1、 请务必阅读正文请务必阅读正文之之后后的信息披露和重要声明的信息披露和重要声明 行行 业业 研研 究究 行行 业业 深深 度度 研研 究究 报报 告告 证券研究报告证券研究报告 金属非金属新材料金属非金属新材料 推荐推荐 ( ( 首次首次 ） 重点公司重点公司 重点公司 评级 有研新材 审慎增持 江丰电子 审慎增持 阿石创 审慎增持 隆华科技 审慎增持 相关报告相关报告 5G 新材料系列报告之四：软 磁：无线充电开启黄金时代 2020-01-14 5G 新材料系列报告之三：5G 驱动高频高速覆铜板高增长， 铜 箔坐享发展红利2019-12-29 分析师： 邱祖学 S03

2、王丽佳 S07 苏东 S02 研究助理： 王琪 团队成员： 投资要点投资要点 技术壁垒与认证壁垒决定靶材市场格局：技术壁垒与认证壁垒决定靶材市场格局：“纯化技术+制备工艺”中短 期难获取、难突破，护城河明显；认证周期长、技术指标要求高、认证 模式各异、多采用供货商份额制，导致现有市场格局固化，新进入者技术 难获取、成本高，即便技术突破仍受制于供应商份额制，难获得大量市场 份额。因此，目前靶材市场呈现美、日巨头垄断竞争格局，国内靶材龙头 寻求细分领域突破的局面。 政策持续加码政策持续加码，拉开国产化大幕，拉开国产化大幕。2018 年底，进口靶材免税结束

3、，国家 实行对内补贴，对外征税的模式，拉开靶材行业国产替代的大幕。随后国 务院、多部委以及大基金（一期、二期）从产业政策扶持、资金扶持、技 术扶持等多角度鼓励靶材行业实现国产替代。有研新材、江丰电子等实现 细分领域技术突破的国内龙头企业，在政策持续加持下，有望快速打破领 域内世界格局，实现国产替代。 成长点一成长点一：半导体或将重回高增速，靶材迎接高光时刻半导体或将重回高增速，靶材迎接高光时刻。随着全球晶圆制 造厂产能逐步转移至中国大陆，我国靶材等半导体核心材料或将持续受 益。叠加 5G 智能设备更新，驱动半导体需求进一步释放，靶材行业或将 迎来高光时刻，其中其中预计预计 2023 年年仅仅

4、5G 智能手机智能手机设备更新设备更新的的对靶材的需对靶材的需 求求为为 9.56 亿美金亿美金，所有设备更迭将产生，所有设备更迭将产生 18.7 亿美金的市场空间亿美金的市场空间。 成长点成长点二二：显示面板升级换代，需求集中释放利好靶材显示面板升级换代，需求集中释放利好靶材。随着 OLED 渗 透率的逐步深入，大厂纷纷加入柔性变革中。未来 5 年 LCD 市场将逐步 被 OLED 所取代。并且随着三星、LG 等大厂逐步出清 LCD 产能的规划， 也一再验证 OLED 正在掀起的行业变革潮， 未来 5 年的渗透率有望逐步提 升至 73%。叠加 LG、京东方、华星光电、维诺信、深天马等面板厂商

5、的 集中扩容，靶材等核心材料有望持续受益。预计预计 2023 年年显示面板显示面板用靶材用靶材 的的市场空间将达到市场空间将达到 35.36 亿美金亿美金 成长点成长点三三：太阳能电池技术革新：太阳能电池技术革新，靶材靶材或迎高速成长或迎高速成长。海外多国持续加码 可再生能源，制定光伏装机量鼓励政策，未来 5 年海外政策驱动明显。国 内由于国家能源局要求，2020 年前完成的装机依旧享受补贴政策，导致 2019 年延后的装机量以及 2020 年甚至未来几年的装机需求有望在 2020 年同时释放。2020 年有望出现国内太阳能装机量小高潮，靶材需求有望 同步释放，叠加 HIT 电池对 PERC

6、的逐步替代，随着 HIT（异质结电池） 渗透率的提高，预计预计 2023 年太阳能用靶材市场规模年太阳能用靶材市场规模为为 38 亿美元亿美元。 推推荐关注荐关注：有研新材（超高纯铜靶领军企业） 、江丰电子（半导体用铝靶、 钽靶突破 7nm 字节，进入国际靶材供应链） 、阿石创（显示面板龙头，产 能有望进一步提升） 、隆华科技（显示面板国产替代的核心企业） 。 风险提示风险提示：OLEDOLED 渗渗透率提升不及预期；透率提升不及预期；5G5G 建建设设进度进度不及不及预期；智能手机出货量预期；智能手机出货量 不不及预期及预期 title titletitle 5 5G G 新材料系列报告之新

7、材料系列报告之五五： 政策政策与需求双助力与需求双助力，加加速速靶材国产替代进程靶材国产替代进程 CCL：5G 浪潮浪潮与国产替代助推行业与国产替代助推行业“新生新生” 2020 年年 01 月月 22 日日 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 2 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 目目录录 1、靶材：半导体国产化突围的核心材料、靶材：半导体国产化突围的核心材料 . - 4 - 1.1 靶材：集成电路的核心材料 . - 4 - 1.2 技术与认证两大壁垒，决定市场格局 . - 6 - 1.3 美日企业垄断全球靶材市场，国内龙头寻求细分领域突破

8、. - 10 - 1.4 靶材下游应用空间广阔：半导体、显示面板、光伏等领域增速可期 . - 13 - 2、政策持续加码，拉开靶材国产化大幕、政策持续加码，拉开靶材国产化大幕 . - 13 - 3、成长点一成长点一：半导体或将重半导体或将重回高增速，靶回高增速，靶材迎接高光时刻材迎接高光时刻 . - 19 - 4、成长点成长点二二：显示面板升级显示面板升级换代，需求集中释放利好靶材换代，需求集中释放利好靶材 . - 23 - 5、成长点成长点三三：太阳能电池技术革新太阳能电池技术革新，靶材靶材或迎高速成长或迎高速成长 . - 25 - 6、相关、相关 A 股靶材上市公司股靶材上市公司 . -

9、29 - 6.1 有研新材：超高纯铜靶领军企业 . - 29 - 6.2 江丰电子：半导体 7nm 核心技术突破，跻身世界一流靶材供应商 . - 30 - 6.3 阿石创：显示面板龙头，产能有望进一步提升 . - 31 - 6.4 隆华科技：显示面板国产替代的核心企业. - 31 - 7、风险提示、风险提示 . - 32 - 图表图表目目录录 表 1、靶材的常见分类 . - 6 - 表 2、高纯溅射靶材生产中五大核心技术是获取高端靶材的关键 . - 8 - 表 3、认证考核指标 . - 9 - 表 4、集成电路用溅射靶材纯度或杂质要求很高. - 9 - 表 5、下游行业对靶材的要求很高，尤其是

10、集成电路（以钛靶为例） . - 9 - 表 6、四大国际一流的靶材供应商垄断靶材市场. - 11 - 表 7、有研新材、江丰电子等国内靶材龙头拥有大量优质客户 . - 12 - 表 8、靶材的应用领域 . - 13 - 表 9、税率倾斜给国产替代打开空间 . - 14 - 表 10、国家从产业扶持层面、资金层面多角度助力靶材实现国产替代 . - 14 - 表 11、国家大基金一期集成电路板扶持项目. - 15 - 表 12、大基金二期或将加码上游材料，靶材等核心材料或将受益 . - 16 - 表 13、国内靶材龙头获政策扶持力度显著 . - 16 - 表 14、2019 年第一季度全球半导体厂

11、商排名. - 17 - 表 15、2019 年第一季度全球封测排名 . - 18 - 表 16、国内上市公司靶材扩产计划 . - 18 - 表 17、超高纯金属铜靶是未来靶材的核心领域. - 20 - 表 18、全球半导体材料市场及靶材市场变化情况 . - 21 - 表 19、5G 手机芯片成本是 4G 的 1.85 倍，拉动靶材快速成长 . - 21 - 表 20、国内 12 寸线统计 . - 22 - 表 21、国内近期在建及投产面板统计情况 . - 24 - 表 22、预计 2023 年显示面板用靶材的市场空间将达到 35.36 亿美金 . - 25 - 表 23、近年来国内外 HIT

12、公司及产能 . - 27 - 表 24、海外光伏市场政策驱动市场成长 . - 28 - 表 25、预计 2023 年太阳能用靶材市场空间达到 38 亿美元 . - 28 - 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 3 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 图 1、溅射镀膜是集成电路和显示面板不可或缺的环节之一 . - 4 - 图 2、靶材的工作原理 . - 5 - 图 3、真空镀膜工艺 . - 5 - 图 4、溅射靶材技术的发展历程 . - 6 - 图 5、金属提纯的常见方法 . - 7 - 图 6、靶材制备的常见方法 . - 7 - 图 7、靶材合格

13、供应商的管理流程 . - 10 - 图 8、全球靶材市场格局 . - 10 - 图 9、上游管控制约我国靶材市场发展 . - 11 - 图 10、2018 中国半导体市场份额全球占比 34%. - 17 - 图 11、半导体用靶材集中于晶圆制造镀膜与封装镀膜 . - 19 - 图 12、铜工艺互连结构 . - 19 - 图 13、2015 年以来中国半导体材料市场规模稳定成长复合增长率为 10.34% - 20 - 图 14、显示面板用靶材主要集中在触控屏面板与 ITO 玻璃镀膜环节 . - 23 - 图 15、传统显示面板增速持续下滑，技术革新正当时 . - 23 - 图 16、2016-2

14、022 年按技术和外形分类的智能手机面板出货量（单位：百万块） . - 24 - 图 17、光伏用靶材主要用于形成太阳能薄膜电池的背电极 . - 25 - 图 18、HIT 电池成本构成 . - 25 - 图 19、预计 2019 年太阳能光伏装机容量增速重回上升趋势 . - 26 - 图 20、国内光伏装机季度拆分（GW） . - 27 - 图 21、有研新材股权架构图 . - 29 - 图 22、江丰电子股权架构图 . - 30 - 图 23、阿石创股权架构图 . - 31 - 图 24、隆华科技股权架构图 . - 31 - 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要

15、声明重要声明 - 4 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 报报告告正文正文 1、靶材靶材：半导体半导体国产化突围的核心国产化突围的核心材料材料 1.1 靶材靶材：集成电路集成电路的核心材料的核心材料 靶材靶材集集成成电路电路的核心材料的核心材料： 集成电路中单元器件内部是由衬底、 绝缘层、 介质层、导体层及保护层等组成，其中，介质层介质层、导体层导体层甚至保护层保护层都要用 到溅射镀膜工艺。因此，靶材是制备集成电路的核心材料之一，同样是产业 链的核心环节之一。 图图 1 1、溅射镀膜溅射镀膜是是集成电路和显示面板集成电路和显示面板不可或缺的不可或缺的环节之环节之一一 三菱化学（铝、钛） H.

16、C.Starck Inc. （钽） 宁夏东方钽业股份有限 公司（钽） 株洲硬质合金集团有限 公司（钽） 崇义章源钨业股份有限 公司（钨） 霍尼韦尔（美国） 日矿金属（日本） 东曹（日本） 普莱克斯（美国） 住友化学（日本） 爱发科（日本） 三井矿业（日本） 江丰电子（中国） 有研亿金（中国） 福建阿石创（中国） 上游厂商 手机 电脑 汽车电子 磁介质存储 显示屏 太阳能电池 晶圆代工厂：台积电、 格罗方德、联电、电芯 国际 存储器厂：索尼、美 光、东芝 半导体厂：意法半导 体、英飞凌 面板厂：东京方、华星 光电 中游制造厂商下游应用厂商终端电子产品 金属提纯靶材制造溅射镀膜终端应用 资料来源：

17、江丰电子招股说明书，兴业证券经济与金融研究院整理 靶材主要由靶坯、背板等部分组成靶材主要由靶坯、背板等部分组成：其中，靶靶坯坯是通过磁控溅射、多弧 离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种 功能薄膜的溅射源，即即高速高速离子束流轰击的目标材料离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的 核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射 飞散出来并沉积于基板上，制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低， 而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程， 机台内部为高电压、 高真空环境。因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接 工艺进行接合，背板主背板主要起要起到

18、到固定固定溅射溅射靶材的作靶材的作用，需要具备良好用，需要具备良好的导的导 电、电、导导热性能热性能。 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 5 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 图图 2 2、靶材的靶材的工作工作原理原理 资料来源：阿石创招股说明书，兴业证券经济与金融研究院整理 常见的常见的镀膜工艺镀膜工艺：PVD（物理气象沉淀物理气象沉淀）工艺工艺：CVD（化学法镀膜化学法镀膜） PVD（物理气象沉淀物理气象沉淀）工艺工艺：是指在真空条件下，采用物理方法，将 材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体 （或等离子体） 过程

19、， 在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的物理气相沉积的主要方法主要方法有，真有，真空蒸镀、空蒸镀、溅射镀膜溅射镀膜、电电弧弧等等离子离子体镀体镀、 离离子子镀镀膜，及膜，及分子束分子束外延等外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉 积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等， 其中显示面板用的铟锡靶 ITO 主要采用真空镀膜。 图图 3 3、真空镀膜工艺真空镀膜工艺 资料来源：阿石创招股说明书，兴业证券经济与金融研究院整理 CVD（化学法镀膜工艺化学法镀膜工艺）技术技术：该技术是在高温下依靠化学反应、把 含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸

20、气及反应所需其它气 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 6 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜材料的技术 其中其中，真空镀真空镀膜具有膜具有更好的更好的可重复可重复性性、膜厚、膜厚可控性可控性。会使会使基板材基板材料料上上的的 镀膜更加均匀镀膜更加均匀，所制备的薄膜纯度更高，所制备的薄膜纯度更高、致、致密性密性更好更好，更适合，更适合高高端领域端领域 （半导体半导体）的应用的应用。 图图 4 4、溅射靶材溅射靶材技术技术的发展历程的发展历程 18421842年年 罗格夫在实验 室发现了阴极 溅射现象

21、1919世纪中后世纪中后 对溅射机理的 认同以及相关 技术发展缓慢 2020世纪初期世纪初期 只有化学活性 极强的材料、 介质材料等采 用溅射技术 2020世纪世纪7070年代年代 磁控溅射技术 出现，应用于 实验和小型生 产 2020世纪世纪8080年代年代 溅射技术进入 工业化大量生 产的应用领域 2121世纪以来世纪以来 新型溅射技新型溅射技 术出现术出现，高高 纯金属溅射纯金属溅射 靶材成为热靶材成为热 点材料点材料 资料来源：CNKI，兴业证券经济与金融研究院整理 靶靶材材的的三类划三类划分分方法：方法：按材质分靶材可分为金属靶材、高分子陶瓷非金属 靶材和合金靶材等。按外形尺寸可分为

22、圆柱形、长方形、正方形板靶和管 靶。按照应用领域可分为半导体用靶材、显示面板用靶材、太阳能电池用 靶材、磁记录用靶材等。 表表 1 1、靶材的常靶材的常见分类见分类 分类标准 产品类别 按形状分类 长靶、方靶、圆靶 按材质分类 金属靶（高纯铝、铜、钽、钛等）、 合金靶（铜锰合金、镍铬合金等）、 陶瓷化合物靶（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物） 按应用领域分类 半导体用靶材、显示面板用靶材、太阳能电池用靶材等 资料来源：新材料产业、兴业证券经济与金融研究院整理 靶材回收靶材回收：常见的靶材多为方靶、圆靶，均为实心靶材。在镀膜作业中， 圆环形的永磁体在靶的表面产生的磁场为环形， 会发生不均匀冲蚀现象

23、， 溅射的薄膜厚度均匀性不佳，靶材的使用效率大约只有 20%30%。而 目前被推广的空心管靶可绕固定的条状磁铁组件一定周期旋转运动， 360 靶面可被均匀刻蚀，优势明显，将利用率提高到 80% 1.2 技术与认证两大壁垒，决定市技术与认证两大壁垒，决定市场格局场格局 靶材靶材行业行业有两大核心壁垒有两大核心壁垒：技术与认：技术与认证证。其中国产靶材龙头正在从细分领域 突破技术束缚，实现国产替代。但认证层面，供应商份额制约束较为明显。 1.2.1 壁垒一壁垒一：提纯提纯技术技术与制备工艺与制备工艺难获取难获取、难突破、难突破，中中短期短期护城河明显护城河明显 材料材料纯化纯化是靶材产业是靶材产业

24、链的首要链的首要环节环节，针对铜、镍、银、钛等金属常采用电电解解 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 7 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 精炼精炼提提纯纯（化学提纯法化学提纯法） ，其原理是在电解过程中，利用杂质金属和主金属在 阴极上析出电位差异从而达到提纯目的。针对金、银、铜、铝等金属及其合 金往往采用真空感应熔炼制备真空感应熔炼制备 （物理物理提纯提纯法法） ， 其原理是在真空条件下降低气 体分子在金属中溶解度从而实现提纯。但由于先进半导体等高端制造行业所 需金属纯度在 6N 及其以上，因此单纯的金属提纯无法满足，而超高纯铜、 超高纯铝等

25、核心技术多掌握在霍尼韦尔、日矿、东曹等美、日企业手中，这 些巨头占据 80%以上超高纯领域的市场份额，并且持有专有技术。 图图 5 5、金属金属提提纯的纯的常见方法常见方法 资料来源：凯欧靶材官网，兴业证券经济与金融研究院整理 除了纯除了纯化技术化技术外外，制备技术同，制备技术同样是核心关键样是核心关键。靶材制造环节首先需要根据下 游应用领域的性能、 需求进行特有的工艺设计， 然后再进行反复的塑性变形、 热处理等，过程中需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机 械加工、清洗干燥、真空包装等工序。目前制备靶材的方法制备靶材的方法主要有铸铸造造法法和 粉末冶金法粉末冶金法。对于难熔金属，

26、也可采用熔炼熔炼法法。 图图 6 6、靶材制备靶材制备的常见方法的常见方法 铸造法 优点：靶材杂质含量（特 别是气体杂质含量）低， 密度高，可大型化 缺点：对熔点和密度相差 较大的两种或两种以上金 属，普通熔炼法难以获得 成分均匀的合金靶材 粉末合金法 靶材制备 优点：靶材成分均匀优点：密度低，杂质含量高 真空感应熔炼 真空电子轰击 熔炼 真空电弧熔炼 合金原料铸锭靶材 冷压 真空热压 热等静压 合金原料铸锭粉末 靶材 熔炼 浇注 模具 机械 加工 熔炼 浇注 模具 粉碎 静压 成形 高温 烧结 资料来源：凯欧靶材官网，兴业证券经济与金融研究院整理 综合纯化与制备综合纯化与制备流程的技术来看流

27、程的技术来看，能够，能够掌掌控高端靶材市场的核心技控高端靶材市场的核心技术主要包术主要包 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 8 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 括括：a.超高纯金属控制和提纯技术、b.晶粒晶向控制技术、c.异种金属大 面积焊接技术、 d.金属的精密加工及特殊处理技术、 e.靶材的清洗包装技 术五种，是获取高端靶材的必备技术。 表表 2 2、高高纯纯溅射靶溅射靶材生产材生产中五大核心技术是中五大核心技术是获取高端靶获取高端靶材材的的关关键键 技术技术 功功能能 方案方案 产品要求产品要求 超高纯金属控制 和提纯技术 减少靶材杂

28、质。提高材料 导电性能是互联线不易 短路或断路 两大步骤： 纯化 （初步提纯） 、 超纯化（最终提纯）提高纯 度：化学+物理提纯 半导体、显示器等领域对靶材纯度的要求十分严格： 芯片、平板显示器、太阳能电池通常要求靶材纯度分 别达到 99.9995%（5N5）、5N、4N5 以上。 晶粒晶向控制技 术 使各晶粒的大小和排列方 向相同，保证溅射成膜的均 匀性和溅射速度 通常通过塑形加工再结晶流程 （TMP）来控制晶粒晶向：塑 性加工热处理结晶退 火 溅射时， 靶材的原子最容易沿着密排面方向优先溅射 出来，所以需根据靶材的组织结构特点，采用不同的 成型方法和热处理工艺进行靶材的结晶取向控制。 异种

29、金属大面积 焊接技术 连接靶胚和背板，起到靶材 的固定作用 电子束焊接、钎焊、扩散焊接 等（熔点差距大的金属难以直 接熔融焊接，需用 HIP 加压， 通过扩散作用实现无缝连接） 多数靶材（铜、钦、铝及其他）在溅射前需与背板绑 定从而确保其溅射时导热导电状况良好， 有效焊合率 是评判绑定质量的标准，一般要求大于 95%以上。 金属的精密加工 及特殊处理技术 利用精密机台使靶材的尺 寸和形状与要镀膜的基片 匹配 包括微细加工、光整加工和精 整加工等 下游客户用于靶材溅射的机台十分精密， 对溅射靶材 的尺寸要求很高， 较小的偏差会影响溅射反应过程和 溅射产品的性能。 靶材的清洗包装 技术 使靶材洁净

30、程度满足生产 要求 真空、反复、全自动等 由于靶材会直接用于晶圆生产， 所以对洁净程度要求 极高。 资料来源：CNKI，兴业证券经济与金融研究院整理 技术层面技术层面来看来看，靶材行业起源于美国，但随着日本高纯技术的突破， 靶材的市场占有、细分领域话语权以及高端产能均不断向日本转移， 逐渐形成核心技术财团私有化， 导致海外企业进入困难， 技术壁垒强。 随着我国靶材企业、国家研究院对细分领域的深化研究，在在纯化技术层纯化技术层 面面，以超纯铜靶为例，以超纯铜靶为例：有研亿金的超纯铜靶材能够达到 7N 水平，并实 现量产 100 吨/年，比肩世界铜靶龙头日矿（全球铜靶市占率 80%） 。 因此，

31、技术层面的制约并非不可突破， 只是我国企业靶材领域进入较晚， 前期技术被海外垄断，导致技术壁垒存在，但随着时间推移和细分领域 的逐步攻破，壁垒将逐步淡化。 1.2.2 壁垒二壁垒二：认认证证周期长周期长、技术要求高技术要求高、认证认证模式模式各异各异、多采用多采用供货商份额制供货商份额制 认证周期长认证周期长：半导体芯片、显示面板、太阳能电池等下游知名企业均具有十 分完善的客户认证体系，该体系包括：技术评审、产品报价、样品检测、小 批量试用、批量试用 5 个阶段，全程耗时全程耗时 2-3 年年。 认证认证技术技术要求要求高高： 认证体系往往是建立在行业性质量管理体系认证的基础上， 针对自身产品

32、特性提出的相应技术要求。通常包括：纯度；致密度； 微观组织；尺寸精度。 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 9 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 表表 3 3、认证考核指标认证考核指标 纯度纯度 纯度是影响镀膜效果的首要因素。 靶材中的杂质和气孔中的氧和水分是沉积薄膜的主要污染 源。要提高薄膜的性能，就应尽可能降低靶材中杂质含量，提高纯度，减少污染源，提高沉 积薄膜的均匀性。不同用途靶材对单个杂质含量也有不同的要求。例如，半导体电极布线用 的 W、Mo、Ti 等靶材对 U,Th 等放射性元素的含量要求低于 310-9；光盘反射膜用的 Al 合金

33、靶材则要求 O2含量低于 210-4 致密度致密度 为了减少靶材固体中的气孔， 提高薄膜的性能， 一般要求溅射靶材具有较高的致密度。 通常， 靶材的致密度不仅影响溅射时的沉积速率、 溅射膜粒子的密度和放电现象等， 还影响着溅射 薄膜的电学和光学性能。高致密度靶材镀膜具有以下特点：靶材使用寿命长，溅射功率小， 成膜速率高，薄膜不易开裂，透光率高，导电、导热性好。 微观组织微观组织 溅射速度直接受晶粒尺寸的影响， 晶粒粗大靶材的溅射速率要比晶粒细小的靶材慢很多， 晶 粒尺寸变小，薄膜沉积速率增大。而同一块靶材的晶粒尺寸整体差异较小，沉积薄膜的厚度 分布就更为均匀。 尺寸大小尺寸大小 溅射靶材在后期

34、装配前要进行一系列机械加工，其加工质量和精度（平面度，直线度，粗糙 度）也会影响到薄膜性能。靶材溅射作业前必须与铝或无氧铜底盘（背板）连接在一起，配 合紧密才能使靶材与背板更好的导电导热。 装配完毕后要使用超声波检测， 如果两者的空隙 区域小于总接触面的 2%，这样才能在大功率溅射中使用。 资料来源：CNKI，兴业证券经济与金融研究院整理 应用领域不同对应考核指标的要求也不尽相同，通常情况下对于纯金属纯度 方面，半导体（5N5）显示面板(5N)太阳电池(4N5)。具体来看，应用于 汽车电子的半导体厂商普遍对上游靶材供应商的要求是必须先通通过过 ISO/TS16949 质量管理体系认证，再结合半

35、导体厂商个性化要求，应用于电 器设备的溅射靶材生产商需要先满足欧盟制定的欧盟制定的 ROHS 强制性标准强制性标准。 表表 4 4、集成电路用溅射靶集成电路用溅射靶材纯度或杂质要求材纯度或杂质要求很高很高 名称 金属杂质含量 分析的金属元素数量/个 Al，AlSi1，AlCu0.5， lSi1Cu0.5 5 2040 Ti 50 020 Cu 1 020 Ta 50 015 来源：集成电路制造用溅射靶材，兴业证券经济与金融研究院整理 表表 5 5、下下游游行业对靶材的要求很高，尤其是集成电路（以钛靶为例行业对靶材的要求很高，尤其是集成电路（以钛靶为例） 性能类别 性能要求 纯度 非集成电路用：

36、99.99%；集成电路用 99.9995%、99.9999% 微观组织 非集成电路用：平均晶粒小于 100m；集成电路用：平均晶粒小于 30 m；超细晶平均晶粒小于 10m。 焊接性能 非集成电路：钎焊、单体； 集成电路用：单体、钎焊、扩散焊 尺寸精度 非集成电路用：0.1mm；集成电路用 0.01mm 请请务必阅读务必阅读正正文之后的信息披露和文之后的信息披露和重要声明重要声明 - 10 - 行业深度研究报告行业深度研究报告 资料来源：磁控溅射钛靶材的发展概述，兴业证券经济与金融研究院整理 认认证模式各异证模式各异： 半导体芯片制造企业对靶材合格供应商的认证模式各不相同。 其中，要进入日、韩

37、等国家芯片制造企业的靶材供应商，则必须通过日、韩 本国的中间商或者商社来间接供应；要进入英特尔的靶材供应商，则必须通 过应用材料（AM）的推荐；要进入全世界最大的晶圆代工企业台积电的靶 材供应商，则需要通过其最终客户（苹果和华为等）的认可。 供应商份额制供应商份额制：半导体芯片制造企业对其所需要的每一种溅射靶材，一般都 会选择三家左右的稳定供应商。 并且， 从排名第一的供应商处的采购量最大， 从排名第二的供应商处的采购量较小，而排名第三的供应商则基本相当于备 胎。 图图 7 7、靶材靶材合格供应商的管理流程合格供应商的管理流程 资料来源：江丰电子招股说明书，兴业证券经济与金融研究院整理 从认证角度从认证角度来来看看，核心