1、 证券研究报告 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明 公司深度报告公司深度报告 Table_IndustryName 半导体半导体 Table_ReportDate 2022 年年 06 月月 16 日日 Table_Title 国内中高压功率器件破局者，国内中高压功率器件破局者，看好看好公公司工业领域及车规级产品司工业领域及车规级产品持续渗透持续渗透 东微半导东微半导(688261.SH) 推荐推荐( (首次首次评级评级) ) 核心观点核心观点： Table_SummaryTable_Summary 国内功率半导体器件龙头企业，产品技术领先，品类齐全。国内功率半导体器件龙头企业，

2、产品技术领先，品类齐全。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的企业，核心产品包括： 高压超级结 MOSFET， 中低压屏蔽栅 MOSFET， Tri-gate IGBT，应用下游行业主要为工业及汽车相关等中大功率应用领域。根据Omdia 数据，国内功率 MOSFET 市场约 30 亿美元，市场份额前 10的公司国内厂商份额占比仅为 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约 45%， 国产厂商具备较大替代市场空间。 公司主要产品已具备国内或海外领先技术水平，是少数在中高压超级结MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一。 新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张

3、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张。根据 Yole 数据， 全球功率半导体市场规模将保持 6.9%增长， 国内消耗占比超过 36.68%。其中需求增长最快的领域为新能源车、充电桩和 5G 基站。尽管缺芯持续，2021 年全球新能源车销售 681 万辆，同比增长 108%,国内市场销售 352 万辆，同比增长 157.6%，新能源汽车的功率半导体单车价值量同样显著提升；充电桩领域快充技术的不断完善，高压功率器件随着充电的功率提升，价值量也在飞速增长，例如单 350kW 充电桩功率器件所含价值量约为3500 美元； 未来两年同样是 5G 基站建设加速时期， 相较 4G 基站，5G

4、 基站所需功率半导体的价值量约为 4 倍。 从供应链到技术，持续突破高性能产品从供应链到技术，持续突破高性能产品。公司与行业上游晶圆制造厂商、封测厂等供应商建立了较为稳定的长期合作关系与高效联动机制。从具体技术参数来看，高压超级结 MOSFET 产品具备全球一流水平，同时在研项目聚焦第三代半导体功率器件，多核心技术为自主研发。从客户结构来看，与各行业龙头建立长期合作关系，推动公司技术进步和国产替代。 投资建议投资建议 我们认为， 公司短期受益于新能源车、 新能源直流充电桩、光伏和其他工业领域的快速放量，叠加功率器件紧缺带来的业绩增长， 长期看好公司在在中高压 MOSFET 和 IGBT 产品领

5、域底层器件结构创新能力以及细分领域的持续渗透，带动公司业绩高速成长。我们预计公司 2022-2024 年收入分别为 11.78 亿元、16.54 亿元、21.78 亿元，对应 EPS 分别为 3.52、4.81、6.44，对应当年 PE 为 67.39X、49.29X、36.82X。首次覆盖，给与“推荐推荐”评级。 风险提示风险提示 市场竞争风险；供应商集中度较高的风险；新产品研发不及预期的风险。 Table_Authors 分析师分析师 高峰 ： ：gaofeng_ 分析师登记编码：S01 联系人联系人 王子路 ： ：wa

6、ngzilu_ 分析师登记编码：S01 市场数据市场数据 2022-06-16 A 股收盘价(元) 237.07 股票代码 688261.SH A 股一年内最高价(元) 273.10 A 股一年内最低价(元) 121.10 上证指数 3285.38 市盈率 81.47 总股本（万股） 6737.64 实际流通 A 股（万股） 1424.92 流通 A 股市值(亿元) 33.78 Table_Chart Table_QuotePic相对沪深相对沪深 300300 表现图表现图 Table_Chart 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 -40%-20%0%20%40%6

7、0%80%100%120%22/2/1122/2/2622/3/1322/3/2822/4/1222/4/2722/5/1222/5/2722/6/11沪深300东微半导 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 2 主要财务指标主要财务指标 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入(亿元) 7.82 11.77 16.53 21.77 收入增长率% 153.28% 50.49% 40.44% 31.70% 归母净利润（亿元） 1.47 2.34 3.20 4.28 归母净利润增速 430.66% 59

8、.32% 36.72% 33.86% 毛利率 28.72% 29.08% 29.11% 29.26% 摊薄 EPS(元) 2.91 3.52 4.81 6.44 PE 81.47 67.39 49.29 36.82 PB 21.17 19.72 14.09 10.19 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 hVjWvY9XfWaXvYoYvY6MaOaQmOqQtRpNjMqQrPeRsQoObRpOmMvPnMtOxNrNsM 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 3 目目 录录 一、国内高压一、国内高压 M

9、OSFET 龙头，财务指标持续向好龙头，财务指标持续向好 . 4 （一）国内高压 MOSFET 龙头，专注工业及汽车相关领域 . 4 （二）技术领先，四大核心产品逐步实现国产化替代 . 6 （三）研发驱动公司毛利率抬升，在研项目提升产品竞争力 . 8 二、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张二、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张 . 12 （一）需求端扩大，功率器件结构和材料持续迭代 . 12 （二）根据 MOSFET 和 IGBT 产品特性，具有不同应用场景 . 14 （三）需求保持快速增长，新能源产业链为最大催化剂 . 16 （四）供给国产化率逐步抬升，供

10、需紧张局面延续 . 20 三、从供应链到技术，持续突破高性能产品三、从供应链到技术，持续突破高性能产品. 22 （一）与晶圆厂商保持合作，产能供给稳定增长 . 22 （二）着力底层技术创新，发力工业及车规高端市场 . 22 （三）销售模式多元化，客户多优质工业企业 . 24 四、盈利预测与投资建议四、盈利预测与投资建议 . 26 （一）盈利预测 . 26 （二）估值分析与投资建议 . 27 五、风险提示五、风险提示 . 28 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 4 一、一、国内高压国内高压超级结超级结 M MO

11、SOSFETFET 龙头龙头，财务指标持续向好，财务指标持续向好 （一）国内高压超级结 MOSFET 龙头，专注工业及汽车相关领域 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。 公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力， 集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结 MOSFET 和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，公司从 2008 年创立以来便聚焦于高端功率器件的研发与销售。 图图 1：公司产品和发展阶段公司产品和发展阶段 资料来源：招股

12、说明书，中国银河证券研究院 从产品分类来看，从产品分类来看， 公司的主要产品包括公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结系列高压超级结 MOSFET、 SFGMOS系列及系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅系列中低压屏蔽栅 MOSFET。 公司核心产品高压超级结 MOSFET 产品全部采用超级结技术原理，技术较为先进，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性强等优势，公司GreenMOS 系列具备高效率低阻抗特点，广泛应用于新能源车直流充电桩、5G 通讯等领域；另一核心产品中低压屏蔽栅 MOSFET，兼具平面结构和屏蔽栅结构优势，具备稳定工艺水平和高可靠性， 同时公司在中低压领域积累了多

13、项技术包括优化电荷平衡、 自对准加工等核心技术，产品的关键技术达到了国内领先水平。 在应用领域层面，公司产品的终端应用范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源，同时还包括以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 5 图图 2：公司产品在汽车电子和工业领域应用情况公司产品在汽车电子和工业领域应用情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司实控人为王鹏飞和龚轶公司实控人为王鹏飞和龚轶，哈勃投资、元禾控股，哈勃投资、元禾控

14、股参投。参投。公司股权结构较为分散，根据招股说明书显示， 公司并无控股股东， 公司实际控制人为王鹏飞和龚轶， 其中截至 2022 年 4 月，王鹏飞直接持股 12.07%，同时公司近些年受到市场上多家产业资本青睐，元禾控股通过原点创投持有公司 11.39%股权，2017 年聚源聚芯产业基金向公司进行投资，其持有公司公司股权7.49%；2020 年华为哈勃投资入股公司，持有公司股权 4.94%，并且公司为哈勃投资旗下唯一功率器件设计公司。 图图 3：公司股权结构公司股权结构 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 关注核心员工激励，多次激励提升公司稳定性。根据招股说明书披露，公司在 2018 年

15、、2019 年共实施 3 次股权激励政策，股权授予对象为核心研发员工和核心管理人员，员工主要 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 6 通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司股权。 公司 IPO 拟募资 9.39 亿元，最终实际募集资金净额为 20.07 亿元，募集资金用途分别用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、 新结构功率器件研发及产业化项目、 研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金，各项目资金需求分别为 2.04 亿元、1.08 亿元、1.70亿元、4.57 亿元，占拟募集资金比例为 21.

16、75%、11.47%、18.90%、48.68%。科技与发展储备资金的主要是随着公司业务扩展， 公司未来考虑通过投资并购方式整合行业优质标的， 谋求产业资源的有效协同，公司拟以实际经营情况为基础，结合未来战略发展目标，补充科技与发展储备资金。 表表 1：公司公司募集资金投资方向及使用安排募集资金投资方向及使用安排 序号序号 募集资金投资方向募集资金投资方向 拟投入募集资金金额拟投入募集资金金额 ( (万元万元) ) 拟投入资金比例拟投入资金比例 项目建设周期项目建设周期 1 超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目 20414.58 21.75 3 年 2 新结构功率器件研发及产业化项目 1

17、0770.32 11.47 3 年 3 研发工程中心建设项目 16984.2 18.09 3 年 4 科技与发展储备资金 45700 48.68 - 合计 93869.1 100% - 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 （二）技术领先，核心产品逐步实现国产化替代 公司主要核心产品包括：高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅 MOSFET，Tri-gate IGBT。 高压超级结高压超级结 MOSFET：低导通电阻、动态损耗低。：低导通电阻、动态损耗低。公司的高压超级结 MOSFET 产品（包括超级硅 MOSFET）主要为 GreenMOS 产品系列，并拥有逾 1100 种的产品型号规格

18、，该领域规格最完整国内厂商。高压高级结 MOSFET 产品具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。从应用场景来看，产品多用于直流大功率新能源汽车充电桩、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等应用领域。 表表 2：高压超级结高压超级结 MOSFET 产品系类及特点产品系类及特点 系列系列 特点特点 基本介绍基本介绍 标准通用系列 高性能通用型 标准通用 Generic 系列产品包含 500V-950V 全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种开关电源系统的高性能功率转换领域 S 系列 EMI 优化 S

19、系列产品在 Generic 系列产品的基础上进一步优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的 EMI 兼容性，特别适用于对 EMI 要求较高的电源系统如 LED 照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统中 E 系列 EMI 性能平衡 E 系列产品综合了标准通用系列产品和 S 系列产品的特性，实现了开关速度和 EMI之间较好的平衡，适用于 TV 电源、工业电源等领域，开关速度介于标准通用系列和 S 系列之间 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 7 Z 系列 集成快恢复体二极管（FRD） Z 系列产品中集成了快速反

20、向恢复二极管 FRD，具有快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗，特别适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOSFET：覆盖工作电压：覆盖工作电压 25V-150V，应用场景为低压环境。，应用场景为低压环境。公司的中低压MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列，工作电压覆盖 25V-150V，合计超过 500 种型号。其中，公司的 SFGMOS 产品系列具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点，公司中低压功率器

21、件产品涵盖 25V-150V 工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。 表表 3：中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOSFET 产品系列和特点介绍产品系列和特点介绍 系列系列 特点特点 介绍介绍 SFGMOS系 列 低 Vth系列 Vth 较低，可以用 5V 栅极驱动。高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源系统，如5V-20V 输出快速充电器、大功率 LED 显示屏电源、服务器电源 DC-DC 模块等领域 高 Vth系列 Vth 较高，抗干扰能力强。低导通电阻、高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压在 10V 以上的电源系统，如

22、电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆变器等领域 FSMOS系列 高电流密度、低功耗、高可靠性 主要应用于对功率密度有更高要求的快速充电器、电机驱动、DC-DC 模块、开关电源等领域 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院整理 超级硅超级硅 MOSFET：性能对标氮化镓功率器件，已有：性能对标氮化镓功率器件，已有 18 种型号进入量产。种型号进入量产。公司的超级硅MOSFET 产品是公司自主研发产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，公司产品突破了硅基功率器件响应速度瓶颈，在电源管理 PMS 领域接近了第三代半导体功率器件开关速度，应用场景包括高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照

23、明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。 Tri-gate IGBT：提升功率密度，优化导通损耗与开关损耗。：提升功率密度，优化导通损耗与开关损耗。公司 TGBT 产品具有独立知识产权，区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，实现了关键技术参数的大幅优化，截至2021 年 12 月 31 日， 达到可量产水平的产品规格共有 52 种， 工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。应用场景包括新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文

24、最后的中国银河证券股份公司免责声明。 8 图图 4：公司主要产品信息公司主要产品信息 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 （三）研发驱动公司毛利率抬升，在研项目提升产品竞争力 公司自 18 年以来，营收复合增速超过 50%，净利润复合增速超过 77%，公司的快速增长得益于半导体功率器件行业景气度的持续向好，下游需求旺盛。同时，公司通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断研发出更为优秀的产品与技术，需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化带动公司业绩高增长。 公司 2021 年取得良好经营业绩，实现营收 7.82 亿元，同比增长 153.28%；实现

25、归属于母公司所有者的净利润 1.46 亿元，同比增长 429.12%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 1.40 亿元， 同比增长 586.58%。 公司 2022 年第一季度同样表现出良好成长性，实现营收 2.05 亿元，同比增长 45.5%，实现归母净利润 0.47 亿元，同比增长 130%。 图图 5：公司公司 2018-2021 营业收入（亿元）营业收入（亿元）及增长及增长 图图 6：公司公司 2018-2021 归母净利润归母净利润（亿元）（亿元）及增长及增长 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 MOSFET 产品为公司核心

26、收入产品为公司核心收入来源来源，专注专注工业工业和汽车相关领域和汽车相关领域。从 2021 年公司营收产0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%0021营业收入（亿元）yoy-100%0%100%200%300%400%500%00.20.40.60.811.21.41.620021归母净利润（亿元）yoy 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 9 品构成来看，高压超级结 MOSFET 占比 72.7%，中低压屏蔽栅 M

27、OSFET 占比 26.3%，超级硅MOSFET 占比 0.26%，TGBT 占比 0.77%。从下游行业收入占比来看，公司产品主要应用领域主要针对工业级设备客户，工业类领域客户收入占比超过 50%，根据 21H1 数据来看，工业级通信电源营收占比接近 20%，新能源汽车充电桩领域收入占比达到 16%，消费电子设备领域营收占比下滑 4pct，我们认为长期来看，工业和汽车领域的技术门槛高，更能为公司产品带来竞争壁垒， 减少终端市场结构性波动带来的价格影响， 同时与工业及车规级厂商稳定的合作关系能够持续保障公司订单量及利润率的稳定。 图图 7：公司：公司 2021 年营业收入产品构成年营业收入产品

28、构成 图图 8：公司：公司 21H1 收入在各领域构成情况收入在各领域构成情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司毛公司毛/净利率稳中有升，费用端表现向好。净利率稳中有升，费用端表现向好。公司毛利率自 2019 年探底后稳步回升，2019年公司销售毛利率 14.93%，2021 年整体毛利率已回升至 28.72%。我们认为，公司毛利率提升原因为：公司对产品结构进行战略调整，专注车规和工业领域，逐步更新和提升公司产品竞争力， 持续保持对下游厂商的溢价能力， 随着未来公司功率器件在车规级产品和工控领域的逐步放量，未来公司的毛利率有继续抬升的趋势。随

29、着公司收入逐步走高，公司各项费用率稳定优化，保持公司整体净利率上升的趋势。 图图 9：公司：公司 2019-2021 年毛利率和净利率年毛利率和净利率 图图 10：公司：公司 2018-2021 年费用率情况年费用率情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 26.30%0.26%72.70%0.77%中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFET高压超级结MOSFETTGBT0%20%40%60%80%100%20021H1各类工业及通信电源新能源汽车充电桩大功率照明电源逆变器电池保护消费电子设备显示器电源其他主营业务0%5%10%

30、15%20%25%30%201920202021销售毛利率EBIT margin销售净利率EBITDA margin-1%-1%0%1%1%2%2%3%3%4%201920202021销售费用率管理费用率财务费用率 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 10 研发人员占比较高，持续投入构建公司产品护城河。研发人员占比较高，持续投入构建公司产品护城河。公司产品商业模式采用 Fabless，因此设计能力为公司核心竞争力。公司在最近年度持续加大研发投入，从研发人员数量来看，公司 2021 年末研发人员占比高达 44%，

31、研发人员占比高于行业平均水平。从研发投入来看，公司 2019-2021 年，研发投入逐步增长，分别为 1203 万元、1599 万元、4143 万元，并且 2021年研发支出同比增长 159.07%，研发费用占收入比 2021 年为 5.30%，产品不断的推陈出新背后是强大研发能力的付出。 图图 11：公司研发费用（亿元）及同比增长：公司研发费用（亿元）及同比增长 图图 12：公司研发人员占比（：公司研发人员占比（2021） 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 在研项目聚焦第三代半导体功率器件， 多核心技术为自主研发。在研项目聚焦第三代半导体功率器件

32、， 多核心技术为自主研发。 半导体行业公司核心竞争力为不断创新的能力，根据公司年报在研项目来看，公司布局第三代功率半导体器件如 SiC MOSFET， 研发进展顺利， 申请多项相关专利。 公司主要产品已具备国内或国外领先技术水平，是少数在中高压超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一，打破了海外厂商在新能源车充电桩的垄断地位。同时，公司基于自主研发的 Tri-IGBT 器件结构的创新型功率器件已实现量产，未来有望突破海外在高压 IGBT 市场的绝对地位。 表表 4：截至截至 2021 年末公司的在研项目情况年末公司的在研项目情况 序号序号 项目名称项目名称 累累计计投入投入 拟

33、达到目标拟达到目标 技术水平技术水平 具体应用前景具体应用前景 1 第三代超级结器件研发 1421.00 进一步降低高压超级结 MOSFET 产品的原胞尺寸，进一步降低高压超级结 MOSFET特征导通电阻 国际先进 应用于新能源车 OBC、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源、手机快充电器等应用。 2 超低 FOM 及高性能的 150V SGT功率器件研发 922.33 优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的沟槽形貌，保证多晶硅和氧化层的填充，通过优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的外延浓度和结构，优化电容参数，提升优值，优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的特征导通电阻，

34、降低开关过程中的过冲电压和电流 国内领先 应用于 5G 基站、汽车转向助力、光伏逆变器、服务器、TV 电源、手机快充电器、机器人、扫地机、电钻、电动自行车等应用领域 3 12 英寸大晶圆60V-100V SGT研发 662.74 实现在 12 英寸大晶圆平台上量产更优性能的屏蔽栅 MOSFET 产品，优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的器件设计，提升可靠性，提高良率 国内领先 应用于汽车转向助力、快速充电器、电机驱动、DC-DC 模块、通信电源等应用领域 -50%0%50%100%150%200%00.10.20.30.40.5201920202021研发费用同比增长研发费用率44%56%研发人

35、员其他 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 11 4 超级硅功率器件 350.32 完成超级硅技术平台搭建，提升高压超级结 MOSFET 的频率特性，应用拓展到超高频率的电路场合，实现接近 GaN、SiC功率器件的效率 国际先进 应用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC 适配器等领域。 5 8 英寸线 700V及以上GreenMOS 高压的超级结芯片 544.23 进一步提高超级结器件的额定耐压值，将耐压规格扩展到超高压领域 国际先进 应用于 LE

36、D 照明、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源、手机快速充电器等应用领域。 6 12 英寸先进工艺 GreenMOS 超级结 MOSFET 599.17 实现在 12 英寸产线上生产超级结工艺，同时提升产品一致性。 国际先进 应用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源汽车车载 OBC、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等应用领域。 7 900V 以下三栅IGBT （Tri-gate IGBT） 387.04 优化 900V 以下新型 IGBT 器件的关断损耗与导通压降特性 国际领先 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功

37、率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、电焊机等应用领域 8 900V 及以上三栅 IGBT（Tri-gate IGBT） 324.87 优化 900V 以上新型 IGBT 器件的关断损耗与导通压降特性 国际领先 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、电焊机等应用领域 9 第三代半导体SiC 功率器件研发 182.43 完成 SiC 产品平台的设计与制造能力搭建。 国际先进 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、UPS 电源等应用领域 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司深

38、度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 12 二、二、新能源新能源产业链产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张续紧张 （一）需求端扩大，功率器件结构和材料持续迭代 功率半导体核心作用：控制电子装置中电能转换与电路控制。功率半导体核心作用：控制电子装置中电能转换与电路控制。功率半导体发展始于 20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统，之后晶闸管、平面型功率 MOSFET、沟槽型 MOSFET 和 IGBT 面世，随着 20 世纪 90 年代超级结 M

39、OSFET 出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求， 功率半导体性能能进一步提升。 从用途来看，功率半导体主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。 图图 13：功率半导体技术演进功率半导体技术演进 资料来源：CRRC，中国银河证券研究院 功率功率 IC 和功率和功率分立分立器件是功率半导体的两大分支器件是功率半导体的两大分支。功率 IC 市值功率类集成电路设计，类似模拟 IC，分为 AC/DC、DC/DC、电源管理 IC 和驱动 IC 等。功率分立器件主

40、要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品，产品可以根据外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可分为不可控型、半控型和全控型功率器件，其中，二极管单向导通，可以实现整流，属于不可控型；晶闸管只能触发导通，不能触发关断，属于半控型；晶体管包括 IGBT 和 MOSFET 等，可以触发导通，也可以触发关断，属于全控型器件。 对国内市场而言， 功率二极管、 功率三极管、 晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。 公司深度报告公司深

41、度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 13 图图 14：功率半导体分类市场功率半导体分类市场 资料来源：华润微招股说明书，中国银河证券研究院 从市场空间来看，中国功率半导体市场增速高于全球增速。根据 Omida 数据显示，全球2021 年功率半导体市场规模约为 435.62 亿元，预计 2024 年市场规模将达到 532.19 亿元，未来三年复合增速为 6.9%；中国市场为功率半导体消费大国，市场规模不断发展，2021 年中国功率半导体市场规模约为 157 亿元， 预计 2024 年市场规模将达到 195.22 亿元， 未来三年

42、CAGR为 7.53%，占全球市场约为 36.68%。随着国内市场工业企业不断壮大，加速制造业、硬科技行业成长，新能源车、新能源充电桩、工业智造不断发力，长期国内功率半导体市场有望实现高速增长。 图图 15：全球功率半导体市场规模及增速：全球功率半导体市场规模及增速 图图 16：中国：中国功率半导体市场规模及增速功率半导体市场规模及增速 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 新能源车、储能、光伏、工控领域为其需求增长最快领域新能源车、储能、光伏、工控领域为其需求增长最快领域。针对不同应用场景所对应的功率、电压和频率不同，各细分行业所选用的功率器件不

43、同，MOSFET 凭借其高开滚频率、低损耗特点，主要用于手机、PC、LED 等消费电子领域。IGBT 因耐高压的特点，主要应用于智能0%2%4%6%8%10%12%00500600200202021E 2024E市场规模（亿美元）同比增长0%2%4%6%8%10%12%14%0500200202021E2024E市场规模（亿美元）同比增长 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 14 家电、新能源车和工控领域。根据行业发展来看，

44、新能源车相关产业链为功率半导体下游中最具发展潜力的需求市场，同时低碳概念包括光伏、储能等也同样会加速成长，这些领域的功率半导体市场需求增长较快。 图图 17：功率半导体：功率半导体应用趋势应用趋势 图图 18：功率半导体需求增速较快领域功率半导体需求增速较快领域 资料来源：Yole，中国银河证券研究院 资料来源：中国银河证券研究院 （二）根据 MOSFET 和 IGBT 产品特性，具有不同应用场景 功率器件经过多年发展， 各领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格， 不同的功率器件，都有自己的高效区间。根据 MOSFET 产品特点来看，其本质是一个电路开关，开关速度和高频工作特性比较好，工作频

45、率可以达几十 kHz 到上千 kHz，能够在高电流状态下工作，但耐电压特性差，主要是因为 MOSFET 随着电压上升电阻变大，传导损耗很高，只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置，因此应用领域多为消费电子、小家电等低功率、高频率领域。 对比 IGBT 可以算是 MOSFET 的副产品，IGBT 能够很好地结合 BJT（双极型三极管）处理高电流的能力和功率 MOSFET 的易用性，相比起 MOSFET，IGBT 还能阻隔极高电压，同时以极低损耗来通过高电流。 图图 19：MOSFET 和和 IGBT 区别区别 图图 20：各类型功率半导体应用各类型功率半导体应用 资料来源：中国银河证券研究

46、院 资料来源：英飞凌，Yole，中国银河证券研究院 功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。从竞争格局上来看，功率半导体企业海 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 15 外企业凭借先发优势，借助自由市场收购整合等多模式抢占市场份额，海外 IDM 厂商是功率半导体领先企业。根据 Omdia 数据，2020 年全球功率器件 CR5 约为 44%，英飞凌市场占比高达 20%，安森美占比 8%，意法半导体占比 6%；功率 IC 市场 CR5 约为 43%，德州仪器占比接近

47、 16%。 图图 21：全球功率器件与模块市场全球功率器件与模块市场格局及占比格局及占比 图图 22：功率功率 IC 市场格局市场格局及占比及占比 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 MOSFET：全球市场规模约：全球市场规模约 80 亿美元，国产替代空间巨大。亿美元，国产替代空间巨大。根据 Omdia 数据显示，功率MOSFET 全球市场规模在近几年保持比较稳定，约为 80 亿美元，约占功率器件市场 54%。国内市场约 30 亿美元，约占全球市场 39.9%，未来 3 年市场保持稳定增长。从国内市场景竞争来看，2019 年市场份额前 8 位的公

48、司里仅有华润微和新洁能，两家合计占比接近 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约为 45%， 占据近一半市场， 国产厂商具备较大替代市场空间。 图图 23：国内和全球市场规模情况（亿美元）：国内和全球市场规模情况（亿美元） 图图 24：2019 国内国内 MOSFET 市场竞争格局市场竞争格局 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：IHS market，中国银河证券研究院 IGBT： 全球市场空间约： 全球市场空间约 57 亿美元， 国内消费占亿美元， 国内消费占 40%， 新能源领域为其核心增长催化剂。， 新能源领域为其核心增长催化剂。从 IGBT 市场空间来看，20

49、21 年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57 亿元，国内 IGBT 市场约为 22.43，国内市场规模占全球比约为 40%，国内市场规模增长与海外基本同步。新能源汽车、新能源发电这些领域都是行业发展最大的催化剂。 InfineonOn SemiSTMicroMitsubishToshibaVishayRenesasFujiRohmSemikronOthers德州仪器英飞凌亚德诺半导体高通意法半导体安森美联发科MaximDialog瑞萨其他0%10%20%30%40%50%0070809020020 2021E 2022E国内市场规模全球市场规

50、模国内市场占比英飞凌安森美华润微瑞萨东芝意法新洁能其他企业 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 16 图图 25：全球与中国全球与中国 IGBT 市场规模及增长预测市场规模及增长预测（亿美元亿美元） 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 （三）需求保持快速增长，新能源产业链为最大催化剂 汽车电动化趋势不可阻挡，新能源车、智能汽车为车用功率半导体打开需求天花板。汽车电动化趋势不可阻挡，新能源车、智能汽车为车用功率半导体打开需求天花板。 在全球电动汽车的趋势下， 全球主要工业国家已开始布局电动汽车产业链， 尽管

51、全球市场2021 年电动车市场因“缺芯”导致原材料涨价严重，但全球市场新能源车销量依旧同比增加108%，销量达到 681 万辆，国内市场新能源车销量同比增长 157.6%，销量 352 万辆。预计未来全球市场 2022 年新能源车销量有望达 1069 万辆，同比增长 57%，国内市场随着双碳政策和补贴政策推进，国内 2022 年新能源车销量有望达 560 万辆，同比增加 59%。预计 2025 年，全球新能源车销量有望达 2625 万辆，全球未来四年 CAGR 达 34%。 图图 26：国内和国内和全球新能源车销量全球新能源车销量预测预测 资料来源：EV Volumes，SNE Resears

52、h，中国银河证券研究院 单车功率半导体价值量随着汽车电动化趋势的推进而增长单车功率半导体价值量随着汽车电动化趋势的推进而增长。功率器件在汽车中的应用领-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.002002020212022E2023E2024E全球市场规模中国市场规模全球yoy中国yoy0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%0500025003000350020022E2023E2024E2025E2026E

53、国内新能源汽车销量（万辆）海外新能源汽车销量（万辆）国内新能源汽车增速（%）海外新能源汽车增速（%） 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 17 域主要有驱动系统、引擎系统和车身三大方面，其中 MOSFET 主要用于电动助力转向系统、电制动系统，辅助驱动各种电动马达，参与车灯控制，此外还用于 DC/DC 转换、电池管理系统等模块。IGBT 也是新能源汽车中的核心器件之一，作为大功率高频开关在逆变器、电源变换器中被大量使用，主要应用于新能源汽车的电力驱动系统与电源系统中。根据StrategyAnalytics 的数

54、据， 传统燃油车的车均半导体用量为 338 美元， 而功率半导体仅占 21%，为 71 美元。混合动力汽车新增的半导体中 76%是功率半导体，车均增量达到 283 美元，功率半导体价值为传统汽车的 4 倍，纯电动汽车中的功率半导体价值量则比混合动力汽车中更多，平均来看，新能源汽车功率半导体单车价值量是传统燃油车的约 5 倍。 图图 27：新能源汽车中的功率半导体新能源汽车中的功率半导体 图图 28：按驱动力分车均半导体含量（单位：美元）按驱动力分车均半导体含量（单位：美元） 资料来源：富士电机，中国银河证券研究院 资料来源：Strategy Analytics，中国银河证券研究院 新能源汽车充

55、电桩的发展将成为功率半导体市场又一重要驱动力。新能源汽车充电桩的发展将成为功率半导体市场又一重要驱动力。充电桩是新能源汽车的配套设施。据麦肯锡统计及预测，2020 年中美欧新能源汽车充电需求约为 180 亿千瓦时， 预计到 2030 年， 伴随新能源汽车渗透率的提升， 新能源汽车充电需求将高达 2710 亿千瓦时。 2020 年中美欧充电桩数量约为 300 万个， 预计到 2030 年增长至 4000 万个， 年复合增速约 30%。作为新能源汽车充电桩的核心零部件，功率半导体用量将在新能源汽车充电设施旺盛需 求驱动下大幅增长。目前充电桩平均成本约 3200 美元，功率半导体约占充电桩成本 20

56、%，我 们预计未来 10 年充电桩功率半导体增量空间将超过 200 亿美金。 图图 29：中美欧中美欧 2020-2030 年充电桩数量（单位：百万座）年充电桩数量（单位：百万座） 资料来源：麦肯锡，中国银河证券研究院 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 18 越高效率充电桩，对功率器件的需求越多。越高效率充电桩，对功率器件的需求越多。根据英飞凌数据来看，随着 DC 充电系统的功率的增大， 每个 DC 充电系统所含的功率器件价值处于上升趋势。 20kW 充电系统需要的硅基价值约为 40 美元，150kW 所需硅

57、基价值量大概在 300 美元，而 350kW 充电桩功率器件变为 SiC，所含价值量约为 3500 美元。随着电动汽车保有量和使用范围扩张，高功率充电桩的大幅推广将有效带动充电桩 IGBT 的需求提升。 图图 30：直流充电桩拓扑电路直流充电桩拓扑电路 图图 31：IGBT 和和 MOSFET 在充电桩中的作用在充电桩中的作用 资料来源：安森美，中国银河证券研究院 资料来源：英飞凌，中国银河证券研究院 光伏装机量提升，逆变器需求将迎来需求爆发。光伏装机量提升，逆变器需求将迎来需求爆发。 逆变器为光伏系统核心器件， 光伏逆变器主要由输入滤波电器、 DC/DCMPPT 电路、 DC/AC逆变器、输

58、出滤波电路、核心控制单元电路组成。光伏逆变器是可以将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电（AC）的变频器，其稳定性与安全性可直接影响光伏发电系统的运行与发电效率。IGBT 可直接影响光伏逆变器在下游端的光伏发电效率，是光伏逆变器提高光伏能力转化率的核心器件。 图图 32：光伏逆变器工作原理：光伏逆变器工作原理 图图 33：光伏逆变器结构图光伏逆变器结构图 资料来源：头豹研究院，中国银河证券研究院 资料来源：，中国银河证券研究院 国内市场光伏装机量达到全球 1/3， 功率模块及分立器件成本约占功率器件总成本的 9%。据中国光伏行业协会统计， 2025 年， 我国光伏市场新增

59、装机将介于 90 和 110GW 之间。 2020-2025 年 CAGR 在 13.30%-17.94%之间。从成本测算来看，国内光伏逆变加权成本将由 2020 年的 0.2/W 下降到 2025 年的 0.15/W，并且根据 IMS Research 数据显示，光伏逆变器中功率模块约占成本的 9%，预计 2025 年光伏逆变器中功率器件单位成本约为 1350 万元/GW。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 19 图图 34：中国光伏市场新增装机中国光伏市场新增装机预测预测 图图 35：光伏逆变器成本结构光

60、伏逆变器成本结构 资料来源：中国银河证券研究院 资料来源：IMS Research，中国银河证券研究院 5G 基站基站建设保持增长建设保持增长，增加功率半导体需求。，增加功率半导体需求。 根据工信部数据显示，中国已累计建成 5G 基站 71.8 万个，推动共建共享 5G 基站 33 万个。2021 年将有序推进 5G 网络建设及应用，加快主要城市 5G 覆盖，推进共建共享，新建 5G基站 60 万个以上。根据前瞻产业研究院统计，预计 2021 年-2025 年我国将累计新建超 370 万个 5G 基站，累计投资规模将近 5000 亿元。 图图 36：2019-2025 年预计新建年预计新建 4

61、G、5G 基站数量基站数量 资料来源：前瞻产业研究院，工信部，中国银河证券研究院 5G 建设将从四个方面拉动功率半导体需求， 包括： 1） 5G 基站功率更高、 建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；4）云计算拉动计算用功率半导体用量。 -40%-20%0%20%40%60%80%02000400060008000018 2019 2020 2021 2022E2023E2024E2025E新增装机量（GW，左轴）同比增长机械部分无源器件电器结构集成电路配件其他功率模组分立器件0050

62、0600700200022E2023E2024E2025E4G基站累计建设开通数5G基站累计建设开通数 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 20 图图 37：5G 天线演变对功率半导体用量影响天线演变对功率半导体用量影响 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 （四）供给国产化率逐步抬升，供需紧张局面延续 国产功率半导体自给率逐步抬升国产功率半导体自给率逐步抬升。根据 Yole 数据显示，从 IGBT 产品自给率来看，2020年前 IGBT 国内厂商产量占比越 13

63、%， 2020 年 IGBT 产品自给率不到 20%， 考虑到高附加值，高功率和具有技术优势的海外厂商无论产品规格还是单价更高， 因此产品自给率水平更低。 但是随着国内厂商发力布局功率器件，预计 2024 年，IGBT 产品国产化率能达到 40%。 图图 38：国内国内 IGBT 自给率情况自给率情况 资料来源：Yole，银河证券研究院 全球功率半导体交付周期延长，供需仍保持错配。全球功率半导体交付周期延长，供需仍保持错配。根据富昌电子数据显示，2021 年高压MOSSET 和 IGBT 产品交付周期延长， 带来市场供给不足和产品单价上涨。 以全球头部厂商英飞凌为例，高压 MOSFET 交货周

64、期已由 21Q1 的 26-52 周延长至 36-52 周，IGBT 的交货周期由 26-36 周延长至 39-50 周，并且价格也处于上升趋势之中，供需错配局面仍将维持。 0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%050000000250002001820192020E2021E2022E2023E2024E国内IGBT产量（万）国内IGBT需求（万）自给率 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 21 图图 39：高压高压 MOSFET 交付期（周）交付

65、期（周） 图图 40：IGBT 交付期（周）交付期（周） 资料来源：富昌电子，中国银河证券研究院 资料来源：富昌电子，中国银河证券研究院 01020304050FairchildSTMicroelectronicsVishayInfineon055404550FairchildIXYSMicrosemiInfineon 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 22 三、三、从供应链到技术，持续突破高性能产品从供应链到技术，持续突破高性能产品 （一）与晶圆厂商保持合作，产能供给稳定增长 公司采用

66、公司采用 Fabless 的商业模式，资产轻的商业模式，资产轻，无晶圆制造和加工业务。，无晶圆制造和加工业务。公司与行业上游晶圆制造厂商、 封测厂等供应商建立了较为稳定的长期合作关系与高效联动机制。 从具体代工厂来看，包括华虹半导体、广州粤芯、东部高科，从具体明细上来看，公司与华虹半导体保持非常紧密的合作，公司采购华虹半导体晶圆的成本占比在 2020 年和 2021 年分别为 80.19%和 71.89%。在封测厂方面，合作厂商包括天水华天和集佳科技。 表表 5：2021H1 公司前五大供应商及采购内容公司前五大供应商及采购内容 序号序号 供应商名称供应商名称 采购金额采购金额( (万元万元)

67、 ) 占比占比 主要采购主要采购内容内容 1 华虹半导体 17618.21 72.85% 晶圆 2 天水华天 2443.91 10.11% 封测服务 3 广州粤芯 2151.6 8.90% 晶圆 4 成都集佳 1141.08 4.72% 封测服务 5 DB Hitek 279.57 1.16% 晶圆 合计 23634.38 97.73% 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院整理 材料成本为主要成本，符合行业特征。材料成本为主要成本，符合行业特征。公司成本端输出保持稳定，根据招股书来看，公司材料成本为主要成本来源，2020 年材料成本占比 82.41%，21H1 材料成本占比为 83.21%

68、，变化波动比较小，影响主要系原料成本上涨所致。Fabless 模式中，晶圆外采为核心成本，因此公司成本构成符合行业特点。 图图 41：2020 公司成本构成公司成本构成 图图 42：2021H 公司成本构成公司成本构成 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 （二）着力底层技术创新，发力工业及车规高端市场 功率器件不同于数字芯片， 其性能绝大部分情况下由器件的结构和工艺材料所决定， 为了突破硅限的限制， 新结构与三代半导体材料的器件成为了创新的主力。 为了让功率半导体适用17.36%0.23%82.41%封测费用运输费用材料成本16.60%0.19%

69、83.21%封测费用运输费用材料成本 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 23 于高压大功率场合，才发展出超结 MOSFET，超级结 MOSFET 的超结结构是通过外延层生长和硼离子注入交替进行的，因此形成超结结构生长次数与成本高低成正比。 近五年来， 中国功率半导体领域研发势头迅猛， 专利布局集中于 H01L21 和 H01L29 领域。美国虽然专利数量和活跃度不如中国，但从近 5 年专利布局情况来看，布局集中于 H01L21 和H01L29 领域，与中国情况较为一致。在半导体材料器件的研发对比中，中美两国技

70、术研究方向十分相似，在专利申请量排名前 10 的技术大组中，中美两国在 9 个技术领域发生了重合。而在技术研发热点及创新活跃度上存在细微差异。 图图 43: 国内国内功率功率半导体及三代半导体半导体及三代半导体专利分布专利分布 图图 44: 美国美国功率半导体及三代半导体功率半导体及三代半导体专利分布专利分布 资料来源：半导体产业观察，中国银河证券研究院 资料来源：半导体产业观察，中国银河证券研究院 我们可以从公司申请专利的结构中发现，公司的专利申请基本集中在最具有活跃度的功率半导体器件领域， 根据企知道的专利数据库显示的公开数据， 公司在分类为 H01L29、 H01L21、H01L27 的

71、专利占据了总专利数量中的 88%，而这三个专利基本都是集中在半导体功率器件结构和工艺方面。 截至公司 21 年年报，公司累计申请 240 个专利，其中发明专利 118 个，获得专利累计 65 个，其中发明专利 39 个，21 年新增申请发明专利 16 个，新增获得 5 个。 表表 6:公司申请专利的主要分类公司申请专利的主要分类 分类号分类号 定义定义 专利数量专利数量 占比占比 H01L29 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件，具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN 结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器 65 41.13% H01L21

72、 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其不见的方法或设备 39 24.68% H01L27 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 35 22.15% 资料来源：专利数据库，中国银河证券研究院 公司目前的高压 Green MOS 系列包含了通用系列、E 系列、S 系列、Z 系列、OSS 系列等产品，采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS 产品具有比常规 MOSFET 更快的开关速度及更柔和的开关曲线， 在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡， 不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统 EMI 设计。 GreenMOS 系列产品涵盖 50

73、0V-900V 全系列，提供高达 100A 静态电流的规格，高工作频率达到 2MHz 以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其 1 高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED 电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 24 图图 45：GreenMOS 产品系列特征产品系列特征 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 具体技术参数来看，高压具体技术参数来看，高压 MOSFET 产品具备全球一流水平产品具备全球一流水平。公司超级结 MOSFET 的设计及工艺技术包括

74、优化电荷平衡技术、 优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。 电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性， 技术方面大幅提高衬底掺杂浓度， 有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡。高压 MOSFET 产品性能的关键指标是导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM。相同导通电阻下，栅极电荷越小则优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强。 表表 7：公司产品技术和其他竞品对比公司产品技术和其他竞品对比 可比可比产品系列产品系列 规格型号规格型号 RonRon 导通电阻典型值导通电阻典型值 1 1 （单位：）（单位：） QgQg 栅电荷栅电荷 2 2 （单位：（单位：nCn

75、C） RonRonQg Qg （优值，（优值，FOMFOM）3 3 （单位：（单位：nCnC） 英飞凌 C7 IPA60R180C7 0.155 24 3.72 安森美 FCPF190N60E-D 0.16 63 10.08 东微 Green MOS OSG60R180FF 0.15 23.3 3.50 东微超级硅 OSS60R190FF 0.16 15.8 2.53 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院整理 （三）销售模式多元化，客户多优质工业企业 经销与直销共存，拓宽产品市场。经销与直销共存，拓宽产品市场。公司采用“经销加直销”的销售模式。在经销模式下，经销商可以帮助芯片设计企业快速地

76、建立销售渠道、 扩大市场份额， 实现产品和资金的较快周转， 节省了公司的资金及资源投入， 有利于芯片设计企业将主要精力投入到产品研发及供应链管控环节。从 2021 年来看，公司经销占比 63.89%，相比过去下降，未来随着公司声誉提升，合作厂商可与公司进行直接采购。 表表 8：过去年度公司的销售模式及占比情况过去年度公司的销售模式及占比情况 销销售模式售模式 20212021 年度年度 20202020 年度年度 20192019 年度年度 20182018 年度年度 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 金额金额 占比占比 经销 44968.40 63.89% 1975

77、6.7 63.98% 13407.2 68.39% 11396.88 74.57% 直销 33240.78 36.11% 11122.04 36.02% 6197.46 31.61% 3886.64 25.43% 合计 78209.18 100.00% 30878.74 100.00% 19604.66 100.00% 15283.52 100.00% 资料来源：Wind，中国银河证券研究院整理 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 25 与各行业龙头建立长期合作关系， 客户高粘性与各行业龙头建立长期合作关系，

78、客户高粘性推动公司技术进步和国产替代。推动公司技术进步和国产替代。 在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中， 公司的产品获得了众多知名企业的认可， 成为国内客户的少数国内供应商之一， 在工业及汽车相关应用领域中， 公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等，5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等； 在消费电子领域中， 公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、 美的、创维、康佳等。 图图 46：公司下游客户结构公司下游客户结构 资料来源：招股说明书，中国银河证

79、券研究院 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 26 四、盈利预测与投资建议四、盈利预测与投资建议 （一）盈利预测 公司是国内中高压MOSFET优质企业， 产品包括高压超级结MOSFET （含超级硅MOSFET系列产品） 、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 TGBT。产品主要应用于工业级和汽车相关等中大功率领域，与上下游企业保持良好合作关系，公司多类型产品打破海外垄断格局。公司未来发展主要体现在以下方面： （1）高压功率器件紧缺程度仍处于较高水平，公司在 2021 年度的高压超级结 MOSFET和中低压屏蔽栅 MO

80、SFET 的产销率均超过 90%产销率，公司与既有客户合作关系稳固，同时也在不断打开新的市场空间，产品销售呈现不断提高的趋势。同时，公司与晶圆厂保持良好的合作关系， 未来晶圆厂将充分保持公司产能供给。 随着公司打破海外厂对高端功率器件的垄断，未来下游客户对公司的认知将逐步提升， 终端客户将逐步提升对国产功率器件的导入强度， 行业发展红利将带动公司业绩成长。 （2）从下游行业需求来看，车规级功率器件、新能源充电桩、光伏逆变以及储能行业对功率器件的需求仍处于上升趋势，供需紧张导致器件价格持续保持高位。 （3）TGBT 产品的放量将为公司业绩增长提供保障。公司进一步开发出具有自主知识产权的新型 Tr

81、i-gate IGBT（TGBT）功率器件及其工艺技术，以及新型高压 Hybrid-FET 器件及其工艺技术，已批量进入车载 OBC、光伏逆变、储能、 、电机驱动等应用领域的多个头部客户，新产品将为公司贡献第二增长曲线。 表表 9：东微半导业务和产品拆分预测东微半导业务和产品拆分预测 单位：亿元单位：亿元 20212021 2022E 2022E 2023E 2023E 2024E 2024E 总收入 营业收入 7.83 11.77 16.53 21.77 同比增长 44.60% 144.60% 244.60% 344.60% 毛利率 28.90% 29.19% 29.31% 29.44% 高

82、压超级结 MOS(包含超级硅 MOSFET) 营业收入 5.71 8.57 11.99 15.58 营收占比 72.93% 72.74% 72.53% 71.59% 同比增长 129.05% 50.09% 39.91% 29.94% 毛利率 28.82% 29.10% 29.20% 29.30% 中低压屏蔽栅 MOS 营业收入 2.06 3.09 4.33 5.84 营收占比 26.31% 26.25% 26.17% 26.82% 同比增长 249.15% 50.00% 40.00% 35.00% 毛利率 28.64% 29.00% 29.20% 29.40% TGBT 或其他 营业收入 0.

83、06 0.12 0.22 0.35 营收占比 0.77% 1.02% 1.31% 1.59% 同比增长 100.00% 80.00% 60.00% 毛利率 32.70% 32.80% 33.00% 33.20% 资料来源：Wind，中国银河证券研究院整理 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 27 （二）估值分析与投资建议 在估值分析时， 我们选取 A 股市场功率半导体企业来进行对比， 选择商业模式相微 Fabless的功率半导体企业斯达半导、新洁能和扬杰科技进行对比。通过对比发展，东微半导在可参考行业内预计未来

84、三年 PE 水平高于行业平均水平，主要是因为高压 MOSFET 持续推进+IGBT 产品渗透将为公司的业绩确定性打下基础。 表表 10：可比公司估值情况可比公司估值情况 证券代码证券代码 可比公司可比公司 股价股价 总市值总市值 EPSEPS（亿元）（亿元） PEPE 2022E2022E 2023E2023E 2024E2024E 2022E2022E 2023E2023E 2024E2024E 603290.SH 斯达半导 333.00 568.12 3.83 5.39 7.43 87.00 61.82 44.80 605111.SH 新洁能 104.27 208.49 2.63 3.31

85、 4.25 39.62 31.47 24.55 300373.SZ 扬杰科技 66.06 338.49 2.12 2.68 3.53 31.17 24.65 18.70 平均值 52.60 39.32 29.35 688261.SH 东微半导 237.07 159.73 3.52 4.81 6.44 67.39 49.29 36.82 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 注：收盘股价日期为 2022 年 6 月 16 日 我们认为，公司短期受益于新能源车、新能源直流充电桩、光伏和其他工业领域的快速放量，叠加功率器件紧缺带来的业绩增长，长期看好公司在在中高压 MOSFET 和 IGBT 产品

86、领域底层器件结构创新能力以及细分领域的持续渗透，带动公司业绩高速成长。我们预计公司2022-2024 年收入分别为 11.78 亿元、16.54 亿元、21.78 亿元，对应 EPS 分别为 3.52、4.81、6.44，对应当年 PE 为 67.39X、49.29X、36.82X。首次覆盖，给与“推荐”评级。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 28 五、五、风险提示风险提示 （1）市场竞争风险市场竞争风险。在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低， 市场主要份额仍然被

87、国外大型厂商占据。 公司在进入该等新的应用领域时可能会面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。 （2）供应商集中度较高的风险供应商集中度较高的风险。公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等， 合计采购金额占当期采购总额的比例较高。 若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司的需求。 （3）新产品研发不及预期的风险新产品研发不及预期的风险。半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术更新迭代需要持续的资源投入， 若研发项目启动后的进度及效果未达预期， 或者研发的新技术或产品尚不具备商业价值，则大量的研发投入将

88、影响公司的经营业绩。 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 29 附表：财务预测表附表：财务预测表 利润表利润表 单位：亿单位：亿元元 现金流量表现金流量表 单位：亿单位：亿元元 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 营业收入营业收入 7.82 11.77 16.53 21.77 经营活动现金流经营活动现金流 1.30 1.63 2.63 2.9

89、0 营业成本 5.57 8.35 11.72 15.40 净利润 1.47 2.34 3.20 4.28 营业税金及附加 0.03 0.03 0.05 0.06 折旧摊销 0.04 0.02 0.02 0.02 营业费用 0.08 0.11 0.15 0.20 财务费用 0.00 0.00 0.00 0.00 管理费用 0.15 0.22 0.32 0.42 投资损失 0.00 -0.05 -0.04 -0.07 财务费用 -0.06 0.00 0.00 0.00 营运资金变动 -0.24 -0.67 -0.54 -1.32 资产减值损失 -0.01 0.00 0.00 0.00 其它 0.0

90、3 -0.01 -0.01 -0.01 公允价值变动收益 0.00 0.00 0.00 0.00 投资活动现金流投资活动现金流 0.15 0.00 -0.02 0.02 投资净收益 0.00 0.05 0.04 0.07 资本支出 -0.05 -0.05 -0.06 -0.06 营业利润营业利润 1.69 2.71 3.68 4.95 长期投资 0.20 0.00 0.00 0.00 营业外收入 0.00 0.01 0.01 0.01 其他 0.00 0.05 0.04 0.07 营业外支出 0.00 0.00 0.00 0.00 筹资活动现金流筹资活动现金流 -0.03 0.00 0.00

91、0.00 利润总额利润总额 1.69 2.72 3.69 4.96 短期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 所得税 0.22 0.38 0.50 0.68 长期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 净利润净利润 1.47 2.34 3.20 4.28 其他 -0.03 0.00 0.00 0.00 少数股东损益 0.00 0.00 0.00 0.00 现金净增加额现金净增加额 1.42 1.63 2.61 2.92 归属母公司净利润归属母公司净利润 1.47 2.34 3.20 4.28 资产负债表资产负债表 单位：亿单位：亿元元 主要财务比率主要财务比率 2022021 1

92、A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 流动资产流动资产 6.14 8.51 11.98 16.54 盈利能力盈利能力 现金 3.73 5.35 7.96 10.88 毛利率 28.72% 29.08% 29.11% 29.26% 应收账款 1.04 1.29 1.59 2.32 净利率 18.78% 19.89% 19.36% 19.68% 其它应收款 0.00 0.01 0.01 0.01 ROE 25.96% 29.26% 28.57% 2

93、7.67% 预付账款 0.27 0.45 0.61 0.80 ROIC 24.85% 26.52% 26.47% 25.43% 存货 1.00 1.14 1.44 2.11 成长能力成长能力 其他 0.10 0.26 0.37 0.42 营业收入增长率 153.28% 50.49% 40.44% 31.70% 非流动资产非流动资产 0.15 0.20 0.25 0.30 营业利润增长率 416.54% 60.32% 36.17% 34.29% 长期投资 0.00 0.00 0.00 0.00 净利润增长率 430.66% 59.32% 36.72% 33.86% 固定资产 0.07 0.10

94、0.14 0.17 偿债能力偿债能力 无形资产 0.01 0.01 0.01 0.01 资产负债率 9.99% 8.12% 8.41% 8.05% 其他 0.07 0.09 0.10 0.12 流动比率 11.10% 8.84% 9.18% 8.76% 资产总计资产总计 6.29 8.71 12.23 16.84 速动比率 10.30 12.60 12.02 12.50 流动负债 0.60 0.68 1.00 1.32 总资产周转率 8.17 10.23 9.96 10.30 短期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 应收帐款周转率 1.24 1.35 1.35 1.29 应付账款 0

95、.14 0.23 0.33 0.43 应付帐款周转率 7.54 9.13 10.43 9.38 其他 0.45 0.44 0.67 0.90 每股指标每股指标 非流动负债 0.03 0.03 0.03 0.03 每股收益 2.91 3.52 4.81 6.44 长期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 每股经营现金 2.58 2.45 3.95 4.36 其他 0.03 0.03 0.03 0.03 每股净资产 11.20 12.02 16.83 23.27 负债合计负债合计 0.63 0.71 1.03 1.36 估值估值 少数股东权益 0.00 0.00 0.00 0.00 P/E

96、 81.47 67.39 49.29 36.82 归母归母股东权益股东权益 5.66 8.00 11.20 15.48 P/B 21.17 19.72 14.09 10.19 负债和股东权益负债和股东权益 6.29 8.71 12.23 16.84 P/S 15.32 10.18 7.25 5.50 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 30 插插 图图 目目 录录 图 1：公司产品和发展阶段 . 4 图 2：公司产品在汽车电子和工业领域应用情况 . 5 图 3：公司股权结

97、构 . 5 图 4：公司主要产品信息 . 8 图 5：公司 2018-2021 营业收入（亿元）及增长 . 8 图 6：公司 2018-2021 归母净利润（亿元）及增长 . 8 图 7：公司 2021 年营业收入产品构成 . 9 图 8：公司 21H1 收入在各领域构成情况 . 9 图 9：公司 2019-2021 年毛利率和净利率 . 9 图 10：公司 2018-2021 年费用率情况 . 9 图 11：公司研发费用（亿元）及同比增长 . 10 图 12：公司研发人员占比（2021） . 10 图 13：功率半导体技术演进 . 12 图 14：功率半导体分类市场 . 13 图 15：全球

98、功率半导体市场规模及增速 . 13 图 16：中国功率半导体市场规模及增速 . 13 图 17：功率半导体应用趋势 . 14 图 18：功率半导体需求增速较快领域 . 14 图 19：MOSFET 和 IGBT 区别 . 14 图 20：各类型功率半导体应用 . 14 图 21：全球功率器件与模块市场格局及占比 . 15 图 22：功率 IC 市场格局及占比 . 15 图 23：国内和全球市场规模情况（亿美元） . 15 图 24：2019 国内 MOSFET 市场竞争格局 . 15 图 25：全球与中国 IGBT 市场规模及增长预测（亿美元） . 16 图 26：国内和全球新能源车销量预测

99、. 16 图 27：新能源汽车中的功率半导体 . 17 图 28：按驱动力分车均半导体含量（单位：美元） . 17 图 29：中美欧 2020-2030 年充电桩数量（单位：百万座） . 17 图 30：直流充电桩拓扑电路 . 18 图 31：IGBT 和 MOSFET 在充电桩中的作用 . 18 图 32：光伏逆变器工作原理 . 18 图 33：光伏逆变器结构图 . 18 图 34：中国光伏市场新增装机预测 . 19 图 35：光伏逆变器成本结构 . 19 图 36：2019-2025 年预计新建 4G、5G 基站数量 . 19 图 37：5G 天线演变对功率半导体用量影响 . 20 图 3

100、8：国内 IGBT 自给率情况 . 20 图 39：高压 MOSFET 交付期（周） . 21 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 31 图 40：IGBT 交付期（周） . 21 图 41：2020 公司成本构成 . 22 图 42：2021H 公司成本构成 . 22 图 43: 国内功率半导体及三代半导体专利分布 . 23 图 44: 美国功率半导体及三代半导体专利分布 . 23 图 45：GreenMOS 产品系列特征 . 24 图 46：公司下游客户结构 . 25 表表 格格 目目 录录 表 1：公司募

101、集资金投资方向及使用安排 . 6 表 2：高压超级结 MOSFET 产品系类及特点 . 6 表 3：中低压屏蔽栅 MOSFET 产品系列和特点介绍. 7 表 4：截至 2021 年末公司的在研项目情况 . 10 表 5：2021H1 公司前五大供应商及采购内容 . 22 表 6：公司申请专利的主要分类 . 23 表 7：公司产品技术和其他竞品对比 . 24 表 8：过去年度公司的销售模式及占比情况 . 24 表 9：东微半导业务和产品拆分预测 . 26 表 10：可比公司估值情况 . 27 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份

102、公司免责声明。 32 分析师简介分析师简介及承诺及承诺 Table_Resume 高峰高峰, , 北京邮电大学电子与通信工程硕士，吉林大学工学学士。2 年电子实业工作经验，6 年证券从业经验，曾就职于渤海证券、国信证券、北京信托证券部。2022 年加入中国银河证券研究院，担任电子团队组长，主要从事硬科技方向研究。 王子路，王子路，英国布里斯托大学金融与投资硕士，山东大学经济学学士，2 年科技产业研究经验，2020 年加入中国银河证券研究院，从事电子行业研究。 本人承诺，以勤勉的执业态度，独立、客观地出具本报告，本报告清晰准确地反映本人的研究观点。本人薪酬的任何部分过去不曾与、现在不与、未来也将

103、不会与本报告的具体推荐或观点直接或间接相关。 评级标准评级标准 行业评级体系行业评级体系 未来 6-12 个月，行业指数（或分析师团队所覆盖公司组成的行业指数）相对于基准指数（交易所指数或市场中主要的指数） 推荐：行业指数超越基准指数平均回报 20%及以上。 谨慎推荐：行业指数超越基准指数平均回报。 中性：行业指数与基准指数平均回报相当。 回避：行业指数低于基准指数平均回报 10%及以上。 公司评级体系公司评级体系 推荐：指未来 6-12 个月，公司股价超越分析师（或分析师团队）所覆盖股票平均回报 20%及以上。 谨慎推荐：指未来 6-12 个月，公司股价超越分析师（或分析师团队）所覆盖股票平

104、均回报 10%20%。 中性：指未来 6-12 个月，公司股价与分析师（或分析师团队）所覆盖股票平均回报相当。 回避：指未来 6-12 个月，公司股价低于分析师（或分析师团队）所覆盖股票平均回报 10%及以上。 免责声明免责声明 Table_Avow 本报告由中国银河证券股份有限公司（以下简称银河证券）向其客户提供。银河证券无需因接收人收到本报告而视其为客户。若您并非银河证券客户中的专业投资者，为保证服务质量、控制投资风险、应首先联系银河证券机构销售部门或客户经理，完成投资者适当性匹配，并充分了解该项服务的性质、特点、使用的注意事项以及若不当使用可能带来的风险或损失。 本报告所载的全部内容只提

105、供给客户做参考之用，并不构成对客户的投资咨询建议，并非作为买卖、认购证券或其它金融工具的邀请或保证。客户不应单纯依靠本报告而取代自我独立判断。银河证券认为本报告资料来源是可靠的，所载内容及观点客观公正，但不担保其准确性或完整性。本报告所载内容反映的是银河证券在最初发表本报告日期当日的判断，银河证券可发出其它与本报告所载内容不一致或有不同结论的报告， 但银河证券没有义务和责任去及时更新本报告涉及的内容并通知客户。 银河证券不对因客户使用本报告而导致的损失负任何责任。 本报告可能附带其它网站的地址或超级链接， 对于可能涉及的银河证券网站以外的地址或超级链接， 银河证券不对其内容负责。链接网站的内容

106、不构成本报告的任何部分，客户需自行承担浏览这些网站的费用或风险。 银河证券在法律允许的情况下可参与、 投资或持有本报告涉及的证券或进行证券交易， 或向本报告涉及的公司提供或争取提供包括投资银行业务在内的服务或业务支持。 银河证券可能与本报告涉及的公司之间存在业务关系， 并无需事先或在获得业务关系后通知客户。 银河证券已具备中国证监会批复的证券投资咨询业务资格。除非另有说明，所有本报告的版权属于银河证券。未经银河证券书面授权许可，任何机构或个人不得以任何形式转发、转载、翻版或传播本报告。特提醒公众投资者慎重使用未经授权刊载或者转发的本公司证券研究报告。 本报告版权归银河证券所有并保留最终解释权。 联系联系 中国银河证券股份有限公司中国银河证券股份有限公司 研究院研究院 机构请致电：机构请致电： 深圳市福田区金田路 3088 号中洲大厦 20 层 深广地区：苏一耘 suyiyun_ 崔香兰 上海浦东新区富城路 99 号震旦大厦 31 层 上海地区：何婷婷 陆韵如 luyunru_ 北京市丰台区西营街 8 号院 1 号楼青海金融大厦 北京地区：唐嫚羚 tangmanling_ 公司网址：