1、 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。电子行业 行业研究|深度报告 碳化硅（碳化硅（SiC）性能优异，成本有望持续下降。）性能优异，成本有望持续下降。SiC 半导体性能优异，其禁带宽度是硅的 3 倍，击穿电压是硅的 8-10 倍，导热率是硅的 3-5 倍，电子饱和漂移速率是硅的 2-3 倍。SiC 能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。6 英寸 SiC 衬底已成主流，8 英寸样品也陆续开始推出。未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外

2、延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC 产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。海外头部厂商占据产业链主要份额，国内企业迎来广阔发展空间。海外头部厂商占据产业链主要份额，国内企业迎来广阔发展空间。SiC 衬底及外延片领域，Wolfspeed 凭借先发优势和规模优势一家独大；器件领域，欧美日企业领先，整体市占率达到 95%，仅意法半导体一家就占据 41%。国内企业也在积极研发和探索 SiC 器件的产业化，部分产业节点已有所突破。其中三安光电已形成在半导体化合物高端领域的全产业链布局；天岳先进在半绝缘 SiC 衬底的市场占有率连续三年保持全球前

3、三；天科合达在国内率先成功研制 6 英寸 SiC 衬底，并已实现 2-6英寸 SiC 晶片的规模化生产和器件销售。新能源车、光伏等下游需求爆发，新能源车、光伏等下游需求爆发，SiC 迎来历史性机遇。迎来历史性机遇。Yole 数据显示，全球 SiC器件市场发展迅猛，预计 2025 年 SiC 器件市场将增长至 25.6 亿美元，19-25 年CAGR 约 30%。新能源车领域：新能源车领域：根据 EVTank 数据显示，新能源汽车 2025 年销量将达到 1800 万辆，19-25 年 CAGR 为 42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及整车架构朝 800V 高压方向迈进，SiC 器件在主逆变

4、器、DCDC 转换系统、车载充电系统及充电桩等领域有望迎来规模化发展。据 TrendForce 数据显示，预估 2025年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求可达 169 万片，21-25 年 CAGR 为 94%。光伏领域：光伏领域：相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。2020 年 SiC 光伏逆变器占比为 10%，预计 2035 年占比将达到 75%，未来空间十分广阔。轨道交通领域：轨道交通领域：与传统硅基 IGBT 牵引逆变器相比，全 SiC 牵

5、引逆变器能耗能够降低 10%以上。Yole 数据显示，到 2025 年铁路SiC 营收将从 2019 年的 900 万美元，增长到 1.18 亿美元，CAGR 达到 55%。由于下游需求旺盛，我们看好 SiC 产业链相关企业将因此受益。建议关注国内领先的化合物半导体材料与器件全产业链布局的三安光电(600703，买入)、SiCMOCVD设备企业中微公司(688012，买入)、SiC 衬底企业天岳先进(688234，未评级)、以及发展半导体 IDM 业务的闻泰科技(600745，买入)、华润微(688396，买入)等。风险提示风险提示 下游需求不及预期；成本下降不及预期；技术研发进度不及预期。投

6、资建议与投资标的 核心观点 国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2022 年 09 月 05 日 蒯剑 *8514 执业证书编号：S0860514050005 香港证监会牌照：BPT856 李庭旭 国内晶圆厂逆周期扩产，持续看好半导体设备、材料板块 2022-08-29 阿 里 加 入 Chiplet 互 联 标 准 制 定 联 盟UCIe，技术基础实现共赢 2022-08-07 国内半导体前道设备厂商对比研究 2022-08-03 新能源东风已至，碳化硅御风而起 看好（维持）电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部

7、分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。2 目 录 1 碳化硅性能优势突出.5 1.1 SiC 性能优势显著.5 1.2 SiC 衬底价值量最大，6 英寸晶片成为主流.6 1.3 SiC 价格呈下降趋势，渗透率有望随之提升.9 2 欧美厂商高度垄断，国内厂商潜力巨大.10 3 新能源革命来临，SiC 器件迎风而起.11 3.1 新能源车是 SiC 器件的核心驱动力.12 3.2 光伏产业快速发展，SiC 应用未来可期.15 3.3 SiC 器件在轨道交通领域持续渗透.17 4 投资建议.18 4.1 三安光电：LED 龙头，大

8、力发展化合物半导体业务.19 4.2 中微公司：正开发 SiC 专用 MOCVD 设备.20 4.3 天岳先进：国内领先的 SiC 衬底企业.21 4.4 闻泰科技：安世半导体 SiC 二极管产品已经出样.22 5 风险提示.23 WYTU0V1W3VnPmOaQ8QbRpNrRsQoMlOrRwPjMmMrPbRmNrRuOmMqPvPtPuN 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。3 图表目录 图 1：Si 材料与 SiC 材料的比较.5

9、图 2：SiC 功率半导体在新能源汽车的应用.6 图 3：SiC 产业链.6 图 4：SiC 衬底制作流程.8 图 5：全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模（亿美元）.8 图 6：4/6 英寸半绝缘型 SiC 晶片市场需求（万片）.8 图 7：全球导电型 SiC 衬底市场规模（亿美元）.9 图 8：4/6 英寸导电型 SiC 衬底市场需求（万片）.9 图 9：SiC 衬底尺寸发展趋势图.9 图 10：SiC MOSFET 前道成本拆解.10 图 11：SiC 衬底&外延片价格走势（元/平方厘米）.10 图 12：全球 SiC 产业竞争格局（2020 年）.10 图 13：国内外企业 SiC 产业

10、链布局.11 图 14：全球 SiC 功率器件市场规模.12 图 15：全球新能源车销量预测（万辆）.12 图 16：全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求（万片）.12 图 17：国内新能源车产量及预测（百万辆）.13 图 18：全球电动车用 SiC 功率半导体比重.13 图 19：SiC 器件在新能源车上的应用.13 图 20：车用 SiC 器件表现出优异性能.13 图 21：SiC 器件发展路线图.14 图 22：特斯拉 Model 3 逆变器搭载 SiC MOSFET 模块.14 图 23：SiC 是实现电驱动系统高压化的关键.14 图 24：新能源车 800V 高电压平台.14

11、 图 25：Wolfspeed 参与的 SiC 直流快速充电桩.15 图 26：小鹏 480kW 高压超级充电桩.15 图 27：2015-2025 全球光伏新增装机量（GW）.16 图 28：2015-2025 中国光伏新增装机量（GW）.16 图 29：20-25 年全球光伏逆变器市场规模及增速.16 图 30：光伏逆变器成本占比情况.16 图 31：SiC MOS 与 IGBT 开关特性比较图.17 图 32：各功率晶体管结构、耐压、导通电阻和开关速度比较.17 图 33：2020 年全球光伏逆变器出货量市场份额.17 图 34：SiC 光伏逆变器占比及预测.17 电子行业深度报告 新能

12、源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。4 图 35：轨道交通中 SiC 功率器件占比预测.18 图 36：全球铁路 SiC 营收（百万美元）.18 图 37：苏州 3 号线 SiC 模块.18 图 38：深圳地铁 1 号线采用 SiC 牵引逆变器.18 图 39：三安光电历年营业总收入变化情况（亿元）.20 图 40：三安集成全国制造基地分布图.20 图 41：公司 SiC 半导体材料项目进程.22 图 42：闻泰科技全球产业布局.23 图 43：安世半导体产品线研

13、发进展.23 表 1：半导体材料各项性能指标比较.5 表 2：国际部分主流厂商扩产计划.11 表 3：全球部分 800V 高压平台车型统计.15 表 4：三安光电主要产品系列.19 表 5：中微公司主要产品示意图.20 表 6：中微公司布局 SiC 材料功率器件外延生长设备和技术研发.21 表 7：天岳先进 SiC 衬底主要产品.21 表 8：天岳先进产品在国内客户使用情况举例.22 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。5 1 碳化硅性能优势

14、突出碳化硅性能优势突出 主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC 是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。1.1 SiC 性能优势显著 同半导体材料硅（Si）相比，其禁带宽度是硅（Si）的 3 倍，击穿电压是其 8-10 倍，导热率是其3-5 倍，电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。图 1：Si 材料与 SiC 材料的比较 数据来源：Yole、IHS、东方证券研究所 表 1：半导体材料各项性能指标比较 半导体材料半导体材料 Si Ge GaAs GaN 4H-SiC 6H-SiC 3C-SiC AL

15、N 禁带宽度（eV）1.12 0.67 1.43 3.37 3.26 3 2.2 6.2 能带类型 间接 间接 直接 直接 间接 间接 间接 间接 击穿场强（MV/cm）0.3 0.1 0.06 5 3 5 3 1.4 电子迁移率（cm2/Vs）1350 3900 8500 1250 800 400 800 300 空穴迁移率（cm2/Vs）480 1900 400 200 115 90 320 14 热导率（W/cm*K）1.3 0.58 0.55 2 4.9 4.9 3.6 2.85 数据来源：今日半导体、东方证券研究所 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，

16、见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。6 SiC 在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面，SiC 阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC 不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的 3-10 倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温方面，SiC 拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。因此，SiC 能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量

17、化要求，有望成为未来最被广泛使用的半导体芯片基础材料。SiC主要用于功率或射频器件主要用于功率或射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电力电子领域。其中，新能源汽车领域，功率半导体主要应用于电机控制器、DC/DC 变换器、车载充电机、压缩机、水泵、油泵，同时还应用于配套充电桩。图 2：SiC 功率半导体在新能源汽车的应用 数据来源：英飞凌、东方证券研究所 1.2 SiC 衬底价值量最大，6 英寸晶片成为主流 SiC 产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件制造制造和模块和模块封装封装，产业链价值量倒挂

18、，产业链价值量倒挂，其中衬底制造技术壁垒最高、价值量最大，是未来 SiC 大规模产业化推进的核心。图 3：SiC 产业链 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。7 衬底：衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为46%。根据电阻率的不同，可分为导电型和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT）生长 SiC 晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底，其中晶体的生长为核心工艺，核心难点在

19、于提升良品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，长晶技术壁垒高，毛利率可达 50%左右。外延：外延：价值量占比约23%，是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电型 SiC 衬底用于 SiC 外延，生产功率器件，应用于电动汽车和新能源领域；半绝缘型 SiC 衬底用于氮化镓外延，生产射频器件，应用于 5G 通信等领域。器件制造器件制造及模块封装及模块封装：价值量占比约 20%，产品包括SiC二极管、SiC MOSFET、全SiC模块、SiC 混合模块。应用：应用：依据电阻率区分，导电型 SiC 器件主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、充电桩等领域；半绝缘 SiC 器件主

20、要用于 5G 通信、数据传输、航空航天、国防军工等领域。数据来源：天科合达招股说明书、东方证券研究所 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。8 图 4：SiC 衬底制作流程 数据来源：天科合达招股说明书、东方证券研究所 半绝缘型半绝缘型 SiC 衬底市场增长迅速，衬底市场增长迅速，6 英寸晶片成为发展趋势。英寸晶片成为发展趋势。受益于 5G 基建加快布局和全球地缘政治动荡，半绝缘型 SiC 衬底市场增长空间巨大。根据 Yole 数据，2020

21、年全球半绝缘型 SiC衬底市场规模为 1.8 亿美元，较 2019 年同比增长 18%。此外，根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，2020 年全球 4 英寸半绝缘型 SiC 晶片的市场需求约 4 万片，6 英寸约 5 万片，两者需求占比不相上下；预计到 2025 年，4 英寸市场需求将减少至 2 万片，6 英寸成为发展趋势。图 5：全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模（亿美元）图 6：4/6 英寸半绝缘型 SiC 晶片市场需求（万片）数据来源：Yole、东方证券研究所 数据来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、东方证券研究所 导电型导电型 SiC 衬底市场发展前景良好，衬底市场发展前

22、景良好，6 英寸衬底占据绝大部分市场份额。英寸衬底占据绝大部分市场份额。受下游民用领域的持续景气，如新能源汽车与光伏，导电型 SiC 衬底市场规模不断扩容。根据 Yole 数据，2018 年，全球导电型 SiC 衬底市场规模为 1.7 亿美元，2020 年增长至 2.8 亿美元，复合增长率为 26%。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，全球 6英寸导电型衬底需求从 2020年的超 8万片增长至 2025 年的 20 万片，而 4 英寸产品将逐步退出市场。1.51.81.41.51.61.71.81.92052025201720202025E2030E4英寸半绝缘型

23、6英寸半绝缘型 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。9 图 7：全球导电型 SiC 衬底市场规模（亿美元）图 8：4/6 英寸导电型 SiC 衬底市场需求（万片）数据来源：Yole、东方证券研究所 数据来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、东方证券研究所 SiC 主流大厂正陆续推出主流大厂正陆续推出 8 英寸晶圆片。英寸晶圆片。当前，全球市场上 6 英寸 SiC 衬底已实现商业化，主流大厂也陆续开始推出 8 英寸样品。SiC 晶圆尺寸的扩

24、大不仅可以降低生产成本，而且有利于保持晶圆几何形状，减少边缘翘曲，提升晶圆生产的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圆样品的制样，意法半导体在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圆片。预计 2023 年开始，各大厂商将逐渐量产 8 英寸衬底，并继续提高外延和器件方面产能及良品率。随着 6 英寸衬底、外延晶片质量提高，8英寸产线实现规模化生产，SiC器件和模块逐渐普及为电动汽车主流配置，规模效应增大，成本可得到有效降低。图 9：SiC 衬底尺寸发展趋势图 数据来源：CASA、东方证券研究所 1.3 SiC 价格呈下降趋势，渗透率有望随之提升 目前

25、，SiC 衬底成本高/制作难、长晶速度慢、损失率高导致了器件的高成本，影响了 SiC 器件的渗透率。根据我国第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）数据显示，SiC功率器件最主要的原材料成本SiC 衬底、外延片的价格近年来持续下降，原因有：第一，伴随大直径衬底占1.7 2.8 00554045201720202025E2030E4英寸导电型6英寸导电型 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。10

26、比不断提高，衬底单位面积生长成本下降；第二，单晶的平均可用厚度仍会持续增加，这将不断降低单位面积衬底成本；第三，衬底质量和晶片供货量的提高，以及外延晶片成品率的提高，推动 SiC 器件成本逐步降低。未来 SiC 各环节成本有望持续下降，并迎来对于下游产业的加速渗透。图 10：SiC MOSFET 前道成本拆解 图 11：SiC 衬底&外延片价格走势（元/平方厘米）数据来源：System Plus、东方证券研究所 数据来源：CASA、东方证券研究所 2 欧美厂商高度垄断欧美厂商高度垄断，国内厂商潜力巨大国内厂商潜力巨大 Wolfspeed 垄断垄断 SiC器件与外延片市场，欧美企业主导器件与外延

27、片市场，欧美企业主导 SiC器件市场器件市场。从衬底到器件环节，目前以 Wolfspeed、ST 及罗姆等海外头部企业占据产业链主要份额。其中，因布局较早，良率与产能规模全球领先，在 SiC 衬底及外延片市场 Wolfspeed 一家独大。下游器件领域，欧美日企业领先，整体市占率达到 95%，意法半导体作为特斯拉 SiC 功率器件的第一梯队供应商，市场占有率排名第一，达到 41%。图 12：全球 SiC 产业竞争格局（2020 年）数据来源：TrendBank、芯八哥、Yole、Wolfspeed、华经产业研究院、东方证券研究所 国际主流厂商大幅扩产，释放抢占国际主流厂商大幅扩产，释放抢占 S

28、iC 市场信号。市场信号。国际企业大力完善第三代半导体产业布局，计划大幅扩产来强化竞争优势，以抢夺日渐增长的市场份额。安森美表示 22 年要将 SiC 产能扩充 4倍；意法半导体计划到 2024 年将 SiC 晶圆产能提高到 2017 年的 10 倍，SiC 营收将达到 10 亿美元。在国际大厂加速扩产的背景下，SiC 产业格局逐渐迎来空前重构和变化。44%32%17%7%裸晶片（SiC 150mm）外延晶面+晶背成品率损失020406080100120140衬底价格外延片价格 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之

29、后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。11 表 2：国际部分主流厂商扩产计划 国际厂商国际厂商 扩产计划扩产计划 安森美 22 年要将 SiC 产能扩充 4 倍 意法半导体 继续投资供应链的垂直整合，计划 2024 年将 SiC 晶圆产能提高到 2017 年的 10 倍，SiC 营收将达到 10 亿美元 罗姆 2021 年 5 月提出要抢占全球 30 SiC 市场的目标。日本阿波罗筑后和宫崎新工厂将于 2022 年投入运营，计划器件产能提高 5 倍以上；计划将马来西亚的半导体工厂产能扩大到 1.5 倍 数据来源：电子工程网、各公司官网、东方证券研究所 国内厂

30、商加速布局，发展空间巨大。国内厂商加速布局，发展空间巨大。国内企业也在积极研发和探索 SiC 器件的产业化，已经形成相对完整的 SiC 产业链体系，部分产业节点已有所突破。SiC 衬底方面，天岳先进在半绝缘 SiC衬底的市场占有率连续三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制 6 英寸 SiC 衬底，并已实现 2-6 英寸 SiC 晶片的规模化生产和器件销售。SiC 外延片方面，厦门瀚天天成与东莞天域可生产 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面，国内厂商主要有泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电 55所、中电 13所、科能芯、中车时代电气等。模组领域，目前 SiC市场斯达半导、河南森源、

31、常州武进科华、中车时代电气处于起步阶段。中国厂商在围绕 SiC 衬底生产上正在缩短与国外差距，未来若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圆良率和成本上进一步实现突破是竞争的关键。图 13：国内外企业 SiC 产业链布局 数据来源：第三代半导体联合创新孵化中心、半导体工艺与设备、东方证券研究所 3 新能源革命来临，新能源革命来临，SiC 器件迎风而起器件迎风而起 全球全球 SiC 器件市场器件市场发展迅猛，发展迅猛，2025 年有望增长至年有望增长至 26 亿美元。亿美元。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，SiC 器件市场规模增速可观。Yole 数据显示，20

32、19 年全球SiC 功率器件市场规模为 5.4 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.6 亿美元，CAGR 约 30%。整体电动车相关领域（主逆变器+OBC+DC/DC 转换器）SiC 市场规模有望在 25 年达到 15.5 亿美元，19-25 年 CAGR 为 38%；而电动车充电基础设施领域 SiC 增长最快，19-25 年 CAGR 为 90%。电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。12 图 14：全球 SiC 功率器件市场规模 数据

33、来源：yole、东方证券研究所 3.1 新能源车是 SiC 器件的核心驱动力 全球新能源汽车终端需求火热，车用全球新能源汽车终端需求火热，车用 SiC 晶圆需求攀升。晶圆需求攀升。根据 EVTank 数据显示，全球新能源汽车 2025年销量将达到 1800万辆，19-25年 CAGR为 42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及整车架构朝 800V 高压方向迈进，SiC 器件在车载逆变器等领域有望迎来规模化发展。据TrendForce 数据显示，预估 2025 年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求可达 169 万片，21-25 年 CAGR 为 94%。图 15：全球新能源车销量预测（

34、万辆）图 16：全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求（万片）数据来源：EVTank、东方证券研究所 数据来源：TrendForce、东方证券研究所 国内新能源车市场规模快速增长，国内新能源车市场规模快速增长，SiC功率器件有望进一步突破功率器件有望进一步突破。IDC预计,2022年中国新能源车市场规模将达到 523 万辆，同比增长 47.2%。2025 年新能源车市场规模有望达到约 1,299万辆，2021-2025 年复合增长率约为 38%。根据 DIGITIMES Research 预测，2025 年电动汽车用 SiC功率半导体将占整车用功率半导体的 37%以上，高于 2021 年

35、的 25%。国内新能源车市场具备领0%20%40%60%80%100%0500020192020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E新能源车销量预测（万辆）同比0%20%40%60%80%100%120%140%050202021E2022E2023E2024E2025E全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求同比 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。13 先优势，随着渗透率的进

36、一步提升以及汽车电子化程度的持续推进，国内车用 SiC 器件规模有望快速突破。图 17：国内新能源车产量及预测（百万辆）图 18：全球电动车用 SiC 功率半导体比重 数据来源：IDC，东方证券研究所 数据来源：DIGITIMES Research，东方证券研究所 多维度优势赋能车用多维度优势赋能车用 SiC 器件。器件。SiC 功率器件在新能源汽车中展现出独特优势，其应用场景包括：电机驱动系统逆变器、电源转换系统（车载 DCDC）、车载充电系统（OBC）及非车载充电桩等。从材料来看，SiC 相对于硅材料拥有更高的击穿场强、更高的热导率以及更高的电子饱和漂移速度；从电路损耗来看，在同等条件下，

37、SiC 功率器件能大幅减小电路开关的能量损耗（下降85%）；从设备空间来看，采用SiC功率器件的 DC/DC转换器、车载充电机以及电机控制器分别能加减小设备 20%、40%、64%的系统空间；从电池转化效率来看，集成了 SiC 器件的模块能帮助系统提升 6%的电力转换效率。图 19：SiC 器件在新能源车上的应用 图 20：车用 SiC 器件表现出优异性能 数据来源：汽车产业信息、东方证券研究所 数据来源：Infineon、东方证券研究所 众多新能源汽车厂商竞相布局众多新能源汽车厂商竞相布局 SiC 器件器件。2018 年，特斯拉的 Model 3 首次采用意法半导体和英飞凌的 SiC 逆变器

38、取代了 Si-IGBT，逆变器效率提升了 5-8%。2020 年，比亚迪将自主研发制造的SiC MOSFET 功率器件搭载在汉 EV 四驱高性能版上，实现了 200KW 的输出功率，功率密度提升一倍。预计到 2023 年，比亚迪将实现 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升 10%。目前，已有多家厂商推出了面向 HEV/EV 等电动汽车充电器的0%50%100%150%200%02468022E2023E2024E2025E纯电动汽车插电式混合动力汽车增长率0%5%10%15%20%25%30%35%40%20212025电动车

39、用SiC功率半导体比重 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。14 SiC 功率器件。未来随着 SiC 器件在车载充电器、DC/DC 转换以及充电桩中渗透率提升，市场空间有望快速扩大。图 21：SiC 器件发展路线图 图 22：特斯拉 Model 3 逆变器搭载 SiC MOSFET 模块 数据来源：Yole、东方证券研究所 数据来源：半导体行业观察、东方证券研究所 新能源车高电压平台大势所趋，新能源车高电压平台大势所趋，SiC 器件彰显优势。

40、器件彰显优势。近年来各车企纷纷通过提升功率来缓解新能源汽车的续驶焦虑和充电焦虑，而功率的增加一般有两种路径，即提高电流或电压。然而，大电流可能会导致较大的核心部件热损耗，因此高电压电气平台成为了首选。高电压平台要求电驱动系统的耐压性也要随之提升，而硅基器件无法承载电压的大幅升高，故 SiC 应用将逐步替代硅基IGBT 成为关键。相比之 IGBT，SiC 体积小、功率密度高、耐高压和高温能力强，可助力新能源车实现更长的续航里程、更短的充电时间和更强的动力性能。国内外车企纷纷布局国内外车企纷纷布局 800V 高压平台，高压平台，SiC 大规模车载应用可期。大规模车载应用可期。在相同功率下，800V

41、 电压平台较 400V 电压的电流减半，电池充电热量降低，且低成本、轻量化、EMC 干扰的降低，以及效率和续航的提升，让充电补能体验大幅增强。2019 年保时捷 Taycan 推出全球首款 800V 高电压电气架构，支持 350kw 大功率快充，15 分钟内电量可充到 80。近年来比亚迪、奥迪、吉利、小鹏等一众车企也纷纷开始布局800V高电压平台，预计各大车企基于800V高压平台方案将在2022年之后陆续上市，SiC 作为 800V 平台架构的最佳拍档有望大放异彩。图 23：SiC 是实现电驱动系统高压化的关键 图 24：新能源车 800V 高电压平台 数据来源：盖世汽车研究院、东方证券研究所

42、 数据来源：全球数据中心观察、东方证券研究所 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。15 表 3：全球部分 800V 高压平台车型统计 公司公司 产品产品 时间时间 电压电压 续航续航(km)充电表现充电表现 保时捷 Taycan 2018 年 800V 500 15min80%现代 Ioniq 5 2020 年 800V 500 5min100km 起亚 EV6 2020 年 800V 528 18min80%比亚迪 E 平台 3.0 202

43、1 年 800V-5min150km 奥迪 RS e-tron GT 2021 年 800V 470 20min80%广汽埃安 480kW 桩 V Plus 车 2021 年 800V-5min200km 小鹏 G9 车 480kW 桩 2021 年 800V-5min200km 长城汽车 沙龙机甲龙 2021 年 800V 802 10min800km 极狐 S华为 HI 版 2022 年 800V-10min200km 保时捷 Macan 预计 2023 年 800V-路特斯 路特斯 Type123 预计 2023 年 800V-20min80%悍马 悍马 EV 预计 2023 年 800

44、V-10min300km 奔驰 某 EV 预计 2025 年 800V-大众 Trinity 预计 2026 年 800V-数据来源：盖世汽车、第一电动网、懂车帝、各车企官网、东方证券研究所 800V 高压平台需要电源产品配套升级，充电桩等迎来发展良机。高压平台需要电源产品配套升级，充电桩等迎来发展良机。当动力电池电压平台升级到800V，当前的 OBC、DC/DC及充电桩等电源产品都需要从 400V等级提升至符合 800V电压平台的应用，SiC 器件由于其优异的特性也将开始大规模的应用。以充电桩为例，800V 高压充电桩在设计架构上区别于 400V 的重要特点是需要配置 SiC MOSFET，

45、以达到更快的充电速度和更好的器件耐压性。22 年 Wolfspeed 宣布参与搭载 SiC 技术的直流快速充电桩项目，总功率可达 350 kW，成本可降低 20-30%。国内车企也开始发力，广汽埃安于 2021 年 8 月发布 480kW 超级充电桩，小鹏也宣布 22Q4 起部署 480kW 高压超充桩，实现充电 5 分钟续航 200 公里。图 25：Wolfspeed 参与的 SiC 直流快速充电桩 图 26：小鹏 480kW 高压超级充电桩 数据来源：Wolfspeed、东方证券研究所 数据来源：小鹏官网、东方证券研究所 3.2 光伏产业快速发展，SiC 应用未来可期 电子行业深度报告 新

46、能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。16 全球和国内光伏新增装机量快速增长，成长天花板被打开。全球和国内光伏新增装机量快速增长，成长天花板被打开。根据 CPIA 预测，乐观情况下，全球光伏年新增装机在 2022年将首次突破 200GW，达到 225GW 的水平，到 25年全球年新增装机将达到 330GW，20-25 年光伏新增装机的复合增长率达 20%；2025 年我国新增装机规模将达到110GW，相当于 2020 年底的 3.7 倍。图 27：2015-202

47、5 全球光伏新增装机量（GW）图 28：2015-2025 中国光伏新增装机量（GW）数据来源：CPIA、东方证券研究所 数据来源：CPIA、东方证券研究所 光伏逆变器出货量高速增长，光伏逆变器出货量高速增长，IGBT 作为逆变器“心脏”作用凸显。作为逆变器“心脏”作用凸显。光伏逆变器是光伏系统的核心部件，可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电系统或供离网的电网使用。根据 IHS Markit，近年来光伏产业的快速发展带动光伏逆变器市场规模快速提升，2020 年全球光伏逆变器的市场规模为 136GW，2025 年将有望达到 401GW，20-25 年 CAGR 为 24%。光

48、伏逆变器成本结构方面，半导体器件和集成电路材料主要为 IGBT 元器件和 IC 半导体，其中以IGBT为主的半导体器件在驱动保护、过电流短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨大作用，是逆变器的“心脏”，约占逆变器成本的 12左右。图 29：20-25 年全球光伏逆变器市场规模及增速 图 30：光伏逆变器成本占比情况 数据来源：IHS Markit、东方证券研究所 数据来源：中商情报网、东方证券研究所 SiC 器件可有效提高光伏逆变器性能，有望逐步替代硅基器件可有效提高光伏逆变器性能，有望逐步替代硅基 IGBT 成为逆变器核心。成为逆变器核心。相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低

49、的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。根据 SiC 芯观察数据，采用 SiC 器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的 96%提升至 SiC 0500300350乐观情况保守情况020406080100120乐观情况保守情况0%5%10%15%20%25%30%35%40%050030035040045020202021E2022E2023E2024E2025E全球光伏逆变器市场规模（GW）增速25%13%13%9%5%5%4%4%4%3%7

50、%8%机构件电感半导体器件电容集成电路PCB线路板控制组件连接器变压器包装类光伏系统组件其他 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。17 MOSFET 的 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍。未来应用于光伏领域的SiC逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。图 31：SiC MOS 与 IGBT 开关特性比较图 图 32：各功率晶体管结构、耐压、导通电阻和开关速度比较 数据

51、来源：电子产品世界、东方证券研究所 数据来源：techclass、东方证券研究所 国内光伏逆变器厂商加快布局，为国内光伏逆变器厂商加快布局，为 SiC 国产化提供历史性机遇。国产化提供历史性机遇。随着中国光伏装机量的增长，中国本土厂商加快技术与产品升级，在全球已占据重要位置。在出货量排名前十的供应商中有六家是中国供应商，其中华为以 23%的市占率位居榜首，国内逆变器厂商在全球逆变器市场中占据超六成市场份额。未来随着新能源替代传统燃料进程加速，逆变器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向发展，SiC 器件有望受益于本土供应链优势，迎来发展良机。根据 SiC 芯观察数据显示，2020 年 SiC 光

52、伏逆变器占比为 10%，预计 2035 年占比将达到 75%，未来空间十分广阔。图 33：2020 年全球光伏逆变器出货量市场份额 图 34：SiC 光伏逆变器占比及预测 数据来源：Wood Mackenzie、东方证券研究所 数据来源：SiC 芯观察、东方证券研究所 3.3 SiC 器件在轨道交通领域持续渗透 在大容量、轻量化和节能化要求下，轨道交通领域采用在大容量、轻量化和节能化要求下，轨道交通领域采用 SiC 大势所趋。大势所趋。随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限，SiC 功率器件成为重点发展方向，以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求。与传统硅基 IGBT 牵

53、引逆变器相比，全 SiC 牵引逆变器能耗能够降低10%以上。2014 年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V/1500A 全 SiC 功率模块23%19%7%5%5%5%4%4%4%4%3%17%华为阳光电源SMAPower Electronics古瑞瓦特锦浪科技Fimer上能电气固德威TMESICSolarEdge其它10%50%70%75%0%10%20%30%40%50%60%70%80%20202025E2030E2035E碳化硅光伏逆变器占比 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或

54、请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。18 逆变器，开关损耗降低 55%，体积和重量减少 65%，电能损耗降低 20%36%。根据 CASA 预测，未来 30 年内，轨道交通应用中 90%的硅 IGBT 将被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 数据显示，铁路 SiC 市场将从 2019 年的 900 万美元增长到 2025 年的 1.18 亿美元，CAGR 达到 55%。图 35：轨道交通中 SiC 功率器件占比预测 图 36：全球铁路 SiC 营收（百万美元）数据来源：CASA、东方证券研究所 数据来源：Yole、东方证券研究所 国内外厂商纷纷布局轨交系统国内外

55、厂商纷纷布局轨交系统 SiC 器件。器件。2015 年，日本三菱公司推出了高性能平面栅 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模块产品，并在全世界首次将全 SiC 模块应用到轨道交通牵引变流系统中。近年来随着新能源产业的蓬勃发展，SiC 加快渗透进入轨交领域。日本 N700S 新干线、西门子 Velaro 列车等也大面积采用了 SiC 牵引系统，截至 2021 年 6 月，国内也已经有苏州三号线、深圳地铁1号线等6条地铁线路采用了SiC技术。目前中国的时代电气、天岳先进，日本的东芝、三菱、日立，以及欧美的 Wolfspeed、英飞凌，都已在发力轨道交通 SiC 产业链。我国高铁建

56、设目前已拥有世界领先水平，中国巨大的应用需求是国产 SiC 的“沃土”，国内厂商有望借助庞大市场确立先发优势。图 37：苏州 3 号线 SiC 模块 图 38：深圳地铁 1 号线采用 SiC 牵引逆变器 数据来源：第三代半导体风向、东方证券研究所 数据来源：第三代半导体风向、东方证券研究所 4 投资建议投资建议 由于下游需求旺盛，SiC 产业链相关企业将因此受益。建议关注国内领先的化合物半导体材料与器件全产业链布局的三安光电(600703，买入)、SiCMOCVD设备企业中微公司(688012，买入)、0%20%40%60%80%100%20050硅基IGBT器件混合Si

57、C器件全SiC器件SiC分立器件020406080192025 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。19 SiC 衬底企业天岳先进(688234，未评级)、以及发展半导体 IDM 业务的闻泰科技(600745，买入)、华润微(688396，买入)等。4.1 三安光电：LED 龙头，大力发展化合物半导体业务 三安光电三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、主要从事化合物半导体材料与器件的

58、研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、SiC、磷、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司产品应用广泛，包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。2018 年公司斥资 333 亿元建设福建泉州南安高新技术产业园区，投资 III-V 族化合物半导体材料、LED 外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC 材料及器件、特种封装等产业。三安光电已实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。表 4：三安光电主要产品系列 板块 材料

59、主要产品 产品系列 应用领域 光电 GaAs、GaN LED 外延片 红色、黄色、橙色、黄绿色、紫色、蓝色、绿色 LED 产业链的上游产品，用于生产 LED 芯片。LED 芯片 红色、黄色、橙色、黄绿色 提供给 LED 封装厂商用于生产 LED 终端产品，可广泛应用于照明、显示、背光、农业、医疗等众多领域。紫色、蓝色、绿色 LED 车灯 前灯、后尾灯、室内灯、标志灯 LED 产业下游产品，提供给汽车主机厂进行整车组装。射频前端 GaAs、GaN、LT/LN 射频芯片 HBT、pHEMT、HEMT 终端、基站、无线局域网络、卫星通讯、智能穿戴、无人驾驶、机器人等领域。滤波器芯片 SAW、TC-S

60、AW 4G、5G 无线通信、自动驾驶、物联网、卫星等领域。电力电子 GaN、SiC 电力电子芯片 二极管、三极管、MOSFET 广泛应用在消费电子、工业应用、电力传输以及航空航天等领域，如高铁、工业电机、充电桩、数据中心、太阳能逆变器等。光技术 GaAs、InP 光通讯芯片 PD、VCSEL、DFB 光通讯类：主要适用于 5G 网络、数据中心；消费类：主要用于 3D 识别、汽车无人驾驶、激光美容器等领域。数据来源：三安光电 2021 年年报、东方证券研究所 三安光电在三安光电在 SiC 下游市场已取得多点突破，下游市场已取得多点突破，并已并已实现实现对各对各细分应用市场标杆客户细分应用市场标杆

61、客户的的稳定供货。稳定供货。1）SiC 二极管二极管：在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家，出货客户超过 200 家，超过 60 种产品已进入量产阶段。并借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局，与国际标杆客户实现战略合作。a）已进入国内前 20 大客户：已进入 PFC 电源领域（维谛、比特、长城等）和光伏逆变器领域（阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等）等客户的供应链。b）已实稳定供货：已对车载充电机领域（威迈斯、比亚迪弗迪动力等）、家电领域（格力、长虹等）、充电桩及 UPS 领域（英飞源、科华、英威腾、嘉盛等）各细分应用市场标杆客户稳定供货。2)SiC MOSFET 工业级产品

62、工业级产品：已送样客户验证。3)SiC MOSFET 车规级车规级产品：产品：正配合多家车企做流片设计及测试，与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破。车和家（理想关联公司）与三安成立合资公司，车和家持有合资公司 70%股权，三安持有 30%股权。三安光电正致力于打造三安光电正致力于打造 SiC IDM 一体化平台，湖南项目陆续投产后将持续带动营收高增长。一体化平台，湖南项目陆续投产后将持续带动营收高增长。三安光电2021年报披露，集成电路新建项目规划产能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安，电力电子 SiC 配套产能扩充到 3 万片/月。其中，湖南三安项目包括长晶衬底制作外延生长芯片制 电子

63、行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。20 备封装产业链，总占地面积约 1,000 亩，总建筑面积超 50 万平米，项目达产后，配套产能约36 万片/年。图 39：三安光电历年营业总收入变化情况（亿元）图 40：三安集成全国制造基地分布图 数据来源：Wind、东方证券研究所 数据来源：三安光电官网、东方证券研究所 2022年中报显示，湖南三安电力电子碳化硅产能 6,000片/月、电力电子硅基氮化镓产能 1,000片/月，上半年实现营收 2.1 亿元

64、。4.2 中微公司：正开发 SiC 专用 MOCVD 设备 中微公司中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。1）等离子体刻蚀设备等离子体刻蚀设备：已应用于国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。2）MOCVD 设备设备：在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓

65、基 LED 设备制造商。截至 2022 年 6 月底，公司设备累计付运台数达 2654 个反应台，在客户 73 条生产线全面量产。表 5：中微公司主要产品示意图 产品类别 图示 应用领域 刻蚀设备 电容性高能等离子体刻蚀设备 主要应用于集成电路制造中氧化硅、氮化硅，低介电常数模和各种模板层等介质材料的刻蚀 电感性低能等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备 主要应用于在集成电路制造中单晶硅、多晶硅以及多种介质等材料的刻蚀 主要应用于 CMOS 图像传感器、MEMS 芯片、2.5D 芯片、3D 芯片等通孔及沟槽的刻蚀 MOCVD 设备 蓝绿光及紫外 LED 外延片和 SiC 材料功率器件的生产 数据来源：

66、中微公司 2022 年半年报、东方证券研究所-30%-10%10%30%50%70%02040608002020212022H1营业总收入营业总收入YOY 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。21 中微公司积极中微公司积极布局布局SiC材料功率器件外延生长设备材料功率器件外延生长设备和技术研和技术研发发，牵头人具有牵头人具有25年以上相关经年以上相关经验。验。根据公司公告，公司将总投资 37.56

67、亿元用于中微临港总部和研发中心项目，其中部分资金用于公司 7 类新产品的研发项，其中一种就是宽禁带功率器件外延生长设备，主要包括 SiC 材料功率器件的外延生长设备和技术的研发。该项目牵头人具有 25年以上化合物半导体材料外延工艺开发、设备研发及营运的经验。目前项目处于研究阶段，已拥有 10 余项专利技术储备，预计将持续至2025 年底。表 6：中微公司布局 SiC 材料功率器件外延生长设备和技术研发 项目名称项目名称 宽禁带功率器件外延生长设备的研发 研发内容研发内容 致力于开发适应宽禁带功率器件外延生产的量产型 CVD 设备，以满足产业的需求。时间安排时间安排 2021.01-2025.1

68、2 阶段进展阶段进展 研究阶段 研发成果研发成果 研发满足宽禁带功率器件外延生长的外延设备，产出的厚度均匀性与掺杂均匀性达到国际先进水平，并且开发一套与之相配套的宽禁带材料外延生长工艺。研发人员研发人员 项目由公司副总裁级主管人员牵头主持，在 CVD 设备上有着丰富的经验。项目牵头人具有 25 年以上化合物半导体材料外延工艺开发、设备研发及营运的经验。项目预计配备工艺工程师、产品工程师、机械工程师、电器工程师、软件工程师等，辅助人员包括现场服务工程师、现场工艺工程师、制造工程师、采购人员、装配人员等。专利及技术储备专利及技术储备 已拥有“一种用于热化学气相沉积的基片托盘和反应器与 001-17

69、-CN 同案”、“控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法”、“一种带有控温装置的气体喷淋装置以及真空处理装置”等专利在内的 10 余项专利。数据来源：中微公司公告、东方证券研究所 4.3 天岳先进：国内领先的 SiC 衬底企业 天岳先进主要从事天岳先进主要从事 SiC 衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。凭借卓越的研发及创新能力，天岳先进已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型 SiC 衬底、产品尺寸较全的SiC衬底生产商。1）半绝缘型：）半绝缘型：在发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景

70、下，公司自主研发出半绝缘型 SiC 衬底产品，实现了我国核心战略材料的自主可控。2）导电）导电型：型：公司已成功掌握导电型 SiC 衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型 SiC 衬底材料战略供应之余，进行导电型 SiC 衬底材料的研发和小批量销售，目前正在电力电子领域客户中进行验证。表 7：天岳先进 SiC 衬底主要产品 产品种类 图示 产品用途 半绝缘型 通过在半绝缘型 SiC衬底上生长氮化镓外延层，制得 SiC基氮化镓外延片，可进一步制成 HEMT 等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。导电型 通过在导电型 SiC衬底上生长 SiC外延层，制得 SiC同质外延片，

71、可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。数据来源：天岳先进招股书、东方证券研究所 电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。22 天岳先进半绝缘型产品已实现对国内下游核心客户的批量供货，并获得国外知名半导体公司认可。天岳先进半绝缘型产品已实现对国内下游核心客户的批量供货，并获得国外知名半导体公司认可。公司通过持续的技术研究和产品开发，于 2015 年实现了 4 英寸半绝缘型

72、SiC 衬底的量产能力。2018 年，公司通过下游行业主要的领先客户 A的验证并开始批量供货。随后，公司又获得下游行业主要客户 B的认证，并获得大批量订单，国内市场份额进一步提升。根据 yole报告统计，2021年公司在半绝缘 SiC 衬底领域，市场占有率连续三年保持全球前三。表 8：天岳先进产品在国内客户使用情况举例 客户名称 客户在产品的下游行业中领先地位 国内客户使用情况 客户 A 公司的半绝缘型 SiC 衬底产品可应用于无线电探测行业，可服务于航空航天、定位导航等市场。公司主要客户 A 是这些市场的主力军，占据行业技术主导地位。2018 年，客户 A 开始从进口逐步转向批量向公司采购半

73、绝缘型 SiC 衬底。2018-20 年，客户 A 对公司半绝缘型 SiC 衬底的采购额从近 7 万元上升至 20 万元。客户 B 公司的半绝缘型 SiC 衬底产品可制成信息通信射频器件 2018-20 年，客户 B 对公司的半绝缘型 SiC衬底采购额从 148 万元上升至 1.4 亿元。数据来源：天岳先进招股书、东方证券研究所 天岳先进天岳先进导电型导电型 SiC 衬底衬底部分部分送样送样已已陆续通过客户验证，陆续通过客户验证，正正加快提升导电型衬底产能建设。加快提升导电型衬底产能建设。2022年 7 月，公司与某客户签署重大合同，23 年至 25 年向合同对方销售 6 英寸导电型 SiC

74、衬底产品（用于功率），预计三年合计含税销售金额为 13.9 亿元。此外，2021 年公司募投资金 25 亿元用于“SiC 半导体材料项目”。该项目主要用于生产 6 英寸导电型 SiC衬底材料，预计 2022Q3 实现一期项目投产，于 2026 年达产后，将新增 SiC衬底材料产能约 30 万片/年，将用于满足下游电动汽车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等 SiC 电力电子器件应用领域的广泛需求。未来，产能的逐步投产将有助于天岳先进市场占有率的进一步提高。图 41：公司 SiC 半导体材料项目进程 数据来源：天岳先进招股书、东方证券研究所 4.4 闻泰科技：安世半导体 SiC 二极管产品已

75、经出样 闻泰科技主营业务包括半导体闻泰科技主营业务包括半导体 IDM、光学影像、通讯产品集成三大业务板块、光学影像、通讯产品集成三大业务板块。目前已经形成从半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备，到光学影像、通讯终端、笔记本电脑、IoT、服务器、汽车电子产品研发制造于一体的全产业链布局。旗下安世半导体是全球知名的半导体IDM 公司，是原飞利浦半导体标准产品事业部，有 60 多年半导体研发和制造经验，客户超过 2.5万个，产品种类超过 1.5 万种，每年新增 800 多种新产品，全部为车规级产品。电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重

76、要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。23 图 42：闻泰科技全球产业布局 数据来源：闻泰科技公司官网、东方证券研究所 安世半导体安世半导体 SiC 技术研发进展顺利，技术研发进展顺利，SiC 二极管产品已经出样二极管产品已经出样。2021 年，闻泰科技半导体业务研发投入 8.37 亿元，进一步加强了在中高压 MOSFET、化合物半导体 SiC 和 GaN 产品、IGBT 以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面，闻泰目前已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET)，已通过 AECQ 认证测试并实现量产，并协同产业合作伙伴完成了

77、 GaN 在电动车逆变器、电控、电源等方案的设计工作。SiC 技术研发也进展顺利，SiC 二极管产品已经出样 IGBT 产品方面，目前产品流片已经完成，正处测试验证阶段。新的模拟 IC 类产品也正处在加速研发推进中。图 43：安世半导体产品线研发进展 数据来源：闻泰科技公司公告、东方证券研究所 5 风险提示风险提示 下游需求不及预期：下游需求不及预期：新能源车、光伏、轨交等领域是 SiC 未来的重要增量市场，若下游需求和渗透率不达预期，会对 SiC 行业的发展产生不利影响；成本下降成本下降不及预期：不及预期：目前 SiC 器件的成本仍数倍于硅基器件，若 SiC 制造成本下降不及预期，对市场渗透

78、率将产生不利影响；技术研发进度不及预期：技术研发进度不及预期：国外龙头在 SiC 技术方面具有先发优势，若国内企业技术研发进度无法满足下游应用要求，会对 SiC 国产化产生不利影响。电子行业深度报告 新能源东风已至，碳化硅御风而起 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。24 分析师申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明：每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明：分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该

79、证券或发行人的看法和判断；分析师薪酬的任何组成部分无论是在过去、现在及将来，均与其在本研究报告中所表述的具体建议或观点无任何直接或间接的关系。投资评级和相关定义 报告发布日后的 12 个月内的公司的涨跌幅相对同期的上证指数/深证成指的涨跌幅为基准；公司投资评级的量化标准公司投资评级的量化标准 买入：相对强于市场基准指数收益率 15%以上；增持：相对强于市场基准指数收益率 5%15%；中性：相对于市场基准指数收益率在-5%+5%之间波动；减持：相对弱于市场基准指数收益率在-5%以下。未评级 由于在报告发出之时该股票不在本公司研究覆盖范围内，分析师基于当时对该股票的研究状况，未给予投资评级相关信息

80、。暂停评级 根据监管制度及本公司相关规定，研究报告发布之时该投资对象可能与本公司存在潜在的利益冲突情形；亦或是研究报告发布当时该股票的价值和价格分析存在重大不确定性，缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确投资评级；分析师在上述情况下暂停对该股票给予投资评级等信息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该股票的投资评级、盈利预测及目标价格等信息不再有效。行业投资评级的量化标准行业投资评级的量化标准：看好：相对强于市场基准指数收益率 5%以上；中性：相对于市场基准指数收益率在-5%+5%之间波动；看淡：相对于市场基准指数收益率在-5%以下。未评级：由于在报告发出之时该行业不在本公司研究覆盖范围内，分析

81、师基于当时对该行业的研究状况，未给予投资评级等相关信息。暂停评级：由于研究报告发布当时该行业的投资价值分析存在重大不确定性，缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确行业投资评级；分析师在上述情况下暂停对该行业给予投资评级信息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该行业的投资评级信息不再有效。免责声明 本证券研究报告（以下简称“本报告”）由东方证券股份有限公司（以下简称“本公司”）制作及发布。本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告的全体接收人应当采取必要措施防止本报告被转发给他人。本报告是基于本公司认为可靠的且目前已公开的信息撰写，本公司力求但不保证该信息的准确性和完整性，客户

82、也不应该认为该信息是准确和完整的。同时，本公司不保证文中观点或陈述不会发生任何变更，在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的证券研究报告。本公司会适时更新我们的研究，但可能会因某些规定而无法做到。除了一些定期出版的证券研究报告之外，绝大多数证券研究报告是在分析师认为适当的时候不定期地发布。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需求。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况，若有必要应寻求专家意见。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为或被视为出售或购买证券或

83、其他投资标的的邀请或向人作出邀请。本报告中提及的投资价格和价值以及这些投资带来的收入可能会波动。过去的表现并不代表未来的表现，未来的回报也无法保证，投资者可能会损失本金。外汇汇率波动有可能对某些投资的价值或价格或来自这一投资的收入产生不良影响。那些涉及期货、期权及其它衍生工具的交易，因其包括重大的市场风险，因此并不适合所有投资者。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任，投资者自主作出投资决策并自行承担投资风险，任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。本报告主要以电子版形式分发，间或也会辅以印刷品形式分发，所有报告版权均归

84、本公司所有。未经本公司事先书面协议授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容。不得将报告内容作为诉讼、仲裁、传媒所引用之证明或依据，不得用于营利或用于未经允许的其它用途。经本公司事先书面协议授权刊载或转发的，被授权机构承担相关刊载或者转发责任。不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。提示客户及公众投资者慎重使用未经授权刊载或者转发的本公司证券研究报告，慎重使用公众媒体刊载的证券研究报告。HeadertTable_Address 东方证券研究所 地址：上海市中山南路 318 号东方国际金融广场 26 楼 电话： 传真： 网址：