1、 Table_yemei1 观点聚焦 Investment Focus Table_yejiao1 本研究报告由海通国际分销，海通国际是由海通国际研究有限公司，海通证券印度私人有限公司，海通国际株式会社和海通国际证券集团其他各成员单位的证券研究团队所组成的全球品牌，海通国际证券集团各成员分别在其许可的司法管辖区内从事证券活动。关于海通国际的分析师证明，重要披露声明和免责声明，请参阅附录。(Please see appendix for English translation of the disclaimer) 研究报告 Research Report 5 May 2022 拓荆科技拓荆科技

2、Piotech Inc. (688072 CH) 首次覆盖: 薄膜沉积设备龙头公司扬帆起航 Domestic Leader in Deposition Equipment: Initiation Table_Info 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市Initiate with OUTPERFORM 评级 优于大市 OUTPERFORM 现价 Rmb110.85 目标价 Rmb100.19 市值 Rmb14.02bn / US$2.13bn 日交易额 (3 个月均值) US$114.52mn 发行股票数目 26.17mn 自由流通股 (%) - 1 年股价最高最低值 Rmb119.28-Rmb8

3、9.71 注：现价 Rmb110.85 为 2022 年 5 月 5 日收盘价 资料来源： Factset 1mth 3mth 12mth 绝对值 绝对值（美元） 相对 MSCI China Table_Profit (Rmb mn) Dec-20A Dec-21E Dec-22E Dec-23E 营业收入 436 758 975 1,176 (+/-) 73% 74% 29% 21% 净利润 -11 68 91 148 (+/-) n.m. 696% 33% 62% 全面摊薄 EPS (Rmb) -0.09 0.54 0.72 1.17 毛利率 34.1% 44.0% 45.2% 46.2%

4、 净资产收益率 -1.0% 5.7% 2.6% 4.0% 市盈率 n.m. 205 154 95 资料来源：公司信息, HTI (Please see APPENDIX 1 for English summary) 国内薄膜沉积设备领先供应商。国内薄膜沉积设备领先供应商。拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备、次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备、SACVD 设备厂商，也是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。 海外技术专家

5、及高端技术人才牵头，专注于薄膜沉积设备的国产海外技术专家及高端技术人才牵头，专注于薄膜沉积设备的国产化。化。截止 2021 年 9 月 30 日，公司科研人员 189 人，占员工总数的44.06%，其中海外技术专家及高端技术人才十余人。公司的PECVD设备、ALD 设备、SACVD 设备三大产品已广泛应用于国内晶圆厂14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已开展 10nm 及以下制程产品验证测试。 营收增长迅速，毛利率提升明显。营收增长迅速，毛利率提升明显。公司 2018 年-2020 年营业收入7064.4 万元、25125.15 万元、43562.77 万元，2019 年/2020 年同比

6、增 255.56%、73.38%；2021 年 1-9 月收入 37389.57 万元。按产品分，2018-2020公司PECVD设备收入分别为5170.28万元、24772.45万元、41824.53 万元，在主营业务收入中占比最大。2018 年-2020年公司整体毛利率分别为 33.00%、31.99%、34.12%，2021 年 1-9月的毛利率则高达 45.55%，提升较为明显。 薄膜沉积设备市场空间大，薄膜沉积设备市场空间大，ALD 设备市场规模预期将快速增长。设备市场规模预期将快速增长。薄膜沉积设备中，PECVD设备是占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的 33%；ALD 设

7、备占据薄膜沉积设备市场的 11%。经测算，2020 年 PECVD 设备、ALD 设备的全球市场规模分别为 56.76亿美元、18.92 亿美元。由于半导体先进制程产线数量增加，根据拓荆科技招股说明书援引 Acumen research and Consulting 预测 ALD设备的市场规模将快速增长，到 2026E 全球 ALD 设备市场规模将达到 32 亿美元。 盈利预测与投资建议。盈利预测与投资建议。我们预测拓荆科技2022E-2024E收入9.75亿元、11.76 亿元、13.30 亿元，同比增 28.61%、20.69%、13.04%；归母净利润分别为 0.91 亿元、1.48 亿

8、元、1.85 亿元，同比增33.36%、62.08%、25.25%。采用 PS 估值方法，结合可比公司估值PS（2022E）均值为 11.91 倍，给予公司 PS（2022E）13x，对应合理价值 100.19 元/股，首次覆盖“优于大市”评级 风险提示。风险提示。1)无法引进技术人才；2)客户验收时间延长；3)竞争加剧。 Table_Author Nathan Zheng Yang Zhou 855Price ReturnMSCI ChinaApr-22Volume 5 May 2022 2 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市

9、首次覆盖优于大市 拓荆科技是由拥有专业技术知识、丰富行业经验的管理层、专家组建成立的半导体设备供应商，成立至今一直专注于半导体薄膜沉积设备业务，主要产品包括 PECVD设备、ALD 设备、SACVD 设备三个系列。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD 设备、SACVD 设备厂商，也是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。 我们认为公司在薄膜沉积设备领域的技术能力强，目前 PECVD 设备为贡献收入的主力设备机型，ALD 设备、SACVD 设备新产品也在不断推出，伴随国内芯片本地化生产的需求不断增加，下游晶圆厂未来几年仍将持续扩产，拓荆科技作为国内优秀的薄膜沉积设备龙头公司将持续成长

10、。 1. 国内领先的半导体薄膜沉积设备厂商国内领先的半导体薄膜沉积设备厂商 拓荆科技股份有限公司（简称“拓荆科技”）主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备、次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备、SACVD 设备厂商，也是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。 1.1 股东背景：公司管理层及员工持股平台合计持有公司股东背景：公司管理层及员工持股平台合计持有公司 15.19%股权股权 拓荆科技成立于 2010 年 4 月 28 日，

11、法定代表人吕光泉，注册资金 1000 万元，其中中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、孙丽杰分别出资 600 万元、400 万元持有公司 60%、40%的股权。截止招股说明书披露之日，公司无控股股东或实际控制人，国家集成电路基金、国投上海、中微公司、嘉兴君励分别持有公司 26.48%、18.23%、11.20%、7.39%股权。 图图1 拓荆科技无控股股东、实际控制人，姜谦及其一致行动人持有拓荆科技无控股股东、实际控制人，姜谦及其一致行动人持有 15.19%股权股权 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 截止招股说明书披露之日，姜谦及其一致行动人包括股东吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周

12、仁、张先智、张孝勇，以及沈阳盛腾、芯鑫和等公司的 11 个员工持股平台，姜谦及其一致行动人合计持有公司 15.19%股权；公司的 11 个员工持股平台合计持有科创板 IPO 发行前股份的 12.1040%。 xUbWjZlUhUmUhXuXmUaQaO7NmOoOsQtRfQqQnQkPmMoR6MoOuNuOpMpQNZrNrR 5 May 2022 3 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 1.2 技术实力：核心技术人员的专业技术知识、行业经验非常丰富技术实力：核心技术人员的专业技术知识、行业经验非常丰富 拓荆科技专注于高端半导体专

13、用设备的研发、生产和销售，公司有 7 名核心技术人员，包括董事长吕光泉、董事姜谦、总经理田晓明、副总经理张孝勇、副总经理周坚、资深技术总监叶五毛、产品部总监宁建平，几位核心技术人员在公司任职之前的履历如下所示： 吕光泉先生，1965 年出生，美国国籍，美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年 8 月至 2014 年 8 月，先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国 SSTS 部，历任副研究员、工程技术副总裁等职。 姜谦先生，1952年出生，美国国籍，美国布兰迪斯大学博士。1982年1月至2005年 10 月，先后任职于麻省理工学院、英特尔公司、美国诺发，历任研

14、究员、研发副总裁等职。 田晓明先生，1956 年出生，美国国籍，美国东北大学电子工程学硕士，新加坡南洋理工大学工商管理硕士。1982 年 2 月至 2018 年 2 月，先后任职或就读于江西景光电子有限公司、美国东北大学、美国 Codi Semiconductor.Inc.、泛林半导体、尼康精机（上海）有限公司，历任设计工程师、资深副总裁等职。 张孝勇先生，1971 年出生，美国国籍，美国马里兰州大学化学工程博士。2000年 9 月至 2011 年 2 月，就职于美国诺发，在 PECVD 及 ALD 产品部历任工艺开发工程师、资深工艺开发工程师、超低介电质工艺开发经理、资深重要客户经理。 周坚

15、先生，1963 年出生，美国国籍，美国德克萨斯 A&M 大学电气工程硕士。1984 年 8 月至 2018 年 10 月，先后就职或就读于江西邮电科研所、美国德克萨斯 A&M大学、Nanometrics Inc.、Mattson Technology,Inc.、Ecovoltz Inc.、睿励科学仪器（上海）有限公司，历任工程师、软件部总监等职。 表表 1 核心技术人员主要的研发贡献核心技术人员主要的研发贡献 姓名姓名 职位职位 研发贡献研发贡献 姜谦姜谦 董事 成功领导研发团队完成“90-65nm”PECVD 设备的研发与应用，参与“1xnm 3D NAND PECVD 研发及产业化”国家重

16、大科技专项及多项产品研发 吕光泉吕光泉 董事长 成功领导团队研发完成“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”国家重大科技专项，领导团队研发“国家科技重大专项课题 A（ALD 相关）”等 田晓明田晓明 总经理 参与领导“国家科技重大专项课题 A（ALD 相关）”、“国家科技重大专项课题B（先进工艺 PECVD 相关）”、“国家集成电路装备项目 A（介质薄膜先进工艺相关）”等国家重大科技项目/课题研发 张孝勇张孝勇 副总经理 参与公司 12 英寸 PECVD 设备生产型号 PF-300T 的研发及产业化应用，负责“国家科技重大专项课题 A（ALD 相关）”及公司先进工艺 PECVD

17、 设备研发 周坚周坚 副总经理 负责领导公司半导体设备软件开发及优化，设备电气、系统平台的设计和优化 叶五毛叶五毛 监事会主席、资深技术总监 负责 HTM PECVD 工艺技术开发及优化改进，完成 12 英寸 ACHM 工艺 PECVD设备研发及产业化应用 宁建平宁建平 产品部总监 作为研发骨干参与多项国家重大科技专项的研发，负责“国家重大科技专项课题 B（先进工艺 PECVD 相关）”及先进制程 PECVD 设备的研发及产业化 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 5 May 2022 4 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于

18、大市 截止 2022 年 3 月 8 日，公司已获授权专利 174 项（境内 153 项，其他国家或地区 21 项），其中发明专利 98 项（境内 77 项，其他国家或地区 21 项）。我们认为，公司管理层在半导体设备领域拥有非常专业的技术知识，且在海外公司从业多年拥有非常丰富的行业经验，回国创立拓荆科技，不管是专业技术、行业经验等都是公司发展的坚实保障。 1.3 公司是国内唯一一家产业化应用集成电路公司是国内唯一一家产业化应用集成电路 PECVD、SACVD 的设备厂商的设备厂商 公司成立至今，一直专注于半导体薄膜沉积设备业务。2011 年国家重大专项成果-12 英寸 PECVD 出厂到中芯

19、国际验证，2012 年推出 12 英寸多反应腔 PF-300T 设备，2013 年 PF-300T 通过中芯国际产品线测试，2015 年 PF-300T 在中芯国际产线突破 1 万片，2016 年 ALD、8 吋 PECVD 设备出厂到客户端，2017 年首台量产型 HTM PECVD 设备出厂到客户端，2018 年首台 ACHM 机台发往客户端、首台 ALD 通过客户端 14nm 产业化验证，2019 年 SACVD 设备研制成功并出厂到客户端。 目前公司的 PECVD 设备、ALD 设备、SACVD 设备三大产品已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已开展 10n

20、m 及以下制程产品验证测试。 PECVD 设备。公司的 PECVD 设备已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及64/128 层 FLASH 制造工艺需求，产品能够兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lok I、Lok II、ACHM、ADC I 等多种反应材料。 ALD 设备。公司的 PE-ALD 设备是在 PECVD 设备的基础上，根据 ALD 反应原理进行创新设计的，可以沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜，目前已适配 55-14nm 逻辑芯片制造工艺需求。在 PE-ALD 设备成功量产基础上，正在研发 Thermal ALD 设备，为了

21、满足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、AIN 等金属化合物薄膜的工艺需求。 SACVD 设备。公司的 SACVD 设备可以沉积 BPSG、SAF 材料薄膜，适配 12 英寸40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造工艺需求。 表表 2 PECVD、SACVD、ALD 三大设备的主要应用领域三大设备的主要应用领域 设备设备 研发贡献研发贡献 PECVD 设备 在亚微米发展到 90nm 的 IC 制造技术过程中，扮演了重要角色。PECVD 设备相比传统的 CVD 设备可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积

22、速度，是薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类 SACVD 设备 主要应用于沟槽填充工艺，沟槽孔洞的深宽比越来越大 ALD 设备 具有非常精确的膜厚控制和非常优越的台阶覆盖率，在 28nm 以下关键尺寸缩小的双曝光工艺方面应用越来越广泛 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 5 May 2022 5 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 Table_PicPe 图图2 PECVD、ALD、SACVD 三大设备产品系列三大设备产品系列 资料来源：拓荆科技官网，HTI 客户方面，公司的 PECVD 设备主要客户包括中芯国际、长江存储

23、、重庆万国半导体；ALD 设备主要客户包括 ICRD；SACVD 设备包括北京燕东微电子科技有限公司。 公司是国内半导体设备行业重要的领军企业之一，三次（2016 年、2017 年、2019 年）获得中国半导体行业协会颁布的“中国半导体设备五强企业”称号，是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD、SACVD 设备厂商，产品技术参数已达到国际同类设备水平。 2. PECVD 设备贡献主要收入，快速增长设备贡献主要收入，快速增长 2.1 PECVD 主力机型主力机型 PF-300T、PF-200T 销量、平均单价上升明显销量、平均单价上升明显 公司的每台薄膜沉积设备由 1 个平台（TM）和多

24、个反应腔（PM）组成，PM 的数量通常为 1-3 个。根据表 3 可以看到，公司 PECVD 设备的销量从 2018 年 4 台增加到2021 年 1-9 月的 23 台；ALD 设备在 2018 年实现了 1 台销量；SACVD 设备在 2020 年、2021 年 1-9 月分别实现了 1 台销量。 公司销售 PECVD 设备为一台设备（包含 1-3 个腔），或者单独销售腔体，我们将单独销售腔的数量全部折算进设备进行处理分析，计算得到表 4 平均每台 PECVD 设备2018 年、2019 年、2020 年、2021 年 1-9 月平均每台设备配置 3 腔、2.74 腔、2.68腔、2.70

25、 腔。 表表 3 拓荆科技主要产品历年销售量（台）拓荆科技主要产品历年销售量（台） 产品类别产品类别 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 PECVD 23 31 19 4 ALD 0 0 0 1 SACVD 1 1 0 0 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 备注：表中统计的销量（台）是根据当年销售的平台数量计算的，如果单独销售反应腔则不计算在内。 5 May 2022 6 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 PECVD 设备的两大主力机型为 PF-300T、PF-200T，其中

26、 PF-300T 的销售平均单价（万元/PM+TM）由 2018 年的 349.11 万元增加到 2020 年的 373.46 万元，主要是因为PF-300T设备中包括了 ADCII、LOkII、ADHM 等新工艺，使得总体均价提升；PF-200T的销售平均单价（万元/PM+TM）由 2018 年的 245.25 万元增加到 2020 年的 346.67 万元，主要是因为 PF-200T 设备中包括了 ACHM 等新工艺，使得总体均价提升。 2.2 公司收入以公司收入以 PECVD 设备为主，毛利率增加较为明显设备为主，毛利率增加较为明显 公司 2018 年-2020 年实现营业收入 7064

27、.4 万元、25125.15 万元、43562.77 万元，2019 年/2020 年同比增 255.56%、73.38%；2021 年 1-9 月实现收入 37389.57 万元。 图图3 2018-2021Q1-Q3 营业收入营业收入 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图4 2018-2021Q1-Q3 收入（按产品分，单位：万元）收入（按产品分，单位：万元） 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 0%50%100%150%200%250%300%050000000250003000035000400004500050000201820192

28、0202021Q1-Q3营业收入（万元，左轴）同比（%，右轴）050000000250003000035000400004500020021Q1-Q3PECVD设备ALD设备SACVD设备表表 4 拓荆科技拓荆科技 PECVD 设备的主要型号产品历年销售情况设备的主要型号产品历年销售情况 产品类别产品类别 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 PECVD（台）（台） 23 31 19 4 PF-300T 46 86 41 12 PF-200T 39 28 30 4 平台平台+腔合计腔合计 85 114 71 1

29、6 平均每台平均每台 X 腔腔 2.70 2.68 2.74 3 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 备注：表中的第一行数据与表 3 中相同，因为 PF-300T、PF-200T 的销售量统计口径为平台+腔的合计数，也有可能存在腔的单独销售也计算在内，我们假设不考虑单独销售腔，全部折算进每台 X 腔中。 表表 5 拓荆科技拓荆科技 PECVD 设备主要产品历年销售价格、销售成本、毛利率变化情况设备主要产品历年销售价格、销售成本、毛利率变化情况 产品类别产品类别 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 销售价格（万片销售价格（万片/TM+PM）

30、 PF-300T 449.84 373.46 362.77 349.11 PF-200T 297.20 346.67 329.96 245.25 销售成本（万元销售成本（万元/TM+PM） PF-300T 249.61 241.74 244.62 233.15 PF-200T 174.85 221.07 227.24 215.09 毛利率毛利率 PF-300T 44.51% 35.27% 32.57% 33.22% PF-200T 41.17% 36.23% 31.13% 12.30% 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 5 May 2022 7 Table_header1 拓荆

31、科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 收入按产品分，2018 年-2020 年公司 PECVD 设备分别实现收入 5170.28 万元、24772.45 万元、41824.53 万元，在主营业务收入中占比最大；ALD 设备、SACVD 设备的收入仍尚小。2021 年 1-9 月 PECVD 设备、ALD 设备、SACVD 设备的收入分别为32283.16 万元、0 万元、4115.89 万元。 图图5 2018-2021Q1-Q3 毛利率毛利率 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图6 2018-2021Q1-Q3 归母净利润（单位：万元）归母净利润（单

32、位：万元） 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图7 2018-2021Q1-Q3 三项费用率三项费用率 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图8 2018-2021Q1-Q3 研发费用（单位：万元）研发费用（单位：万元） 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图9 2018-2021Q1-Q3 流动比率流动比率&速动比率（倍）速动比率（倍） 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 图图10 2018-2021Q1-Q3 应收账款周转率（次）应收账款周转率（次） 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿），HTI 毛利率呈上升趋势。2018 年-20

33、20 年公司的整体毛利率分别为 33.00%、31.99%、34.12%，2021 年 1-9 月的毛利率则高达 45.55%，提升较为明显。 20%25%30%35%40%45%50%20021Q1-Q3-12000-10000-8000-6000-0006000800020021Q1-Q3-10%0%10%20%30%40%50%60%70%20021Q1-Q3销售费用率管理费用率财务费用率02000400060008000400020021Q1-Q3

34、0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.520021Q1-Q3流动比率速动比率0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.520021Q1-Q3 5 May 2022 8 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 公司 2018 年-2020 年归母净利润分别为-10322.29 万元、-1936.64 万元、-1169.99万元，扣非后归母净利润分别为-14993.05 万元、-6246.63 万元、-5711.62 万元，主要是由于半导体设备行业技术含量高，研发

35、投入大，产品验证周期长，需要进行大量的研发投入导致。2021 年 1-9 月归母净利润 5796.38 万元，已实现扭亏为盈；扣非后归母净利润-2305.21 万元，亏损幅度有所收窄。 伴随公司营业收入的不断增加，三项费用率均有所降低。2018 年-2020 年销售费用率分别为56.99%、18.70%、15.23%；管理费用率分别为31.86%、8.53%、6.41%；财务费用率分别为-4.48%、-1.32%、-2.38%。2021年1-9 月销售费用率、管理费用率、财务费用率为 14.16%、6.28%、-4.06%。 2018 年-2021 年 1-9 月流动比率分别为 3.95、4.

36、26、4.09 和 2.23；2018 年-2021 年1-9 月的速动比率分别为 2.12、2.52、2.79 和 1.16；2018 年-2021 年 1-9 月应收账款周转率分别为 1.22 次、2.51 次、4.17 次和 3.78 次。 2.3 专注于薄膜沉积设备领专注于薄膜沉积设备领域，持续研发投入域，持续研发投入 截止 2021 年 9 月 30 日，公司的科研人员 189 人，占员工总数的 44.06%，其中海外技术专家及高端技术人才十余人，经过十余年的发展，公司已形成一支以国际技术专家为带头人，以国内技术骨干为基础，研发经验和产线调试经验丰富的研发团队。公司与外部科研结构的主

37、要合作研发情况如下： 与复旦大学合作 ACHM 工艺开发及 3D 结构集成，与苏州珂玛合作 PECVD 设备用陶瓷加热盘的关键技术与产业化，与武汉新芯合作 3D NAND PECVD 设备验证，与长江存储合作国家科技重大专项课题 A（ALD 相关） ，与公司 A 合作国家科技重大专项课题B（先进工艺 PECVD 相关） 。 公司持续研发投入，2018-2021 年 1-9 月的研发费用分别为 10797.31 万元、7431.87 万元、12278.18 万元和 12955.63 万元，目前正在研发的主要项目包括： 表表 6 拓荆科技正在研发的主要项目基本情况拓荆科技正在研发的主要项目基本情况

38、 项目名称项目名称 研究目标研究目标 所处阶段及进展情况所处阶段及进展情况 40nm 以上低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜以上低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜系列产品系列产品 应用于 40nm 以上制程的 Lok I、Lok II、ACHM、ADC I 材料工艺型号PECVD 设备 产业化验证 28nm-14nm 通用介质薄膜系列产品通用介质薄膜系列产品 对原有工艺和设备升级，适用于 28-14nm 的 SiO2、SiN、TEOS、DARC、HTN、a-Si 材料工艺型号 PECVD 设备 产业化验证 10nm 以下通用介质薄膜系列产品以下通用介质薄膜系列产品 适用于 10nm 以下制程生产线

39、的多重材料工艺型号 PECVD 设备 设计阶段 28nm 以下低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜以下低介电常数薄膜和硬掩膜等先进薄膜系列产品系列产品 筛选合适的化学前躯体，有效提升设备稳定性和工艺表现；设计特殊的腔室，大幅提升薄膜性能、设备稳定性和颗粒表现 设计阶段 多站式后端功能薄膜工艺系列产品多站式后端功能薄膜工艺系列产品 开发外径应用于先进封装领域的低温氧化硅介质薄膜 产业化验证 TF-Lite 开发应用于沉积 LED 绝缘层和保护层的 4/6 英寸 SiO2 PECVD 设备 产业化验证 12 英寸英寸 HDPCVD 介质薄膜先进工艺研发介质薄膜先进工艺研发 开发 12 英寸高密度等离子

40、体 PECVD 设备 设计阶段 ALD HTM SiO2薄膜沉积设备及工艺研发薄膜沉积设备及工艺研发 满足 128 层 3D NAND 存储芯片制造工艺要求的高质量 SiO2材料工艺型号 ALD 设备 设计阶段 28nm 以下以下 Thermal ALD AlOx 设备及工艺研发设备及工艺研发 满足 28nm 制程及以下的 Thermal ALD AlOx 工艺技术及成套设备 设计阶段 深沟槽填充薄膜工艺产品深沟槽填充薄膜工艺产品 用于 28nm 及以下技术节点的薄膜沉积设备，实现深宽比大于 5:1 的浅沟槽隔离、金属前介质等沟槽填充的薄膜工艺 设计阶段 5 May 2022 9 Table_

41、header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 3. 全球薄膜沉积设备市场快速发展，全球薄膜沉积设备市场快速发展，2020-2025E 复合增速达复合增速达 13.3%，海外龙头公司高度垄断海外龙头公司高度垄断 薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，沉积的薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属，薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，包括 CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备/电镀设备和 ALD（原子层沉积）设备，其中： CVD（化学气相沉积）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各

42、种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩膜层以及金属膜层的沉积。常用的 CVD 设备包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求。 ALD（原子层沉积）可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面的方法，ALD 工艺具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长。 2020-2025E 全球薄膜沉积设备市场规模的

43、年复合增速将达 13.3%。在 90nm CMOS工艺，大约需要 40 道薄膜沉积工序；在 3nm FinFET 工艺产线，超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6种增加至近 20种，对薄膜颗粒的要求也有微米级提高到纳米级。根据拓荆科技招股说明书援引 Maximize Market Research 数据统计，2018-2020全球半导体薄膜沉积设备市场规模分别为 145 亿美元、155 亿美元和 172 亿美元，预计到 2025E 将达到 340 亿美元，2020-2025E 的年复合增速达 13.3%。 2020 年 PECVD 设备、ALD 设备的市场规模合计 75.68 亿美

44、元。薄膜沉积设备中，PECVD 设备是占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的 33%；ALD 设备占据薄膜沉积设备市场的 11%；SACVD 是新兴的设备类型，属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比较小。我们测算，2020 年 PECVD 设备、ALD 设备的全球市场规模分别为56.76 亿美元、18.92 亿美元。由于半导体先进制程产线数量增加，根据拓荆科技招股说明书援引 Acumen research and Consulting 预测，ALD 设备的市场规模将快速增长，到 2026E 全球 ALD 设备市场规模将达到 32 亿美元。 表表 7 募集资金投资方向（单位：万元）募集资金

45、投资方向（单位：万元） 项目名称项目名称 利用募集资利用募集资金投资额金投资额 项目备案项目备案 高端半导体设备扩产项目高端半导体设备扩产项目 7986.46 沈阳市浑南区工信局出具关于项目备案证明（项目代码：-04-02-424612） 先进半导体设备的技术研先进半导体设备的技术研发与改进项目发与改进项目 39948.34 沈阳市浑南区工信局出具关于项目备案证明（项目代码：-04-02-185923） ALD 设备研发与产业化项设备研发与产业化项目目 27094.85 上海临港地区开发建设管理委员会出具上海市企业投资项目备案证明（项目代码：2108

46、-310115-04-05-492438） 补充流动资金补充流动资金 25000.00 不适用 合计合计 100029.65 - 资料来源：拓荆科技招股说明书（注册稿）， HTI 5 May 2022 10 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 全球薄膜沉积设备市场呈现出高度垄断的竞争格局： 、CVD 市场。应用材料全球占比约 30%，Lam Research 占比 21%，TEL 占比19%，三大厂商占据了全球 70%的市场份额； 、ALD 市场。2019 年 TEL、ASMI 分别占据了 31%、29%的市场份额，剩下的40%份额由

47、其它厂商占据。 根据招股说明书披露数据，拓荆科技 2020 年 PECVD 设备、SACVD 设备收入合计4.27 亿元，ALD 设备收入 184.48 万元，在全球 CVD 设备、ALD 设备中的占比极小，CVD 设备的全球市场占比仅为 1%左右。 4. 盈利预测与估值建议盈利预测与估值建议 4.1 募投项目募投项目 公司 IPO 募集资金扣除发行费用后将投资于如表 7 所示的四个项目，利用募集资金投资额合计 100029.65 万元。 高端半导体设备扩产项目。将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设，项目建设期 2年。 先进半导

48、体设备的技术研发与改进项目。将面向 28nm-10nm 制程 PECVD 设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的平台架构研发及 UV Cure系统设备研发。通过在集成电路生产厂商进行生产线验证，实现产品的产业化，进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域，推动公司业务规模的持续增长，项目预计建设期为 3 年。 ALD 设备研发与产业化项目。项目实施主体为公司全资子公司拓荆科技（上海）有限公司，拟在上海临港新片区购置整体厂房，进行装修改造，购置研发设备及生产设备，建设新的研发及生产环境。项目拟通过开展系列技术研发，基于公司现有 ALD 设备技术基础，开发面向 28nm

49、-10nm 制程的 ALD 设备平台架构，发展多种工艺机型，同步开发不同腔室数量的机台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求，并进行规模化量产。本项目预计建设期为 3 年。 补充流动资金。拟以实际经营情况为基础，结合未来战略发展目标，适量补充流动资金。 4.2 盈利预测盈利预测 我们预测拓荆科技 2022E-2024E 收入实现 9.75 亿元、11.76 亿元、13.30 亿元，同比增28.61%、20.69%、13.04%；归母净利润分别为 0.91 亿元、1.48 亿元、1.85 亿元，同比增 33.36%、62.08%、25.25%。我们作预测的相关假设条件如下： 、收入的季节

50、性因素。根据招股说明书披露，公司 2018-2020 主营业务收入分别为 6629.86 万元、24772.45 万元、42876.27 万元；以 2020 年的季度性收入占比来看，三季度、四季度的收入占比分别达到了 31.94%、62.97%，季节性因素非常明显。公司的下游客户，通常于年初作出全年的资本性支出计划，此后开展采购、安装、调 5 May 2022 11 Table_header1 拓荆科技 (688072 CH) 首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市 试、验收，所以导致公司大部分设备取得客户验收、确认收入的试点相对集中于下半年。因此，我们假设 2022E-2024E 公司的收入确认也