CMOS图像传感器技术趋势 原图定位 半导体工艺改进将有望实现 TOF 传感器小型化。ToF 传感器厂商通过半导体工艺方案的改进,如背照式(BSI)、堆栈式(Stacked)CMOS 等技术,将原本位于光电二极管上方的布线层移至下方,以及将光电转换器、电子倍增器(electron multipier)这些部分垂直堆叠,增大像素开口率,同时减小像素尺寸。目前根据松下最新的研究成果,dToF 传感器也可以用 CMOS 工艺实现,集成度已经在数量级上逼近 iToF 方案。