铌酸锂调制器按照驱动类型可分为单臂单驱和单 原图定位 薄膜铌酸锂可通过 smart-cut技术来制备,从而解决传统铌酸锂调制器体积过大的问题。为了从晶圆上得到铌酸锂薄膜,需要先使用 He离子束轰击铌酸锂晶圆,控制注入的力度使得离子在距离晶圆表面适当的位置停留下来。完成离子注入后,再将铌酸锂 wafer倒置扣在其他衬底的表面进行真空键合,加热后注入的离子散发,铌酸锂晶体上的薄层就渗入到硅衬底的表面。