第三代半导体行业报告：产业链梳理及衬底、外延、器件环节解析-221009（80页）.pdf

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第三代半导体行业报告：产业链梳理及衬底、外延、器件环节解析-221009（80页）.pdf

第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。第三代半导体物理性能相对更出色，有望实现各个领域全面替代。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅、氮化镓性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域，头部企业逐步使用第三代半导体。在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场规模有望迎来快速发展机遇，待成本下降有望实现全面替代。

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