SiC产业链较长，每个环节对技术和资本的投入要求都较高 原图定位

3.2 半导体周期性“寒冬”下 SiC 赛道持续火热，全球厂商持续加码研发扩产 经历数十年的多次迭代和优化，硅基器件已经接近材料的物理极限。同时现代电子技术的发展也对半导体材料在高温、高频、高压、抗辐射等方面的表现提出更高要求。以 SiC为代表的第三代半导体材料应运而生。作为第三代半导体材料，碳化硅（SiC）相较于传统的硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造耐高温、高压、高频、大功率的功率器件。 从缺芯潮缓解转向下游终端市场需求低迷，国内功率器件市场供需关系的恶化掣肘了行业发展。在半导体赛道的周期性“寒冬”之下，各家企业相继采取措施，减产、缩减投资等逐渐成为行业厂商度过危机的主要方式之一。在此背景下，SiC 的建厂扩产热潮却愈演愈烈。