1、请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 评级：评级： 市场价格：市场价格：21.34 分析师：分析师：刘翔刘翔 执业证书编号：执业证书编号：S0740519090001 Email： 分析师：张欣分析师：张欣 执业证书编号：执业证书编号：S0740518070001 Email： ? 基本状况基本状况 总股本(百万股) 806.16 流通股本(百万股) 806.16 市价(元) 21.34 市值(百万元) 17203 流通市值(百万元) 17203 股价与股价与行业行业-市场走势对比市场走势对比 相相关关报告报告 公司盈利预测及估值公司盈利预测及估值 指标 2017A

2、 2018A 2019E 2020E 2021E 营业收入（百万元） 2,096 2,679 2,025 2,404 2,431 增长率 yoy% -34.2527.81% -24.40% 18.70% 1.14% 归母净利润（百万元） 1,699 972 665 679 689 增长率 yoy% 136.48-42.78% -31.56% 2.08% 1.46% 每股收益（元） 2.11 1.21 0.83 0.84 0.85 每股现金流量 0.91 0.70 0.72 0.72 0.90 净资产收益率 28.93% 15.73% 9.88% 9.42% 8.96% P/E 10.13 17

3、.70 25.86 25.33 24.97 PEG -0.38 -1.63 -9.54 -0.96 -2.30 P/B 2.93 2.78 2.55 2.39 2.24 备注：备注：股价取自股价取自 2020 年年 3 月月 13 日收盘日收盘 ?ble_?y 投资要点投资要点 地产公司收购凯世通，开启半导体地产公司收购凯世通，开启半导体设备设备新征程：新征程：公司成立于 1991 年，主 营业务为房地产住宅类项目，2018 年 12 月完成收购离子注入机设备公司 凯世通，凯世通主营泛半导体中离子注入机及配套服务，应用于光伏、集 成电路、AMOLED、IGBT 等全系列，目前公司在光伏离子注入

4、机全球市 占率第一。财务上看，凯世通 2018 年实际净利润为 1,208 万元，超过预 期 972 万元，且目前实际控制人及第三大股东分别为上海浦东科投有限公 司以及国家集成电路产业基金，为公司进一步布局壮大半导体保驾护航。 离子注入机离子注入机集集中度高中度高，光伏光伏/半导体半导体/面板国内替代面板国内替代空间大空间大。离子注入机主 要用于光伏、IC、面板掺杂工艺，是继光刻、刻蚀、薄膜沉积第四大关键 设备， 我们预计离子注入机国内潜在市场规模约 80 亿， 但从格局看离子注 入机主要由美国和日本厂商垄断，美国应材和 Axcelis 公司分别占据 50%/20%份额，国内起步较晚，目前主要

5、代表性企业仅有凯世通和北京中 科信电子装备两家，国产替代空间较大。 凯世通： 专家铸造研发护城河， 从光伏到凯世通： 专家铸造研发护城河， 从光伏到 IC 逐步替代逐步替代。 凯世通成立于 2009 年，公司以陈炯博士为首的五位世界一流离子注入设备专家创立，根据万 业企业发行股份购买资产报告书，陈炯博士作为离子注入设备国际巨头 AIBT 的创始人之一兼首席技术官， 曾带领团队成功开发两代大束流离子注 入机，并于 2007 年进入当时最先进 32-28 纳米台积电生产线，实现全球 销售 80 台套。公司拥有 100 多例专利，是中国第一个将离子注入机应用 于光伏领域如中来等客户的企业。随着国产替

6、代趋势加强，公司有望在光 伏领域以及在半导体低能大束流离子注入机和 IGBT 氢离子注入机等领域 重点布局，目前凯世通在低能和大束流等核心指标上已达到或超过国外同 类产品。公司目前获上海市科技进步奖 1 项，2019 年国家 02 专项支持， 2019 上海市“科技创新行动计划”项目。 盈利预测和投资建议：盈利预测和投资建议： 我们根据地产公司的价值和 IC 装备公司的成长性价 值, 预测公司 2019-2021 年营收分别为 20.25/24.04/24.31 亿， 归母净利润 分别为 6.65/6.79/6.89 亿，同比增长-32%、2.08%、1.46%，对应 PE 为 2 6、25、

7、25；综合考虑公司目前虽然以地产为主，但战略转型集成电路装 备平台打开长期空间，首次覆盖，给予重点关注。 风险提示：风险提示：收购整合不及预期收购整合不及预期风险风险，政策风险政策风险 证券研究报告证券研究报告/公司公司深度深度 2020年年03月月15日日 万业企业(600641)/半导体 地产老兵，转型半导体核心设备新领域地产老兵，转型半导体核心设备新领域 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 2 - 公司深度公司深度 内容目录内容目录 地产公司收购凯世通，开启半导体设备新征程地产公司收购凯世通，开启半导体设备新征程 . - 4 - 外延收购凯世通，打造集成

8、电路装备新平台 . - 4 - 战略进入半导体，浦东科投及国家大基金加码成长 . - 4 - 离子注入机市场广阔离子注入机市场广阔，光伏光伏/半导体半导体/面板国内替代空间大面板国内替代空间大. - 7 - 离子注入机主要用于光伏、半导体、面板掺杂工艺 . - 7 - 潜在市场规模约 80 亿，集成电路光伏面板 . - 12 - 离子注入机产业集中度高，国产替代空间大 . - 15 - 凯世通：凯世通：专家专家铸造研发护城河，从光伏到铸造研发护城河，从光伏到 IC 逐步替代逐步替代 . - 17 - 光伏离子注入机领跑者，综合实力国内第一 . - 17 - 技术专家起身，志在实现半导体和光伏国

9、产替代 . - 18 - 成长 1：光伏领域全球市占率第一，具备规模和先发优势 . - 20 - 成长 2：集成电路专利体系健全，走差异化竞争道路 . - 21 - 盈利预测及估值盈利预测及估值 . - 25 - 风险提示风险提示 . - 26 - qRpQpPmQmRsMpNrQrOvMmP9PdN8OnPoOsQpPiNnNmPiNmNrObRpPvMuOqRrQuOoMyQ 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 3 - 公司深度公司深度 图表目录图表目录 图表图表 1：万业企业最新股权结构图（截止到：万业企业最新股权结构图（截止到 2019H1） . -

10、4 - 图表图表 2：凯世通财务数据历史及公司业绩预测：凯世通财务数据历史及公司业绩预测 . - 4 - 图表图表 3：公司外延并购战略历程一览：公司外延并购战略历程一览 . - 5 - 图表图表 4：浦东科投名下主要对外投资（不完全统计）：浦东科投名下主要对外投资（不完全统计） . - 6 - 图表图表 5：掺杂工艺的两种方法：掺杂工艺的两种方法 . - 7 - 图表图表 6：离子注入示意图：离子注入示意图 . - 7 - 图表图表 7：离子注入机的构成及工作原理：离子注入机的构成及工作原理 . - 8 - 图表图表 8：凯世通离子注入机剖面试样：凯世通离子注入机剖面试样 . - 8 - 图

11、表图表 9：离子注入在：离子注入在 N 型电池上的应用点概况型电池上的应用点概况 . - 9 - 图表图表 10：离子注入在：离子注入在 TOPCon IBC 电池背面电池背面 P-N 区域隔离情况区域隔离情况 . - 9 - 图表图表 11：离子注入在集成电路中的应用场景：离子注入在集成电路中的应用场景 . - 11 - 图表图表 12：离子注入在：离子注入在 OLED 环节的应用环节的应用 . - 11 - 图表图表 13：2007 年到年到 2018 年中国新增光伏装机全球占比持续提升年中国新增光伏装机全球占比持续提升 . - 13 - 图表图表 14：中国未来几年晶圆设备投资规划：中国

12、未来几年晶圆设备投资规划 600 多亿（多亿（70%*70%） . - 14 - 图表图表 15：离子注入机半导体用市场规模预测：离子注入机半导体用市场规模预测 . - 14 - 图表图表 16：离子注入在：离子注入在 OLED 环节的市场规模预测环节的市场规模预测 . - 15 - 图表图表 17：国际离子注入机厂商竞争格局国际离子注入机厂商竞争格局 . - 16 - 图表图表 18：公司：公司核心核心产品产品介绍及产品样图（以光伏离子注入机为主）介绍及产品样图（以光伏离子注入机为主） . - 17 - 图表图表 19：凯世通核心技术人员及介绍凯世通核心技术人员及介绍 . - 18 - 图表

13、图表 20：凯世通承担课题一览表：凯世通承担课题一览表 . - 19 - 图表图表 21：公司的技术及所处阶段公司的技术及所处阶段 . - 19 - 图表图表 22：公司定制化的离子注入机具备的特点公司定制化的离子注入机具备的特点 . - 20 - 图表图表 23：中来光电近两年投资及销售合作计划情况中来光电近两年投资及销售合作计划情况 . - 21 - 图表图表 24：凯世通低能大束流离子注入机与国外主流同类产品参数对比凯世通低能大束流离子注入机与国外主流同类产品参数对比 . - 22 - 图表图表 25：2016-2022 年国内年国内 IGBT 市场规模预测市场规模预测 . - 23 -

14、 图表图表 26：国内：国内 IGBT 布局产业链公司一览布局产业链公司一览 . - 23 - 图表图表 27：集成电路制程三大发展趋势集成电路制程三大发展趋势 . - 24 - 图表图表 28：公司营业收入分业务拆分预测公司营业收入分业务拆分预测 . - 25 - 图表图表 29：可比公司估值情况：可比公司估值情况 . - 26 - 图表图表 30：盈利预测模型：盈利预测模型 . - 27 - 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 4 - 公司深度公司深度 地产公司地产公司收购凯世通，开启半导体收购凯世通，开启半导体设备设备新征程新征程 外延收购凯世通外延收购

15、凯世通，打造集成电路装备新平台打造集成电路装备新平台 万业企业公司万业企业公司简述简述。 万业企业成立于 1991 年， 主营业务为房地产开发与 销售，主要产品为各类住宅产品，包括高层公寓、多层洋房与别墅等， 商业地产开发以酒店式公寓的开发和运营管理，业务范围主要集中在上 海、苏州、无锡等长三角区域。公司第一大股东为上海浦东科技投资有 限公司，2018 年 7 月第二大股东三林万业向国家集成电路产业基金转让 上市公司 7%的股权变成 13.53%，交易后浦科投资持股 28.16%，成为上 市公司控股股东，其中朱旭东、李勇军、王晴华为万业企业实际控制人。 现金收购凯世通进入半导体装备新领域。现金

16、收购凯世通进入半导体装备新领域。2018年12月，万业企业以3.98 亿元现金收购凯世通100%股权。公司通过收购凯世通新增光伏离子注入 机设备等相关业务，并储备了集成电路离子注入机及AMOLED显示屏离子 注入机生产技术，交易完成后，公司业务正式切入集成电路核心装备产 -离子注入机领域，公司转型半导体设备迈出实质性一步。 标的凯世通标的凯世通20182018年业绩略超预期，商誉无减值迹象。年业绩略超预期，商誉无减值迹象。凯世通最初为新三 板挂牌企业，主营泛半导体等工序中离子注入机及配套服务，应用于光 伏、集成电路以及AMOLED等全系列产品，公司在光伏离子注入机市占率 全球第一，2017年营

17、收为8920万，同比增加343%，凯世通2018年度预计 净利润为972.82万元，实际净利润为1,208.81万元，凯世通2018年度实 际经营业绩好于预期。 战略进入半导体，战略进入半导体，浦东科投及国家大基金加码浦东科投及国家大基金加码成长成长 图表图表1：万业企业最新股权结构图（截止到万业企业最新股权结构图（截止到2019H1） 图表图表2：凯世通财务数据历史及公司业绩预测凯世通财务数据历史及公司业绩预测 来源：公司公告，中泰证券研究所 来源：公司公告（含业绩预测） ，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 5 - 公司深度公司深度 三年布

18、局三年布局半导体半导体终成，终成，彰显彰显长期长期发展发展决心决心。公司收购凯世通完成将增加 半导体设备业务，未来上市公司将充分发挥凯世通在半导体设备领域的 技术优势、品牌优势和渠道优势，依托具有良好历史表现的管理与研发 团队， 打造光伏离子注入机、 集成电路离子注入机和 AMOLED 离子注入机 的全系列产品，成为全球范围内离子注入机特别是集成电路离子注入机 优秀制造商。其实回顾公司发展，战略转型集成电路等新成长业务早有 长远规划，公司近年来陆续完成楼盘转让以及股权结构的变化彰显公司 发展决心： 2015 年 11 月 17 日公司拟终止筹划收购集成电路相关优质公司。 2015 年 12 月

19、 03 日万业企业股东三林集团把第一大股东转让给浦 东科投。 2016 年 3 月转让了西甘铁路 5%股权、2016 年 4 月汇丽集团 14%股 权、2016 年 6 月万企爱佳 54%股权、2017 年 4 月 29 日转让湖南西 沃 100%股权和债权。 2017 年 4 月 29 日，公司以自有资金 10 亿元认购上海半导体装备材 料产业投资基金首期 20%份额，迈出了转型的第一步。 2018 年 1 月 19 日上海半导体装备材料产业投资基金正式签署合伙 人协议，浦东科投是普通合伙人。 2018 年 7 月 16 日，二股东转让股份，浦东科投成为实际控制人 2018年8月2日收购上海

20、凯世通公司51%股权， 迈出转型实质一步。 2018 年 12 月 26 日调整收购上海凯世通半导体公司收购方案。 2019 年 6 月，与中国科学院微电子研究所、芯鑫融资租赁拟设立 集成电路装备集团有限公司，项目总投资 15 亿元。并陆续投资紫 光控股、飞凯材料、精测电子和长川科技等股份。 图表图表3：公司外延并购战略历程一览公司外延并购战略历程一览 来源：公司公告整理，中泰证券研究所 浦东科投及国家大基金加码半导体发展。浦东科投及国家大基金加码半导体发展。 公司目前实际控制人及第三大股东 为上海浦东科技投资有限公司以及国家大基金，其中浦东科投最早为国企， 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文

21、之后的重要声明重要声明部分部分 - 6 - 公司深度公司深度 2014 年完成混合所有制改革，曾合作设立 21 支基金，包括 11 支美元基金和 10 支人民币基金以及 50 亿半导体产业基金，在集成电路、医疗健康等高科 技产业有着多年的成功投资经验，如对澜 起科技、ICON、Alphean 和 LPTH 等方面积累了丰富的资源和深刻的认识， 公司董事长朱旭东曾任浦东新区科 学技术局党组书记、 浦东新区发展计划局副局长等。 我们认为公司半导体的 丰富经验、 长期决心叠加国家大基金的政策和基金支持， 公司未来将以凯世 通离子注入机等打造集成电路装备平台型企业。 图表图表4：浦东科投名下主要对外投

22、资浦东科投名下主要对外投资（不完全统计）（不完全统计） 被投资公司名称持股比例主营业务 VERISILICON HOLDINGS CO.,LTD. 4.20% 集成电路的设计、调试、维护，为集成电路 制造和设计厂商提供建模和建库等服务 翱捷科技（上海）18.79% 移动智能通讯终端、物联网、导航及其他消 费类电子芯片的平台研发、方案提供、技术 支持和服务 齐齐哈尔建华医院10.75% 提供综合性的医疗服务 Lightpath Technologies 14.90% 新型电子元器件、精密仪器的研发、生产、 销售和售后服务 IconAircraftInc.16%轻型运动飞机的研发和制造 澜起科技1

23、7.18% 家庭娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的 解决方案 来源：浦东科投官网，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 7 - 公司深度公司深度 离子注入机市场广阔离子注入机市场广阔，光伏光伏/半导体半导体/面板国内替代面板国内替代空间大空间大 离子注入机离子注入机主要用于光伏、半导体、面板掺杂工艺主要用于光伏、半导体、面板掺杂工艺 离子注入机主要用于掺杂工艺。离子注入机主要用于掺杂工艺。目前从掺杂工艺技术上有 2 种方法：1 是高温热扩散法是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到 硅片内的一种方法；2 是离子注入法是离子注

24、入法，通过离子注入机的加速和引导， 将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去，离子束与材料中的原子 或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面 成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性 能，或使材料获得某些新的性能。离子注入法相比高温热扩散法，具备 掺杂均匀性好，纯度好，低温灵活、可控精度等优点。有些特殊的掺杂 如小剂量浅结掺杂、深浓度峰分布掺杂等扩散无法实现，而离子注入却 能胜任。目前，结深小于 1um 的平面工艺，基本都采用离子注入技术完 成掺杂。 离子注入机工作原理：离子注入机工作原理：离子注入机时主要由离子源、磁分析器、加速管 或减速管、 聚焦

25、和扫描系统、 工艺腔(靶室和后台处理系统)五部分组成， 工作原理是从离子源引出的离子经过磁分析器选择出需要的离子，分析 后的离子经加速或减速以改变离子的能量，再经过两维偏转扫描器使离 子束均匀的注入到材料表面，用电荷积分仪可精确的测量注入离子的数 量，调节注入离子的能量可精确的控制离子的注入深度。 1、 离子源：离子源：产生大量的注入正离子部件，常用杂质 BF3/Ash3/PH3. 2、 磁分析器磁分析器: :吸极用于把离子从离子源室中引出，分析器磁铁呈 90 度 图表图表5：掺杂工艺的两种方法掺杂工艺的两种方法 图表图表6：离子注入示意图离子注入示意图 来源 SEMI 半导体产业网，中泰证券

26、研究所 来源：SEMI 半导体产业网，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 8 - 公司深度公司深度 角，不同离子偏转的角度不同最后分离出所需的杂质离子； 3、 加速管：加速管：加速正离子获得更高的速度和动能； 4、 聚焦和扫描系统：聚焦和扫描系统： 用于使离子束沿 x、 y 方向在一定面积内进行扫描， 分为中束流的束斑和大束流的束斑。 5、 工艺腔：工艺腔：硅片传输系统和计算机控制系统。 图表图表7：离子注入机的构成及工作原理：离子注入机的构成及工作原理 来源：公司公告，中泰证券研究所 图表图表8：凯世通离子注入机剖面试样凯世通离子注入机剖面试

27、样 来源：公司公告，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 9 - 公司深度公司深度 离子注入机主要用于离子注入机主要用于光伏光伏、集成电路和面板中，我们分、集成电路和面板中，我们分三个领域来详细三个领域来详细 论述下应用情况以及所在市场规模。论述下应用情况以及所在市场规模。 1、 光伏光伏应用应用领域领域 光伏电池的生产过程一般包括硅片的清洗、 制绒、 掺杂制结、 边缘刻蚀、 清洗、沉积减反射层、丝网印刷、高温烧结、电池效率测试分选等多个 环节。 其中扩散制结过程是指采用热扩散掺杂技术在硅片中制备 P-N 结 的过程， 目前离子注入技术用于光伏电

28、池的掺杂主要包括 P 型晶硅电池 的发射极，N 型 PERT、TOPCon 和 IBC 电池的发射极以及背场。其原 理是以一定的能量将掺杂离子注入到硅片中，通过随后的退火激活完成 掺杂，掺杂制结过程的质量决定了电池转换效率、衰减率、良品率等多 个关键指标，所以从工艺的优越性还是成本的低廉性上，离子注入技术 都是 N 型高效 TOPCon 电池和 TOPCon IBC 电池的必需技术之一。 N N- -PERTPERT 电池量产上，电池量产上， 离子注入主要用于背场掺杂。 由于离子注入的方向 性和单面性，对比双面扩散工艺，离子注入技术制作 N-PERT 电池具有 更简单的工艺步骤，对背场结型和电

29、池漏电有更好的控制。 基于钝化接触的基于钝化接触的 TOPCon 电池电池，离子注入主要用于多晶硅的高剂量掺 杂和绕镀多晶硅的选择性刻蚀。和 N-PERT 电池一样，用扩散对背面多 晶硅进行掺杂时需要在电池正面制作掩模保护层，使得电池制造工艺变 得复杂。采用离子注入不仅可以对多晶硅进行精确可控的掺杂，并且注 入后形成的非晶硅层可以作为碱刻蚀的阻挡层，通过简单的碱刻蚀步骤 即可去除绕镀到正面的多晶硅 以钝化接触的以钝化接触的TOPCon IBC电池为例：电池为例： 离子注入主要用于TOPCon IBC 电池背面 P 型多晶硅的硼掺杂和 N 型多晶硅的磷掺杂，以及电池正面 的前表面场的掺杂。由于

30、IBC 电池的背面同时具有 P 型区域和 N 型区 域，为了避免电池漏电，P 型区域和 N 区域之间的隔离是必须的，利用 离子注入后形成的非晶硅层可以作为碱刻蚀的阻挡层的特性。 图表图表9：离子注入在离子注入在N型电池上的应用点型电池上的应用点概况概况 来源：公司公告，中泰证券研究所 图表图表10：离子注入离子注入在在TOPCon IBC电池背面电池背面P-N区域隔离区域隔离情况情况 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 10 - 公司深度公司深度 2、集成电路、集成电路应用应用领域领域 离子注入机四大离子注入机四大 ICIC 设备之一。设备之一。离子注入机与薄

31、膜沉积设备、光刻设备、 刻蚀设备同列为四大集成电路制造关键制程设备。其中薄膜沉积属于增 材，刻蚀属于减材，光刻属于图形化，而离子注入机是对材料进行改性 加工。 离子注入机用于集成电路晶圆加工部分离子注入机用于集成电路晶圆加工部分，由于离子注入具备低温掺杂、 精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好这些优点，使得经离子注入掺杂 所制成的集成电路具有速度快、功耗低、稳定性好、成品率高等特点。 对于大规模、超大规模集成电路来说，离子注入更是一种理想的掺杂工 艺，如在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子注入硅圆表 面，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导 电性，经过电场加速后，

32、注入的离子流的速度可以超过 30 万千米每小 时，如离子注入砷化嫁可制出超高速集成电路,其速度比同样规模的硅 材料制的电路快几倍、而且工艺也大大简化，离子注入 HgCdTe 可制出 卫星照象和遥感用高灵敏度的红外探测器。当前采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序多达 60 多道。 离子注入的主要功能离子注入的主要功能是通过改变芯片内载流子的分布从而达到所需的 电参数和电性能，具体应用包括：1 1、隔离工序中防止寄生沟道用的沟 道截断，2、调整阈值电压用的沟道掺杂/3、CMOS 肼的形成/4、浅结的 制备等。 以离子注入在浅结形成中的应用为例：以离子注入在浅结形成中的应用为例： 为了抑

33、制 CMOS 穿通电流和减小器件的短沟效应,半导体工艺的重要要求是减小 CMOS 源/漏结深。先进 CMOS 工艺 对器件 p-n 结有很高要求,要有高的表面掺杂浓度、极浅的结深、低接触和薄层电阻以及小的结漏电流等。为了 形成浅结,离子注入是一种可选技术,结深由注入能量和下一步扩散工艺决定。结深由注入能量和下一步扩散工艺决定。注入能量的下限受束流下降限制, 扩散温度的下限取决于消除注入损伤、激活杂质和避免退火期间的瞬时增强扩散。现代商业注入机通常不低于 10keV,非常低的能量存在束流稳定和低束流问题。为了制作超浅 p-n 结,现代商业注入机所采用的注入杂质的射 程太大,为获得小于 60nm

34、的结深,要严格控制注入分布,对此还存在于射程偏差、横向偏差和沟道等有关的问题。 为了形成非晶的表面层,注入一种电不激活物质,如硅或锗,可以制作 p-n 浅结。 这样可以消除沟道效应,而且与重 来源：公司公告，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 11 - 公司深度公司深度 损伤注入层相比,完全非晶层退火后有更好的晶体质量。 2、 面板面板 AMOLED 离子注入机离子注入机 AMOLED 全称是主动矩阵有机发光二极体，被称为下一代显示技术，是 OLED 自发光显示器技术的一种。与传统 LCD 液晶面板相比，AMOLED 面 板具有更薄更轻、主动发

35、光、高清晰、高亮度、视角广，响应快速、能 耗低、成本低和可实现柔软显示等优势，未来将取代 LCD 成为主流., 其制备工艺包括：ITO 玻璃清洗光刻再清洗前处理真空蒸镀有 机层真空蒸镀背电极真空蒸镀保护层封装切割测试模块 组装产品检验及老化实验等十几道工序。 离子注入为 AMOLED 前段背板段工艺环节，背板主要通过成膜，曝光， 蚀刻叠加不同图形不同材质的膜层以形成 LTPS，技术难点在于微米级 的工艺精细度以及对于电性指标的极高均一度要求， 背板段流程中涉及 的设备有： 光刻机、湿刻机、干刻机、ICP-干刻机、PVD、CVD、TEOSCVD、 HF 清洗机、激光晶化机、离子注入机、快速热退火

36、机等，离子注入对离子注入对 AMOLEAMOLED D 中硅载流子进行掺杂，从而改变中硅载流子进行掺杂，从而改变 AMOLEDAMOLED 面板的导电特性面板的导电特性，离子 注入为 AMOLED 的必要环节，具体流程见下图。 图表图表11：离子注入在离子注入在集成电路中的应用场景集成电路中的应用场景 来源： 半导体芯片制造技术 ，中泰证券研究所 图表图表12：离子注入在离子注入在OLED环节的应用环节的应用 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 12 - 公司深度公司深度 潜在潜在市场规模约市场规模约 80 亿，集成电路亿，集成电路光伏光伏面板面板 1 1、光

37、伏、光伏光伏光伏：离子注入机离子注入机潜在潜在市场规模约为市场规模约为22.522.5亿元亿元 政策驱动：政策驱动： 根据国家能源局光伏发展“十三五规划” ，到 2020 年，我国先 进晶体硅光伏电池产业化转换效率达到 23%以上，光伏发电电价水 平在 2015 年基础上下降 50%以上。这对光伏发电的上游光伏装备以 及条光伏电池工艺路线提出了更高的要求。 2018 年 6 月 1 日， 国家发改委、 财政部、 国家能源局联合下发的 关 于 2018 年光伏发电有关事项的通知 明确我国光伏行业的发展要提 高发展质量， 加快补贴退坡。 新政鼓励不需要国家补贴的光伏项目， 光伏平价上网进程加快，这

38、要求光伏制造企业要全线降低光伏产品 的制造成本和提高产品的光伏转换效率，电池片制造企业将更多采 用高效晶硅电池技术路线，如 PERC、PERT、TOPCon 等，这使得电池 片制造企业要对目前不满足的技术和设备进行迭代。 技术驱动：技术驱动： N N 型型是主流。是主流。现有高效晶硅光伏电池技术路线主要有三条：N 型 PERT-TOPCon-TOPCon IBC 技术方案、P 型 PERC 技术方案、HIT 技术 方案，其中 N 型电池具有效率高、衰减低的优点，在定价上也更有 优势，成为电池厂商追捧的对象，市场对 N 型高效电池的需求会更 加迫切，N 型电池将会逐渐取代传统低端晶硅电池。离子注

39、入机是 提升 N 型/P 型高效电池转换效率的关键设备。 客户需求：客户需求：根据产业调研目前多家光伏电池生产厂商，例如晶科、 晶澳、天合、中来股份等，均在进行钝化接触技术的研发，如中来 股份采用凯世通生产的光伏离子注入机生产的 N-PERT 电池， 是行业 内首个将 N-PERT 电池工艺路线实现量产的电池生产厂商， 从产业趋 势看，高效晶硅电池工艺路线将是光伏技术发展的主要方向。 来源：公司公告，中泰证券研究所 请务必阅读正文之后的请务必阅读正文之后的重要声明重要声明部分部分 - 13 - 公司深度公司深度 国内光伏离子注入机国内光伏离子注入机潜在潜在市场规模约为市场规模约为22.522.

40、5亿亿元元：根据国家能源局2018年 公布2017年全国新增光伏装机52.8GW， 其中生产线超过1000条， 未来光伏的 发展趋势是高效单晶的路线，通过产业链交流假如按照30%技术升级的需求 进行估算，国内有近300条生产线需要用离子注入设备来改造为N-PERT电池 产线，市场空间较大。而我们根据凯世通2017年出售给泰州中来数据，其中 泰州中来项目初期产能2.1GW， 拟建设14条N型单晶双面光伏电池产线， 一期 工程1.05GW于2016启动建设，2017年开始设备安装，2017年竣工投产。根据 公司发行股份购买资产书公司从2016年-2018年Q1凯世通共出售离子注入机 在该生产基地的生产线上大约为1+15+3合计19台约1.05亿（14条线） ，对应 每条线约为750万， 根据前面我们假设未来国内有近300条生产线需要用离子 注入设备来改造为N-PERT电池产线，对应市场需求量大约在22.5亿元规模。 图表图表13：2007年到年到2018年中国新增光伏装机全球占比持续提升年中国新增光伏装机全球占比持续提升 来源：BNEF，中泰证券研究所 2 2、集成电路领域、集成电路领域：20202020年国内年国内离子注入机