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1、机械设备机械设备 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1/20 机械设备机械设备 2024年 02月 05日 投资评级：投资评级：看好看好（维持维持）行业走势图行业走势图 数据来源：聚源 携中国制造优势，出海寻求多元化收益行业周报-2024.1.28 特斯拉机器人进入研发迭代尾声，2025 年将成为放量里程碑行业点评报告-2024.1.26 连接器在机器人领域的应用探讨行业周报-2024.1.21 AI 浪潮势不可挡，国浪潮势不可挡，国产半导体设备产半导体设备迎迎先进先进工艺产线工艺产线资本开支资本开支潮潮 行业深度报告行业深度报告 孟鹏飞（分析师）孟鹏飞（分析师） 证书编号：S07905

2、22060001 AI 浪潮势不可挡浪潮势不可挡，国国内内先进制程先进制程与与先进封装先进封装产线资本开支加速产线资本开支加速 高性能运算（HPC）已经成为全球半导体产业发展的核心支柱，算力升级离不开 AI GPU 的支撑。AI GPU 首先要通过先进制程工艺制造存储与逻辑芯片，再采用 2.5D/3D 先进封装工艺来提升系统性能。目前，国内两大存储厂已分别在 3D NAND、LPDDR5 取得技术突破，高性能 AI 芯片出海代工受限加剧国内 FinFET 产能紧缺，终端龙头回归推动长电科技、通富微电等封测厂商加大在先进封装领域布局。在瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升的背景下，国

3、内存储、先进逻辑、先进封装产线扩产确定性强。先进先进存储、逻辑产线存储、逻辑产线对刻蚀对刻蚀、薄膜薄膜沉积沉积、外延、外延、量检、量检测设备测设备需求量需求量增加增加 刻蚀：刻蚀：根据 Yole，存储器件芯片结构从二维向三维转变使得等离子体刻蚀成为步骤最多、最关键的工序，2025 年预计占 3D NAND 制造设备总规模的 73%，极高深宽比刻蚀是 3D NAND 向 200 层甚至 300 层以上升级过程中最关键的工艺。因多次曝光的引入，12 寸先进逻辑产线刻蚀设备用量是成熟制程产线的2.4 倍，一体化大马士革刻蚀为 28 纳米以下逻辑器件制造最核心的工艺之一。薄膜薄膜沉积沉积：先进逻辑产线

4、约需超过 100 道薄膜沉积工序，是 90nm CMOS 工艺的 2.5 倍。其中，ALD 设备因可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，成为先进逻辑、存储器件制造中必需的薄膜设备。外延外延：在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅外延技术来加大 PMOS 的压应力，以提高器件整体响应速度。除以上三类设备外，先进逻辑产线对炉炉管管、量检测、量检测等设备用量也提升，平台型厂商更受益于先进逻辑产线的扩产。CoW 固晶、固晶、CMP、电镀、电镀、键合、量检测键合、量检测、光刻、光刻为为先进封先进封装装高价值量高价值量环节环节 HBM 使用 3D 封装工艺，并与 G

5、PU 通过 CoWoS 2.5D 封装水平互联。以 2024-2033 年国内智能算力需求测算，我们预计先进封测设备总投资有望达到 661.1亿元，其中 CoW 倒装固晶（12.5%）、CMP(7.5%)、电镀(7.5%)、临时键合与解键合(7.5%)、量检测（6.7%）、光刻（6.3%）产线价值量占比合计 47.9%。先进封装对晶圆级设备的性能要求低于前道产线，国产前道设备厂商向先进封装领域布局属于技术降维，未来在国内先进封装产线有望占据较高份额。对于后道封测设备厂商来说，更先进的封装工艺对设备要求提升，国产厂商在成品测试、分选等环节技术实力强，相比之下在固晶、切割、研磨、塑封等环节实力稍弱

6、，未来市场份额预计稳步提升。供应链自主供应链自主可控可控为产业共识，半导体前、后道设备为产业共识，半导体前、后道设备厂商市占率厂商市占率有望提升有望提升 受益于存储、先进逻辑扩产，受益于存储、先进逻辑扩产，前道设备有望前道设备有望边际边际签单提速签单提速，受益标的：，受益标的：中微公司（等离子刻蚀）、芯源微（涂胶显影）、北方华创（平台型）、盛美上海（平台型）、中科飞测（量检测）、拓荆科技（CVD）。先进封装先进封装为为后道设备商带来增后道设备商带来增长弹性长弹性，受益标的：，受益标的：赛腾股份、快克智能、芯碁微装。风险提示：风险提示：产线扩产进度、力度不及预期，设备国产化率提升不及预期。-38

7、%-29%-19%-10%0%10%-062023-10机械设备沪深300相关研究报告相关研究报告 开源证券开源证券 证券研究报告证券研究报告 行业深度报告行业深度报告 行业研究行业研究 行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2/20 目目 录录 1、核心内容一图.3 2、先进存储、逻辑产线资本开支加大，国产半导体前道设备新签订单有望边际提速.3 2.1、供需改善与高端突破并进，国内存储产线扩产确定性强规模大.3 2.2、手机龙头回归、AI 芯片海外代工受限，中国大陆 FinFET 产能紧缺.5 2.3、先进工艺对刻蚀、薄膜、量检测等设备需求量

8、增加，ALD、外延为刚需.5 2.4、瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升，共同助力先进产能扩张.9 3、接力先进制程，先进封装成为算力时代大赛道.10 3.1、AI GPU需求激增，国内有望新增 661.1 亿元先进封装设备市场.10 3.2、2.5D/3D 先进封装引入晶圆级工艺、提升对后道封测设备要求.11 3.3、CoW 倒装固晶、CMP、电镀、键合等为高价值量环节.13 3.4、设备端：前道厂商技术降维，后道厂商市占率稳步提升.14 4、供应链自主可控为产业共识，半导体前、后道设备国产化率有望进一步提升.14 4.1、中微公司：手握大马士革、极高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机龙头

9、.14 4.2、芯源微：前道涂胶显影国产化先锋、先进封装键合设备国产领军.15 4.3、北方华创：国内半导体设备种类布局最广的平台型龙头.15 4.4、盛美上海：围绕清洗、电镀设备向平台型厂商延伸.16 4.5、中科飞测：引领半导体质量控制设备国产替代.16 4.6、拓荆科技：CVD 国产龙头，布局混合键合设备.16 4.7、快克智能：精密锡焊龙头，倒装固晶机黑马.17 4.8、赛腾股份：收购海外优质资产，进军半导体晶圆检测市场.17 4.9、芯碁微装：主营微纳直写光刻设备，已供货国内主流先进封装厂商.17 5、风险提示.18 图表目录图表目录 图 1：AI 浪潮势不可挡，国内先进制程与先进封

10、装产线资本开支加速.3 图 2：DXI（DRAM 价格）指数抬升.4 图 3：2024Q1 NAND Flash 市场有望维持涨价.4 图 4：全球 DRAM 市场 CR3 达到 95.5%（2023Q3）.4 图 5：长江存储在全球 NAND 市场的份额很低（2021-2023 年）.4 图 6：NAND 升级对光刻设备投资增速约为 10%，低于先进逻辑/DRAM 的 30%/20%.5 图 7：根据 Yole 数据，2025 年刻蚀设备占 3D NAND 设备规模的 73%.6 图 8：刻蚀与沉积是 3D NAND 制造中最关键的工艺.6 图 9：月产 1万片晶圆的 12 寸先进产线所需刻

11、蚀设备是成熟产线的 2.4倍.7 图 10：先进逻辑产线利用多次曝光弥补光刻机分辨率.7 图 11：DRAM 中具有高深宽比特征的电容器薄膜沉积需要 ALD 设备.7 图 12：3D NAND 有 6 类薄膜需要 ALD 设备来沉积.8 图 13：锗硅外延增加 PMOS 压应力.8 图 14：先进逻辑产线对氧化/高温/退火、量检测等设备用量也提升.9 图 15：2023Q2 开始，国内加大光刻机囤货力度.9 图 16：国产半导体设备工艺覆盖度不断拓宽.10 图 17：A100 采用 cowos 工艺 封装.10 图 18：AI GPU 中 HBM 与 GPU 通过 cowos 2.5D 封装水

12、平互联.11 图 19：Bumping 融合多种晶圆级工艺.12 图 20：在硅中介层表面形成 RDL完成芯片的水平通信.12 图 21：HBM 封装全流程.12 图 22：3D 封装要求更高的互联密度，使用 TCB 热压键合/混合键合替代倒装键合.13 图 23：前道制程技术节点向 2纳米前进，但封装段互联间距仍处于微米级.14 表 1：2024-2033 年国内先进封装设备投资额有望达到 661.1 亿元.11 表 2：先进封装各环节价值量拆分.13 表 3：受益标的估值表.18 eWyXxVhXiZbVoX9P8Q9PnPpPnPnRjMrRtRiNnNtN7NmNrRwMrRsQNZq

13、NwO行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 3/20 1、核心内容一图核心内容一图 图图1：AI 浪潮势不可挡，国内先进制程与先进封装产线资本开支加速浪潮势不可挡，国内先进制程与先进封装产线资本开支加速 资料来源：中国海关、海力士官网、中芯国际、台积电、长江存储官网、长鑫存储官网、开源证券研究所 2、先进先进存储存储、逻辑、逻辑产线产线资本开支加大，国产资本开支加大，国产半导体前道设备半导体前道设备新签新签订单订单有望有望边际边际提速提速 2.1、供需改善供需改善与与高端突破高端突破并进并进，国内国内存储产线扩产确定存储产线扩产确定性性强强规模大规模大 受益于受益于

14、存储原厂持续减产存储原厂持续减产、AI 升级带动升级带动 DDR5、HBM 需求需求等因素影响等因素影响，2024年年 DRAM 和和 NAND 芯片价格芯片价格有望延续上升态势有望延续上升态势，存储行业景气度有望改善，存储行业景气度有望改善。2022Q4 开始存储原厂相继启动减产，SK 海力士 2023 年资本开支同比减少 50%至约 10 万亿韩元，并预计 2024 年资本开支同比小幅增长。美光预计 2024 年晶圆开工率仍将显著低于 2022 年的水平，同时预计 2024 年存储行业将供小于求。根据TrendForce 预测，2024年 Q1 DRAM 合约价季涨幅 1318%，NAND

15、 Flash 合约价平均季涨幅 1520%。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4/20 图图2：DXI（DRAM 价格）价格）指数抬升指数抬升 图图3：2024Q1 NAND Flash 市场有望维持涨价市场有望维持涨价 数据来源：Wind、开源证券研究所 数据来源：TrendForce 存存储器储器行业行业作为半导体产业的核心支柱之一，具备作为半导体产业的核心支柱之一，具备空间大、标化程度高、重资空间大、标化程度高、重资本开支本开支的特点的特点，是是后发后发玩家追赶甚至超越先行者玩家追赶甚至超越先行者的的关键赛道。关键赛道。中国大陆中国大陆两大存储龙两大存储龙

16、头头在在 3DNAND、先进、先进 DRAM 芯片芯片核心技术上已实现重要突破，但核心技术上已实现重要突破，但市占率与海外巨市占率与海外巨头头相比相比仍仍存在较大差距存在较大差距，需要需要持续扩产以持续扩产以带来规模效应和带来规模效应和在全球市场在全球市场上上的议价权的议价权。图图4：全球全球 DRAM 市场市场 CR3 达到达到 95.5%（2023Q3）图图5：长江存储在全球长江存储在全球 NAND 市场的份额市场的份额很低（很低（2021-2023 年）年）数据来源：Trendforce、开源证券研究所 数据来源：Yole 3D NAND：技术端，2022 年长江存储首发 232 层产品

17、，基本追平与海外3DNAND 产品的代际差。产能端，长江存储于 2016 年投资 240 亿美元建设 3D NAND Flash 工厂，一期总产能 30 万片/月。3D NAND 容量增加主要通过堆栈加层，相较于先进 DRAM 和逻辑对电路线宽的要求更简单，主要使用 ArFi 和干法光刻设备。根据 ASML 测算，随着堆叠层数增加，NAND 对光刻设备投资增速约为 10%，低于先进逻辑/DRAM 的 30%/20%。010,00020,00030,00040,00050,0002022-01-282023-01-28DXI指数39.6%30.1%25.8%2.0%0.9%0.2%1.4%三星S

18、K 海力士美光南亚华邦力积电其他行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5/20 图图6：NAND 升级升级对光刻设备投资增速约为对光刻设备投资增速约为 10%，低于先进逻辑，低于先进逻辑/DRAM 的的 30%/20%数据来源：ASML 官网 先进先进 DRAM：长鑫存储于 2023 年 11 月正式推出 LPDDR5 系列产品，面向中高端移动设备市场。12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。2023 年 10 月长鑫新桥存储获合肥国资委、大基金二期增资共 390 亿元，有望用于先进 DRAM 芯片扩产。2.2、手机手机龙

19、头回归、龙头回归、AI 芯片芯片海外海外代工代工受限，受限，中国大陆中国大陆 FinFET 产能紧产能紧缺缺 2023 年搭载自研麒麟芯片的华为 Mate60 系列产品回归，销量预期持续上调。预期销量的实现需要产业链上下游通力合作，而其中最核心的手机芯片则亟需国内先进制程代工产能的鼎力支撑。英伟达英伟达高性能高性能 AI GPU 出口管制升级出口管制升级，国内国内互联网厂商等终端客户的互联网厂商等终端客户的订单有望订单有望大幅向国产大幅向国产 AI 芯片芯片转移转移。2022 年 10 月美国 BIS 新规出台，英伟达高性能GPUA100、A800、H100、H800、L40、L40S 和 R

20、TX4090 被限制销往中国。应用于AI 训练的昇腾 910b 芯片单卡算力与英伟达 A100 相近，已经为包括科大讯飞星火在内的 30 多个国产大模型提供算力支撑。截至 2023 年 8 月，阿里、腾讯等中国企业共订购了 50 亿美元的英伟达 A800芯片，昇腾有望承接。国产国产 AI 芯片海外代工受限芯片海外代工受限，代工产能代工产能有望有望加速回流加速回流中国大陆中国大陆。美国 BIS 新规对国内 AI 企业出海代工也做出进一步限制：当晶圆厂收到最终实体为中国大陆/中国澳门等区域企业的订单时，需要检视是否涉及使用晶体管数量超过 50 billion、包含 HBM。壁仞科技、摩尔线程及相关

21、 13 家企业被美国商务部列入实体清单。2.3、先进先进工艺工艺对刻蚀对刻蚀、薄膜、薄膜、量检测等、量检测等设备需求量增加，设备需求量增加，ALD、外延外延为为刚需刚需 行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6/20 存储器件芯片结构存储器件芯片结构从二维向三维结构转变使得等离子体刻蚀和薄膜沉积成为最从二维向三维结构转变使得等离子体刻蚀和薄膜沉积成为最关键及需要最多的工艺步骤。关键及需要最多的工艺步骤。根据 Yole 测算，3D NAND 三大核心工艺设备中，刻蚀设备市场规模占比将从 2019年的 69%提升到 2025 年的 73%。图图7：根据根据 Yole 数

22、据，数据，2025 年年刻蚀设备占刻蚀设备占 3D NAND 设备规模的设备规模的 73%数据来源：Yole 极高深宽比刻蚀设备是极高深宽比刻蚀设备是 3D NAND 向向 200 层甚至层甚至 300 层以上升级过程中最关键层以上升级过程中最关键的设备的设备，具备具备超低频超低频、超大功率超大功率、多级脉冲、多级脉冲特性特性的射频等离子系统及对应的静电吸的射频等离子系统及对应的静电吸盘盘为高深宽比核心零部件。为高深宽比核心零部件。3D NAND 制造首先将氧化物和氮化物薄膜的交替层沉积到基础硅片上。每层厚度在 20 至 30 nm 之间。然后添加厚硬掩模，进行最关键的高深宽比(HAR)沟道孔

23、蚀刻。存储单元形成的其他关键步骤包括阶梯蚀刻、水平金属字线填充以及触点和位线的金属填充。图图8：刻蚀与沉积是刻蚀与沉积是 3D NAND 制造中最关键的工艺制造中最关键的工艺 资料来源：泛林官网、开源证券研究所 相较成熟制程逻辑产线，先进逻辑产线对刻蚀设备需求的变化体现在：相较成熟制程逻辑产线，先进逻辑产线对刻蚀设备需求的变化体现在：（1）用用量量：先进制程产线引入多重曝光，利用刻蚀机的高精度弥补光刻机分辨率的不足，行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7/20 增加了刻蚀工序的数量。12 寸成熟制程产线万片/月刻蚀机用量约 25 台，12 寸先进制程产线用量提升到

24、 60 台。（2）工工艺艺：一体化大马士革刻蚀工艺是 28 纳米及以下的逻辑器件生产工艺中技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一，重要性凸显。图图9：月产月产 1 万片晶圆的万片晶圆的 12 寸先进产线所需刻蚀设备是寸先进产线所需刻蚀设备是成熟产线的成熟产线的 2.4 倍倍 图图10：先进先进逻辑逻辑产线利用多产线利用多次曝光弥补光刻机分辨率次曝光弥补光刻机分辨率 数据来源：台积电、中芯国际、开源证券研究所 资料来源：Research gate 在在 90nm CMOS 芯片工艺中，大约需要芯片工艺中，大约需要 40 道薄膜沉积工序道薄膜沉积工序，而，而在在 FinFET 工工艺产线，大约

25、需要超过艺产线，大约需要超过 100 道薄膜沉积工序道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。在 DRAM 中，高纵横比的特征是电容器。每一位数据都以负电荷或正电荷的形式存储在电容器中。每个电容器都连接到一个晶体管，该晶体管控制对电容器中数据的访问。电容器本身是一个具有高纵横比的长圆柱形结构。它充满了金属-绝缘体-金属堆叠。由于需要在高深宽比结构中形成良好控制的保形薄膜，因此这种 MIM 堆栈需要 ALD设备。图图11：DRAM 中具有高深宽比特征的电容器中具有高深宽比特征的电容器薄膜沉积薄膜

26、沉积需要需要 ALD 设备设备 资料来源：Semi analysis、开源证券研究所 3D NAND 存储单元也使用大量沉积设备，其中阻挡氧化物、电荷陷阱氮化物、隧道氧化物、沟道硅、阻挡金属和势垒金属六种薄膜需要 ALD 设备来沉积。根据应用材料官网，在字线填充这个步骤中，基于 CVD 的钨填充，应力随堆叠变高而增加，钨中的氟含量引起电阻增加，而使用 ALD 可以有效解决这两个问题，因此2559.50070成熟制程12寸线先进制程12寸线每万片月产能所需刻蚀设备数量（台）行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8/20 更高层数 3D NAND

27、的制造中 ALD 用量会提升。图图12：3D NAND 有有 6 类薄膜需要类薄膜需要 ALD 设备来沉积设备来沉积 资料来源：Semi analysis 外延外延设备：满足设备：满足先进制程先进制程硅、硅锗硅、硅锗外延外延生长工艺的电性和可靠性需求生长工艺的电性和可靠性需求。伴随着 CMOS 技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小，传统 CMOS 工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于 PMOS 驱动电流的要求。在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅（SiGe）外延技术来加大 PMOS 的压应力，以此提高器件的整体响应速度。在锗硅（在锗硅（SiGe）外延技术中，西格玛沟

28、槽刻蚀是影响）外延技术中，西格玛沟槽刻蚀是影响 PMOS 驱动电流的关键驱动电流的关键工艺步骤工艺步骤，由此可以看出由此可以看出对于对于刻蚀设备厂商来说，拓展锗硅外延设备具备一定优势。刻蚀设备厂商来说，拓展锗硅外延设备具备一定优势。图图13：锗硅外延增加锗硅外延增加 PMOS 压应力压应力 资料来源：锗硅 SiGe外延技术中提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性的方法，张旭升 除了刻蚀、沉积、外延设备以外，先进逻辑产线对除了刻蚀、沉积、外延设备以外，先进逻辑产线对氧化氧化/高温高温/退火退火、量检测等、量检测等设备用量也提升设备用量也提升。月产 1 万片晶圆的 12 寸先进制程产线需要氧化/高温/退火设

29、备41.5 台，是 12 寸成熟制程产线的 1.9 倍，需要量检测设备 87 台，是成熟制程产线的 1.7 倍。由此由此也也可以看出，可以看出，设备种类覆盖度更广的平台型厂商设备种类覆盖度更广的平台型厂商将将更受益于先进逻更受益于先进逻辑产线的扩产。辑产线的扩产。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9/20 图图14：先进逻辑产线对先进逻辑产线对氧化氧化/高温高温/退火退火、量检测等设备用量也提升、量检测等设备用量也提升 数据来源：台积电、中芯国际、国家环境保护总局、开源证券研究所 2.4、瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升，共同助力瓶颈设备进口数据

30、乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升，共同助力先进产能扩张先进产能扩张 先进制程节点设备是海外制裁重点先进制程节点设备是海外制裁重点。2022 年 10 月美国 BIS 新规对半导体设备的限制条例仍然围绕先进制程节点展开，具体为 14/16nm 及以下逻辑电路，128 层及以上 NAND，18nm 及以下 DRAM。同时，新版细则对光刻机的套刻精度（DCO）增加规定，限制 DCO1.5nm或 1.5nmDCO2.4nm的设备出口。瓶颈瓶颈设备进口数据较乐观设备进口数据较乐观、国产核心配套设备工艺覆盖度不断拓宽国产核心配套设备工艺覆盖度不断拓宽，共同，共同为国为国内先进存储、逻辑内先进存储、逻辑扩产

31、扩产护航。护航。2023Q2 以来国内加大光刻机囤货力度，2023 年 6/7/8/9/10/11 月中国进口荷 兰 光 刻 机 台 数 分 别 为22/15/21/28/22/19 台，单 台 ASP 同 比+228.1%/319.6%/45.5%/386.6%/11.0%/341.3%。图图15：2023Q2 开始，开始，国内加大光刻机囤货力度国内加大光刻机囤货力度 数据来源：中国海关、开源证券研究所 国产前道设备公司在设备成熟度、工艺/制程覆盖度上取得了长足进展。对于国产化率低于 10%的前道涂胶显影、量检测环节，国产供应商有望受益于国内晶圆厂采招规模扩大而实现较大规模的量产突破。225

32、041.58700708090100氧化/高温/退火设备数量（台/万片每月）检测设备数量（台/万片每月）成熟制程12寸线先进制程12寸线0.002.004.006.008.0010.0012.0014.00中国从荷兰进口光刻机总金额(亿美元)行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10/20 图图16：国产国产半导体半导体设备工艺覆盖度不断拓宽设备工艺覆盖度不断拓宽 资料来源：各公司公告、开源证券研究所 注：中微公司、中科飞测、精测电子、万业企业数据为截至 2023H1；微导纳米、屹唐股份、拓荆科技、盛美上海、芯源微为招股说明书中数据；至纯科技为

33、截至 2023年 10月数据；华海清科为截至 2021年 9月数据；北方华创为截至 2021年 10月数据 3、接力先进制程，接力先进制程，先进封装先进封装成为成为算力时代大赛道算力时代大赛道 3.1、AI GPU 需求激增需求激增，国内有望新增国内有望新增 661.1 亿元先进封装设备市场亿元先进封装设备市场 算力成为大国博弈焦点，高性能算力成为大国博弈焦点，高性能 AI GPU 为支撑一国为支撑一国智能智能算力发展的基石。算力发展的基石。根据中国算力发展白皮书（2023 年）数据，以 GPT 大模型为例，GPT3 模型参数约为 1746 亿个，训练一次需要的总算力约为 3640PF-day

34、s，即以每秒一千万亿次计算，需要运行 3640 天。2023 年推出的 GPT-4 参数数量可能扩大到 1.8 万亿个，是GPT-3 的 10 倍，训练算力需求上升到 GPT-3 的 68倍。通常情况下，通常情况下，高性能高性能 AI GPU 首先要首先要在在先进制程先进制程产线上产线上去制造去制造 HBM 和和 GPU，再采用再采用 2.5D 和和 3D 先进封装先进封装工艺工艺进行封装。进行封装。英伟达 A100 采用台积电第 4 代 CoWoS技术，将 1 颗英伟达 A100 GPU 芯片和 6 颗三星 HBM2 集成在一个 1700mm2 的无源转接板上。AMD MI300 则使用台积

35、电 SoIC（3D）和 CoWoS（2.5D）两种技术共同对 13 颗 chiplets 芯片和 8颗 HBM3进行封装。图图17：A100 采用采用 cowos 工艺工艺 封装封装 资料来源：先进封装技术的发展与机遇曹立强等 AI GPU 需求井喷需求井喷，全球晶圆，全球晶圆/封测厂大力扩产。封测厂大力扩产。台积电预计 2025 年持续扩充产能，CoWoS、3D IC、SoIC 等先进封装工艺数年内年复合增长率超过 50%。安靠也计划布局 CoWoS 产线。海力士预计其 DDR5 和 HBM 产线规模在 2024 年增长 2倍以上。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律

36、声明 11/20 根据我们测算，以根据我们测算，以 2024-2033 年国内智能算力需求计算，对应先年国内智能算力需求计算，对应先进封进封装装设设备总备总投资额有望达到投资额有望达到 661.1 亿元亿元。表表1：2024-2033 年国内先进封装设备投资额有望达到年国内先进封装设备投资额有望达到 661.1 亿元亿元 测算指标测算指标 数据数据 2022年全球智算规模占算力总规模的比例 49.80%预计 2033年比例提升至 80%2033年全球算力总规模(ZFLOPS)39.1 2033年全球智算规模(ZFLOPS)31.3 中国占比预计提升至 45%2033年中国智算规模预计(ZFLO

37、PS)14.076 2024年与 2033年我国智能算力规模差距(EFLOPS)13750.7 单张 A100的 FP16TenserCore(TFLOPS)312 提供 1EFLOPS算力需要英伟达 A100的数量(张)3205 2024年-2033年智能算力规模差距所需英伟达 A100的数量(万张)4407.1 对应生产对应生产 4407 万张万张 AI芯片的设备总投资额芯片的设备总投资额(亿元亿元)661.1 数据来源：中国信通院、英伟达官网、开源证券研究所 3.2、2.5D/3D 先进封装引入晶圆级工艺先进封装引入晶圆级工艺、提升对后道封测设备要求提升对后道封测设备要求 CoWoS（c

38、hip on wafer on substrate）是实现是实现 GPU 与与 HBM 高效互联的高效互联的主流主流2.5D 封装工艺封装工艺,台积电是台积电是 COWOS 工艺的开创者和主导者，可以看出在高端先进封工艺的开创者和主导者，可以看出在高端先进封装市场上，晶圆厂占据着比传统装市场上，晶圆厂占据着比传统 OSAT 更重要更核心的地位。更重要更核心的地位。CoWoS 工艺可分为Chip on wafer 工艺（将 GPU/CPU 与 HBM 通过硅中介层实现互联），以及 on substrate 工艺（将硅中介层与 IC载板连接）。图图18：AI GPU 中中 HBM 与与 GPU 通

39、过通过 cowos 2.5D 封装水平互联封装水平互联 资料来源：Wikichip、开源证券研究所 从产业链分工情况来看从产业链分工情况来看，晶圆厂晶圆厂通过 RDL、2.5D TSV 等工艺生产硅中介层，Fabless 采购硅中介层、HBM、并将晶圆厂代工的先进逻辑芯片提供给封装厂。CoW 封装线封装线拿到硅中介层后先直接做双面 Bumping、再使用 CoW 固晶机将 HBM、逻辑芯片倒装键合到中介层上。oS 封装线封装线进行研磨、切割，形成很多 CoWoS 芯片，再使用 oS 固晶机倒装键合到 IC 载板上。Bumping 加工包括电镀、光刻、PVD、刻蚀等工序，可以看出先进封装相比传统

40、封装的第一大变化在于融入前道晶圆级工艺。CoW 固晶基于bump 间距，小于传统倒装固晶的 Cu bump 间距，对固晶机要求提升；垂直堆叠的引入使得晶圆需要被磨得更薄，由此可以看出先进封装相较传统封装另一变化在于提升后道设备要求。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 12/20 图图19：Bumping 融合多种晶圆级工艺融合多种晶圆级工艺 图图20：在硅中介层表面形成在硅中介层表面形成 RDL完成完成芯片的水平芯片的水平通信通信 资料来源：海力士官网 资料来源：海力士官网 HBM 使用使用 3D 封装，封装，TSV 为最关键工艺。为最关键工艺。HBM封装中的 T

41、SV工艺分为两类，一是一是 3D TSV的制造，的制造，即通过在 DRAM Die 上打孔并进行填充，实现 DRAM Die之间的垂直互联，这一步由存储原厂完成，核心设备是 TSV 硅通孔刻蚀设备。二是二是TSV 露出露出，这一步由存储厂完成或外包给 OSAT厂商，核心设备是干法刻蚀机。存储原厂完成存储原厂完成 TSV制造后的制造后的 HBM 3D 封装工序与封装工序与 cowos 2.5D 封装工序重叠，封装工序重叠，都需要经过双面都需要经过双面 bumping、临时键合、解键合等步骤、临时键合、解键合等步骤，但在堆叠工艺上有所不同。，但在堆叠工艺上有所不同。图图21：HBM 封装全流程封装

42、全流程 资料来源：海力士官网、开源证券研究所 在堆叠工艺上，Cowos 2.5D 封装使用倒装键合，核心设备为倒装固晶机。HBM 3D 封装要求更高的互联密度，使用 TCB 热压键合或混合键合，分别是HBM3E 及之前代际产品、HBM4/3D NAND X-tacking 架构使用的主流键合工艺，对应设备为 TCB 热压键合设备、混合键合设备。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 13/20 图图22：3D 封装要求更高的互联密度封装要求更高的互联密度，使用，使用 TCB 热压键合热压键合/混合键合替代倒装键合混合键合替代倒装键合 资料来源：艾邦半导体网、Therm

43、o-compression Bonding for Fine-pitch Copper-pillar Flip-chip InterconnectAmram Eitan 等、开源证券研究所 3.3、CoW 倒装固晶、倒装固晶、CMP、电镀、电镀、键合键合等等为为高价值量高价值量环节环节 COW 倒装固晶、倒装固晶、CMP、电镀、临时键合与解键合、量检测、电镀、临时键合与解键合、量检测、光刻、光刻为为先进封装先进封装核 心 环 节核 心 环 节，我 们 预 计 以 上 环 节 所 需 设 备我 们 预 计 以 上 环 节 所 需 设 备 在 产 线 上 价 值 量 占 比 分 别 达 到在 产

44、线 上 价 值 量 占 比 分 别 达 到12.5%/7.5%/7.5%/7.5%/6.7%/6.3%，合计，合计 47.9%。表表2：先进封装各环节先进封装各环节价值量拆分价值量拆分 设备设备 价值量价值量占比占比 国内国内主要供应商主要供应商 海外海外主要供应商主要供应商 2024-2033 年市年市场空间（亿元）场空间（亿元）CMP 7.5%华海清科 AMAT 49.6 Bumping 电镀 7.5%盛美上海 AMAT 49.6 刻蚀机-TSV露出 2.0%中微公司 AMAT 13.2 光刻 6.3%上海微、芯碁微装 尼康 41.3 临时键合+解键合 7.5%上海微、芯源微 日本 TOK

45、、SUSS 49.6 溅射 PVD 0.5%北方华创 爱发科 3.3 湿法清洗 0.7%盛美上海、至纯科技 DNS、TEL 4.4 涂胶机 0.7%芯源微 TEL 4.4 显影机 0.7%芯源微，盛美上海 TEL 4.4 量检测 6.7%矩子科技、劲拓股份、中科飞测 Camtek、Onto 44.1 固晶机-COW段 12.5%华封科技 Besi、ASMPT 82.6 塑封-COW固晶后的 3.8%文一科技 日本 yamada，TOWA 24.8 测试机（改造）1.7%长川科技 Adavantest 11.0 研磨 1.5%无 disco 9.9 固晶机-OS段 1.0%华封科技、快克智能、新

46、益昌 Besi asmpt 6.6 回流焊 1.5%劲拓股份 BTU德国、TSK（韩国）9.9 切割 1.5%光力科技 disco 9.9 塑封-OS段 2.1%文一科技、耐科装备、深科达 ASMPT 13.8 分选机 0.8%金海通，长川科技 科休 5.0 炉管烤箱 0.5%北方华创、盛美上海、苏州桔云 KOYO 3.3 行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 14/20 设备设备 价值量价值量占比占比 国内国内主要供应商主要供应商 海外海外主要供应商主要供应商 2024-2033 年市年市场空间（亿元）场空间（亿元）Laser marking 打标 0.8%大族激

47、光、华工科技 通快、IPG 5.0 晶圆清洗盒 1.0%首年科技、金仕伦 EROOKS 6.6 倒片机 0.8%上海微松 日本 RORZE 5.5 TCB热压键合(HBM产线额外采购）25.0%无 BESI、ASMPT 数据来源：各公司公告、开源证券研究所 注：价值量占比为我们预计，市场空间为我们根据表 1数据进行测算得出 3.4、设备端：前道厂商技术降维，后道厂商市占率稳步提升设备端：前道厂商技术降维，后道厂商市占率稳步提升 先进封装对光刻、刻蚀等晶圆级设备精度等性能的要求低于前道工艺，国产前道设备厂商向先进封装领域布局属于技术降维，如华海清科（CMP 设备）、盛美上海（电镀）、芯源微（涂胶

48、显影、临时键合与解键合）、中微公司（TSV 深硅刻蚀）、拓荆科技（混合键合设备）等未来在国内先进封装产线有望占据较高份额。对于后道封测设备厂商来说，更先进的封装工艺对设备要求提升，国产厂商在成品测试、分选等环节技术实力强，相比之下在固晶、切割、研磨、塑封等环节实力稍弱，未来市场份额预计稳步提升。图图23：前道前道制程制程技术节点技术节点向向 2 纳米前进，但封装段互联间距仍处于微米级纳米前进，但封装段互联间距仍处于微米级 资料来源：Yole 4、供应链自主可控供应链自主可控为为产业共识，产业共识，半导体前、后道设备国产化半导体前、后道设备国产化率有望进一步提升率有望进一步提升 4.1、中微公司

49、中微公司：手握大马士革、极高深宽比刻蚀工艺的手握大马士革、极高深宽比刻蚀工艺的刻蚀刻蚀机机龙头龙头 中微公司是国内刻蚀设备和 MOCVD 龙头，刻蚀设备覆盖 90%以上应用，Mini LED 关键设备 MOCVD 在蓝绿光 LED 生产线取得绝对领先地位。公司横向布局导体化学薄膜沉积设备 LPCVD、原子层沉积 ALD 和外延设备 EPI，同时通过投资布局光学检测设备。在逻辑芯片制造方面，公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 15/20 名客户的订单，已经在从 65 纳米到 5 纳米的各个技术结点大量量产，满足 5

50、 纳米技术以下的设备也已经获得重复订单并付运。在存储芯片制造方面，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。CCP 刻蚀刻蚀机机：截至 2023 年中报有 2600+反应台在线生产、200+反应台进入 5 纳米及以下生产线。公司自主开发的大马士革一体化刻蚀机已进入客户验证阶段，自主开发的极高深宽比刻蚀机已经在客户端验证具有刻蚀60:1 深宽比结构的能力。ICP 刻蚀机刻蚀机：截至 2023 年中报，200+反应台在线生产，不断验证新工艺，涵盖 7 纳米及以下逻辑芯片、17 纳米及以下的 DRAM 芯片和 3D NAND存储芯片（用于超高深宽比掩膜的刻蚀）领域应用。应

51、用 ICP 技术的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备在欧洲国际最先进的两家 MEMS 制造公司获得批量重复订单，并在 12 英寸 3D芯片硅通孔刻蚀工艺上取得成功验证。产能产能上，上，公司在南昌约 14 万平方米生产和研发基地于 2023 年 7 月正式投入使用；上海临港约 18 万平方米生产和研发基地建设完成，为公司长期高质量发展夯实基础。供应链管理方面，供应链管理方面，与全球约 400 家供应商建立稳定的合作关系。同时注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了供应链的稳定与安全。4.2、芯源微：芯源微：前道涂胶显影前道涂胶显影国产国产化先锋化先锋、先进封装键合

52、设备国产领军、先进封装键合设备国产领军 前道涂胶显影前道涂胶显影设设是我国半导体设备是我国半导体设备产业少数国产化率仍低于产业少数国产化率仍低于 5%的设备种类的设备种类。截至公司截至公司 2023 年半年报披露年半年报披露，芯源微芯源微是国内唯一可以提供量产型前道是国内唯一可以提供量产型前道涂胶显影机涂胶显影机的厂商。的厂商。目前，公司的前道涂胶显影设备已完成在前道晶圆加工环节 28nm 及以上工艺节点的全覆盖，并持续向更高工艺等级迭代。公司公司已成功推出已成功推出第三代浸没式高产能涂胶显影设备平台架构第三代浸没式高产能涂胶显影设备平台架构 FT300（）（），获获得下游客户的广泛认可得下游

53、客户的广泛认可。截至 2023 年中报，公司浸没式涂胶显影机客户端导入进展良好。同时，公司对第三代平台架构和内部腔体单元进行了进一步地完善与优化，未来该平台架构将作为通用性架构全面向下兼容 ArF、KrF、I-line、offline 等工艺。在高端 offline 设备方面，公司的超高温烘烤 Barc 设备已实现客户重复订单；应用于其他旋涂类工艺的 SOC 设备实现了客户端导入，该设备可在碳旋涂环节中替代传统填充工艺，有效拓展了涂胶显影机的产品应用领域和市场空间。单片式湿法设备为公司另一类核心设备，前道物理清洗设备整体已达到国际先进水平。目前已作为主流机型广泛应用于中芯国际、上海华力、青岛芯

54、恩、广州粤芯、上海积塔、厦门士兰等知名厂商。先进封装：先进封装：公司的临时键合与解键合机均已进入客户验证阶段。公司的临时键合与解键合机均已进入客户验证阶段。4.3、北方华创：国内半导体设备种类布局最广的平台型龙头北方华创：国内半导体设备种类布局最广的平台型龙头 公司是规模最大、产品布局最全面的国产半导体设备厂商，同时公司是规模最大、产品布局最全面的国产半导体设备厂商，同时布布局射频电局射频电源源和质量流量计两大关键零部件和质量流量计两大关键零部件保障供应链安全。保障供应链安全。刻蚀刻蚀设备设备ICP 龙头，龙头，CCP 实现突破。实现突破。公司是国内 ICP 刻蚀设备龙头，ICP刻蚀产品出货累

55、计超过 2000 腔。2022 年公司推出 8 英寸 CCP 刻蚀设备和 12 英寸CCP 晶边介质刻蚀机。8 英寸 CCP 刻蚀设备已批量供应市场，12 英寸 CCP 晶边介行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 16/20 质刻蚀机已进入多家生产线验证。薄膜沉积薄膜沉积PVD 龙头，龙头，ALD、CVD 全覆盖，截至全覆盖，截至 2022 年年报年年报累计出货超累计出货超 3000 腔腔。公司可应用于 12 英寸晶圆的 Al Pad PVD、TiN 硬掩模 PVD 等产品已应用于 28nm 及 14nm 工艺制程。Al Pad PVD 系统顺利打入国际供应链体，T

56、iN 硬掩模PVD 系统已成为 28nm 大生产线中首台国产 Baseline 机台。在 CVD 领域实现对APCVD 外延设备、LPCVD 炉管设备、PECVD 钨沉积等设备的全面布局，承担ALD 设备 02 专项研发，产品覆盖批式、单片式及 TALD、PEALD。热处理设备热处理设备产品覆盖立式炉和卧式炉管产品覆盖立式炉和卧式炉管。立式炉装备方面，中温氧化/退火炉、高温氧化/退火炉、低温合金炉，低压化学气相沉积炉、批式原子层沉积炉均已成为国内主流客户的量产设备，累计出货超过 500 台，获逻辑、存储、功率、封装、衬底材料等领域主流客户的认可。卧式炉管主要用于光伏领域。清洗清洗：拥有单片清洗

57、、槽式清洗两大技术平台，主要应用于 12 寸集成电路领域。单片清洗机覆盖 Al/Cu 制程全部工艺，是国内主流厂商后道制程的优选机台；槽式清洗机已覆盖 RCA、Gate、PR strip、磷酸、Recycle 等工艺制程，并在多家客户端实现量产，屡获重复订单。外延外延：产品包括 SiC 外延炉、硅基 GaN 外延炉、6/8 寸多片硅外延炉，8 寸单片硅外延炉，12 寸 单片硅外延炉等 20 余款量产设备，累计出货近千腔。4.4、盛美上海：围绕清洗、电镀设备向平台型厂商延伸盛美上海：围绕清洗、电镀设备向平台型厂商延伸 盛美上海以清洗、电镀设备，逐渐形成平台化产品布局。盛美上海以清洗、电镀设备，逐

58、渐形成平台化产品布局。经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备（包括单片、槽式、单片槽式组合、CO2 超临界清洗、边缘和背面刷洗）、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂胶显影 Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备。在清洗、电镀设备占据领先的市场份额。凭借在清洗、电凭借在清洗、电镀设备市场上领先份额预计平台化的产品布局，公司业绩高增。镀设备市场上领先份额预计平台化的产品布局，公司业绩高增。根据公司发布的 2023 年业绩预告，

59、预计 2023 年营收同比增长 27.04%47.93%，2024年营收在 50亿至 58亿之间，以中值计算同比 2023年增长 36.7%。4.5、中科飞测：引领半导体质量控制设备国产替代中科飞测：引领半导体质量控制设备国产替代 中科飞测主营半导体质量控制设备，包括量测设备和缺陷检测设备，应用于国内 28nm及以上前道 IC制造产线和中道先进封装产线。三大类设备（无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷检测设备、三维形貌量测设备）贡献公司主要营收。无图形晶圆缺陷检测设备系列客户包括中芯国际、华卓精科、芯恩集成、士兰集科、上海积塔半导体等，图形晶圆缺陷检测设备系列设备包括长电先进（先进封装）、士兰

60、集科（特色工艺）、华天昆山（先进封装）等。4.6、拓荆科技拓荆科技：CVD 国产龙头，国产龙头，布局混合键合设备布局混合键合设备 截至公司招股书披露截至公司招股书披露，拓荆科技拓荆科技是是国内唯一一家国内唯一一家产业化应用集成电路产业化应用集成电路 PECVD和和 SACVD 设备的厂商，也是国内领先的设备的厂商，也是国内领先的 ALD 设备厂商设备厂商。公司的薄膜沉积产品已适配国内最先进的 28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 17/20 芯片和 64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。其中，

61、PECVD 设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM 存储、FLASH 闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（WtW 键合）产品和芯片对晶圆键合表面预处理产品,可用于 3D 先进封装。WtW 键合设备已实现产业化应用，可实现 12 寸晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合。晶圆键合表面预处理产品截至 2023 年中报披露日正在进行产业化验证，主要应用于晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗。4.7、快克智能快克智能：精密锡焊龙头，：精密锡焊龙头，倒装倒装固晶机

62、黑马固晶机黑马 主业：主业：精密锡焊和 AOI设备，毛利率维持在 50%以上，主要应用于消费电子、新能源汽车领域。精密焊接设备常年供货苹果，AOI 设备获得苹果 TWS 耳机、智能手表 FATP 段独供资格。进军泛半导体与先进封装：进军泛半导体与先进封装：精密焊接和半导体封装固晶键合工艺技术具有相通性，特别是固晶工艺段，所用设备和公司在 3C 领域用到的焊接设备相似，公司从3C 设备转向半导体设备在焊接技术以及自动化能力上一脉相承。目前，用于碳化硅封装的纳米银烧结设备已批量供货 H、立讯精密等大客户，分立器件、IGBT 固晶机也已导入国内主流厂商，同时在研 OS 段倒装固晶机。4.8、赛腾股份

63、：收购海外优质资产，进军半导体晶圆检测市场赛腾股份：收购海外优质资产，进军半导体晶圆检测市场 主业：主业：3C 自动化设备及产线，与 A 客户深度合作多年，供应产品从手表类设备拓展至手机、耳机类设备，A客户 Vision pro发布有望创造新增量。2019 年，公司通过收购全球领先的晶圆检测设备供应商日本年，公司通过收购全球领先的晶圆检测设备供应商日本 OPTIMA 涉足晶涉足晶圆检测装备领域，圆检测装备领域，Optima 产品线覆盖硅片边缘缺陷自动检测设备 RXW-1200、晶圆片用背面检测设备 BMW1200、边缘/表背面复合检测设备 RXM-1200、晶圆制造外观检测 AXM-1200

64、四类。Optima 深耕半导体检查设备和测量设备行业多年，已与多家国内外知名的半导体企业进行了良好的合作，公司拥有 Sumco、三星、协鑫、奕斯伟、中环半导体、金瑞泓等优质客户。4.9、芯芯碁碁微装微装：主营主营微纳直写光刻微纳直写光刻设备，已供货国内主流先进封装厂商设备，已供货国内主流先进封装厂商 公司深耕泛半导体直写光刻设备与公司深耕泛半导体直写光刻设备与 PCB 直接成像设备，已成长为国内直写光直接成像设备，已成长为国内直写光刻设备领军企业。刻设备领军企业。在主业 PCB 领域，公司直接成像设备市场占有率不断提升，积累了生益科技、深南电路、鹏鼎控股、景旺电子、胜宏科技等一系列客户。在成长

65、性业务先进封装领域，公司的直写光刻设备除了无掩膜带来的成本及操作便捷等优势，在再布线、互联、智能纠偏、适用大面积芯片封装等方面都很有优势，当前合作的客户有华天科技、盛合晶微等知名企业，设备在客户端进展顺利，目前在做量产和稳定性测试。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 18/20 表表3：受益标的估值表受益标的估值表 评级评级 公司代码公司代码 股票简称股票简称 归母净利润（亿元）归母净利润（亿元）EPS（元）（元）PE（倍）（倍）2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 买入 688012.SH 中

66、微公司 17.45 20.73 27.01 2.82 3.35 4.36 39.8 33.5 25.8 买入 688037.SH 芯源微 2.59 4.10 5.79 1.88 2.98 4.20 45.4 28.7 20.3 买入 002371.SZ 北方华创 38.26 51.96 73.16 7.22 9.80 13.80 32.0 23.6 16.8 未评级 688082.SH 盛美上海 8.70 11.14 14.06 2.0 2.56 3.23 37.1 29 22.9 未评级 688361.SH 中科飞测 0.99 1.57 2.44 0.31 0.49 0.76 166.7 1

67、05.1 67.7 买入 688072.SH 拓荆科技 5.32 7.83 11.10 2.84 4.19 5.93 56.2 38.1 26.9 买入 603203.SH 快克智能 2.06 3.60 4.70 0.83 1.44 1.88 21.9 12.6 9.6 未评级 603283.SH 赛腾股份 5.34 6.72 8.02 2.67 3.35 4.00 21.6 17.2 14.4 买入 688630.SH 芯碁微装 2.00 2.85 3.99 1.52 2.17 3.04 34.4 24.1 17.2 数据来源：Wind、开源证券研究所 注：中微公司、芯源微、北方华创、拓荆科

68、技、快克智能、芯碁微装数据来自开源证券研究所，其他来自 Wind 一致预期 最新收盘日为 2024年 2月 2日 5、风险提示风险提示 产线扩产进度、力度不及预期，设备国产化率提升不及预期。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 19/20 特别特别声明声明 证券期货投资者适当性管理办法、证券经营机构投资者适当性管理实施指引（试行）已于2017年7月1日起正式实施。根据上述规定，开源证券评定此研报的风险等级为R3（中风险），因此通过公共平台推送的研报其适用的投资者类别仅限定为专业投资者及风险承受能力为C3、C4、C5的普通投资者。若您并非专业投资者及风险承受能力为C3

69、、C4、C5的普通投资者，请取消阅读，请勿收藏、接收或使用本研报中的任何信息。因此受限于访问权限的设置，若给您造成不便，烦请见谅！感谢您给予的理解与配合。分析师承诺分析师承诺 负责准备本报告以及撰写本报告的所有研究分析师或工作人员在此保证，本研究报告中关于任何发行商或证券所发表的观点均如实反映分析人员的个人观点。负责准备本报告的分析师获取报酬的评判因素包括研究的质量和准确性、客户的反馈、竞争性因素以及开源证券股份有限公司的整体收益。所有研究分析师或工作人员保证他们报酬的任何一部分不曾与，不与，也将不会与本报告中具体的推荐意见或观点有直接或间接的联系。股票投资评级说明股票投资评级说明 评级评级

70、说明说明 证券评级证券评级 买入（Buy）预计相对强于市场表现 20%以上；增持（outperform）预计相对强于市场表现 5%20%；中性（Neutral）预计相对市场表现在5%5%之间波动；减持（underperform）预计相对弱于市场表现 5%以下。行业评级行业评级 看好（overweight）预计行业超越整体市场表现；中性（Neutral）预计行业与整体市场表现基本持平；看淡（underperform）预计行业弱于整体市场表现。备注：评级标准为以报告日后的 612个月内，证券相对于市场基准指数的涨跌幅表现，其中 A 股基准指数为沪深 300 指数、港股基准指数为恒生指数、新三板基准

71、指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）、美股基准指数为标普 500或纳斯达克综合指数。我们在此提醒您，不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系，表示投资的相对比重建议；投资者买入或者卖出证券的决定取决于个人的实际情况，比如当前的持仓结构以及其他需要考虑的因素。投资者应阅读整篇报告，以获取比较完整的观点与信息，不应仅仅依靠投资评级来推断结论。分析、估值方法的局限性说明分析、估值方法的局限性说明 本报告所包含的分析基于各种假设，不同假设可能导致分析结果出现重大不同。本报告采用的各种估值方法及模型均有其局限性，估值结果不保证所涉及证券能够在

72、该价格交易。行业深度报告行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 20/20 法律声明法律声明 开源证券股份有限公司是经中国证监会批准设立的证券经营机构，已具备证券投资咨询业务资格。本报告仅供开源证券股份有限公司（以下简称“本公司”）的机构或个人客户（以下简称“客户”）使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。本报告是发送给开源证券客户的，属于商业秘密材料，只有开源证券客户才能参考或使用，如接收人并非开源证券客户，请及时退回并删除。本报告是基于本公司认为可靠的已公开信息，但本公司不保证该等信息的准确性或完整性。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为

73、或被视为出售或购买证券或其他金融工具的邀请或向人做出邀请。本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能会波动。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。客户应当考虑到本公司可能存在可能影响本报告客观性的利益冲突，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。本报告中所指的投资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。本公司未确保本报告充分考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需要。本公司建议客户应考虑本报告的任何意见或建议是否符合其特定状况，以及（若有必要）咨询独立投资顾问。在任何情况下，本报告中

74、的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。若本报告的接收人非本公司的客户，应在基于本报告做出任何投资决定或就本报告要求任何解释前咨询独立投资顾问。本报告可能附带其它网站的地址或超级链接，对于可能涉及的开源证券网站以外的地址或超级链接，开源证券不对其内容负责。本报告提供这些地址或超级链接的目的纯粹是为了客户使用方便，链接网站的内容不构成本报告的任何部分，客户需自行承担浏览这些网站的费用或风险。开源证券在法律允许的情况下可参与、投资或持有本报告涉及的证券或进行证券交易，或向本报告涉及的公司提供或争取提供包括投资

75、银行业务在内的服务或业务支持。开源证券可能与本报告涉及的公司之间存在业务关系，并无需事先或在获得业务关系后通知客户。本报告的版权归本公司所有。本公司对本报告保留一切权利。除非另有书面显示，否则本报告中的所有材料的版权均属本公司。未经本公司事先书面授权，本报告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷贝、复印件或复制品，或再次分发给任何其他人，或以任何侵犯本公司版权的其他方式使用。所有本报告中使用的商标、服务标记及标记均为本公司的商标、服务标记及标记。开开源证券源证券研究所研究所 上海上海 深圳深圳 地址：上海市浦东新区世纪大道1788号陆家嘴金控广场1号 楼10层 邮编：200120 邮箱： 地址：深圳市福田区金田路2030号卓越世纪中心1号 楼45层 邮编：518000 邮箱： 北京北京 西安西安 地址：北京市西城区西直门外大街18号金贸大厦C2座9层 邮编：100044 邮箱： 地址：西安市高新区锦业路1号都市之门B座5层 邮编：710065 邮箱：