激光剥离技术是十分具备竞争力的 MicroLED 巨量转移技术。激光剥离技术主要利用激光能量分解 GaN/蓝宝石界面处的 GaN 缓冲层,从而实现 LED 外延片从蓝宝石衬底分离。选择性激光剥离技术可以直接将部分 LED 芯片选择性地转移到背板上,从而简化了巨量转移过程,有望提高转移效率和良率,是未来具有竞争力的巨量转移技术。
激光剥离技术是十分具备竞争力的 MicroLED 巨量转移技术。激光剥离技术主要利用激光能量分解 GaN/蓝宝石界面处的 GaN 缓冲层,从而实现 LED 外延片从蓝宝石衬底分离。选择性激光剥离技术可以直接将部分 LED 芯片选择性地转移到背板上,从而简化了巨量转移过程,有望提高转移效率和良率,是未来具有竞争力的巨量转移技术。