机。由于当前需求量比最大供给量高出40%-50%，A

20、SML预计2022年销售额将继续增长20%。此外，ASML宣布已收到英特尔对下一代光刻机EXE：5200的订单，该光刻机单价将超过3.4亿美元。1515业绩靓眼业绩靓眼| |ASMLASML光刻机供不应求光刻机供不应求，布局下一代，布局下一代EUVEUVASML2021ASML2021年营收增幅结构年营收增幅结构ASMLASML新一代新一代EUVEUV光刻系统光刻系统TWINSCAN NXE:3600DASML2019ASML2019- -20212021年光刻机交付数量（台）年光刻机交付数量（台）0500300350201920202021EUVArFiArF dryK

21、rFI-line产业链及主要代表企业产业链及主要代表企业1616 日本称霸日本称霸，寡头垄断：寡头垄断：全球光刻胶市场长期被日美高度垄断，数据显示，日本的合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）位居一二，CR5高达87%。 在半导体光刻胶领域，日本企业依然占据领先地位，实现了对半导体光刻胶的垄断。前五中除了美国杜邦，其余四家均为日本企业。其中JSR、TOK的产品可以覆盖所有半导体光刻胶的品种，是绝对的龙头，尤其在高端的EUV市场高度垄断。目前国内市场仍主要以PCB用光刻胶供应为主，面板、半导体用光刻胶自给率依然很低。1717竞争格局竞争格局| |市场高度集中，长期被日企垄断市场高度集中，长期被日

22、企垄断20192019年全球光刻胶市场竞争格局年全球光刻胶市场竞争格局20192019年全球年全球半导体光刻胶市场半导体光刻胶市场竞争格局竞争格局国内国内光刻胶市场光刻胶市场结构结构28%21%15%13%10%13%JSRTOK罗门哈斯信越化学富士胶片其他21%19%15%13%10%9%13%JSRTOK杜邦信越化学住友化学富士胶片其他94%3%2%1%PCB面板半导体其他 细分市场格局细分市场格局：从细分品类来看，目前国内厂商主要以紫外宽谱、G线、I线等低端领域产品为主，毛利率相对较低，国内厂商的产品已经占据了一定的市场份额。而高端领域的KrF、ArF、EUV光刻胶在技术、产品、产能方面

23、均与国外存在较大差距，目前仍主要依赖于进口，处于被国外巨头垄断的现状，国内公司量产层面近乎空白，尤其是EUV光刻胶，国内尚无一家企业有产品问世。1818竞争格局竞争格局| |国内中国内中高端产品高端产品与国外差距较大与国外差距较大，自给率严重不足，自给率严重不足20202020年全球年全球KrFKrF光刻胶市场竞争格局光刻胶市场竞争格局20202020年全球年全球ArFArF光刻胶市场竞争格局光刻胶市场竞争格局20202020年全球年全球g/g/i i线线光刻胶市场竞争格局光刻胶市场竞争格局31.40%21.90%20.90%10.9%14.90%TOK信越化学JSR杜邦其他25.20%19.

24、10%15.70%40.00%TOK杜邦住友化学其他24.90%21.80%15.80%16.80%20.70%JSR信越化学TOK住友化学其他1919复盘复盘| |光刻胶和光刻机发展史中的里程碑光刻胶和光刻机发展史中的里程碑 复盘光刻胶产业从美国转移到日本并由日本企业主导，即使在半导体产业转移、日本光刻机企业失去地位后依然能称霸全球的历史，启发我们找到背后行业发展的关键因素有行业需求、配套的光刻机技术、制程适配度以及产业链集群等。2020复盘启发复盘启发| |历史市场份额变化的背后是行业发展的关键因素历史市场份额变化的背后是行业发展的关键因素受下游需求影响战后半导体产业从美国转移到日本，下游

25、家电的繁荣发展带动半导体行业需求，驱动日本光刻胶和光刻机技术快速发展。在g/i线时代，日本光刻机厂商优势明显，带动了日本光刻胶的发展。进入248nm光源之后，ASML逐渐追上。事实上，2003年ASML还开发过157nm的F2光源，但由于物镜配套材料存在吸收问题并未商用，这反而因祸得福，在开发出浸没式光刻技术后进一步扩大了领先优势。虽然IBM早于TOK研发出KrF光刻胶且处于领先地位，但在1995年之前，下游应用制程的特征尺寸仍集中在0.35m以上，i线光刻胶更具性价比， KrF的优势并不明显。之后， i线光刻极限无法满足制程节点需求， KrF光刻胶就此发展起来。除了积累的技术、专利、行业经验

26、等壁垒外，日本光刻胶企业依然屹立不倒，主要在于产业链上下游分工明确、高度协同、紧密配合。上游原材料生产企业中，日企数量近半，产业链集群优势明显。需与配套的光刻机技术协同发展应与制程需求相匹配产业链上下游集群紧密配合行业发展的关键因素行业发展的关键因素目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月2121概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断 政策频出政策频出，

27、为国产替代浪潮推波助澜：为国产替代浪潮推波助澜：光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料，为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，国家、地方层面政策先后出台。其中，既有国家层面印发的战略性、鼓励性、支持性政策等，也有各个省市进一步落实国家政策发布的规划、意见、指导目录等。尤其在中美贸易冲突的影响下，产业供应链安全和自主可控成为重中之重，国产替代迫在眉睫，乃行业发展的大势所趋。2222背景及政策背景及政策| |政策持续加码，政策持续加码，国产替代乃大势所趋国产替代乃大势所趋与与光刻胶光刻胶相关的政策相关的政策时间时间相关部门相关部门文件文件相关内容相关内容2014.06国务院国家集成电路产业发展推进纲

28、要从国家战略层面系统全面的为半导体产业链各环节定下发展方向和重点，其中提出要开发光刻胶等关键材料，研发光刻机等关键设备，增强产业配套能力。2015.05商务部国家重点支持的高新技术领域（2015）将分辨率光刻胶及配套化学品列入“精细化学品”大类下的“电子化学品”项。2017.05科技部“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划将深紫外光刻胶列为极大规模集成电路制造装备及成套工艺的关键材料。2019.12工信部重点新材料首批次应用示范指导目录(2019 年版)将集成电路用光刻胶及其关键原材料和配套试剂、ArF光刻胶用脂环族环氧树脂、g/i线正性光刻胶用酚醛树脂列入推荐材料。2020.08国务院新

29、时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，在财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面出台引导性及鼓励性政策措施。2021.03发改委、工信部、财政部等关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知光刻胶生产企业入围清单，可享受税收优惠政策。2021.07上海市政府上海市战略性新兴产业和先导产业发展十四五规划明确提出要提升先进光刻胶研发和产业化能力。2015.06江苏省政府江苏省政府关于加快全省集成电路发展的意见大力发展集成电路用

30、化学试剂、光刻胶等关键材料，支持国产材料的规模化应用。2021.06浙江省政府浙江省新材料产业发展“十四五”规划重点发展的新材料先进半导体材料包括大规模集成电路制程用关键材料以及配套的光刻胶等基础材料。2020.02广东省政府加快半导体及集成电路产业发展若干意见的通知加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体等材料研发生产。 大基金持续加码大基金持续加码，核心材料国产化刻不容缓：核心材料国产化刻不容缓：除了政策扶持，还有资金在持续加码。早在一期国家大基金就投资了晶瑞电材等公司，二期更是将半导体材料作为重点布局领域，例如作为战略投资者参与南大光电定增。此外，2019年7月起，日本限制向韩国出口光刻胶的

31、举动也给国内敲响了警钟。光刻胶保质期通常在6个月以内，无法囤货，一旦断供可能会引起停产的严重局面，由此核心材料国产化重要性更加凸显。 短期供给受限短期供给受限，国内厂商迎来导入窗口期：国内厂商迎来导入窗口期：2021年5月，由于受到前期地震的影响，日本信越化学的产能遭到冲击，向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，部分中小晶圆厂甚至遭遇断供，这反而给了国内厂商绝佳的客户验证、产品导入窗口期。2323供给端供给端| |信越断供，国内厂商迎来窗口期信越断供，国内厂商迎来窗口期上海新阳光刻胶募投项目进度表上海新阳光刻胶募投项目进度表项目项目时间点时间点202020202021202120222

32、022Q4Q4Q1Q1Q2Q2Q3Q3Q4Q4Q1Q1Q2Q2Q3Q3Q4Q4KrF厚膜光刻胶产品及原料研发64-128层存储器用KrF厚膜光刻胶产品配方优化128-192层存储器用KrF厚膜光刻胶所用树脂设计和光致产酸剂的筛选完成128-192层存储器用KrF厚膜光刻胶的配方开发并获得实验室曝光数据192-256层存储器用KrF厚膜光刻胶所用树脂设计和光致产酸剂的筛选192-256层存储器用KrF厚膜光刻胶配方开发并获得实验室曝光数据生产工艺开发及质量管控产业化生产线建成KrF厚膜光刻胶生产工艺开发完成KrF厚膜光刻胶生产质量管控体系完善生产线运行验证测试及销售64-128层存储器用KrF厚

33、膜光刻胶产品PRS验证64-128层存储器用KrF厚膜光刻胶上线验证(STR、MSTR) 获得正式订单获得持续订单ArF干式光刻胶产品及原料研发2款ArF干式光刻胶产品配方优化完成4-6款ArF干式光刻胶用原料树脂设计和光致产酸剂的筛选完成4-6款ArF干式光刻胶配方开发并获得实验室曝光数据生产工艺开发及质量管控产业化生产线采购及安装产业化生产线建成ArF干式光刻胶生产工艺开发完成ArF干式光刻胶质量管控体系完善生产线运行验证测试及销售第一款ArF干式产光刻胶品 PRS验证第一款ArF干式产光刻胶品STR、MSTR测试验证获得正式订单 面对契机，国内厂商已经开始布局中高端产品，加大研发投入，同

34、时纷纷积极建设生产线，扩建光刻胶及其配套试剂的产能，同步进行客户验证，并向产业链上游原材料领域延伸，与上下游公司紧密合作开展业务，旨在实现核心材料一体化，以减少供应链风险同时降低成本。此外，在内生的基础上，企业也注重开展外延并购和外部合作，加快提升自身核心竞争力。例如彤程新材旗下的北京科华与杜邦达成了战略合作，开展先进光刻胶和其它光刻材料的合作；上海新阳与贺利氏开展合作共同开发半导体用光刻胶产品和相关材料。2424供给端供给端| |追风赶月莫停留追风赶月莫停留，平芜尽处是春山平芜尽处是春山国内半导体光刻胶重点厂商布局国内半导体光刻胶重点厂商布局国内半导体光刻胶重点厂商扩产项目国内半导体光刻胶重

35、点厂商扩产项目公司公司g/g/i i线线KrFKrFArFArFArFiArFiEUVEUV南大光电通过客户验证晶瑞电材量产完成中试，客户验证阶段研发彤程新材量产量产研发研发（通过02专项验收）上海新阳研发通过客户验证客户验证阶段研发公司公司投资扩产情况投资扩产情况南大光电募投1.5亿元用于光刻胶项目，建成年产5吨ArF干式光刻胶、年产20吨ArF浸没式光刻胶产线、年产45吨的光刻胶配套高纯试剂的产线以及年产350吨高纯显影液产线，产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。晶瑞电材发行可转债募集资金，其中3.13亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发项目，完成90-28nm用ArF光刻机

36、研发及产业化。子公司年产1200吨集成电路关键电子材料项目建设光刻胶中间体1000吨/年、光刻胶1200吨/年（g/i线扩产），计划于2022年10月建成投产。彤程新材自筹资金6.9853亿元投资建设ArF高端光刻胶研发平台，预计2023年末建成，主要研发ArF湿法光刻胶。子公司彤程电子在上海化工区投资建设年产1千吨半导体光刻胶、1万吨平板显示用光刻胶、2万吨配套试剂的生产线，预计2022年内开始分批投产。上海新阳定增拟将8.15亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要开发ArF干法光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶。合肥工厂正建设半导体高端光刻胶系列产品年产能

37、500吨。ArF干法光刻胶通过验证后预计2022年年产能5000加仑（约合18.93吨）。国内国内重点厂商对比重点厂商对比2525产品覆盖产品覆盖技术专利技术专利团队团队光刻机情况光刻机情况主要客户主要客户现有产能情况现有产能情况目前优势目前优势南大光电ArF2017年承担02专项ArF光刻胶研发，申请专利91项，国际发明4项。以海归电子材料专家许从应博士为领军人物，有丰富的光刻胶研发和生产经验。ASML ArF浸没式光刻机等已完成安装并投入使用。一家存储芯片公司和一家逻辑芯片公司目前已经建成两条ArF光刻胶生产线，可以实现年产5吨ArF和20吨ArFi光刻胶，配套显影液350吨，光刻胶配套高

38、纯试剂20吨。是国内第一家ArF光刻胶通过产品验证的公司。现已通过一家50nm存储芯片公司认证和一家55nm逻辑芯片公司认证，取得小批量订单。晶瑞电材g/i 线 、KrF承担并完成了02专项i线光刻胶开发及产业化项目，16项光刻胶专利获得授权。引入TOK前中国区部长陈韦帆博士担任光刻胶事业部总经理深耕半导体行业近20年，曾先后履职力晶、日月光、友达光电、美光、TOK等知名企业。ASML XT1900Gi型ArF浸没式光刻机处于调试阶段，紫外宽谱用Canon PLA 501F光刻机，g线用Nikon NSR-1755G7光刻机，i线用Nikon NSR-2205I12D光刻机等，近期购得一台Kr

39、F光刻机。中芯国际、合肥长鑫、长江存储、扬杰科技、士兰微、华虹半导体等i线光刻胶年产100吨，g线光刻胶年产20吨。子公司苏州瑞红于1993年试产光刻胶，是国内最早规模化生产光刻胶的企业之一。KrF光刻胶完成中试，产 品 分 辨 率 达 到 0.25-0.13m。彤程新材g/i 线 、KrF北京科华与中科院合作承担EUV光刻胶02专项早期研究，授权专利10项，其中国际授权专利3项。以创始人陈昕为领军的国际化团队从事光刻胶行业近30年，拥有多名专家，承担国家02专项KrF光刻胶研发等多个项目。分辨率达0.11m的KrF用ASMLPAS5500/850扫描式光刻机，i线用Nikon步进式光刻机、T

40、ELACT8 涂 胶 显 影 一 体 机 和Hitachi SEM扫描电镜。中芯国际、华力微电子、长江存储、武汉新芯、华虹半导体、华润微、士兰微、立昂微、三安光电、华润上华等北京科华目前KrF光刻胶年产能百吨级，g/i线光刻胶年产能正胶500吨、正胶配套试剂1千吨，环化橡胶系负性光刻胶百吨级、负胶配套试剂千吨级。以电子级酚醛树脂为基础，向电子化学品产业链延伸。子公司北京科华是唯一一个被SEMI列入全球光刻胶八强的中国厂商，也是国内首家批量供应KrF光刻胶的公司。上海新阳KrF、ArF公司拟申请10项KrF厚膜光刻胶相关专利。引进日本知名光刻胶公司顶尖专家和研发技术人员，组建三十多人研发团队，包

41、含1/5外籍研发人员；持股公司芯刻微曾引进复旦大学邓海教授研发ArF干法光刻胶。KrF用Nikon-205C光刻机、i线用Nikon-i14光刻机已投入使用，ArF干法用ASML-1400光刻机入场调试，ArF浸没式ASMLXT1900Gi型光刻机正在调试。KrF厚膜光刻胶已完成验证，取得存储芯片客户厂商订单合肥工厂正建设半导体高端光刻胶系列产品年产能500吨。ArF干法光刻胶通过验证后预计2022年年产能18.93吨。主营电子电镀与清洗液，现有存量客户可为光刻胶潜在客户，在ArF干法、KrF厚膜及i线光刻胶方面已有技术与产品的突破。目录目录C CO N T E N T SO N T E N

42、T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月2626概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断2727市场表现市场表现| |光刻胶指数大幅跑赢市场光刻胶指数大幅跑赢市场 windwind光刻胶概念指数光刻胶概念指数884：自2019年7月1日指数发布以来，虽经历过调整，但仍大幅跑赢市场。除了受到整个半导体板块走势的影响之外，国家政策和资金的扶持、国内外断供事件、行业缺货涨价、相关企业购入光刻机等事件

43、在不同程度上对指数表现产生了一定影响。-20%30%80%130%180%230%280%Jul/19Jul/19Aug/19Sep/19Oct/19Nov/19Dec/19Jan/20Feb/20Mar/20Apr/20May/20Jun/20Jul/20Aug/20Sep/20Oct/20Nov/20Dec/20Jan/21Feb/21Mar/21Apr/21May/21Jun/21Jul/21Aug/21Sep/21Oct/21Nov/21Dec/21Jan/22Feb/22光刻胶指数（wind）沪深300消息称日本信越化学光刻胶存在断供风险大基金二期启动投资在即南大光电公告国家大基金入股，宣布02专项通过验收行业缺货，企业纷纷抢购南大光电购得ASML193nm浸没式光刻机ASML的EUV光刻机断供中芯国际，国产替代情绪高涨