公司的 CCP刻蚀差异化程度高:中微公司已成功开发双反应台甚高频去耦合等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE、PrimoAD-RIE、单反应台多腔介质刻蚀设备 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE和双反应台介质刻蚀除胶一体机 Primo iDEA等 CCP刻蚀设备,涵盖 65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、14纳米、10纳米、7纳米和 5纳米微观器件的众多刻蚀应用,并开始瞄准后端制程,如金属孔刻蚀、钝化层刻蚀等,在前端制程也已经做到了 10nm以下工艺,如硬膜板刻蚀。CCP刻蚀设备为目前公司刻蚀系列的主要差异化产品。
公司的 CCP刻蚀差异化程度高:中微公司已成功开发双反应台甚高频去耦合等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE、PrimoAD-RIE、单反应台多腔介质刻蚀设备 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE和双反应台介质刻蚀除胶一体机 Primo iDEA等 CCP刻蚀设备,涵盖 65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、14纳米、10纳米、7纳米和 5纳米微观器件的众多刻蚀应用,并开始瞄准后端制程,如金属孔刻蚀、钝化层刻蚀等,在前端制程也已经做到了 10nm以下工艺,如硬膜板刻蚀。CCP刻蚀设备为目前公司刻蚀系列的主要差异化产品。