碳化硅产业链大致可分衬底、外延、器件三部分 原图定位 碳化硅为第三代半导体材料,电气特性优势突出。受限于摩尔定律,传统硅基半导体物理性能逐渐不适于下游行业发展需求,以碳化硅为代表的第三代半导体材料,禁带宽度大因而耐高温、击穿电场高因而耐高压、热导率高因而易散热、饱和电子漂移速率高因而功率密度大,在高频、高压、高温等场景中,碳化硅材料能够减少能量损失并缩小器件体积,性能优势十分明显。根据 Wolfspeed 和应用材料公司官网数据,碳化硅MOSFET 能量损耗可以减少为同开关频率硅基 IGBT 的 30%,尺寸可以减少为同电压硅基 MOSFET 的十分之一。