LPCVD台阶覆盖率更好 原图定位 LPCVD 台阶覆盖率更好,常用于沉积多晶硅, SiO2 和 Si3N4。LPCVD 是指低压下的化学气相沉积法,由于低压的原因,边界层距离硅片表面更远,边界层的分子密度低,使得进入的气体分子很容易通过这一层扩散,使硅片表面接触足够的反应气体分子。过程发生大量碰撞,沉积的材料无序撞击硅片表面,有助于提高台阶覆盖和孔填充能力。LPCVD 的优点是:(1)更长的分子自由程 (MFP);(2)较佳的台阶覆盖能力和均匀性,较少产生颗粒;(3)不依赖于气流量及其分布,硅片可以竖直密集摆放;(4)多为低温工艺。但缺点是:(1)沉积速率慢。LPCVD 常用于沉积多晶硅, SiO2 和 Si3N4。