1、版权声明本白皮书版权属于中国电子技术标准化研究院，并受法律保护。转载、 摘编或利用其它方式使用本白皮书文字或观点的， 请注明： “来源：中国电子技术标准化研究院”。违反上述声明者，本院将追求其相关法律责任。I目录1前言.12功率半导体分立器件概述.32.1功率半导体分立器件的概念.32.2功率半导体分立器件的分类.42.3功率半导体分立器件的应用.72.4功率半导体分立器件关键工艺.82.4.1外延工艺技术.82.4.2光刻工艺技术.92.4.3刻蚀工艺技术.92.4.4离子注入工艺技术.92.4.5扩散工艺技术.102.5功率半导体分立器件.102.5.1功率二极管.102.5.2晶闸管.1

2、12.5.3晶体管.112.5.4功率半导体分立器件模块.142.5.5宽禁带功率半导体器件.143功率半导体分立器件发展现状及发展趋势.173.1功率半导体分立器件发展现状.173.1.1全球产业发展现状.173.1.2国内产业发展现状.19II3.2我国功率半导体分立器件发展趋势.253.2.1下游需求旺盛为功率半导体分立器件带来新机遇.253.2.2高端产品进口替代空间广阔.273.2.3宽禁带功率分立器件是行业持续发展的重要保障.304功率半导体分立器件标准化现状.354.1国外标准化现状.354.2国内标准化现状.484.2.1国内民用标准现状.484.2.2国内军用标准现状.485

3、功率半导体分立器件标准体系.505.1标准体系的构建原则.505.2我国功率半导体分立器件标准体系.515.2.1基础标准.535.2.2产品标准.576功率半导体分立器件标准化发展目标及建议.666.1发展目标.666.2发展建议.676.2.1完善标准体系，填补空白领域.676.2.2着重发展新材料领域标准化研究.676.2.3功率模块应用激增，带来标准研究新问题. 706.2.4针对不同领域的应用环境与要求制定相关标准.716.2.5鼓励发展高质量的团体标准.73III6.2.5标准体系后续构建应注重军标与民标的协调.73附录 1功率半导体分立器件 IEC 标准转化情况.75附录 2功率

4、半导体分立器件现行民用标准清单.8211前言功率半导体器件是目前世界上发展最为迅速和竞争最为激烈的产业之一，功率半导体器件属于电子行业产业链中的通用基础产品，作为电子系统中的最基本单元，在汽车电子、消费电子、网络通信、电子设备、航空航天、武器装备、仪器仪表、工业自动化、医疗电子等行业都起着至关重要的作用，在实施中国制造 2025规划中具有重大意义。就像中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏一样，功率半导体分立器件是现代功率半导体装置的心脏， 虽然价值通常不会超过整台装置总价值的 1030%，但它对装置的总价值、尺寸、重量和技术性能起着十分重要的作用。没有领先的器件，就没有领先的设备，功率半导体

5、分立器件对功率半导体技术领域的发展起着决定性的作用。本白皮书以新时代标准化工作总体思路为指导， 主要阐述功率半导体分立器件的基本概况、 行业发展现状与趋势， 国内外标准化现状，梳理功率半导体分立器件标准体系中已发布、制定中、待制定标准，重点分析我国功率半导体分立器件标准化体系， 对标准化需求和实施路径进行研究，提出潜在的标准化工作方向和标准化建设建议，为更好地引导功率半导体分立器件产业健康良好、可持续发展提供参考，支撑制造强国战略实施。本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者2水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，

6、编制组将根据技术发展和行业意见进行持续修订完善。32功率半导体分立器件概述2.1功率半导体分立器件的概念2.1功率半导体分立器件的概念功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路（Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中，功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能， 并且本身在功

7、能上不能再细分的半导体器件。图 1半导体产业结构关系1957 年美国通用电气公司(GE)研制出世界上第一只工业用普通晶闸管(Thyristor)，标志了功率半导体分立器件的诞生。功率半导体分立器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以 MOSFET 和IGBT 为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心4的新发展阶段。功率半导体分立器件作为介于电子整机行业以及上游原材料行业之间的中间产品，是电子与信息行业的基础及核心，半导体功率器件全产业链结构如图 2 所示。图 2半导体功率器件全产业链结构2.2功率半导体分立器件的分类2.2功率半导体分立器件的分类2.2.1器件结构按照器件结构

8、，现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和5绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。2.2.2功率处理能力按照功率处理能力， 现有的功率半导体分立器件可分为低压小功率半导体分立器件、中功率半导体分立器件、大功率半导体分立器件和高压特大功率半导体分立器件。2.2.3驱动性质按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质， 现有的功率半导体分立器件（除功率二极管外）可分为电流驱动型与电压驱动型。电流驱动型： 通过从控制端注入或抽出电流实现其关断的功率半导体分立器件。电压驱

9、动型： 通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号实现导通或关断的功率半导体器件。2.2.4控制程度按照控制电路信号对器件的控制程度， 现有的功率半导体分立器件可分为不可控型、半控型和全控型。不可控器件： 不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件，代表器件为功率二极管；半控器件： 通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件为晶闸管及其大部分派生器件；全控器件：通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等；62.2.5导电情况按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况

10、， 现有的功率半导体分立器件可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。单极型器件：有一种载流子（电子或空穴）参与导电的功率半导体分立器件；双极型器件： 由电子和空穴两种载流子参与导电的功率半导体分立器件；复合型器件： 由单极型器件和双极型器件集成混合而成的功率半导体分立器件；2.2.6衬底材料按照功率半导体器件衬底材料的不同， 现有的功率半导体分立器件的材料可分为三代：第一代半导体材料主要是以锗（早期产品，现已不常见）和硅为代表。20 世界 50 年代，锗在半导体中占主导地位，主要应用于低压、低频、中功率晶体管，但锗材料的耐高温和抗辐射能力较差，60 年代后逐渐被硅材料所取代。用硅材料制造的半

11、导体器件，耐高温和抗辐射性能较好。由于硅材料储量丰富，提纯与结晶方便，二氧化硅薄膜的纯度高，绝缘性能好，器件的稳定性与可靠性大为提高。硅材料是目前应用最多的一种半导体材料。第二代半导体材料主要是以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表的化合物半导体材料，适用于制造高频、高速、大功率半导体器件。第三代半导体材料主要是以即碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为7代表的宽禁带半导体材料。与第一代、第二代材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度以及更高的击穿电场、 热导率和电子饱和速率及更好的抗辐照能力，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率半导体器件。2.3功率半导体分立器件的应用2.3功率半导体

12、分立器件的应用功率半导体分立器件的应用十分广泛， 几乎覆盖了所有的电子制造业， 传统应用领域包括消费电子、 网络通信、 工业电机等， 近年来，新能源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为了功率半导体分立器件的新兴应用领域。一、消费电子：功率半导体分立器件主要应用于各种电子装置的电源及充电系统、功率半导体照明电源、家用电器变频器等方面。二、工业电机：工业中需大量应用交直流电机，为其供电的可控整流电源或直流斩波电源、 电机的变频驱动系统的核心器件均是功率半导体分立器件。三、汽车电子及充电系统：除传统汽车在电源、照明等系统中需大量运用功率半导体器件外，新能源汽

13、车新增了充电桩（器）、变流器、逆变器等应用需求，且新能源汽车电子化程度更高，其产品的特性要求以及汽车的可靠性要求， 使得新能源汽车功率半导体分立器件的用量与价值有大幅的增加。四、轨道交通：各种轨道交通运输工具均离不开功率半导体分立器件， 直流机车中的整流装置， 交流机车中的变频装置， 高铁、 动车、磁悬浮列车等轨道交通的直流斩波器，新能源汽车的电力变换系统、驱动控制系统与电池充电系统，以及各种车辆、飞机、船舶中的电源8系统，都以功率半导体分立器件作为核心器件。五、 智能电网： 智能电网电力传输中的直流输电、 柔性交流输电、无功补偿技术、 谐波抑制技术以及防止电网瞬时停电、 瞬时电压跌落、闪变等

14、提高供电质量的技术均需要应用功率半导体期间得以实现。六、新能源发电：功率半导体分立器件在新能源发电和分布式发电上主要应用于光伏逆变、风力发电、太阳能发电、地热能发电、生物能和燃料电池发电系统中的逆变器、变流器等装置中。七、航空航天：第三代半导体器件具有超强的抗辐照能力，在航空航天方面有着绝对的应用优势。八、武器装备：功率半导体分立器件主要应用于电磁打火装置，远程导弹、雷达、电磁弹射系统的电源系统中。2.4功率半导体分立器件关键工艺2.4功率半导体分立器件关键工艺功率半导体分立器件的主要工艺流程包括： 在硅圆片上加工芯片(主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀)，进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性

15、能指标测试，其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。2.4.1外延工艺技术2.4.1外延工艺技术对于 Si 功率半导体器件，外延工艺是根据不同硅源（SiH2CL2、SiHCL3、SiCL4），在 1100-1180温度下在硅片表面再长一层或多层本征（不掺杂）、N 型（掺 PH3）或 P 型（掺 B2H6）的单晶硅，并且，要将硅层的厚度和电阻率、厚度和电阻率的均匀性、表面的缺陷控制在允许范围内。通过外延工艺可生长出纯度更高、质量更好、与衬底有相同晶向的单晶硅。9对于 SiC 功率半导体器件，生长出低缺陷密度的单晶十分困难，因 SiC 衬底晶体生长需在 2300的

16、温度下进行， 需在 H2保护气氛下，用 SiH4和 CH4或 C3H8作为反应气体，其生长速率一般每小时只有几微米，且仍存在 SiC 衬底中的晶体缺陷扩展到外延层的问题，因而 SiC晶片成本特别是高质量大面积的 SiC 晶片成本远高于 Si 晶片。2.4.2光刻工艺技术2.4.2光刻工艺技术光刻工艺是半导体工艺技术中最关键的技术之一， 也是反映半导体工艺技术水平的重要指标。光刻工艺是将掩膜（光刻板）图形转移到衬底表面的光刻胶上形成产品所需要图形的工艺技术， 光刻机的精度一般是指光刻时所得到的光刻图形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越细的线条，集成度也越高。2.4.3刻蚀工艺技术2.4.3刻蚀工

17、艺技术刻蚀是用物理或化学的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，刻蚀的基本作用是准确地复制掩膜图形，以保证生产线中各种工艺正常进行。 湿法刻蚀是通过合适的化学溶液与所欲蚀刻的材质进行化学反应，然后转成可溶于此溶液的化合物，而达到去除的目的； 干法刻蚀是利用等离子原理有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 而等离子增强反应离子刻蚀、 电子回旋共振刻蚀 （ECR） 、感应耦合等离子体刻蚀（ICP）等其他先进蚀刻技术能够满足细线条产品的需求，特别是高端功率半导体器件的 Trench 蚀刻工艺，既能满足 Trench 线宽要求，又能使其沟槽垂直度达到 95%以上。2.4.4离子注入工艺技术

18、2.4.4离子注入工艺技术离子注入是通过高技术设备将器件需要的掺杂元素注入到硅片10中。其基本工艺原理是:利用离子源产生的等离子体，在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子，经过引出离子电极（吸极）、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等工艺设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺的技术水平主要体现在束流和能量两个方面，高性能的离子注入束流可以小到 100 微安以下，大到几十毫安以上；能量小到 40KeV 以下，大到 400KeV 以上。2.4.5扩散工艺技术2.4.5扩散工艺技术半导体掺杂工艺的主要目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和 PN 结。扩散技术是实现这一目的的

19、简单而方便的途径， 先进的扩散工艺技术水平可以将炉内薄膜均匀性控制在小于 3%的水平。扩散、氧化、光刻工艺的结合，产生半导体的平面工艺。扩散工艺虽然在 Si 器件中应用广泛，但在 SiC 功率半导体器件中能用作掺杂物的所有元素即使在很高的温度下扩散系数仍很低， 因此扩散工艺不适用于 SiC 功率半导体器件，通常采用离子注入技术。2.5功率半导体分立器件2.5.1功率二极管2.5功率半导体分立器件2.5.1功率二极管2.5.1.1PIN 二极管大多数功率二极管主要是依靠 PN 结的单向导电原理工作的，具有极低的通态电阻，称为 PIN 二极管。从应用的角度，PIN 二极管可以分成整流二极管与快恢复

20、二极管。一、整流二极管整流二极管利用 PN 节的单向导电性， 把交流电变成脉冲直流电，主要应用于各种低频整流电路中。11二、快恢复二极管快恢复二极管是一种开关频率快， 反向恢复时间短的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM 脉宽调制器、变频器中。2.5.1.2肖特基二极管肖特基二极管是单极器件，利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结作为肖特基势垒，以产生整流的效果，在中、高等功率领域中应用广泛，其主要用途如下：一、续流二极管：作为 MOSFET 或 IGBT 的续流二极管使用，其优点是结电压低，并且无储存电荷。在关断时，从导通到阻断状态，只需要考虑结电容的容性再充电。二、宽禁带二极管：宽禁

21、带半导体材料由于临界电场较高，会带来较高的阻断电压，在双极型器件中将导致结电压增大，由于肖特基二极管是单极型器件，将不存在结电压增大的问题。2.5.2晶闸管2.5.2晶闸管晶闸管通常称为可控硅，是一种半控整流器件，体积小、无加热灯丝、寿命长、可靠性高、价格便宜，多应用在电机驱动控制、高压直流输电（HVDC）、动态无功功率补偿、超大电流电解等场合。可控硅除了单向普通可控硅外,还派生出了许多其他类可控硅元件,如快速可控硅、光控可控硅、逆导可控硅、双向可控硅、非对称可控硅、门极可关断可控硅等多个品种。2.5.3晶体管2.5.3晶体管晶体管是能够提供电功率放大并具有三个或更多电极的一种半导体器件。12

22、晶体管按照主要用途可以分为两大类：开关管和放大管。开关管工作在截止区和饱和区，多用于数字电路，实现逻辑功能；放大管一般工作在线性区附近，应用于模拟电路，实现信号或功率放大。根据主要工艺，可以把晶体管分为双极晶体管和场效应晶体管。双极晶体管属于流控器件， 响应速度快， 驱动能力强； 场效应管属于压控器件，输入阻抗高，功率消耗相对较低。2.5.3.1双极晶体管双极晶体管是至少具有两个结， 其功能依赖于多数载流子和少数载流子的一种晶体管。双极晶体管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。双极晶体管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结， 两个PN结把整块半导体分成三部分

23、，中间部分是基区，两侧分别是发射区和集电区，排列方式有 PNP 和NPN 两种，从三个区引出相应的电极，分别称为基极 b、发射极 e 和集电极 c。发射区和基区之间的 PN 结叫发射结，集电区和基区之间的 PN 结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP 型双极晶体管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN 型双极晶体管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是发射结在正向电压下的导通方向。 硅双极晶体管和锗双极晶体管都有PNP 型和 NPN 型两种类型。2.5.3.2场效应晶体管（FET）场效应晶体管是其流

24、过导电沟道的电流受施加在栅源引出端间的电压产生的电场所控制的一种晶体管。 场效应晶体管主要可以分为13结栅场效应晶体管(JFET),金属-半导体场效应晶体管(MESFET)和金属绝缘体半导体场效应晶体管（MISFET）。结栅场效应晶体管是具有一个或多个与沟道形成 PN 结的栅区的一种场效应晶体管。 金属-半导体场效应晶体管是有与沟道形成肖特基势垒的一个或多个栅极的一种场效应晶体管。JFET 和 MESFET 具有完全相同的工作原理，所不同的只是在 MESFET 中，用金属半导体势垒结代替了 JFET 中的pn 结。金属绝缘体半导体场效应晶体管是具有一个或多个与沟道电绝缘的栅极的一种场效应晶体管

25、。在 MISFET 中以氧化物作为绝缘层的 MOSFET 最为普遍和典型。2.5.3.3结型栅场效应晶体管(JFET)结型栅场效应晶体管(JFET)根据导电沟道的不同可以分为两大类：N 沟道 JFET 和 P 沟道 JFET。导电沟道的载流子是电子的称为 N沟道 JFET；导电沟道的载流子是空穴的称为 P 沟道 JFET。在栅极和源极间施加反向电压，通过改变 PN 结耗尽层的厚度来改变导电沟道的宽度，实现控制源极到漏极间电流的变化。2.5.3.4金属氧化物场效应管(MOSFET)金 属 - 氧 化 物 - 半 导 体 型 场 效 应 管 ， 英 文 缩 写 为 MOSFET（Metal-Oxi

26、de-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型场效应管,其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达 1015 ）。它也分N 沟道管和 P 沟道管。通常是将衬底（基板）与源极 S 接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET 又分增强型和耗尽型。所谓增强型是指：当栅-源电压VGS=0 时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载14流子被吸引到栅极， 从而 “增强” 了该区域的载流子， 形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0 时已经存在导电沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”

27、了载流子，使管子转向截止。2.5.3.5绝缘栅双极型晶体管(IGBT)绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点，克服了两者的缺点。目前耐压达 5kV 甚至更高，电流达 1.2kA。2.5.4功率半导体分立器件模块2.5.4功率半导体分立器件模块半导体分立器件功率模块是由两个或两个以上半导体分立器件芯片按一定电路连接并安装在陶瓷基覆铜板（DCB）上，用弹性硅凝胶等保护材料密封在一个绝缘外壳内或采用塑料封装， 实现半导体分立器件功能的模块。功率模块主要应用于高压大

28、电流场合，如智能电网、高铁/动车组等。2.5.5宽禁带功率半导体器件2.5.5宽禁带功率半导体器件宽禁带功率半导体器件具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的功率半导体器件。目前，功率半导体器件领域生产技术最成熟的宽禁带半导体材料是 SiC 和 GaN。2.5.5.1SiC 功率半导体器件一、SiC 功率二极管SiC功率二极管可显著降低由反向恢复作用导致的自身损耗以及反并联可控功率半导体器件的开通损耗， 在开关频率较高的应用中具15有明显优势。目前主要有 3 种 SiC 功率二极管产品：SiC 肖特基二极管、SiC PiN 二极管和

29、 SiC 结势垒控制肖特基二极管，成熟度最高的是 SiC 肖特基二极管， 因其是多数载流子为主要运动方式的半导体器件，具有正向电压低，反向恢复时间短等明显优势，可应用于高速开关和大功率系统等。二、SiC JFETSiC JFET 利用 PN 结耗尽区控制沟道电流，可全面开发 SiC 的高温性能，适合高温大功率开关装置，是研发起步较早且产业化发展较成熟的 SiC 功率半导体器件。与 MOSFET、IGBT 等器件相比，单极性JFET 具备良好的高频特性、高温稳定性及栅极可靠性，然而，栅极PN 结工作方式使其无法兼容通用的门极驱动器，不能直接替代 SiMOSFET 及 IGBT。三、SiC MOS

30、FETSiC MOSFET 可直接采用 Si MOSFET 的设计、制造经验及生产设备，且驱动电路与 Si MOSFET、IGBT 均兼容，因此是产业化速度最快的宽禁带功率半导体器件。SiC MOSFET 高温与常温下导通损耗与关断损耗均很小， 驱动电路简单， 有利于电路节能和散热设备的小型化，市场上量产的产品主要分平面 MOS 和沟槽 MOS 两类。 与硅 IGBT 相比，既具有高频特性，又无拖尾电流，未来有可能替代 Si IGBT 成为主流功率电子开关器件。四、SiC IGBT在 10kV 以上的高压及超高压领域中，SiC MOSFET 器件会面临通态电阻过高等问题，SiC IGBT 优势

31、立显。但受 P 型衬底电阻率高、16沟道迁移率低及栅氧化层可靠性问题限制，SiC IGBT 的研发工作起步较晚，目前虽正逐步解决上述问题，但产品尚未实用化。五、SiC 功率模块SiC 功率模块可分为混合 SiC 功率模块和全 SiC 功率模块， 其中，混合 SiC 功率模块用 SiC SBD 替换 Si FRD，可显著提高工作频率，与同等额定电流的 Si IGBT 模块产品相比，开关损耗大幅度降低。全SiC 模块采用了 SiC SBD 与 SiC MOSFET 一体化封装，解决了 Si IGBT及 FRD 导致的功率转换损耗较大问题， 在高频范围中推动了外围部件小型化的发展。2.5.5.2Ga

32、N 功率半导体器件一、GaN HEMT基于 GaN 半导体材料制作的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有极快的开关速度和优异的反省恢复性能，适用于低损耗、高效率的应用场合，相比其他开关功率半导体器件，GaN HEMT 有更高的效率和开关速度，更小的体积和更简化的设计，并且 GaN HEMT 可工作在 Ka 波段以及 300的高温环境，能够覆盖 1-100GHz 的工作频率，在军用雷达、智能武器和通信系统等方面有着重要的应用价值。二、GaN 二极管GaN功率二极管方面的研究主要针对中低压领域， 包括两种类型：GaN 肖特基二极管和 PN 二极管。GaN 肖特基二极管主要有横向、垂直和台面 3 种结

33、构，每种结构对于二极管性能都各有利弊；GaN PN 二极管具有很高的电流密度、 较高的雪崩击穿能量承受能力和非常小的漏电流。173功率半导体分立器件发展现状及发展趋势3.1功率半导体分立器件发展现状3.1.1全球产业发展现状3.1功率半导体分立器件发展现状3.1.1全球产业发展现状1999-2018 年的 20 年间，全球分立器件销售额呈现波动的趋势，综合 Yole、 IHS、 Gartner 等多家分析机构数据后可知， 在这 20 年中，2002 年是全球分立器件行业的低点，包含功率模块及功率分立器件在内的功率半导体器件销售额为 125.28 亿美元，2018 年分立器件销售额达到 20 年

34、来的高点，销售额为 230.91 亿美元，年复合增长率为3.10%，其中，中国大陆功率半导体器件市场规模约为全球的 39%。图 3 给出了近五年全球功率半导体分立器件销售额。图 32014-2018 全球功率半导体器件销售额从产业格局来看， 全球功率半导体分立器件中高端产品生产厂商主要集中在欧美、日本和我国台湾地区。美国、日本和欧洲功率半导体器件厂商大部分属于 IDM 厂商（集成的器件制造商，即一家企业包含设计、工艺制造、封装、测试等所有环节），而我国台湾的厂商则18绝大多数属于 Fabless 厂商（即无生产线的设计公司，该企业只负责设计，工艺制造、封装、测试等环节均采用委托外协加工的方式，

35、但最终产品产权及销售仍归属该企业），不同地区通过产业分工，形成了各自的竞争优势。美国是功率半导体分立器件的发源地，在全球功率半导体分立器件市场中占有重要的位置， 主要器件企业有德州仪器（TI）、高通（QUALCOMM）和安森美（ONSEMI）等；欧洲也是全球功率半导体分立器件产业的发达地区，主要企业有英飞凌（Inineon）、意法半导体（ST）和恩智浦（NXP）等；从上世纪 90 年代开始，日本成为国际上功率半导体分立器件产业的发达地区，主要企业有东芝、富士和三菱等。全球功率半导体分立器厂商销售份额占比如图 4 所示。图 4全球功率半导体分立器厂商销售份额占比从器件种类来看， 以硅基功率 MO

36、SFET 和 IGBT 为代表的场控型器件是国际功率半导体分立器件市场的主力军，其中 IGBT 器件的年平均增长率超过 30%，远高于其它种类器件。在 SiC 和 GaN 功率半导体分立器件领域，由于国际上出现商业化产品的时间较短，并受技术成19熟度和成本的制约，该领域尚处于市场开拓的初期阶段，预计将在2020 年进入市场爆发式增长阶段。3.1.2国内产业发展现状3.1.2国内产业发展现状3.1.2.1国内市场分析我国功率半导体分立器件产业虽起步较晚，但市场规模增长迅速，从 2011 年的 1386 亿元增长到 2018 年的 2264 亿元，年均复合增速为 6.33%。在市场竞争格局方面，我

37、国由于长期受企业规模及技术水平的制约， 在高端半导体分立器件领域尚未形成整体的规模效应与集群效应， 目前国内功率半导体分立器件产业集中在加工制造和封测部分，产品结构以中低端为主，高端产品需进口，国际厂商仍占据我国高附加值分立器件市场的绝对优势地位，供需一直存在较大缺口。从产品结构来看，由于电子系统的结构相对稳定，因此市场产品结构仍将保持稳定， 但随着分布式能源、 高铁、 电动汽车的快速发展，IGBT 等大功率高端产品增速较快， 2018-2020 我国各类功率半导体分立器件市场规模结构及预测如图 5 所示。图 52018-2020 中国功率半导体分立器件市场规模结构及预测203.1.2.2政策

38、支持由于功率半导体器件具有巨大的国内和国际市场， 且在产业结构升级、节能减排等领域发挥着不可替代的重要作用，为了鼓励国内功率半导体器件产业的发展，打破国外企业在此领域的垄断，增强科技创新能力，推进节能降耗，建设资源节约型和环境友好型社会，近年来，国家相关部门制订了一系列政策以鼓励、支持、促进国内功率半导体器件行业的发展，具体内容如表 1 所示。表 1我国功率器件相关政策序号时间发布机构政策名称内容概要12006 年 8月原信息产业部信息产业科技发展“十一五”规划和 2020年中长期规划纲要重点围绕计算机、网络和通信、数字化家电、汽车电子、环保节能设备及改造传统产业等的需求,发展相关的片式电子元

39、器件、机电元件、印制电路板、敏感元件和传感器、 频率器件、 新型绿色电池、 光电线缆、新型微特电机、 电声器件、 半导体功率器件、电力电子器件和真空电子器件。22007 年 3月原信息产业部信息产业科技发展“十一五”规划和 2020年中长期规划纲要推动元器件产业结构升级。继续巩固我国在传统元器件领域的优势,加强引进消化吸收再创新和产业垂直整合,加快新型元器件的研发和产业化。重点发展片式化、微型化、集成化、高性能的新型元器件，鼓励环保型电子元器件的发展。32008 年10 月原信息产业部信息产业“十一五” 规划推动元器件产业结构升级。继续巩固我国在传统元器件领域的优势,加强引进消化吸收再创新和产

40、业垂直整合,加快新型元器件的研发和产业化。重点发展片式化、微型化、集成化、高性能的新型元器件，鼓励环保型电子元器件的发展。21序号时间发布机构政策名称内容概要42009 年 4月国务院办公厅电子信息产业调整和振兴规划加快完善体制机制，改善投融资环境，培育骨干企业，扶持中小创新型企业，促进产业持续健康发展；加大财税、金融政策支持力度,增强集成电路产业的自主发展能力；实现电子元器件产业平稳发展;加快电子元器件产品升级；完善集成电路产业体系；在集成电路领域，鼓励优势企业兼并重组；继续保持并适当加大部分电子信息产品出口退税力度，发挥出口信用保险支持电子信息产品出口的积极作用,强化出口信贷对中小电子信息

41、企业的支持。52009 年 5月国务院办公厅装备制造业调整和振兴规划结合实施电子信息产业调整和振兴规划,以集成电路关键设备、平板显示器件生产设备、新型元器件生产设备、表面贴装及无铅工艺整机装联设备、电子专用设备仪器及工模具等为重点,推进电子信息装备自主化。62010 年 3月国家发展改革委员会办公厅关于组织实施2010 年新型电力电子器件产业化专项的通知确立了工半导体分立器件产业化专项重点，支持 MOSFET、IGCT、IGBT、FRD 等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化，重点解决芯片设计、制造和封装技术，包括结构设计、可靠性设计，以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面金属化、测试等

42、工艺技术，提高产品档次。72011 年 3月国家发展改革委员会关于组织实施2010 年新型电力电子器件产业化专项的通知确立了工半导体分立器件产业化专项重点，支持 MOSFET、IGCT、IGBT、FRD 等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化，重点解决芯片设计、制造和封装技术，包括结构设计、可靠性设计，以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面金属化、测试等工艺技术，提高产品档次。82011 年 3月国家发展改革委员会产业结构调整指导目录(2011 年本)将“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔

43、性电路板等)制造”列入鼓励类。22序号时间发布机构政策名称内容概要92011 年 6月国家发展改革委员会、科技部等五部委当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2011 年度)将集成电路电路、信息功能材料与器件、新型元器件等列入重点领域,其中包括中大功率高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)芯片和模块,中小功率智能模块;高电压的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；大功率集成门极换流场效应管(IGCT)；6 吋大功率场效应管。102012 年 2月工业和信息化部电子基础材料和关键元器件“十二五”专项规划紧紧围绕节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料和

44、新能源汽车等战略性新兴产业发展需求,发展相关配套元器件及电子材料。122016 年 3月十二届全国人大四次会议过敏经济和社会发展第十三个五年规划纲要针对功率表器件行业：加强与整机产业的联动，以市场促进器件开发、以设计带动制造、推动“虚拟IDM”运行模式的发展；建设国家级半导体功率器件研发中心， 实现从 “材料-器件-晶圆-封装-应用”全产业链的研究开发；大力发展过长 IGBT 产业， 促进 SiC和 GaN 器件应用；132016 年 4月工业和信息化部工业节能管理办法以加强工业节能管理，健全工业节能管理体系，持续提高能源利用率。142016 年 7月中共中央办公厅、国务院办公厅国家信息化发展

45、战略纲要制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要，以体系化思维弥补单点弱势，打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。152016 年12 月国务院“十三五”国家战略性新兴产业发展规划提出做强信息技术核心产业，提升核心基础硬件供给能力，推动电子器件变革性升级换代，加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发，包括 IGBT 在内的功率半导体分立器件产业将迎来新的一轮高速发展期。162017 年 2月国家发展核改革委员会战略性新兴产业重点产品和服务指导目录重点支持电子核心产业，包括绝缘山双击晶体

46、管芯片（IGBT）及模块。23序号时间发布机构政策名称内容概要172017 年 5月科技部、交通运输部“十三五”交通领域科技创新专项规划提出开展整车、动力系统、底盘电子控制系统以及 IGBT、SiC、GaN 等电力电子器件技术研发等。182018 年 2月国家能源局2018年能源工作指导意见提出进一步完善电网结构，继续优化主网架布局和结构，深入开展全国同步电网格局论证，研究实施华中区域省间加强方案，加强区域内省间电网互济能力，推进配电网建设改造和智能电网建设，提高电网运行效率和安全可靠性。“十一五”到“十二五”期间，我国功率半导体分立器件市场在全球市场中所占的份额越来越大， 已成为全球最大的大

47、功率功率半导体分立器件需求市场， 我国功率半导体分立器件市场年增长率近20%。“十三五”期间随着战略性新兴产业的崛起，功率半导体分立器件及装置在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源设备等先进制造业中发挥着越来越重要的作用。在新能源的革命、投资增量需求、 节能环保要求以及下游功率半导体装置行业的高速发展等因素的拉动下，我国功率半导体分立器件产业进入了黄金发展期，并保持较高的增长态势。3.1.2.3产品研发现状我国目前已经初步建立起了包含二极管、晶闸管、IGCT、功率MOSFET、IGBT 等全系列硅基功率电子器件产业，在我国国民经济发展中发挥了重要的作用。在超大功率(电压 3.3

48、kV 以上、容量 145MW)领域，我国以晶闸管为代表的传统半控型器件的技术已经成熟，水平居世界前列，56英寸的晶闸管产品已广泛用于高压直流输电系统，并打入国际市场，24形成了国际竞争力。目前我国已经研制成功 7 英寸晶闸管产品，并实现了 IGCT 产品的商业化。在中大功率(电压 12006500V)和中小功率(900V 以下)领域， 在国家产业政策支持和国民经济发展的推动下， 我国高频场控功率电子器件技术和产业取得了长足的进步，建立了从电子材料、芯片设计、研制、封装、测试和应用的全产业链。中小功率的 MOSFET 芯片已产业化， 批量生产的单管已在消费类电子领域得到广泛应用， 600900V

49、的 MOSFET 芯片正在开发中；600V、1200V、1700V/10200A 的 IGBT芯片和 600V、 1200V、 1700V/10300A 的 FRD 芯片已进入产业化阶段，3300V、 4500V、 6500V/3263A 的 IGBT 和 3300V、 4500V、 6500V/50125A FRD 芯片已研发成功，并进入量产阶段；IGBT 模块的封装技术也上了一个大台阶， 采用国产芯片的600V、 1200V、 1700V、 3300V/2003600A 的 IGBT 模块已经实现量产，采用国产芯片的 4500V、6500V/6001200A 的 IGBT 模块进入小批量的

50、量产阶段。国产品牌IGBT 芯片和模块已经形成与国际品牌竞争的态势。在第三代半导体领域， 在 SiC 功率器件方面， 国内已研发出 17kVPIN 二极管芯片、3.3kV/50A SiC 肖特基二极管芯片、1.2kV3.3kVSiC MOSFET 芯片、4.5kV/50A SiC JFET 模块等样品；已具备 600V3.3kV/2A50A SiC 二极管芯片量产能力，SiC MOSFET 芯片产业化能力正在形成。在 GaN 功率器件方面，国内的研发工作主要集中在高校和科研院所,近几年也出现风险投资公司相继涉足Si衬底GaN半导体材料与器件的开发工作，同时 Si 衬底 GaN 功率器件也得到了