硅刻蚀与金属刻蚀占刻蚀设备投资比重的50% 原图定位 介质刻蚀和硅刻蚀设备分别占刻蚀设备投资的 48%和 47%。按照刻蚀的目标薄膜可以将等离子体刻蚀分为介质等离子体刻蚀、硅等离子体刻蚀、金属等离子体刻蚀三大类,其中介质刻蚀主要使用 CCP 设备硅刻蚀和金属刻蚀主要使用 ICP 设备。介质刻蚀和硅刻蚀设备分别占刻蚀设备投资的 48%和 47%,金属刻蚀大概占 3-4%。根据 2020 年 4 月 14 日 Semi最新的数据显示,2019 年全球半导体制造设备销售额达到 598 亿美元,中国半导体销售额达到 134.5 亿美元,按照刻蚀设备占晶圆厂设备投资的 19%,以及介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀占刻蚀设备投资的 48%、47%和 3%来计算,则国内介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀市场规模分别为 87.0 亿元、85.2 亿元和 5.4 亿元。