英伟达GH200GPU首发HBM3E 原图定位 高性能计算驱动 HBM加速迭代,HBM3升级,HBM3E 已在路上。高性能计算驱动数据中心 HBM需求井喷,HBM升级速度近年明显加快。SK海力士于 2021年 10 月宣布成功开发出容量为 16GB的 HBM3 DRAM,2022年 6月初即宣布量产。仅过去 10个月,SK海力士官网再次宣布已成功开发出垂直堆叠 12个颗 DRAM芯片、容量高达 24GB的 HBM3新品,并正在接受客户公司的性能验证。与此同时,海力士第五代 HBM 内存 HBM3E 已在路上。英伟达于 2023 年 8 月 8 日发布的最新 GH200 预计将搭载 HBM3E内存,并将于 2024年 Q2出货。根据公开信息披露,该 HBM3E芯片单 pin最大带宽达 8Gb/s,单栈最大带宽达 1Tb/s,较上一代 HBM3提升 25%。