图3.正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)的区别
原图定位
表 1: 正性光刻胶(正胶)与负性光刻胶(负胶)对比 ............................. 6 表 2: 光刻胶的类型和品种 ..................................................... 7 表 3: 光刻胶配套试剂种类及用途 ............................................... 7 表 4: 不同类型光刻胶对应不同成膜树脂 ........................................ 12 表 5: 半导体光刻胶对应的感光剂主要分为 PAC与 PAG两种 ........................ 13 表 6: 高端光刻胶需要 semi标准 G4等级以上高纯试剂 ............................ 14 表 7: 已发表科研论文中的 EUV光刻胶技术路线及性能汇总 ........................ 14 表 8: 光刻胶研发项目设备支出高昂(晶瑞电材 2021年公告) ..................... 15 表 9: 光刻机高端机型设备昂贵(ASML2022年年报) .............................. 15 表 10: 半导体光刻胶适用制程节点 ............................................. 18 表 11: 部分国内晶圆厂 12寸规划产能 .......................................... 19 表 12: 国内半导体光刻胶市场需求预测 ......................................... 21 表 13: 全球主要光刻胶厂商 ................................................... 22 表 14: 2022 年彤程新材涉及政府补助的光刻胶项目(单位:元) ................... 24 表 15: 国内各光刻胶厂商产品进展(截至 2023年 12月 31日) .................... 25 表 16: 国内厂商半导体 KrF光刻胶、ArF光刻胶产品进展(截至 2023年 12月 31日) . 25 1.光刻胶是光刻工艺的关键材料 1.1.光刻胶按应用可分为半导体、PCB 和显示三类,半导体光刻胶壁垒最高 光刻胶是光刻工艺的关键材料,光刻工艺是集成电路制造的核心工艺。光刻胶是利用光化学反应,经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质,是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的 40%-50%。以集成电路为例,光刻工艺的过程可概括为涂胶、曝光、显影等环节。(1)涂胶:在晶圆衬底片上涂覆光刻胶,并进行前烘去除溶剂;(2)曝光:透过掩膜版,经紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射曝光,使曝光部分的感光组分发生化学反应;(3)显影:烘烤后通过显影将光刻胶部分溶解,形成图形从掩膜版到衬底片的转移。