1、 证券研究报告 请务必阅读正文之后的免责条款 三大因素驱动三大因素驱动，CMP 国产化国产化黄金时期将至黄金时期将至 新材料行业半导体材料系列之七2020.4.20 中信证券研究部中信证券研究部 核心观点核心观点 袁健聪袁健聪 首席新材料分析师 S05 王喆王喆 首席化工分析师 S01 徐涛徐涛 首席电子分析师 S03 集成电路制造技术进步叠加集成电路制造技术进步叠加我国集成电路产业迅猛发展，我国集成电路产业迅猛发展，上游上游 CMP 材料需求材料需求 快速快速增长。同时国内龙头企业逐步获得下游客户认可，增长。同时国内龙头企业逐

2、步获得下游客户认可，CMP 材料国产化率有望材料国产化率有望 快速提升。我们预计未来几年快速提升。我们预计未来几年 CMP 材料将维持高景气度，建议布局技术积淀材料将维持高景气度，建议布局技术积淀 深厚、下游客户优质的龙头公司深厚、下游客户优质的龙头公司。 集成电路制造关键材料集成电路制造关键材料，美日美日占据占据主导主导，国内国内逐渐逐渐突破突破。CMP 抛光材料是集成 电路制造过程中的关键材料，用于实现晶圆全局均匀平坦化。全球 CMP 抛光材 料市场规模约 20.3 亿美元，其中抛光垫市场 7.6 亿美元，抛光液市场 12.7 亿美 元，未来全球增速预计在 8%左右。CMP 抛光材料技术壁

3、垒高，客户认证时间 长，全球市场主要被美国、日本等企业垄断，占全球高端市场份额 90%以上。 三大因素推动行业三大因素推动行业迅猛发展迅猛发展，CMP 材料市场规模稳步增长材料市场规模稳步增长。1）技术上，芯片 特征尺寸的减小及堆叠层数的增加，促使抛光次数和 CMP 耗材用量增加。例如 14 纳米以下逻辑芯片工艺要求 CMP 工艺达到 20 步以上， 使用的抛光液将从 90 纳米的 5-6 种增加到 20 种以上。2）产业上，制造中心逐渐向国内转移，带动 材料需求增长。 随着我国晶圆产线的不断建设， 我国半导体销售在全球的占比从 2006 年的 6.38%提升到 2018 年的 16.25%。

4、3）战略上，保障核心原材料自主 可控至关重要，当前我国电子化学品国产化率普遍不高，CMP 材料作为集成电 路关键材料战略意义重大。 下游客户逐步认可，国产化率有望快速提升下游客户逐步认可，国产化率有望快速提升。在政策和资金的支持下，我国集 成电路产业发展迅猛，为产业链实现整体突破创造条件。而国内 CMP 材料企业 凭借产品技术的不断突破和服务上的快速响应， 正逐步取得下游客户的认可。 根 据我们的测算，未来我国 CMP 材料市场规模增速在 13%左右，高于全球水平， 至 2023 年我国 CMP 材料市场规模将达 53 亿元， 国内 CMP 材料龙头企业将迎 来发展的黄金时期。 风险因素：风险

5、因素：晶圆厂建设不及预期；技术突破不及预期；材料国产化率提升不及预 期；贸易争端加剧。 投资策略投资策略：在政策和资金的支持下，我国集成电路产业迅猛发展，带动上游材料 需求增长。同时国内龙头企业逐步获得下游客户认可，CMP 材料国产化率有望 快速提升。我们预计未来几年 CMP 材料将维持高景气度，建议布局技术积淀深 厚、下游客户优质的龙头公司，建议关注安集科技、鼎龙股份。 重点公司盈利预测、估值及投资评级重点公司盈利预测、估值及投资评级 简称简称 收盘价收盘价 （元）（元） EPS（元）（元） PE 评级评级 2018 2019E 2020E 2018 2019E 2020E 安集科技 142

6、.08 1.13 1.29 1.69 125.73 110.14 84.07 买入 鼎龙股份 11.84 0.31 0.39 0.45 38.19 30.36 26.31 买入 资料来源：Wind，中信证券研究部预测 注：股价为 2020 年 4 月 14 日收盘价 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 目录目录 CMP 抛光材料简介抛光材料简介 . 1 IC 制造关键材料，用于硅片及金属布线层抛光 . 1 竞争格局：美日企业绝对主导，国内开始突破. 3 制程更精密制程更精密+堆叠层数更多，堆叠层数更多，CMP 材料耗用量

7、增长材料耗用量增长 . 6 半导体制造中心向国内转移，带动半导体制造中心向国内转移，带动 CMP 材料需求材料需求 . 8 全球半导体市场扩容，中国竞争力不断增强 . 8 国内晶圆厂陆续投产，CMP 材料需求增长 . 10 下游认可度逐渐提高，国产化持续推进下游认可度逐渐提高，国产化持续推进 . 14 风险因素风险因素 . 16 投资建议投资建议 . 16 投资逻辑. 16 投资策略. 17 重点公司重点公司 . 18 安集科技：CMP 抛光液龙头企业，技术领先客户优质 . 18 鼎龙股份：CMP 抛光垫认证顺利，新材料业务未来可期 . 19 nMqPpPnRtOpRnPnMuMmNmPaQb

8、P7NpNmMpNoOkPqQsOeRoMoMaQnNzRNZnQpRMYmPqM 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 插图目录插图目录 图 1：CMP 工艺原理 . 1 图 2：CMP 抛光过程示意图 . 1 图 3：CMP 抛光在半导体产业中的应用 . 2 图 4：CMP 材料产业链 . 3 图 5：抛光材料市场规模 . 3 图 6：全球抛光垫市场竞争格局 . 4 图 7：全球抛光液市场竞争格局 . 4 图 8：CMP 抛光次数随着逻辑芯片和存储芯片技术的进步显著增加 . 6 图 9：CMP 抛光步骤随芯片特征尺寸减

9、小而增加 . 7 图 10：2D NAND 和 3D NAND 的平均 CMP 抛光次数 . 7 图 11：全球主要半导体晶圆企业芯片工艺发展进程 . 7 图 12：3D NAND Flash 堆叠主要厂商推进情况 . 8 图 13：全球不同尺寸半导体硅片出货面积 . 9 图 14：全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比 . 9 图 15：2018 年 12 英寸硅片下游应用占比 . 9 图 16：2019 年全球芯片制造行业各类半导体产能增速 . 9 图 17：2018 年 8 寸硅片下游应用需求结构预测 . 10 图 18：8 寸晶圆下游产品占比变化情况 . 10 图 19：我国半导体销售额占

10、全球比例逐年提升 . 10 图 20：全球半导体材料销售额. 10 表格目录表格目录 表 1：全球抛光液主要生产企业 . 4 表 2：我国 CMP 抛光液主要生产企业 . 5 表 3：我国 CMP 抛光垫主要生产企业 . 5 表 4：3D NAND Flash 堆叠层数演变 . 8 表 5：中国大陆已运行及建设中的 12 寸晶圆厂 . 11 表 6：我国 8 晶圆英寸产线情况 . 12 表 7：我国 6 晶圆英寸产线情况 . 13 表 8：国内外 CMP 生产企业下游客户 . 15 表 9：安集科技盈利预测与估值 . 18 表 10：鼎龙股份盈利预测与估值 . 19 新材料新材料行业行业半导体

11、材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 1 CMP 抛光抛光材料简介材料简介 IC 制造关键材料制造关键材料，用于硅片及金属布线层抛光，用于硅片及金属布线层抛光 CMP 化学机械抛光是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺化学机械抛光是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。在 CMP 工艺中，首先让抛光液填充在抛光垫的空隙中，晶圆在研磨头带动下高速旋转，与 抛光垫和抛光液中的分散颗粒发生作用， 同时需要控制研磨头下压力等其他参数。 一方面， 利用机械力作用于晶圆表面，另一方面，利用研磨液中的化学物质与晶圆表面材料发生化 学反

12、应，达到增加抛光速率的目的。抛光材料是 CMP 工艺过程中必不可少的耗材，主要 以抛光液和抛光垫为主。 图 1：CMP 工艺原理 资料来源：FUJIFILM 官网，美国应用材料公司官网，中信证券研究部 CMP 工艺由 IBM 于 1984 年引入集成电路制造工业，它首先用于后道金属间绝缘介 质层（IMD）的平坦化，之后又用于钨、浅沟槽隔离（STI）和铜的平坦化，一次 CMP 工 艺只要 30 秒就能完成。 图 2：CMP 抛光过程示意图 资料来源：美国应用材料公司公告，中信证券研究部 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分

13、2 CMP 技术主要应用在单晶硅片的镜面抛光和金属布线层的抛光中。技术主要应用在单晶硅片的镜面抛光和金属布线层的抛光中。集成电路制造需 要在单晶硅片上执行一系列的物理和化学操作，工艺复杂，在单晶硅片制造和前半制程工 艺中会多次用到 CMP 技术。 在单晶硅制造环节，单晶硅片首先通过化学腐蚀减薄，此时粗糙度在 10-20m，在进 行粗抛光、细抛光、精抛光等步骤，可将粗糙度控制在几十个 nm 以内。一般来说，单晶 硅片需要 2 次以上抛光，表面才可以达到集成电路的要求。 在前半制程工艺中，主要应用在多层金属布线层的抛光中。由于 IC 元件采用多层立 体布线，需要刻蚀的每一层都有很高的全局平整度，以

14、保证每层全局平坦化。CMP 在此 工艺中使用的环节包括：互联结构中凹凸不平的绝缘体、导体、层间介质（ILD） 、镶嵌金 属（如 Al、Cu） 、浅沟槽隔离（STI） 、硅氧化物、多晶硅（Poly-Si）等。 图 3：CMP 抛光在半导体产业中的应用 资料来源：新材料在线，中信证券研究部 抛光液按照磨粒的不同，主要分为二氧化硅浆料、氧化铈浆料和纳米金刚石浆料等几 大类。按 PH 值分类主要分为两类：酸性抛光浆料和碱性抛光浆料。一般酸性抛光液都包 含氧化剂、助氧化剂、抗蚀剂（成膜剂） 、均蚀剂、PH 调制剂和磨料；而碱性抛光液中一 般包含络合剂、氧化剂、分散剂、PH 调制剂和磨料。超细固体粒子提供

15、研磨作用，化学 氧化剂提供腐蚀溶解作用。CMP 过程中，抛光液中的化学组分与工件发生反应，在工件 加工表面形成一层很薄、结合力较弱的生成物，而抛光液中的磨粒在压力和摩擦作用下对 工件表面进行微量去除。 抛光垫是一种具有一定弹性疏松多孔的材料，一般由含有填充材料的聚氨酯组成，主 要作用是存储和传输抛光液，对硅片提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。一方面， 抛光垫的表面微凸直接与硅片接触产生摩擦，以机械方式去除抛光层；一方面，在离心力 的作用下，将抛光液均匀地洒到抛光垫地表面，以化学方式去除抛光层并将反应物带出抛 光垫。抛光垫的使用寿命通常为 45-75 小时。 新材料新材料行业行业半导体材料系

16、列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 3 图 4：CMP 材料产业链 资料来源：新材料在线，中信证券研究部 竞争格局：美日企业绝对主导，国内开始突破竞争格局：美日企业绝对主导，国内开始突破 市场规模市场规模： 2018 年， 全球 CMP 抛光材料市场规模约 20.3 亿美元， 同比增长 6.74%， 其中抛光垫市场 7.6 亿美元，抛光液市场 12.7 亿美元。 图 5：抛光材料市场规模（亿美元） 资料来源：Cabot Microelectronic 公告，中信证券研究部 竞争格局竞争格局：CMP 抛光材料具有技术壁垒高、客户认证时间长的特点。目前全球

17、 CMP 抛光材料市场主要被美国、 日本等企业垄断， 占全球高端市场份额 90%以上。 抛光垫方面， 杜邦市占率高达 80.4%，CMC 市占率 6.4%，Nexplanar 和富士分别占比 5.2%和 4.8%。 抛光液方面，CMC 市占率达 38.9%，日立化成市占率 15.1%，杜邦、APCI、富士集团、 富士胶片分别占比 10.3%、9.6%、9.3%和 7.9%。 0 5 10 15 20 25 20001620172018 抛光液抛光垫 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条

18、款部分 4 图 6：全球抛光垫市场竞争格局 图 7：全球抛光液市场竞争格局 资料来源：富士经济，中信证券研究部 资料来源：富士经济，中信证券研究部 从产品上来看，Cabot Microelectronics 和富士集团均具备较全的产品系列， 其生产的 抛光液可用于铜、铜阻挡层、钨、层间介质、浅沟槽隔离、多晶硅的抛光。 表 1：全球抛光液主要生产企业 Cu Cu 阻挡层阻挡层 W ILD STI Poly-Si Cabot Microelectronics 日立化成 陶氏化学 Air Products and Chemicals 富士胶片 富士集团 旭硝子 JSR 昭和电工、TDK、BASF、A

19、TMI(现 Entegris)、SDI、KC Tech、Soulbrain 资料来源：富士经济，中信证券研究部 抛光液领域，国内起步较晚，与国际先进水平抛光液领域，国内起步较晚，与国际先进水平存在存在差距。差距。2008 年前，我国 90%的抛 光液需要进口，高端抛光液如 8 英寸、12 英寸芯片用抛光液更是 100%的依赖进口。国内 有少数企业采用 3M 技术生产少量中低端产品， 缺乏自主知识产权和品牌。 在中低端领域， 我国 CMP 抛光液已实现国产化，国内企业如天津晶岭和安阳方圆等，其产品主要用于手 机玻璃盖板等领域的抛光。而硅片的抛光液具有很高的技术要求，配方处于完全保密的状 态，我国

20、只有少数企业掌握部分技术，如安集科技、国瑞升、新安纳。我国在半导体硅片 等高端领域的 CMP 浆料一直依赖进口， 多数企业仍处在 4 英寸、 6 英寸抛光液生产阶段。 而拥有自主知识产权、研发能力，具备生产 8 英寸、12 英寸芯片抛光液能力的国内企业屈 指可数，其中，安集科技率先实现高品质抛光液技术突破打破国外垄断，产品已接近国际 先进水平， 是国内抛光液龙头。 2017 年我国抛光液消费量 4.78 万吨， 而国内总产能仅 1.15 万吨，产量约 6000 吨。 80.4% 6.4% 5.2% 4.8% 3.2% 陶氏化学（现杜邦）CMCNexplanar富士其他 38.9% 15.1%

21、10.3% 9.6% 9.3% 7.9% 8.9% CMC日立化成陶氏化学（现杜邦）APCI富士集团富士胶片其他 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 5 表 2：我国 CMP 抛光液主要生产企业 生产企业生产企业 产能（吨产能（吨/年）年） 装置地点装置地点 浙江新创纳电子科技有限公司 4000 浙江嘉兴 安集微电子科技（上海）有限公司 2000 上海浦东 海迅天津晶岭电子材料科技有限公司 2000 天津 湖北海力天恒纳米科技有限公司 2000 湖北黄冈 北京国瑞升科技股份有限公司 1000 北京房山 资料来源： 半导体

22、用化学品和材料 （徐京生） ，中信证券研究部 抛光垫领域，大陆国产高端抛光垫高度依赖进口，本土企业仍处于尝试突破阶段。抛光垫领域，大陆国产高端抛光垫高度依赖进口，本土企业仍处于尝试突破阶段。长 期以来，大陆企业没有能够生产集成电路的抛光垫，由于海外企业对我国实施技术封锁， 专利壁垒是实现国产替代的难点所在。经历多年的自主研发，我国大陆抛光垫终于取得突 破。鼎龙公司 2014 年建立专项实验室，2015 年 3 月，鼎龙股份斥资 1 亿元建设 CMP 抛 光垫产业化项目一期工程。2016 年 5 月，公司再度募集资金投入集成电路芯片（IC）抛 光工艺材料的产业化二期，两项目达产后将形成产能 50

23、 万片。2017 年鼎龙股份第一款抛 光垫产品通过了客户验证，并进入供应商体系，使中国在抛光垫材料打破垄断，占有了一 席之地。2018 年 1 月 17 日，鼎龙股份收购时代立夫 69.28%股权。时代立夫承接了“国 家 02 专项计划”课题任务，CMP 抛光垫下游客户包括中芯国际、上海华力、中航微电子 等国内主要半导体制造厂商，通过收购时代立夫，鼎龙股份快速建立销售渠道，将大大加 速国产抛光垫产品在集成电路产业领域的国产替代进程。 2017 年我国 CMP 抛光垫消费量 约 110 万片，而国内 CMP 抛光垫产能仅 37 万片/年，产量约 6 万片。 表 3：我国 CMP 抛光垫主要生产企

24、业 企业企业 产能（万片产能（万片/年）年） 湖北鼎龙控股股份有限公司 10 安集微电子科技（上海）有限公司 10 苏州观胜半导体科技有限公司 5 成都时代立夫科技有限公司（已被鼎龙股份收购） 5 安阳方圆研磨材料有限公司 2 郑州龙达磨料磨具有限公司 2 东莞市欣帕锝光电科技有限公司 1 资料来源： 半导体用化学品和材料 （徐京生） ，中信证券研究部 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 6 制程更精密制程更精密+堆叠层数更多堆叠层数更多，CMP 材料耗用量材料耗用量增长增长 技术进步促使技术进步促使 CMP 材料耗用量

25、增长。材料耗用量增长。随着集成电路制造工艺的不断进步，要求芯片 具备更小的特征尺寸与更多的堆叠层数， 对CMP抛光材料提出新的要求。 一方面要求CMP 工艺步骤数增加，另一方面要求 CMP 材料的种类增多。 图 8：CMP 抛光次数随着逻辑芯片和存储芯片技术的进步显著增加 资料来源：美国应用材料公司公告，中信证券研究部 在逻辑芯片方面，更先进的逻辑芯片工艺会要求抛光新的材料，为 CMP 抛光材料带 来更多的增长机会。14 纳米以下逻辑芯片工艺要求 CMP 工艺达到 20 步以上，使用的抛 光液将从 90 纳米的 5-6 种增加到 20 种以上，种类和用量迅速增长。7 纳米及以下逻辑芯 片工艺中

26、的 CMP 步骤甚至可达 30 步，使用抛光液种类接近 30 种。 在存储芯片方面，当存储芯片从 2D NAND 向 3D NAND 技术变革，CMP 抛光步骤次 数几乎翻倍。在同一技术节点，不同客户的技术水平和工艺特点不同，对抛光材料的需求 也不同。 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 7 图 9：CMP 抛光步骤随芯片特征尺寸减小而增加 图 10：2D NAND 和 3D NAND 的平均 CMP 抛光次数 资料来源：Cabot Microelectronics 公告，中信证券研究部 资料来源：Cabot Micro

27、electronics 公告，中信证券研究部 2007 年，全球集成电路晶圆制造技术特征尺寸尚在 130 纳米，随着技术的进度，特 征尺寸不断减小，至 2017 年，全球集成电路晶圆制造特征尺寸已至 10 纳米和 7 纳米。目 前，台积电、三星正在预研 5 纳米，部署 3 纳米，预计进程将在 2020 年之后。 图 11：全球主要半导体晶圆企业芯片工艺发展进程 资料来源：江苏省集成电路产业发展研究报告（于夑康），中信证券研究部 在存储芯片方面，为了获得更大的存储容量，芯片的堆叠层数逐渐增加，同时为了保 持小型化，每层的厚度逐渐减小。而堆叠层数的增加意味着抛光次数的增长。三星在提高 64 层产能

28、和技术的基点上，跳过 72 层，直奔 92/96 层；SK 海力士将跳过 64 层，直达 72 层；东芝/西部数据和美光/英特尔均跳过 72 层，直奔 92/96 层。目前，3D NAND Flash 以 64 层为主流产品技术， 预计至 2020 年， 3D 存储堆叠可达 120 层， 到 2021 年可达 140 层以上。 8 10 11 12 14 17 18 20 21 28 30 0 5 10 15 20 25 30 35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2D NAND3D NAND 铜非铜 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20

29、 请务必阅读正文之后的免责条款部分 8 图 12：3D NAND Flash 堆叠主要厂商推进情况 资料来源：江苏省集成电路产业发展研究报告（于夑康），中信证券研究部 表 4：3D NAND Flash 堆叠层数演变 年度年度 层数层数 堆栈厚度（微米）堆栈厚度（微米） 层厚（纳米）层厚（纳米） 备注备注 2015 年 32/36 层 2.5 70 2016 年 48 层 3.5 62 2017 年 64/72 层 4.5 60 2017 年，SK 海力士量产 72 层 2018 年 90 层 5.5 55 2018 年，东芝/西部数据量产 96 层 2020 年 120 层 7 50 202

30、1 年 140 层 8 45-50 资料来源： 江苏省集成电路产业发展研究报告 （于夑康） ，中信证券研究部 半导体半导体制造制造中心向国内转移，中心向国内转移，带动带动 CMP 材料需求材料需求 全球全球半导体半导体市场市场扩容，中国竞争力不断增强扩容，中国竞争力不断增强 下游终端需求带动半导体市场增长。下游终端需求带动半导体市场增长。从终端需求上来看，2016 至 2018 年，由于人工 智能、 区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm 半导体硅片出货面积分别为 6817、7261、8005 百万平方英寸，年均复合增长率为 8.36%。2018 年，300mm 硅片和 200mm

31、 硅片市场份额分别为 63.83%和 26.14%，两种尺寸硅片合计占比接近 90%。受益 于新兴终端市场带来的高端芯片需求，300mm 半导体硅片的需求预计将保持旺盛。 新材料新材料行业行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 9 图 13：全球不同尺寸半导体硅片出货面积（单位：百万平方英寸） 图 14：全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比 资料来源：SEMI，硅产业招股说明书（申报稿）（含预测），中信证券研 究部 资料来源：SEMI，硅产业招股说明书（申报稿）（含预测），中信证券研 究部 12 英寸硅片主要生产逻辑、存储芯片等，英寸硅片主要

32、生产逻辑、存储芯片等，3N NADN 驱动其下游需求增长驱动其下游需求增长。2018 年 12寸硅片下游应用中， 2D NAND和 3D NAND占比分别为 13%、 20%， 合计占比达到 33%。 在 2019 年全球芯片制造行业各类半导体产能增速中，3D NAND 最高，达到了 25%，3D NAND 预计成为未来驱动 12 寸硅片产能增长的主要因素。 图 15：2018 年 12 英寸硅片下游应用占比 图 16：2019 年全球芯片制造行业各类半导体产能增速 资料来源：智研咨询，中信证券研究部 资料来源：SEMI，中信证券研究部 8 寸硅片预计未来需求保持稳健增长的驱动力：模拟芯片及功

33、率分立器件寸硅片预计未来需求保持稳健增长的驱动力：模拟芯片及功率分立器件。8 寸硅片 具备成熟的特种工艺，主要用于模拟 IC、功率分立器件、逻辑 IC、MCU、显示驱动 IC、 CIS 影像传感器等中低端半导体产品的生产。终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、 物联网、工业电子等。近年来，8 寸应用于 memory、逻辑/MPU 的 8 寸晶圆产能占比有 所下滑，是由于部分产能转移到了 12 寸所致。同时，随着技术的改善，晶圆厂商为了追 求经济效益产能由 6 英寸部分转移至 8 英寸， 8 寸硅片应用在分立器件、 模拟芯片、 MEMS 的比重有所上升。Foundry 上，由于电源管理器、显示驱

34、动 IC、CMOS、MEMS 等其他领 域的需求，产能占比大幅上升。 0% 20% 40% 60% 80% 100% 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018E 75mm100mm125mm150mm200mm300mm 20% 25% 22% 13% 20% CIS等其他应用逻辑芯片DRAM 2D NAND3D NAND 0%5%10%15%20%25%30% 3D NAND 图像传感器 功率器件 半导体器件 MEMS 模拟电路 新材料新材料行业

35、行业半导体材料系列之七半导体材料系列之七2020.4.20 请务必阅读正文之后的免责条款部分 10 图 17：2018 年 8 寸硅片下游应用需求结构预测 图 18：8 寸晶圆下游产品占比变化情况 资料来源：SEMI，中信证券研究部 资料来源：SEMI，中信证券研究部 长期看全球半导体行业将保持成长，我国市场份额持续提高长期看全球半导体行业将保持成长，我国市场份额持续提高。2018 年，全球半导体 产业销售额 4663 亿美元，同比增长 13.07%。其中，全球半导体材料销售额 519 亿美元， 同比增长 10.66%。晶圆制造材料销售额 322 亿美元，同比增长 15.83%。从区域上看，我

36、 国半导体销售额占全球比例逐年上升，从 2014 年的 27.32%提升至 2019 年的 35.14%， 体现了我国高于全球的行业增速，产业重心正在向我国发生转移。 图 19：我国半导体销售额占全球比例逐年提升（亿美元） 图 20：全球半导体材料销售额（亿美元） 资料来源：wind，中信证券研究部 资料来源：wind，中信证券研究部 国内晶圆厂陆续投产，国内晶圆厂陆续投产，CMP 材料需求增长材料需求增长 近几年，我国半导体产业快速扩张，大量的晶圆厂开始兴建，带动了对 CMP 抛光材 料的需求。在 6 英寸、8 英寸的晶圆厂中，我国 CMP 材料的市场占有率仍然不高，下一 阶段有望导入更多的下游客户，扩大市场份额。在 12 英寸的晶圆厂中，我国 CMP 材料需 不断提升技术，持续研发，开发出新的产品，实现突破。 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 50% 20162018 0% 10% 20% 30% 40% 0 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 2001720182019 美洲日本 欧洲中国 亚太其他地区中国销售额占比 0 100 200 300 400 500 600 晶圆制造材料封装材料 新材料新材料