1、化工化工/化学制品化学制品 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 / 15 彤程新材彤程新材（603650.SH） 2020 年 07 月 20 日 投资评级：投资评级：买入买入（维持维持） 日期 2020/7/20 当前股价(元) 32.14 一年最高最低(元) 41.99/14.20 总市值(亿元) 188.34 流通市值(亿元) 42.24 总股本(亿股) 5.86 流通股本(亿股) 1.31 近 3 个月换手率(%) 406.6 股价走势图股价走势图 数据来源：贝格数据 公司信息更新报告-携手巴斯夫进 军可降解材料，汽车复苏带动主业回 暖-2020.5.29 公司信息更新报告-一

2、季度业绩下 滑 38%，静待下游汽车消费复苏- 2020.4.30 公司信息更新报告-彤程精细计提 拖累 2019 年业绩，新材料项目打开未 来成长空间-2020.4.28 入股北京科华微电子，采撷国产光刻胶明珠入股北京科华微电子，采撷国产光刻胶明珠 公司深度报告公司深度报告 金益腾（分析师）金益腾（分析师） 吉金（联系人）吉金（联系人） 证书编号：S0790520020002 证书编号：S0790120030003 公司入股科华微电子公司入股科华微电子 33.70%股权，深化电子化学品布局，维持“买入”评级股权，深化电子化学品布局，维持“买入”评级 公司 7 月 8 日公告，全资子公司彤程电

3、子受让科华微电子 33.70%的股权，投资 金额 1.8367 亿元。公司围绕“做强主业、两翼齐飞”的发展战略，通过内涵式增 长和外延式发展，有步骤、分层次地进入电子化学品领域，致力于成为具有国际 竞争力的电子化学品企业。 本次投资事项对公司业绩影响较小， 考虑彤程精化退 出响水生态化工园区造成的资产损失，我们下调公司 2020 年盈利预测，预计公 司 2020-2022 年归母净利润为 3.56（原为 4.20） 、4.98、5.94 亿元，对应 EPS 为 0.61、0.85、1.01 元/股，当前股价对应 2020-2022 年 PE 为 53.0、37.8、31.7 倍。 同时，随着下

4、游汽车消费复苏，公司主业橡胶助剂需求回暖，维持“买入”评级。 外资巨头主导全球光刻胶市场，中高端光刻胶国产替代空间广阔外资巨头主导全球光刻胶市场，中高端光刻胶国产替代空间广阔 光刻胶是微细图形线路加工的关键材料， 微电子制造业从微米级进入纳米级水平 的过程中， 光刻胶起着举足轻重的作用。 2019 年国内光刻胶市场规模约 70 亿元， 自 2010 年起复合增速达 11%，远高于全球增速。目前 PCB 光刻胶已基本实现国 产替代，而 LCD 及半导体领域的光刻胶自给率极低，JSR 株式会社、东京应化 工业、信越化学等前五大光刻胶厂商占据了全球市场 87%的份额。随着显示面 板、半导体产业向中国

5、大陆转移，中高端光刻胶存在着广阔的国产替代空间。 科华微电子是国内半导体光刻胶领军者，彤程新材成为其第一大股东科华微电子是国内半导体光刻胶领军者，彤程新材成为其第一大股东 科华微电子成立于 2004 年，一直专注于光刻胶的研发，是一家产品覆盖 KrF、 g/i 线、紫外宽谱光刻胶及配套试剂供应商与服务商，是中芯国际、华润上华、杭 州士兰、吉林华微电子、三安光电、华灿光电、德豪光电等行业顶尖客户的稳定 合作伙伴。 科华微电子拥有完备的支持产品研发和出厂检验的分析和应用测试平 台，承担了多项国家、北京市级光刻胶重点研发及产业化项目，与中科院联合承 担的“02 专项”EUV 光刻胶项目已通过国家验收

6、。目前彤程新材是科华微电子 的第一大股东， 持股 33.70%， 第二、 三大股东持股比例分别为 17.33%和 15.44%。 风险提示：风险提示： 光刻胶客户开拓不及预期， 新产品研发不及预期， 下游需求低迷等。 财务摘要和估值指标财务摘要和估值指标 指标指标 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 营业收入(百万元) 2,175 2,208 2,355 2,517 2,732 YOY(%) 14.4 1.5 6.7 6.9 8.5 归母净利润(百万元) 412 331 356 498 594 YOY(%) 30.9 -19.8 7.6 39.9 19.3 毛利率(%)

7、 36.2 34.7 32.1 34.1 34.4 净利率(%) 19.0 15.0 15.1 19.8 21.7 ROE(%) 17.8 13.3 12.5 14.9 15.1 EPS(摊薄/元) 0.70 0.56 0.61 0.85 1.01 P/E(倍) 45.7 57.0 53.0 37.8 31.7 P/B(倍) 8.3 8.4 7.2 6.1 5.1 数据来源：贝格数据、开源证券研究所 -40% 0% 40% 80% 120% 160% -112020-03 彤程新材沪深300 相关研究报告相关研究报告 开 源 证 券 开 源 证 券 证 券 研 究 报 告

8、 证 券 研 究 报 告 公 司 深 度 报 告 公 司 深 度 报 告 公 司 研 究 公 司 研 究 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2 / 15 目目 录录 1、 公司入股北京科华微电子 33.70%的股权 . 3 2、 半导体光刻胶精细化工皇冠上的明珠 . 3 2.1、 光刻胶是微细图形线路加工的关键材料，技术壁垒高 . 3 2.2、 半导体光刻胶随着制程的发展不断向高端化演进 . 5 2.3、 外资巨头占据主导，中高端光刻胶国产替代空间广阔 . 7 3、 科华微电子：国内半导体光刻胶领军企业 . 9 3.1、 科华微电子深耕光刻胶 16 年，供应中芯

9、国际等知名客户 . 9 3.2、 科华微电子产品序列完整，高端光刻胶取得突破 . 11 4、 盈利预测与投资建议 . 12 5、 风险提示 . 12 附：财务预测摘要 . 13 图表目录图表目录 图 1： 公司全资子公司彤程电子受让科华微电子 33.70%的股权 . 3 图 2： 光刻胶广泛应用于 PCB、LCD 和半导体领域 . 4 图 3： 光刻胶是微细图形线路加工的关键性材料 . 4 图 4： 光的特性限制了光刻的极限分辨率 . 5 图 5： 2010-2019 年全球光刻胶市场规模 CAGR 为 5.4% . 8 图 6： 2010-2019 年国内光刻胶市场规模 CAGR 为 11%

10、 . 8 图 7： 全球光刻胶市场结构均衡 . 8 图 8： 国产光刻胶以 PCB 光刻胶为主 . 8 图 9： 全球前五大光刻胶厂商占据 87%的市场份额 . 9 图 10： 科华微电子的发展历程 . 10 图 11： 科华微电子客户优质 . 10 图 12： 科华微电子的光刻胶产品序列及运用领域 . 11 表 1： 光刻胶主要由感光树脂、增感剂和溶剂等组成 . 4 表 2： 光刻胶的主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度等 . 5 表 3： 半导体光刻胶类型及组分 . 7 表 4： 全球主要光刻胶企业量产与研发节点各不相同 . 9 表 5： 科华微电子拥有完备的检测设备和认证 . 11 q

11、RsNpPqPtMpNxPsNmQsNpM7NbP7NsQnNpNnNeRnNpQlOoMmO9PrRyRwMmNuMuOoNuM 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 3 / 15 1、 公司入股北京科华微电子公司入股北京科华微电子 33.70%的股权的股权 公司入股北京科华微电子公司入股北京科华微电子 33.70%股权股权， 不断深化电子化学品布局， 不断深化电子化学品布局。 据公司 2020 年 7 月 8 日发布的公告，公司全资子公司上海彤程电子材料有限公司受让北京科华 微电子材料有限公司 33.70%的股权，已于 2020 年 7 月 2 日完成了相关工商

12、变更登 记，本次对外投资金额为 1.8367 亿元。科华微电子董事会共由 7 名董事构成，彤程 电子委派 2 名董事。近年来，公司围绕“一体两翼”的发展战略，即在做大做强酚醛 树脂主业的基础上， 围绕国家和社会的现实需求， 通过内涵式增长和外延式发展， 有 步骤、分层次地进入电子化学品相关领域，致力于成为具有国际竞争力的电子化学 品企业。公司自主开发电子级酚醛树脂，在光刻胶、环氧塑封料、覆铜板均有布局， 产品已经在客户端开展性能评价，据公司可转债募资可行性报告，公司将投建 2 条 5,000 t/a 电子级酚醛树脂生产线。公司通过内生外延进入电子化学品领域，有望打 破国外技术垄断，受益国产替代

13、的产业发展浪潮。 图图1：公司全资子公司彤程电子受让科华微电子公司全资子公司彤程电子受让科华微电子 33.70%的股权的股权 资料来源：Wind、企查查、开源证券研究所 2、 半导体半导体光刻胶光刻胶精细化工皇冠上的明珠精细化工皇冠上的明珠 2.1、 光刻胶是微细图形线路加工的关键材料，技术壁垒高光刻胶是微细图形线路加工的关键材料，技术壁垒高 光刻胶是光刻胶是微细图形线路加工制作的关键性材料微细图形线路加工制作的关键性材料。光刻胶又称光致抗蚀剂，是由 感光树脂、 增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。 光刻胶在 PCB、 LCD 和半导体领域具有重要作用：在 PCB 领域，光刻胶主

14、要包括干膜光刻胶、湿膜 光刻胶、光成像阻焊油墨，约占 PCB 制造成本的 3%。在 LCD 领域，彩色光刻胶和 黑色光刻胶是制备彩色滤光片的核心材料，占彩色滤光片成本的 27%左右；触摸屏 光刻胶用于在玻璃基板上沉积 ITO 制作触摸电极；TFT-LCD 光刻胶用于液晶面板的 前段 Array 制程中微细图形的加工。 在半导体领域， 光刻工艺是芯片制造最核心的工 艺，成本约为整个芯片制造工艺的 30%，耗时约占整个芯片工艺的 40%-50%，光刻 胶的质量和性能是影响芯片性能、 成品率及可靠性的关键因素。 光刻的具体过程， 以 半导体光刻工艺为例， 光刻胶被均匀涂覆在硅片上， 经紫外线曝光后，

15、 光刻胶的化学 性质将发生变化； 然后通过显影， 被曝光的光刻胶将被去除， 从而实现将电路图形由 掩膜版转移到光刻胶上； 再经过刻蚀过程， 实现电路图由光刻胶转移到硅片上， 刻蚀 美国Meng Tech 北京科华微电子材料有限公司 北京工业发 展投资管理 西藏汉 普森创投 浙江自贸 区静远投资 邳州疌盛经开 投资基金 北京科华丰园 微电子科技 北京科华燕园 微电子科技 科华微电子材 料（天津） 江苏科微新材 料 全椒科华微 电子材料 其他 6.43%32.60%15.44%17.33% 17.10%11.10% 100%100%100%100%100% 美国Meng Tech 北京科华微电子材

16、料有限公司 北京工业发 展投资管理 西藏汉 普森创投 上海彤程电子 材料有限公司 邳州疌盛经开 投资基金 北京科华丰园 微电子科技 北京科华燕园 微电子科技 科华微电子材 料（天津） 江苏科微新材 料 全椒科华微 电子材料 其他 6.43%10.00%15.44%17.33% 17.10%33.70% 100%100%100%100%100% 彤程新材料集 团股份有限公 司 100% 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4 / 15 过程中光刻胶起防腐蚀的保护作用。 在图形转移过程中， 根据曝光显影过程的不同， 光刻胶分为正性胶和负性胶， 正性胶在曝光区间显影，

17、负性胶则相反， 其曝光区间得 到保留。 图图2：光刻胶广泛应用于光刻胶广泛应用于 PCB、LCD 和半导体领域和半导体领域 图图3：光刻胶是微细图形线路加工光刻胶是微细图形线路加工的关键性材料的关键性材料 资料来源：新材料在线、开源证券研究所 资料来源：容大感光招股说明书 表表1：光刻胶主要由光刻胶主要由感光树脂、增感剂和溶剂感光树脂、增感剂和溶剂等组成等组成 光刻胶成分光刻胶成分 作用作用 光引发剂 光引发剂又称光敏剂或光固化剂，是一类能在从光（一般为紫外光）中吸收一定 波长的能量，经光化学反应产生具有引发聚合能力的活性中间体的分子。该类光 化学反应的产物能与光刻胶中别的物质进一步反应，帮助

18、完成光刻过程。光引发 剂对于光刻胶的感光度和分辨率有重要影响。光增感剂、光致产酸剂能够帮助光 引发剂更好地发挥作用。 树脂 树脂是光刻胶主要组成部分，决定了光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，胶膜厚度等 基本性能。光引发剂在光化学反应的产物可以改变树脂在显影液中的溶解度，从 而帮助完成光刻过程。 溶剂 溶剂能将光刻胶的各组成部分溶解在一起，同时也是后续光刻化学反应的介质。 单体 又称为活性稀释剂，对光引发剂的光化学反应有调节作用 其他助剂 根据不同目的加入光刻胶的添加剂，如颜料等，作用是调节光刻胶整体的性能。 资料来源：中国产业信息网、开源证券研究所 高端高端光刻胶技术壁垒高，验证周期长。光刻胶技术壁

19、垒高，验证周期长。由于光刻胶用于微米级甚至纳米级的图 形加工， 产品需要严格控制质量， 其微粒子及金属离子含量极低， 是精细化工行业技 术壁垒最高的材料，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠” 。光刻胶不仅具有纯度 要求高、工艺复杂等特征，还需要相应制程的光刻机与之配对调试。一般情况下，一 个芯片在制造过程中需要进行 10-50 道光刻过程，由于基板、分辨率要求、蚀刻方式 等不同， 不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样， 即使类似的光刻过程， 不同 的厂商也会有不同的要求，所以光刻胶制造商最核心的技术还在于配方技术，厂商 需要通过调整光刻胶的配方，来满足差异化应用的需要。当光刻胶达到要求的技

20、术 指标后，需经下游客户测试，测试和验证周期一般长达 2-3 年，而一旦达成合作，便 会形成长期供应，甚至联合研发新技术的密切关系。 感光树脂 增感剂 溶剂 PCB光刻胶 LCD光刻胶 半导体光刻胶 印刷电路板 液晶显示器 IC芯片 消费电子 家用电器 信息通讯 汽车电子 航空 军工等 上游上游中游中游下游下游 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5 / 15 2.2、 半导体光刻胶随着制程的发展不断向高端化演进半导体光刻胶随着制程的发展不断向高端化演进 半导体光刻半导体光刻胶的性能关系到芯片特征尺寸。胶的性能关系到芯片特征尺寸。微电子制造业精细加工从微米级、 亚

21、微米级、 深亚微米级进入纳米级水平的过程中， 光刻胶起着举足轻重的作用。 光刻 胶的主要技术参数有分辨率、 对比度、 敏感度、 黏度、 粘附性、 抗蚀性和表面张力等。 光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小，光刻胶的加工分辨率直接关系到芯片特征 尺寸的大小。 因为存在光的干涉和衍射效应， 光刻的分辨率会受到限制， 根据瑞利公 式 R=k/NA（：曝光波长；k：工艺常数；NA：镜头的数值孔径；R：可分辨最小 尺寸）可以看到，曝光波长越小，则光刻胶可以达到的极限分辨率越高，得到的线路 图案精密度也更高。所以，根据曝光波长不同，目前光刻胶又可分为普通宽普光刻 胶、 g 线 （436nm） 、 i 线 （

22、365nm） 、 KrF （248nm） 、 ArF （193nm） 及最先进的 EUV(13.5nm) 光刻胶， 等级越往上其极限分辨率越高， 同一面积的硅晶圆布线密度就越大， 性能越 好。 图图4：光的特性限制了光刻的极限分辨率光的特性限制了光刻的极限分辨率 资料来源： Fundamentals of Microfabrication 表表2：光刻胶的主要光刻胶的主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度技术参数包括分辨率、对比度、敏感度等等 序号序号 参数参数 作用作用 说明说明 1 分辨率(resolution) 区别硅片表面相邻图形特征的能力 一般用关键尺寸(CD, Critical D

23、imension)来衡量分辨率。形 成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 2 对比度(Contrast) 光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的 陡度 对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 3 敏感度(Sensitivity) 光刻胶上产生一个良好的图形所需 一定波长光的最小能量值（或最小 曝光量） 单位:平方厘米或 mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的 深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。 4 粘滞性/黏度(Viscosity) 衡量光刻胶流动特性的参数 粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产 生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。 5

24、粘附性(Adherence) 表征光刻胶粘着于衬底的强度 光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的 粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等） 。 6 抗蚀性(Anti-etching) 保持粘附性，在刻蚀工序中保护衬耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 入射到掩膜版上的紫外线入射到掩膜版上的紫外线 掩膜版掩膜版 版上图形版上图形 光学系统光学系统 理想传递理想传递 实际传递实际传递 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6 / 15 序号序号 参数参数 作用作用 说明说明 底表面 7 表面张力(Surface Tension) 液体中将表面分子拉

25、向液体主体内 的分子间吸引力 光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流 动性和覆盖。 8 存储和传送(Storageand Transmission) 避免能量（光和热）激活光刻胶 应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻 胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的 温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。 资料来源：汶颢股份官网、开源证券研究所 目前半导体光刻胶主要分为 i/g 线、KrF、ArF 和 EUV 光刻胶四种，它们的区别 除应用于不同波长光刻工艺之外，原材料的组分是更基础的一个方面，我们从光刻 胶工业的发展历程来了解各类光刻胶的区别与联系。

26、 KTFR 光刻胶：光刻胶：是光刻胶工业的开拓产品，最初是借助重铬酸盐明胶开发出世 界上第一套“光刻系统” ，广泛用于印刷领域。此体系后被集成电路制造采用，虽然 重铬酸盐明胶分辨率足够，但抗蚀性不佳，最后开发出环化橡胶环化橡胶-双叠氮双叠氮体系体系，即 KTFR 光刻胶，来解决这个问题。KTFR 光刻胶曾为半导体工业的主力体系，但半导 体制程发展到 2m 时，触及 KTFR 光刻胶分辨率的极限。 g 线线/i 线光刻胶：线光刻胶：随着光刻设备进一步提升，曝光波长进一步缩短，光刻胶厂商 开始再次寻找分辨率更高的新一代光刻胶材料，因为重氮盐具有良好光敏性，酚醛 树脂具有良好的成膜性，同时又有优良的

27、抗腐蚀性的重氮萘醌重氮萘醌-酚醛树脂酚醛树脂光刻胶体系光刻胶体系， 其曝光光源可以采用 g 线、i 线，分辨率极限达到 0.25m。 KrF 光刻胶：光刻胶：随着光刻系统所用波长逐步降低，光源强度成为制约瓶颈，在光 源强度有限、 光刻工艺曝光时间延长的条件下， 需要提高光刻胶的感光灵敏度。 这一 问题的解决是通过化学放大光刻胶实现的，化学放大即由于作为催化剂的酸不会被 消耗， 因此可以将光信号放大为化学信号， 提高反应速度。 化学放大几乎是所有现代 光刻胶成功的关键因素，沿用至今。科学家以聚 4-羟基苯乙烯（PHOST）作为树脂 材料，加入 t-丁氧基羰基（t-BOC）保护羟基，形成新的聚合物

28、聚对叔丁氧羰基聚对叔丁氧羰基 氧基苯乙烯氧基苯乙烯（PBOCST） 。PBOCST 光刻胶反应速度极快，对深紫外光非常敏感，灵 敏度提高百倍。 ArF 光刻胶：光刻胶：集成电路制造工艺进一步发展，而 PBOCST 光刻胶在 193nm 的波 长下会表现出强烈的吸收（主要源自其结构中的苯环） ，因此该体系不适用于 ArF 光 刻。科学家使用甲基丙烯酸甲酯（甲基丙烯酸甲酯（MMA） 、甲基丙烯酸丁酯（） 、甲基丙烯酸丁酯（TBMA）和甲基丙烯）和甲基丙烯 酸（酸（MAA）三元共聚物）三元共聚物，并通过在侧链中引入保护性基团提高其耐干刻蚀性能，从 而制成干法 ArF 光刻胶。 随 157nm F2

29、光刻技术被抛弃， 沉浸式 ArF 光刻技术在 65nm 及以下的工艺节点取得巨大突破，并在双重图形/多重图形曝光技术的加持下，工艺 节点可延伸至 7-10nm。沉浸式 ArF 光刻技术使用了液体介质，主要采用聚甲基丙烯聚甲基丙烯 酸酯体系酸酯体系， 并且基本以选用各种含氟代烷基 （如六氟叔丁醇基团等） 的聚合物来达到 特殊的工艺要求。 EUV 光刻胶：光刻胶：虽然沉浸式 ArF 光刻技术工艺节点可延伸至 10nm 以下，但 7nm 节点的沉浸式 ArF 光刻技术工艺复杂程度急剧提高，市场需要新一代 EUV 技术。 EUV 光刻胶面临 RLS（分辨率、边缘粗糙度、灵敏度）的挑战，即在光刻胶的分辨

30、 率、边缘粗糙度（LER）和光敏性三者之间只能实现 2 个参数的最优化，随着线宽的 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7 / 15 不断减小，LER 对图形的影响越来越大。减小 LER 的方法有多种，其中分子玻璃光分子玻璃光 刻胶刻胶与金属氧化物金属氧化物光刻胶是较为合适的选择。分子玻璃是一种具有较高玻璃态转变 温度的小分子有机化合物，金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。 表表3：半导体光刻胶类型及组分半导体光刻胶类型及组分 光刻胶类型 组分 g 线/i 线光刻胶 树脂 10%-20% 酚醛树脂 溶剂 80%-90% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等

31、 其他 0.5%-5% 感光材料：DNQ、光致产酸剂 KrF 光刻胶 树脂 7%-10% PHS（聚对羟基苯乙烯）/HS-甲基丙烯酸酯共聚物 溶剂 90%-93% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 其他 0.5%-2% 光致产酸剂（鎓盐为主） 、表面活性剂等 ArF（干法及湿法） 树脂 4%-5% 侧链具备金刚烷或内脂结构的甲基丙烯酸树脂 溶剂 95%-96% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 其他 0.4%-2% 光致产酸剂（氟代鎓盐） 、表面活性剂等 EUV 光刻胶 树脂 3%-4% 分子玻璃、金属氧化物等不同体系 其他固体成分 光致产酸剂、光增感剂、表面活性物等 溶剂 95%-96% P

32、GMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 资料来源：CNKI、博砚电子环评报告、开源证券研究所 光刻胶成为光刻胶成为 EUV 技术的关键挑战技术的关键挑战。在物理学上，紫外光波长理论极限为 X 光 射线，光刻工艺中波长近乎为 X 光射线的 EUV 技术难度最大。虽然 193nm 技术通 过沉浸式光刻和多重曝光可以扩展至 10nm 和 7nm 工艺节点，但要进一步发展则非 常困难， 所以到 7nm 和 5nm 工艺制程的时候， 半导体对 EUV 的需求相当迫切。 EUV 技术几个关键部分是光刻机、 光源、 光刻胶和掩膜， 曾经最大的光源问题已经得到了 一定解决，目前 EUV 技术最大的挑战就在于光刻胶，如

33、何改进光刻胶的工艺、配方 以实现消除随机效应的目的是各制造商的难题。 据 TECHCET 预测， 2020 年 EUV 光 刻胶市场规模将超 1000 万美元，到 2023 年年均复合增速可达 50%以上。目前全球 高端 ArF 和 EUV 光刻胶市场主要被美国陶氏化学、日本 JSR 株式社会和信越化学 占据， 国内部分厂商也正在突围， 如北京科华微电子与中科院联合承担的 “02 专项” EUV 光刻胶项目已通过验收。 2.3、 外资巨头占据主外资巨头占据主导，中高端光刻胶国产替代空间广阔导，中高端光刻胶国产替代空间广阔 国内光刻胶市场增速高于国内光刻胶市场增速高于国际水平国际水平，LCD 和

34、半导体光刻胶国产替代空间广阔和半导体光刻胶国产替代空间广阔。 随着电子信息产业迅速发展， 全球光刻胶需求不断提升。 据中国产业信息网数据， 全 球光刻胶市场规模自 2010 年起，以约 5.4%的复合增长率，增长至 2019 年的 90 亿 美元左右， 预计未来 3 年仍将以 5%的速度增长， 至 2022 年全球市场规模将超过 100 亿美元。中国光刻胶市场增速高于国际水平，据前瞻产业研究院数据，2019 年我国 光刻胶本土供应量约 70 亿元，自 2010 年起复合增速达 11%，远高于全球增速，但 本土供应量在全球占比仅 10%左右，且以已经实现国产替代的主要是中低端 PCB 光 刻胶，

35、LCD 和半导体领域的光刻胶自给率极低。受益于显示面板、半导体产业东移 和国内企业技术突破，LCD 和半导体光刻胶已形成一定的国产替代基础，未来发展 空间广阔。 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8 / 15 图图5：2010-2019 年全球光刻胶市场规模年全球光刻胶市场规模 CAGR 为为 5.4% 图图6：2010-2019 年国内光刻胶市场规模年国内光刻胶市场规模 CAGR 为为 11% 数据来源：IHS、中国产业信息网、开源证券研究所 数据来源：前瞻产业研究院、开源证券研究所 图图7：全球光刻胶市场结构均衡全球光刻胶市场结构均衡 图图8：国产光刻胶以国

36、产光刻胶以 PCB 光刻胶为主光刻胶为主 数据来源：中国产业信息网、开源证券研究所 数据来源：中国产业信息网、开源证券研究所 外资巨头占据市场主导， 国内企业有所突破。外资巨头占据市场主导， 国内企业有所突破。 由于光刻胶产品的技术要求较高， 中国光刻胶市场基本由外资企业占据，高分辨率的 KrF 和 ArF 光刻胶核心技术基本 被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公司，包括陶氏化学、JSR 株 式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业，据中国产业信 息网数据， 前 5 大光刻胶厂商占据了全球市场 87%的份额。 从我国光刻胶市场来看， 目前主流的四种半导

37、体光刻胶中，g/i 线光刻胶已经实现量产；KrF 光刻胶正逐步通 过芯片厂认证并开始小批量生产；ArF 光刻胶乐观预计在 2020 年能有效突破并完成 认证； 最先进的 EUV 光刻胶正处于先期研发阶段。 目前， 国内光刻胶竞争格局未定， 主要厂商均布局光刻胶多年，发展节点各有不同。 0% 1% 2% 3% 4% 5% 6% 7% 8% 0 20 40 60 80 100 120 全球光刻胶市场规模（亿美元）YoY 0% 4% 8% 12% 16% 20% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 中国光刻胶市场规模（亿元）YoY 半导体光 刻胶, 24% 面板光刻 胶, 27% P

38、CB光刻 胶, 25% 其他光刻 胶, 25% 半导体光 刻胶, 2% 面板光刻 胶, 3% PCB光刻 胶, 94% 其他光刻 胶, 1% 公司深度报告公司深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9 / 15 图图9：全球前五大全球前五大光刻胶光刻胶厂商占据厂商占据 87%的市场份额的市场份额 数据来源：中国产业信息网、开源证券研究所 表表4：全球主要光刻胶企业量产与研发节点各不相同全球主要光刻胶企业量产与研发节点各不相同 企业企业 地区地区 i 线线 KrF（248nm） ArF（193nm） ArF （immersion） E-beam EUV 合成橡胶(JSR) 日本 量产 量产 量产 量产 量产 研发 东京应