1、 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 Table_Info1Table_Info1 晶盛机电晶盛机电(300316)(300316)光伏设备光伏设备/电力设备电力设备 Table_Date 发布时间：发布时间：2023-01-31 Table_Invest 买入买入 上次评级：增持 Table_Market 股票数据 2023/01/31 6 个月目标价（元）收盘价（元）68.76 12 个月股价区间（元）44.0384.01 总市值（百万元）89,987.32 总股本（百万股）1,309 A 股（百万股）1,309 B 股/H 股（百万股）0/0 日均成交量（百万股）6

2、 Table_PicQuote 历史收益率曲线 Table_Trend涨跌幅（%）1M 3M 12M 绝对收益 8%-8%20%相对收益-1%-26%28%Table_Report 相关报告 晶盛机电（300316）：“设备+材料”双重驱动，业绩保持高速增长-20221031 晶盛机电（300316）：业绩符合预期，半导体设备打开成长新曲线-20220505 TOPCon 抢跑领衔 N 型放量，经济效益先行 -20221027 Table_Author 证券分析师：刘军证券分析师：刘军 执业证书编号：S0550516090002 Table_Title 证券研究报告/

3、公司深度报告 长晶龙头蜕变正当时长晶龙头蜕变正当时，碳化硅碳化硅渐入收获期渐入收获期 报报告摘要：告摘要：Table_Summary 光伏铸造业绩基石，光伏铸造业绩基石，N 型型 210 或迎结构性增长或迎结构性增长。目前光伏仍为公司重要发展领域。硅料硅片环节的产能过剩可能带来投资周期下行，但是我们认为(1)1600 单晶炉渗透率较低。单晶炉渗透率较低。210 组件具有高功率高功率和低低 BOS 成本等成本等优势优势。为了更好生产 210 尺寸硅片需要 1600 炉径的单晶炉，而目前全市全市场场 1600 设备仅对应约设备仅对应约 200GW 产能产能。国内 1600 单晶炉供应商仅三到四家，

4、公司作为龙头企业渗透率有望进一步提升。(2)高额在手订单为公司高额在手订单为公司铸造较高的安全边际铸造较高的安全边际，截止 2022Q3 公司未完成晶体生长设备及智能化加工设备合同总计 237.90 亿元。N 型替代 P 型对硅片质量提出更高的要求，对高质量大炉径单晶炉需求上升，有效提升订单转化率。泛泛半导体设备平台化发展，半导体设备平台化发展，碳化硅碳化硅设备放量在即设备放量在即。晶体生长技术为敲门砖，利用技术互通性将长晶技术从硅拓展至蓝宝石、碳化硅(第三代)和金刚石(第四代)。光伏领域，光伏领域，核心布局长晶切片，向后道延伸组件叠瓦设备；半导体领域，半导体领域，在 8-12 英寸大硅片长晶

5、、切片、抛光和 CVD 等设备完成全部国产替代，开发 12 英寸双轴减薄机进军封装端，并在先进制程领域开发外延和 LPCVD 等设备。功率半导体领域功率半导体领域，完成 SIC 的长晶、切片、抛光和外延设备开发，成功生长行业领先的 8 英寸 N 型 SIC 晶体，双片式 SIC 外延设备蓄势待发，助力国产碳化硅规模化量产。关键关键材料业务集中释放，材料业务集中释放，提前提前布局石英坩埚布局石英坩埚+金刚线金刚线+碳化硅衬底产能。碳化硅衬底产能。(1)石英坩埚石英坩埚：公司 2017 年布局石英坩埚，石英坩埚供需偏紧有望迎来量价齐升，一期年产 4.8 万只产能已于 2022 年 5 月投产；(2

6、)金刚线：金刚线：布局新一代差异化金刚线并于 2022 年 11 月投产，目前通过环评的金刚线规划项目合计年产 3600 万公里，有望在 2023 年开始贡献业绩。(3)碳化碳化硅衬底硅衬底:生产项目落地银川，与客户达成采购意向。领先布局为公司打造了强劲的材料业务增长极，有望集中在 2023 年释放。投资评级投资评级：预计公司 2022-2024 年净利润分别为 29.29 亿，39.49 亿和47.88 亿，对应 PE 分别为 31x、23x、19x，上调给予“买入”评级。风险提示：风险提示：硅片扩产不及预期；订单交付不及预期 Table_Finance财务摘要（百万元）财务摘要（百万元）2

7、020A 2021A 2022E 2023E 2024E 营业收入营业收入 3,811 5,961 10,951 14,975 18,585(+/-)%22.54%56.44%83.70%36.74%24.11%归属母公司归属母公司净利润净利润 858 1,712 2,929 3,949 4,788(+/-)%34.64%99.46%71.10%34.82%21.26%每股收益（元）每股收益（元）0.67 1.33 2.24 3.02 3.66 市盈率市盈率 44.90 52.26 30.73 22.79 18.79 市净率市净率 7.38 13.08 8.29 6.25 4.79 净资产收益

8、率净资产收益率(%)17.48%28.47%26.97%27.40%25.50%股息收益率股息收益率(%)0.20%0.41%0.44%0.47%0.48%总股本总股本(百万股百万股)1,286 1,286 1,309 1,309 1,309-40%-20%0%20%40%60%2022/22022/52022/82022/11晶盛机电沪深300 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 2/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 目目 录录 1.公司概况：国内长晶设备龙头，材料公司概况：国内长晶设备龙头，材料+设备双轮驱动设备双轮驱动.5 1.1.股权结构稳定，积极推动员工

9、持股计划股权结构稳定，积极推动员工持股计划.5 1.2.发发展历史展历史:深耕长晶技术研发应用，厚积薄发助力半导体自主可控深耕长晶技术研发应用，厚积薄发助力半导体自主可控.7 1.3.高研发投入，打通长晶技术多领域协同应用高研发投入，打通长晶技术多领域协同应用.9 1.4.业绩稳定增长，在手订单确定未来业绩业绩稳定增长，在手订单确定未来业绩.12 2.光伏：核心布局长晶切片，向后道延伸打造平台化设备供应光伏：核心布局长晶切片，向后道延伸打造平台化设备供应.14 2.1.行业趋势：硅料进入下行预期，大尺寸渗透率有望持续提升行业趋势：硅料进入下行预期，大尺寸渗透率有望持续提升.14 2.1.1.N

10、 型渐成主流，大尺寸型渐成主流，大尺寸+薄片化趋势明显薄片化趋势明显.14 2.1.2.公司核心布局长晶切片环节，大尺寸渗透值得期待公司核心布局长晶切片环节，大尺寸渗透值得期待.16 2.2.长晶环节布局：大尺寸兼容优势明显，石英坩埚有望量价齐升长晶环节布局：大尺寸兼容优势明显，石英坩埚有望量价齐升.18 2.2.1.设备端：单晶炉龙头企业，迭代升级新产品提升竞争力设备端：单晶炉龙头企业，迭代升级新产品提升竞争力.18 2.2.2.材料端：石英坩埚供需缺口日渐明显，领先布局收获可期材料端：石英坩埚供需缺口日渐明显，领先布局收获可期.23 2.3.切片环节：布局金刚线切片机，新一代金刚线耗材投产

11、切片环节：布局金刚线切片机，新一代金刚线耗材投产.28 2.3.1.设备端：金刚线切片机不断突破，出货量超千台设备端：金刚线切片机不断突破，出货量超千台.28 2.3.2.材料端：新一代金刚线产品投产，差异化设计值得期待材料端：新一代金刚线产品投产，差异化设计值得期待.30 2.4.光伏硅片设备市场空间测算光伏硅片设备市场空间测算.33 3.半导体自主可控需求旺盛，持续创新为核心竞争力半导体自主可控需求旺盛，持续创新为核心竞争力.34 3.1.行业趋势：晶圆厂持续扩产，行业趋势：晶圆厂持续扩产，12 英寸大硅片产能存在缺口英寸大硅片产能存在缺口.34 3.2.前道硅片设备多环节打通，大尺寸确立

12、设备领先性前道硅片设备多环节打通，大尺寸确立设备领先性.37 3.3.创新突破：扩产减薄抛光设备，创新突破：扩产减薄抛光设备，12 英寸双轴减薄机蓄势待发英寸双轴减薄机蓄势待发.40 3.4.碳化硅：第三代半导体材料，聚焦前沿技术领域碳化硅：第三代半导体材料，聚焦前沿技术领域.41 3.4.1.行业：功率器件下游应用逐渐成熟行业：功率器件下游应用逐渐成熟.41 3.4.2.公司布局：拟发布公司布局：拟发布 6 英寸双片式外延设备，衬底晶片达产采购意向英寸双片式外延设备，衬底晶片达产采购意向.47 4.蓝宝石：掌握领先生长技术，逐步爬坡开启放量蓝宝石：掌握领先生长技术，逐步爬坡开启放量.49 5

13、.盈盈利预测和投资评级利预测和投资评级.51 6.风险提示风险提示.52 图表目录图表目录 图图 1：公司股权结构图：公司股权结构图.5 图图 2：公司发展历史：公司发展历史.7 图图 3：公司主要业务线：公司主要业务线.8 图图 4：研发费用：研发费用.9 图图 5：公司专利数量：公司专利数量.9 图图 6：公司晶体生长设备布局：公司晶体生长设备布局.10 图图 7：晶体生长设备与热场模拟：晶体生长设备与热场模拟.10 kUiXtVoYgY9YaVaXuZeX7NcM8OnPmMpNnOfQrRtReRnNoQ8OnNwPxNqQmPxNqNpM 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后

14、的声明及说明 3/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 8：公司营业收入：公司营业收入.12 图图 9：公司归母净利润：公司归母净利润.12 图图 10：公司费用率：公司费用率.12 图图 11：公司毛利率和净利率：公司毛利率和净利率.12 图图 12：季末未完成晶体生长及智能价格设备合同：季末未完成晶体生长及智能价格设备合同(亿元亿元).13 图图 13：不同技术路线的电池片主流厚度变化：不同技术路线的电池片主流厚度变化(m).14 图图 14：主流电池片尺寸变化：主流电池片尺寸变化.15 图图 15：2020-2025 硅片尺寸产能占比趋势硅片尺寸产能占比趋势.15 图图 16：

15、2020-2025 电池片尺寸产能占比趋势电池片尺寸产能占比趋势.15 图图 17：光伏组件制备流程：光伏组件制备流程.16 图图 18：公司光伏设备布局：公司光伏设备布局.17 图图 19：区熔法：区熔法.18 图图 20：直拉法：直拉法.18 图图 21：单晶炉业务收入对比：单晶炉业务收入对比(万元万元).20 图图 22：主要单晶炉企业毛利率对比：主要单晶炉企业毛利率对比.20 图图 23：晶盛机电第五代单晶炉：晶盛机电第五代单晶炉.20 图图 24：公司第五代单晶：公司第五代单晶炉设计图炉设计图.21 图图 25：石英坩埚产业链图：石英坩埚产业链图.23 图图 26：石英坩埚示意图：石

16、英坩埚示意图.24 图图 27：石英坩埚成本构成：石英坩埚成本构成.24 图图 28：石英坩埚高纯石英砂价格：石英坩埚高纯石英砂价格.24 图图 29：宁夏鑫晶石英坩：宁夏鑫晶石英坩埚项目签约埚项目签约.25 图图 30：宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目签约：宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目签约.25 图图 31：传统砂浆切割原理示意图：传统砂浆切割原理示意图.28 图图 32：金刚线切割原理示意图：金刚线切割原理示意图.28 图图 33：公司金刚线切割设备布局：公司金刚线切割设备布局.29 图图 34：金刚线产业链图：金刚线产业链图.30 图图 35：金刚线纵向截面图：金刚线纵向截面图.30 图图 36：金

17、刚线横向截面图：金刚线横向截面图.30 图图 37：M10 和和 G12 A 品率品率.31 图图 38：M10 和和 G12 线径线径(m).31 图图 39：公司金刚线：公司金刚线产品产品.31 图图 40：公司金刚线生产车间：公司金刚线生产车间.31 图图 41：金刚线市场供应能力：金刚线市场供应能力.32 图图 42：光伏硅片设备市场空间测算：光伏硅片设备市场空间测算.33 图图 43：全球半导体硅片平均售价（美元：全球半导体硅片平均售价（美元/平方英寸）平方英寸）.34 图图 44：全球硅片出货量：全球硅片出货量(百万平方英寸百万平方英寸).34 图图 45：全球半导体硅片市场规模：

18、全球半导体硅片市场规模(亿美元亿美元).34 图图 46：全球半导体设备市场规模：全球半导体设备市场规模(亿美元亿美元).34 图图 47：全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比：全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比(%).35 图图 48：半导体硅片生产流程：半导体硅片生产流程.37 图图 49：公司半导体设备布局：公司半导体设备布局.37 图图 50：有载片磨削减薄工艺流程：有载片磨削减薄工艺流程.40 图图 51：公司减薄抛光产品布局：公司减薄抛光产品布局.40 图图 52：碳化硅产业链图：碳化硅产业链图.41 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 4/55 晶盛机电晶盛机

19、电/公司深度公司深度 图图 53：半绝缘型碳化硅衬底：半绝缘型碳化硅衬底.41 图图 54：导电型碳化硅衬底：导电型碳化硅衬底.41 图图 55：同规格碳化硅器件与硅器件电阻对比：同规格碳化硅器件与硅器件电阻对比.42 图图 56：碳化硅器件与硅器件能量损失对比：碳化硅器件与硅器件能量损失对比.42 图图 57：碳化硅生产流程：碳化硅生产流程.43 图图 58：功率半导体器件成本占比：功率半导体器件成本占比.45 图图 59：2021 年碳化硅竞争格局年碳化硅竞争格局.45 图图 60：碳化硅新能源下游应用：碳化硅新能源下游应用.45 图图 61：主流碳化硅企业时间进度：主流碳化硅企业时间进度

20、.47 图图 62：公司：公司 6 英寸碳化硅生长炉英寸碳化硅生长炉.47 图图 63：公司碳化硅晶片产品图：公司碳化硅晶片产品图.47 图图 64：公司碳化硅业务发展历史：公司碳化硅业务发展历史.48 图图 65：公司外延及炉管布局：公司外延及炉管布局.48 图图 66：公司：公司 8 英寸英寸 N 型碳化硅晶体型碳化硅晶体.48 图图 67：公司蓝宝石业务发展历史：公司蓝宝石业务发展历史.49 图图 68：GaN-LED 外延片产量外延片产量(4 英寸，万片英寸，万片).49 图图 69：2021 年蓝宝石下游应用年蓝宝石下游应用.49 图图 70：2021-2024E 公司收入拆分公司收

21、入拆分(亿元亿元).51 表表 1：持股计划名单及份额分配情况：持股计划名单及份额分配情况.5 表表 2：员工持股计划：员工持股计划.6 表表 3：公司定增募集资金使用计划：公司定增募集资金使用计划(万万元元).6 表表 4：公司晶体生长技术及应用产品：公司晶体生长技术及应用产品.9 表表 5：不同晶体生长方式技术对比：不同晶体生长方式技术对比.11 表表 6：晶体生长设备的关联性：晶体生长设备的关联性.11 表表 7：光伏硅片生产流程及对应工艺设备：光伏硅片生产流程及对应工艺设备.16 表表 8：单晶拉棒：单晶拉棒工序工序.19 表表 9：直拉单晶技术规格：直拉单晶技术规格.19 表表 10

22、：单晶炉供应商：单晶炉供应商.22 表表 11：石英坩埚关键参数：石英坩埚关键参数.23 表表 12：石英砂耗量：石英砂耗量.24 表表 13：公司石英坩埚项目进度：公司石英坩埚项目进度.25 表表 14：石英坩埚产品细分领域主要企业：石英坩埚产品细分领域主要企业.27 表表 15：切割方式对比：切割方式对比.28 表表 16：公司金刚线项目：公司金刚线项目.31 表表 17：国内：国内 12 英寸半导体硅片产能英寸半导体硅片产能(不完全统计不完全统计).35 表表 18：半导体硅片制备及其下游领域：半导体硅片制备及其下游领域.36 表表 19：半导体级单晶炉参数对比：半导体级单晶炉参数对比.

23、38 表表 20：半导体单晶炉竞争情况：半导体单晶炉竞争情况.39 表表 21：第三代半导体材料参数对比：第三代半导体材料参数对比.42 表表 22：不同碳化硅单晶生长方式示意图：不同碳化硅单晶生长方式示意图.43 表表 23：国产碳化硅外延设备供应商：国产碳化硅外延设备供应商.44 表表 24：国内碳化硅材料厂商产能情况：国内碳化硅材料厂商产能情况(不完全统计不完全统计).46 表表 25：公司蓝宝石产品图：公司蓝宝石产品图.50 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 5/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 1.公司概况：公司概况：国内长晶设备龙头国内长晶设备龙头，

24、材料材料+设备双轮驱动设备双轮驱动 1.1.股权结构稳定，股权结构稳定，积极积极推动员工持股计划推动员工持股计划 图图 1：公司股权结构图：公司股权结构图 数据来源：iFinD,东北证券(截止 2023 年 1 月 11 日)公司股权结构稳定。公司股权结构稳定。曹建伟先生、邱敏秀女士直接持有公司 5.64%的股份，通过绍兴上虞晶盛投资管理咨询有限公司持有公司 47.46%的股份，合计直接及间接持有本公司 53.1%的股份，为公司实际控制人。何俊先生与何洁女士为实际控制人的一致行动人。表表 1：持股计划名单及份额分配情况：持股计划名单及份额分配情况 持有人持有人 职务职务 拟认购份额上限拟认购份

25、额上限(万份万份)拟认购份额占本员工持股计划总份拟认购份额占本员工持股计划总份额的比例额的比例 傅林坚 运营副总裁 684.9600 13.70%朱亮 董事、副总裁 342.4800 6.85%毛全林 董事、副总裁 114.1600 2.28%陆晓雯 副总裁、董事会秘书、财务总监 114.1600 2.28%张俊 副总裁 114.1600 2.28%石刚 副总裁 28.5400 0.57%核心技术/业务/管理人员(共 235 人)3,399.1140 67.96%预留 203.7471 4.07%合计合计 5,001.3211 100%数据来源：公司公告，东北证券 核心技术人员占据核心技术人员

26、占据主要份额主要份额，人才技术仍为重点。，人才技术仍为重点。公司 2022 年 9 月 15 日发布员工持股计划，本次持有人认购持股计划份额为不超过 4,797.5740 万份，占本员工持股计划比例上限为 95.93%；预留认购持股计划份额为不超过 203.7471 万份，占本员工持股计划比例上限为 4.07%。本持股计划持股规模不超过 175.2390 万股，约占本员工持股计划草案公告日公司股本总额 130,782.8097 万股的 0.1340%。解锁期，解锁期，本持股计划本次所获标的股票分两期解锁，锁定期分别为 12 个月、24 个月。业绩考核目标：第一个解锁期，第一个解锁期，以 202

27、1 年净利润为基数，2022 年净利润增长率不低于 50.00%；第二个解锁期第二个解锁期，以 2021 年净利润为基数，2023 年净利润增长率不低于 70.00%。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 6/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 2：员工持股计划：员工持股计划考核目标考核目标 解锁期解锁期 业绩考核目标业绩考核目标 第一个解锁期第一个解锁期 以 2021 年净利润为基数，2022 年净利润增长率不低于 50.00%。第二个解锁期第二个解锁期 以 2021 年净利润为基数，2023 年净利润增长率不低于 70.00%。数据来源：公司公告，东北证券

28、定增募资完善半导体产业链布局定增募资完善半导体产业链布局。2022 年 7 月公司新增股份上市，公司拟投入 7.5亿用于建设 12 英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目，半导体行业技术迭代较快，对每个环节材料的参数和工艺性能的验证，较大程度依赖于下游客户，实验线的建设将对公司设备研发生产形成积极影响；5 亿元用于建设半导体抛光和减薄设半导体抛光和减薄设备产能备产能，项目设计年产 35 台半导体材料减薄设备、年产 45 台套半导体材料抛光设备，解决产能瓶颈，助力国产半导体设备自主可控。表表 3：公司定增募集资金使用公司定增募集资金使用计划计划(万元万元)项目名

29、称项目名称 投资总额投资总额 拟投入募集资金金额拟投入募集资金金额 12 英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目 75,000.00 56,370.00 年产年产 80 台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目 50,000.00 43,210.00 补充流动资金补充流动资金 42,420.00 42,420.00 合计合计 167,420.00 142,000.00 数据来源：晶盛机电向特定对象发行股票募集说明书（注册稿），东北证券 .请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 7/55 晶盛机电晶盛机电

30、/公司深度公司深度 1.2.发展历史发展历史:深耕长晶技术研发应用深耕长晶技术研发应用，厚积薄发，厚积薄发助力助力半导体自主可控半导体自主可控 图图 2：公司发展：公司发展历史历史 数据来源：晶盛机电，东北证券 “设备设备+材料材料”双轮驱动双轮驱动，平台化布局，平台化布局硅硅+碳化硅碳化硅+蓝宝石三大蓝宝石三大业务业务。公司专注于“先进材料、先进装备”的高新技术企业，围绕碳硅、碳化硅、蓝宝石三大主线，针对长晶、切片、抛光、外延等多个核心环节进行设备研发，并逐步延伸到相应材料领域。公司依托单晶炉业务开启高速成长之路，并针对关键耗材提前布局切入双轨经营模式，持续投入研发保持设备领先性，对碳化硅业

31、务完成设备+材料双重布局。设备设备端端，公司在光伏光伏和集成电路集成电路领域等泛半导体领域持续研发关键设备，主要包括全自动晶体生长设备（直拉单晶生长炉/区熔单晶炉）、晶体加工设备（单晶硅滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等）、晶片加工设备（晶片研磨机、减薄机、抛光机）、CVD 设备（外延设备、LPCVD 设备等）、叠瓦组件设备等。同时在半导体领域，公司成功研发 12 英寸双轴减薄机，深耕国产半导体设备自主可控；在碳在碳化硅化硅领域领域，公司目前产品主要有碳化硅的长晶、抛光、外延设备，同时实现碳化硅外延设备批量出货；在蓝宝石领域在蓝宝石领域，公司具备 LED 照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石

32、晶锭、晶棒和晶片的生产能力。公司设备产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、工业 4.0 等多个领域。材料端，材料端，公司在光伏领域光伏领域围绕石英坩埚、金刚线等关键耗材，积极布局产能。近年来在不断保持设备领先性的优势下，公司在上下游相关领域积极研发。包括研发合成砂石英坩埚、新一代金刚线等产品，实现差异化创新。在蓝宝石领域在蓝宝石领域，公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先水平，目前已成功生长出全球领先的700kg 级蓝宝石晶体，并实现 300kg 级及以上蓝宝石晶体的规模化量产；在碳化硅在碳化硅 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 8/55 晶盛机电晶盛机电/公司

33、深度公司深度 领领域域，2022 年 8 月 12 日，公司通过自有籽晶经过多轮扩径，成功生长出 8 英寸 N 型碳化硅晶体，解决了 8 英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均，晶体开裂、气相原料分布等难点问题，破解了碳化硅器件成本中衬底材料占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底的广泛应用打下基础。首颗 8 英寸 N 型碳化硅晶体晶坯厚度 25mm，直径 214mm，标志着公司碳化硅产品步入 8 英寸时代，目前碳化硅主流应用仍为 6英寸，8 英寸尚未形成产业化，标志着公司具有“设备+材料”的双重优势。同时，公司建立 SiC 长晶和加工中试线，实验线产品已通过下游部分客户验证助力第三代半导体材料国产化进程

34、。图图 3：公司主要业务线：公司主要业务线 数据来源：晶盛机电，政府公告，新闻整理，东北证券测算(注：公司石英坩埚和金刚线规划来自新闻/政府公告整理)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 9/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 1.3.高研发高研发投入投入，打通长晶技术多领域，打通长晶技术多领域协同协同应用应用 图图 4：研发费用研发费用 图图 5：公司专利数公司专利数量量 数据来源：Wind,东北证券 数据来源：晶盛机电，东北证券 研发费用持续提升研发费用持续提升，科技创新为第一驱动力科技创新为第一驱动力。公司持续投入研发，2022 年以来已经累计投入研发 5.1

35、亿元。目前已建设 6 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，研发产品已通过下游部分客户验证，通过加强技术创新和工艺积累，缩短与国外厂商的差距。公司内部建立了 4 个研发中心，其中 1 个海外研发中心，9个专业研究所，2 个专业研发部和 2 个专业实验室。2021 年公司研发投入 35,357.84万元，占营业收入比例为 5.93%，相较 2020 年同比增长 55.65%。2021 年公司新增获授权的专利 72 项，其中发明专利 9 项。截止 2021 年 12 月 31 日，公司及下属子公司共有有效专利 512 项，其中发明专利 66 项。表表 4：公司晶体生长技术及应用产品公司晶

36、体生长技术及应用产品 技术名称技术名称 技术来源技术来源 是否形成专利是否形成专利 应用产品应用产品 基基于于 VG 理论的直拉硅单晶体内缺陷控制技术理论的直拉硅单晶体内缺陷控制技术 自主研发自主研发 是 TDR 系列全自动晶体生长炉 硅单晶内极低氧含量精确控制的湿式菱形横向硅单晶内极低氧含量精确控制的湿式菱形横向 超导磁场技术超导磁场技术 自主研发自主研发 是 硅单晶生长过程的在线监测和实时控制方法硅单晶生长过程的在线监测和实时控制方法 自主研发自主研发 是 基于工业总线技术的单晶硅生长炉数字化平台基于工业总线技术的单晶硅生长炉数字化平台 等核心技术等核心技术 自主研发自主研发 是 无间隙稳

37、定正反转的下轴运动机构无间隙稳定正反转的下轴运动机构 自主研发自主研发 是 FZ 系列区熔硅单晶炉 高精密单晶双夹持装置高精密单晶双夹持装置 自主研发自主研发 是 适应适应 8 英寸硅单晶生长的区熔热场技术英寸硅单晶生长的区熔热场技术 自主研发自主研发 是 顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置技术顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置技术 自主研发自主研发 是 高效节能气致 冷多晶硅铸锭 炉 气冷式多晶硅铸锭炉新型闭式冷却系统技术气冷式多晶硅铸锭炉新型闭式冷却系统技术 自主研发自主研发 是 垂直定向生长随动隔热环结构技术等核心技术垂直定向生长随动隔热环结构技术等核心技术 自主研发自主研发 是 数据来

38、源：公司公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 10/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 6：公司晶体生长设备布局公司晶体生长设备布局 图图 7：晶体生长设备与热场模拟晶体生长设备与热场模拟 数据来源：公司官网,东北证券 数据来源：半导体材料行业分会,东北证券 公司为公司为晶体生长设备龙头晶体生长设备龙头，深耕产业链多元发展深耕产业链多元发展。公司凭借多年对缺陷原理的理解和应用，将晶体生长设备扩展到光伏、半导体、蓝宝石和碳化硅三大领域。在晶体生长方面，由于碳化硅晶体采用物理气相传输（PVT）的生长方法，具有以下特点：1）碳化硅需要在高温（2,100

39、-2,300）、真空环境中生长，相比硅晶体和蓝宝石晶体生长材料的生长温度更高，对温场稳定性的要求更高；2）高温下碳化硅原料为非同比例升华，坩埚内部的硅碳比控制也是晶体生长的关键；3）碳化硅存在 200 多种同质异构体，在密闭的高温石墨坩埚中生长，无法即时观察晶体的生长状况，容易产生异质晶型，影响良率，因此长晶是碳化硅衬底制备的关键环节。在晶体生长工艺方面碳化硅晶体与硅单晶、蓝宝石晶体的技术路线有所差异具体如下：碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长-物理气相传输(PVT)工艺：晶体生长是固体-气体固体的物理过程；生长温度一般在 2,200以上。坩埚底部的碳化硅原料在高温下升华，气体通过扩散和热对流运输到

40、在坩埚顶部的低温籽晶处，重新凝聚为碳化硅晶体。晶体硅生长晶体硅生长-直拉法(CZ)工艺：晶体生长过程是固体-液体-固体的物理过程：将装在 高纯度石英坩埚中的硅料 加热到 1,450以上熔化，然后将籽晶插入熔体表面 进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向 上提升，经过引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等 过程，生长出单晶棒。蓝宝石晶体生长蓝宝石晶体生长-泡生法(KY)工艺：晶体生长过程是固体-液体-固体的物理过程：将氧化铝原料放在坩埚中加热至 2,050及以上，使籽晶接触熔液，待籽晶稳定后缓慢向上拉升形成晶颈，通过精细的降温缓慢冷却形成晶锭。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声

41、明及说明 11/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 5：不同晶体生长方式技术对比不同晶体生长方式技术对比 产品类别产品类别 蓝宝石单晶炉蓝宝石单晶炉 半导体级单晶炉半导体级单晶炉 碳化硅单晶炉碳化硅单晶炉 晶体生长方式原理晶体生长方式原理 泡生法 直拉法(CZ 法)物理气相传输法（PVT）晶体生长温度晶体生长温度 约 2,000 约 1,450 约 2,100-2,300 研发设计侧重点研发设计侧重点 晶体生长设备设计晶体生长设备设计 腔体冷却、真空密封性、稳定性，精确可靠的称重系统 结构强度，真空及测量系统的稳定性 极限真空度、真空漏率、高温高压控制、运行一致性 热场设计热场设计

42、 传热及熔体对流 气体对流、恒定磁场环境下熔体洛伦兹 力对对流的影响、稀释物质传递、化学反应 电磁加热、升华与凝固、多孔介质传热与流动 传动机构设计传动机构设计 提拉机构的低速连续超高精度运转、水平及对中调节、坩埚轴与晶轴的双轴对中 晶轴转动、晶轴升降、坩埚轴升降、坩埚轴旋转的低速连续超高精度运转、双轴运动平稳连续性、双轴对中 线圈升降机构的低速连续超高精度运转、水平及对中调节 数据来源：晶升装备，东北证券 晶体晶体生长技术具备关联性生长技术具备关联性，协同技术延伸至碳化硅等新领域协同技术延伸至碳化硅等新领域。公司凭借多年对长晶技术的积累和应用逐步推广到碳化硅等全新领域。公司作为单晶炉龙头已经

43、在光伏和半导体领域占据较高市场份额，依靠多年的技术积累拓展运用至蓝宝石业务，目前正在稳定出货。同时在 22 年的定增中移出了年产 40 万片碳化硅计划但是公司进军碳化硅业务的大方向没有变化，目前公司已成功生长出行业领先的 8 英寸碳化硅晶体。表表 6：晶体生长设备的关联性：晶体生长设备的关联性 基础技术共性基础技术共性 各类晶体生长设备技术关联性各类晶体生长设备技术关联性 晶体生长设备设计技术晶体生长设备设计技术 三类高温真空设备设计及技术运用目标均为实现设备结构强度、真空密封性、冷却性能等技术参数要求，在设计及技术原理、方法等方面具有共通价值及关联性 热场的设计与模拟技术热场的设计与模拟技术

44、 三类高温真空设备热场的基础物理场均主要为传热场和对流场，在热场设计理念、温度梯度的构建方式、热场材料、热场稳定性及解决方案等方面具有共通价值及关联性 低速超高精度传动机构低速超高精度传动机构设计技术设计技术 三类高温真空设备均包含多个运动辅助机构，通过协同运动实现晶体生长，对运动辅助机构的运转速度、精度及连续稳定性均具有较高要求，在运动辅助机构设计及技术原理、方法等方面具有共通价值及关联性 数据来源：晶升装备，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 12/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 1.4.业绩稳定增长，在手订单确定未来业绩业绩稳定增长，在手订单确定

45、未来业绩 光伏光伏行业行业景气景气度有望延续度有望延续，业绩稳定高增，业绩稳定高增。2017-2021 年,公司营业收入由 19.49 亿元增至 59.61 亿元，归母净利润由 3.87 亿元增至 17.12 亿元。2022 年前三季度，公司实现营业收入74.63亿元，归母净利润20.09亿元，同比分别增加86.96%和80.92%。前三季度营收和净利润已超 21 年全年业绩，主要原因受益于 2022 年以来下游硅料硅片厂的竞争性扩张。公司作为上游长晶设备龙头厂商，充分受益此次扩产潮。图图 8：公司营业收入：公司营业收入 图图 9：公司归母净利润：公司归母净利润 数据来源：Wind,东北证券

46、数据来源：Wind,东北证券 费用管控良好费用管控良好，设备利润率持续修复。，设备利润率持续修复。公司为保持设备领先性，持续加大研发和设备投入，确保材料+设备双重领先。除研发费用外，销售费用、管理费用和财务费用基本维持在较低水平或下降趋势，对于 2022 前三季度费用率分别为 0.43%，2.7%和-0.1%，对比 2021 年分别-0.08pct，-0.65pct 和+0.13pct。晶体生长设备毛利率相对较高，目前基本稳定在 40%左右，2018-2021 前三季度该业务毛利率分别为 43.62%、38.13%、40.52%、42.26%；智能化加工设备毛利率基本稳定在 37%左右，201

47、8-2021前三季度该业务毛利率分别为 37.85%、35.36%、37.10%、37.73%。后续设备收入口径合并，2021 年及 2022H1 公司设备及其服务毛利率分别为 42.61%和 42.49%，维持在较高水平。图图 10：公司公司费用率费用率 图图 11：公司毛利率和净利率：公司毛利率和净利率 数据来源：Wind,东北证券 数据来源：Wind,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 13/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 12：季末未完成晶体生长及智能价格设备合同：季末未完成晶体生长及智能价格设备合同(亿元亿元)数据来源：东北证券 在手订

48、单持续增加，未来业绩确定性高。在手订单持续增加，未来业绩确定性高。在下游客户竞争性扩产趋势下，公司订单持续保持快速增长态势，截至 2022 年 9 月 30 日，公司未完成晶体生长设备及智能化加工设备合同总计 237.90 亿元，其中未完成半导体设备合同 24.6 亿元。在手订单量有效支撑公司未来的业绩，公司作为国内长晶龙头其设备具备领先性，在大尺寸热场兼容性上具备优势，叠加光伏大尺寸产能的结构性短缺，有望持续提升订单转化率。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 14/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.光伏光伏：核心布局长晶切片核心布局长晶切片，向向后道延伸后道

49、延伸打造打造平台化平台化设备供应设备供应 2.1.行业趋势行业趋势：硅料进入下行硅料进入下行预期预期，大，大尺寸尺寸渗透率渗透率有望持续提升有望持续提升 2.1.1.N 型渐成主流，大尺寸型渐成主流，大尺寸+薄片化趋势明显薄片化趋势明显 N 型电池渐成主流，型电池渐成主流，薄片化持续推进薄片化持续推进。目前 P-PERC 电池面临效率天花板，效率进展已经放缓。在光伏硅片领域，2015 年以来单晶硅凭借更高的转化效率优势和不断降低的成本优势市占率不断提升。在降本增效的核心逻辑下，光伏行业不断开发和应用大尺寸硅片的趋势，光伏硅片的尺寸从 20 世纪 80 年代的 100mm 增大到 2019年的

50、210mm，叠加高拉速、复投拉晶以及大热场等新技术应用，设备持续迭代，使得光伏硅片成本不断下降。目前，PERC 的主流厚度为 150 微米，TOPCON 为 140微米而 HJT 仅为 130 微米，并且向更低厚度进发。图图 13：不同技术路线的电池片主流厚度变化：不同技术路线的电池片主流厚度变化(m)数据来源：PVinfoLink,东北证券 大尺寸趋势明显，大尺寸趋势明显，182/210 渗透率快速提升渗透率快速提升。自 2018 年以来光伏尺寸持续上升，从2020 年主流的 166 发展到目前主流的 182 尺寸。硅片大尺寸化有助于带来规模化效应有助于硅片、电池片、组件产品和终端 BOS

51、等环节的成本摊薄。根据 TrendForce统计，2020 年 166 硅片产能占比约为 40.55%，而 182/210 合计占比不足 5%。但是2021 年两者合计占比达到了约 49%，预计 2022 年 182 和 210 硅片产能占比已经高达 83%。182 及 210 已成为当前主流尺寸，其中 182 占比 50.86%而 210 占比仅为32.25%。我们认为在光伏大尺寸+薄片化的趋势下，210 尺寸的渗透率有望迎来快速提升，成为新的主流尺寸。同样，电池片作为硅片环节的直接下游，2022 年 182 及210 合计产能占比约为 82.51%，而 210 占比为 47.83%，仍然具

52、备发展潜力。050000000001920202021H1 2021Q3 2021Q4 2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4 2023H1 2023H2 2024H22025P型硅片N型硅片-TOPConN型硅片-HJT 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 15/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 14：

53、主流电池片尺寸变化主流电池片尺寸变化 数据来源：CPIA,晶澳,东北证券 大尺寸大尺寸炉径炉径单晶炉单晶炉仍有仍有较高较高成长空间成长空间。通常情况下，M10 硅片需要拉制出 10 英寸的硅棒，对应于石英坩埚的尺寸为 30 英寸及以上，G12（210）硅片则需要 12 英寸硅棒，较好适配 12 英寸硅棒则需要 36 英寸以上的石英坩埚。兼容的石英坩埚尺寸又与单晶炉炉径相关，目前老旧产能兼容极限为 182 产能，1400mm 炉型的单晶炉可以兼容 12 英寸拉棒，但是考虑效率良率，则需要 1600mm 炉型的单晶炉才能较好的生产210硅片。根据公开资料整理，当前全市场1600mm的单晶炉约对应2

54、00GW产能，若未来 210 成为主流尺寸，则硅片环节可能出现结构性短缺，同时老旧产能的升级也会带来良率问题增加成本。市场上仅三到四家能提供 1600 单晶炉，同时公司作为龙头企业，紧握中环等优质客户资源，较早布局 1600 单晶炉同时提供完善的售后服务，因此在整体硅片投资额向下的情况下，有望继续受益大尺寸需求提升。图图 15：2020-2025 硅片尺寸产能占比趋势硅片尺寸产能占比趋势 图图 16：2020-2025 电池片尺寸产能占比趋势电池片尺寸产能占比趋势 数据来源：TrendForce，东北证券 数据来源：TrendForce，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的

55、声明及说明 16/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.1.2.公司核心布局长晶切片环节，大尺寸渗透值得期待公司核心布局长晶切片环节，大尺寸渗透值得期待 表表 7：光伏硅片生产流程及对应工艺设备：光伏硅片生产流程及对应工艺设备 工艺项目工艺项目 设备设备 工艺步骤工艺步骤 硅棒生产硅棒生产 直拉单晶 单晶硅生长炉 将硅料在长晶炉内高温熔化，由籽晶引发单晶硅棒定向生长 多晶铸锭 多晶硅铸锭炉 硅料融化后顺温度梯度定向凝固，再经退火冷却 截断 截断机 截断硅棒，去掉两段变径区域 开方 开方机 切割大块硅棒（硅锭），使其形成方棒 磨面倒角 滚磨一体机 砂轮磨削硅棒表面，并使硅片边缘成光滑弧形

56、 切片 切片机 将硅棒（硅锭）切割成单晶/多晶硅片 清洗 脱胶插片清洗一体机 硅片清洗 分选、测试 检测设备 硅片分选，检验硅片尺寸、厚度、表面质量等 数据来源：公司公告，东北证券 光伏硅片生产光伏硅片生产流程流程：拉晶、截断、开方、磨面倒角、切片、清洗和分选测试。硅片制造属于光伏上游环节，为电池片的前道工艺。该环节上公司产品产品覆盖全自动单晶覆盖全自动单晶炉、环线截断机、环形金刚线开方机、滚圆磨面一体机、金刚线切片机炉、环线截断机、环形金刚线开方机、滚圆磨面一体机、金刚线切片机和脱胶插片和脱胶插片清洗一体机清洗一体机等，协同客户在行业内率先开发并批量销售 G12 技术路线的单晶炉、智能化加工

57、设备、叠瓦自动化产线的厂商。图图 17：光伏组件制备流程：光伏组件制备流程 数据来源：晶盛机电，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 17/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 重点布局长晶和切片环节，重点布局长晶和切片环节，设备领先性为第一竞争力设备领先性为第一竞争力。长晶和切片环节涉及单晶炉和切片机设备，两者价值量合计占硅片设备的 70%左右，为硅片端的核心设备。单单晶炉方面，晶炉方面，公司 2007 年出国国内首台全自动直拉式单晶炉，目前全自动单晶炉系列产品被四部委评为国家重点新产品，并入选国家半导体器件专用设备领域企业标准“领跑者”榜单，具备设备领先性

58、。市占率方面，公司在除隆基外市场可达 90%，全市场占有率在 60%-70%左右，为该领域绝对的龙头企业，目前单晶炉产品已累积下线 25000 台。切片机方面，切片机方面，2020 年公司成功向市场批量供应新一代切片机，为国内第一款批量供应针对 G12 大尺寸的专用金刚线切片设备，具备高线速、高承载、高精度切割能力，目前累计出货已超千台。图图 18：公司光伏设备布局：公司光伏设备布局 数据来源：晶盛机电，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 18/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.2.长晶环节布局长晶环节布局：大尺寸兼容优势明显大尺寸兼容优势明显，石英

59、坩埚，石英坩埚有望量价齐升有望量价齐升 2.2.1.设备端：设备端：单晶炉龙头企业，迭代升级新产品提升竞争力单晶炉龙头企业，迭代升级新产品提升竞争力 图图 19：区熔法区熔法 图图 20：直拉法直拉法 数据来源：晶升装备，东北证券 数据来源：晶升装备，东北证券 直拉法为当前主流技术路线直拉法为当前主流技术路线，精密控制为核心壁垒，精密控制为核心壁垒。直拉法半导体级硅片制造对于晶体技术指标（微缺陷水平、金属含量、氧含量等）具有极高的精密控制要求，晶体生长设备及生长工艺设计方案需完美实现与客户技术指标需求的对应及匹配。由于晶体生长是一个复杂的多物理场强耦合系统，生长原理涉及多学科交叉，通常在高温、

60、高真空及工艺气氛状态中运行，生长过程动态变化并时刻伴有复杂的物理作用及化学反应，为有效控制晶体技术指标，需对设备内的气流、气压、晶体生长工艺参数（如籽晶及坩埚的转速及拉晶速度等）、热场温度梯度、液面距、设备设计的合理性、真空密封性及传动机构等多重因素精密控制，晶体生长技术壁垒较高。直拉法直拉法(CZ 法法)。直拉法为目前国际大尺寸硅片的主流生长技术路线，具有生长速度快、单炉产量高、晶体直观可控、设备技术方案成熟等特点。为克服硅熔液对流对晶体生长过程带来的不利影响，有效实现氧含量及微缺陷控制，通常采用外加强磁场的技术方案。工艺原理：工艺原理：将高纯度的多晶硅在石英坩埚中进行高温熔化，然后将单晶硅

61、籽晶插入 熔体中进行熔接，通过转动籽晶和坩埚，经过引晶、缩颈、放肩和收尾等步骤形成单晶硅棒。区熔法区熔法(FZ 法法)。由于区熔法不需要坩埚，而是在气氛或真空炉中进行，产品的纯度更高，不易受氧、碳等杂质影响，因此区熔硅片常用做 IGBT 功率半导体器件的原材料。主要缺点为熔体与晶体界面复杂、成本较高，且受制于生长方法，制备大尺寸单晶硅棒难度较大，目前占市场份额较小。工艺原理：工艺原理：区熔法是利用热能在多晶硅锭的一端产生熔区，熔接单晶籽晶，再通过调节温度使得熔区缓慢向上移动，生长成晶向与籽晶相同的单晶硅棒，具体工艺分为水平区熔法和立式悬浮区熔法 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声

62、明及说明 19/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 8：单晶拉棒工序：单晶拉棒工序 工艺流程工艺流程 工艺简介工艺简介 热场安装热场安装 将单晶拉棒用的热场部件按顺序安装到清理好的单晶炉内。配料配料 按照工艺要求，将多晶硅料和掺杂剂按一定比例进行配比。装料装料 将配好的多晶硅料和掺杂剂装到石英坩埚内。吊料吊料 使用真空吸盘将装好多晶硅料的石英坩埚吊入单晶炉热场内。合炉合炉 封闭装好多晶硅料和热场的单晶炉腔室，完成合炉。抽真空抽真空 对单晶炉腔室进行抽真空，排除腔室内的空气。检漏检漏 将单晶炉腔室抽空至极限，检验腔室是否存在漏气现象。压力化压力化 拉晶过程是在负压通氩气保护的动态恒压

63、状态下运行，在开始加热前需要检验各控制单元是否正常。熔料熔料 将石英坩埚内的块状多晶硅料加热熔化至液态。二次加料二次加料 1.化料后坩埚内硅液仅有约坩埚容量的一半再添加多晶硅料至满埚状态；2.RCZ 工艺生产出一根单晶棒后，可继续添加多晶硅料重复进行生产。籽晶熔接籽晶熔接 将软轴悬挂的籽晶下降至接触熔体液面。调温调温 将熔化后的硅液温度逐渐调整至熔点并保持温度。引晶引晶 排除籽晶熔接时晶体中产生的位错。放肩放肩 晶体直径逐渐增大至目标直径。转肩转肩 放肩过程接近目标直径时，通过控制拉棒速度将晶体直径控制在目标直径。等径等径 晶体保持在目标直径，等待持续生长。收尾收尾 晶体生长至一定长度后逐渐缩

64、小晶体直径，避免断面直径过大造成热冲击，使晶体产生位错。冷却提出冷却提出 等晶体脱离液面、逐渐冷却后，将晶体取出。停炉停炉 一个生产周期完结后，停止加热，热场逐渐冷却。数据来源：美科股份，东北证券 单晶炉为长晶的核心设备单晶炉为长晶的核心设备，公司龙头地位稳固，公司龙头地位稳固。单晶炉通常在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化并通过直拉法生长无错位单晶。单晶直径在生长过程中可受到温度，提拉速度与转速，坩埚跟踪速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度-主要决定能否成晶；速度-影响到晶体的内在质量；热场的温度分布-长晶缺陷及生长质量。因此热场大小及温度将直接

65、影响硅棒及硅片质量。公司公司光伏单晶炉光伏单晶炉领域龙头地位稳固。领域龙头地位稳固。目前单晶炉主要供应商包括晶盛机电、连城数控、北方华创、京运通等；新玩家包括奥特维(控股子公司松瓷机电)等。客户结构来看，晶盛机电为隆基股份之外硅片企业最主要的单晶炉供应商，核心客户为另一硅片龙头中环股份，同时凭借设备领先性不断提升在其他硅片企业市占率。表表 9：直拉单：直拉单晶技术规格晶技术规格 长晶尺寸长晶尺寸(英寸英寸)6 8 12 装料量(kg)60 150 300 350 450 450 600 热场尺寸(英寸)16 22-24 26-28 26-28 28-32 28-36 28-36 晶棒长度(mm

66、)1400 1750 3500 4200 5200 2600 3500 数据来源：光伏技术,东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 20/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 21：单晶炉业务单晶炉业务收入对比收入对比(万元万元)图图 22：主要单晶炉企业毛利率对比主要单晶炉企业毛利率对比 数据来源：各公司公告，东北证券(注：奥特维取当期已履行合同标的金额)数据来源：iFinD，东北证券 图图 23：晶盛机电第五代单晶炉晶盛机电第五代单晶炉 数据来源：晶盛机电，东北证券 公司单晶炉历史沿革：公司单晶炉历史沿革：第一代：全自动单晶炉第一代：全自动单晶炉。20

67、06 年，公司推出第一代全自动单晶炉；2007 年 4 月公司成功研制出国内首台全自动直拉式单晶硅生长炉（TDR80A-ZJS 型）并销售给有研硅股，打破长晶设备被国外企业垄断的竞争格局；2008 年 3月公司成功研制出当时国内规格最大的全自动直拉式单晶硅生长炉（TDR120A-ZJS 型），结束了长期以来 12 英寸大规格单晶硅生长炉设备依赖国外进口的格局；第二第二代：高拉速代：高拉速+超级水冷套技术的单晶炉。超级水冷套技术的单晶炉。2009 年 9 月公司研制出应用水冷夹套技术的 TDR95A-ZJS 型单晶硅生长炉，该产品可显著提高单晶硅生长速度、降低能耗。根据中国电子材料行业协会、中国

68、电子专用设备工业协会出具的科学技术成果鉴定证书，该产品能够提高晶体生长速度 30%，缩短拉晶周期约 15%，降低拉晶单位能耗 20%左右；第三代：复投拉晶第三代：复投拉晶+大热场技术单晶炉。大热场技术单晶炉。2013 年公司研发出复投器+大热场，开创第三代 RCZ 高产单晶炉；第四代：第四代：自动化自动化+智能化单晶炉。智能化单晶炉。硅片薄片化、大尺寸是光伏技术进一步发展的趋势，公司推出了基于基于 G12 的第四代自动化、智能化技术的全自动单晶硅生长炉。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 21/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 24：公司：公司第五代单晶炉第

69、五代单晶炉设计图设计图 数据来源：晶盛机电，东北证券 2023 年即将发布：年即将发布：第五代单晶炉第五代单晶炉-开放性开放性+可编程线可编程线性性+自定自定义义工艺工艺平台平台（Software Defined Process,SDP）。SDP 是参照 SDN（Software Defined Network）提出的一种新型设备控制架构，其核心在于将控制层与数据业务层分离开来，从而实现了客户工艺制程的灵活控制，为用户制程的创新提供了良好的平台。系统定义核心工艺模型和控制接口，用户只需按模型接口即可实现定制开发。通过此平台技术，客户可以利用平台的数据接口，将自己的特殊制程工艺制作成特定的模块，

70、利用架构平台调用，同时也可以实现造设备与用设备层面的特定分离，更好地推动客户的个性发展。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 22/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 10：单晶炉供应商：单晶炉供应商 企业企业 所属所属 简介简介 晶盛机电晶盛机电 中国 国内领先的专注于“先进材料、先进装备”的高新技术企业，以“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”为使命，围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料展开，在光伏产业链装备取得了行业认可的技术和规模双领先地位，全市场单晶炉占有率约 60%。京运通京运通 中国 成立于 2002 年公司产品包括单晶硅生

71、长炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备。单晶炉优先自供，2021 年公司生产的单晶炉设备多用于乐山一期 12GW 拉棒、切方项目的扩产所需。截至 2022 年 3 月，公司 2022 年高端装备业务对外销售软轴全自动单晶炉及单晶生长控制系统的在手订单总额约 6.5 亿元 连城数控连城数控 中国 成立于 2007 年，公司主要产品包括单晶炉、线切设备、磨床、智能化生产线、电池片设备等。2013 年率先在国内批量交付光伏金刚线切片机；收购美国斯必克旗下凯克斯单晶炉事业部；2018 年世界首台 24 英寸晶体生长炉在连城诞生、成功交付客户；2019 年与隆基联合研制 全球首台 1600 mm

72、单晶炉 奥特维奥特维 中国 松瓷机电是无锡奥特维科技股份有限公司（股票代码：688516）的控股子公司，主要从事光伏和半导体行业单晶炉、加料机设备的研发、制造、销售及综合性解决方案，其核心产品 SC-1600 大尺寸单晶炉及加料机，已取得晶澳晶科等知名企业订单，并与晶科、宇泽等多家行业知名客户达成合作。公司自产 OCZ 加料机能灵活匹配 SC-1600 单晶炉，单次投料量最大可达 700KG，产能提升 5%。天通股份天通股份 中国 公司于 2015 年以自有品牌生产销售光伏单晶炉，按照“成熟一代、研制一代、储备一代”的思路对太阳能光伏行业大尺寸、大投料量、高效单晶硅生长炉进行提前研发及配套长晶

73、工艺的技术储备。公司在 2017 年推出了 SIF130 单晶炉，2018 年推出了 SIF140 单晶炉，2019 年推出了 SIF145单晶炉。2020 年新推出的 SIF160 单晶炉可实现工艺阶段全自动晶体生长、多种提速方案、线运行时间最大化、复投技术运用、辅助工序的自动化控制在内的多种应用。S-Tech 韩国 成立于 1990 年，2008 年实现长晶商业化是世界领先的单晶炉设备供应商，2016 年进入中国半导体长晶设备市场。PVA TePla AG 德国 成立于 1991 年，是高度创新的真空系统的领先制造商，1999 年在德国成立了 Crystal Growing Systems

74、(CGS)专门为半导体行业建造单晶硅晶体制造系统；2004 年在中国与西安工业大学(TUX)合资成立了西安华德 CGS 有限公司；2005 年在北京开设服务销售分公司进入中国市场。北方华创北方华创 中国 2001 年成立，主要从事半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件，是国内主流高端电子工艺装备供应商。数据来源：各公司公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 23/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.2.2.材料端：石英坩埚供需缺口日渐明显，领先布局收获可期材料端：石英坩埚供需缺口日渐明显，领先布局收获可期 图图

75、 25：石英坩埚产业链图：石英坩埚产业链图 数据来源：欧晶科技招股书，东北证券 电弧法是制备石英坩埚的主流制备技术电弧法是制备石英坩埚的主流制备技术，坩埚呈现内外双层结构。坩埚呈现内外双层结构。石英坩埚是用来装放多晶硅原料（工作中原料处于熔化状态的硅液）的一次性石英器件，为单晶拉制以及单晶品质提供保障，是单晶拉制系统的关键辅料之一。早期的石英坩埚是全透明的结构，这种透明的结构容易导致不均匀的热传输条件，增加晶棒生长的难度，且均匀的结构对高品质的高纯石英砂需求较大，成本较高。目前主流电弧法制备的石英坩埚为半透明状，有内外两层结构，外层是高气泡密度的区域，称为气泡复合层。气泡复合层受热较均匀，保温

76、效果较好；内层是一层 3-5mm 的透明层，称为气泡空乏层。气泡空乏层的存在使坩埚与溶液接触区的气泡密度降低，从而提高单晶生长的成功率及晶棒品质。表表 11：石英坩埚关键参数：石英坩埚关键参数 单晶发展方向单晶发展方向 坩埚综合性能坩埚综合性能 坩埚具体性能要求坩埚具体性能要求 大幅增加投料量，控制多根单晶大幅增加投料量，控制多根单晶棒棒 RCZ 复投料复投料/CCZ 连续性补料连续性补料 a）长寿命 坩埚核心性能-内表层低气泡含量 坩埚次内表层气泡抗生长能力 b）高强度 坩埚在拉晶温度下的高粘度 c）大尺寸 各方面性能(尤其是内表层气泡性能)满足拉晶需求 整棒率、成晶率提升整棒率、成晶率提升

77、 d）内表层结构稳定性 坩埚核心性能-内表层低气泡含量 高晶棒品质高晶棒品质(低少子寿命、低氧低少子寿命、低氧)e）高纯度 内表层低杂志含量 低非硅成本低非硅成本 f）低造价 低成本石英砂和低加工成本 g）品质一致性 各方面性能保持长期的稳定性 数据来源：中国粉体网，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 24/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 26：石英坩埚示意图：石英坩埚示意图 图图 27：石英坩埚成本构成：石英坩埚成本构成 数据来源：晶盛机电，中国粉体网，东北证券 数据来源：中国粉体网，东北证券 高纯石英砂为主要成本，石英坩埚有望迎来量价齐升高纯

78、石英砂为主要成本，石英坩埚有望迎来量价齐升。杂质的引入对单晶性能和成品率构成直接的影响。目前高纯石英砂分为低端（3N）、中端（4N）、高端（4N8）和超高纯（5N2）。国际公认的高纯石英砂以美国尤尼明公司 IOTA-CG 为标准。随着硅片大幅扩产，高纯石英砂供需偏紧价格不断走高，同时大尺寸化加大了耗砂量。图图 28：石英坩埚高纯石英砂价格：石英坩埚高纯石英砂价格 数据来源：中粉资讯，东北证券 表表 12：石英砂耗量石英砂耗量(单位：公斤单位：公斤)单只石英坩埚单只石英坩埚的石英砂耗量的石英砂耗量 2021 年年 2020 年年 2019 年年 价格(元)耗用量 价格(元)耗用量 价格(元)耗用

79、量 进口砂 31.74 22.65 32.73 30.04 31.60 38.46 国产砂 18.91 33.35 18.81 11.19 19.39 0.30 反洗砂 15.50 1.61 13.47 3.97 9.10 0.50 石英砂合计石英砂合计 23.87 57.61 27.59 45.20 31.22 39.26 数据来源：欧晶科技，东北证券 高纯石英砂,72%辅料,11%水电费,4%折旧,2%人工,7%其它,4%高纯石英砂辅料水电费折旧人工其它 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 25/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 29：宁夏鑫晶石英坩埚项

80、目签约：宁夏鑫晶石英坩埚项目签约 图图 30：宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目签约：宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目签约 数据来源：新闻整理，东北证券 数据来源：新闻整理，东北证券 多点布局石英坩埚产能，多点布局石英坩埚产能，大尺寸坩埚大尺寸坩埚逐步逐步放量放量。公司自 2017 年开始分别在浙江绍兴、内蒙包头和宁夏银川布局石英坩埚的研发与生产。当前公司石英坩埚重点布局集中在宁夏银川，由控股子公司浙江美晶的全资子公司宁夏鑫晶新材料有限公司负责，宁夏鑫晶石英坩埚生产项目及扩产项目总计规划 36 条石英坩埚生产线，均具备大尺寸石英坩埚生产能力，在当前时点，石英坩埚作为关键耗材供需偏紧，公司锁定海外高质量石英砂保障

81、坩埚生产，随着产能爬坡将成为公司全新业务增长极。表表 13：公司石英坩埚项目进度：公司石英坩埚项目进度 项目项目 进度进度 情况简介情况简介 宁夏鑫晶石英坩埚生产项目宁夏鑫晶石英坩埚生产项目(共共 2 期期)一期 22 年 5 月投产 二期 22 年 5 月签约 2022 年 5 月 10 日上午，首批 40 英寸石英坩埚正式下线，标志着晶盛年产 16 万只石英坩埚生产基地，一、一、二期配置二期配置 12 条生产线条生产线，均具备生产 2848 英寸石英坩埚能力。宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目宁夏鑫晶石英坩埚扩产项目(共共 4 期期)一期 22 年 8 月签约 总投资 5 亿元，计划建设计划建设 2

82、4 条坩埚生产线条坩埚生产线。项目分四期建设，一期项目预计一期项目预计 2023 年年 6 月试投产月试投产，项目一期、二期达产后预计可实现年产值 10 亿元以上。内蒙古鑫晶石英坩埚项目内蒙古鑫晶石英坩埚项目 投产 2021 年 3 月内蒙古鑫晶新材料公司成立，2021 年 9 月16 日首个坩埚下线，具备 28-40 英寸的石英坩埚生产能力 半导体级石英坩埚项目半导体级石英坩埚项目 2017 年项目启动 2018 年批量销售 2018 年公司投资的半导体级石英坩埚项目顺利投产，填补了我国大尺寸半导体石英坩埚产业化空白，产品已经进入国内大型半导体硅片厂商供应链，规模稳步扩大。数据来源：公司公告

83、，新闻整理，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 26/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 31：内蒙古鑫晶内蒙古鑫晶坩埚坩埚下线下线 图图 32：公司石英坩埚产品图公司石英坩埚产品图 数据来源：晶盛机电，东北证券 数据来源：晶盛机电，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 27/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 14：石英坩埚产品细分领域主要企业石英坩埚产品细分领域主要企业 企业企业 所属所属 简介简介 江阴龙源江阴龙源 中国 江阴龙源石英制品有限公司成立于 2011 年，位于江苏省江阴市周庄镇，主营石英坩埚

84、、石英管、石英棒的制造、加工、销售，石英制品的回收。江阴龙源目前是中环股份石英坩埚的供应商之一。宁夏晶隆宁夏晶隆 中国 宁夏晶隆石英有限公司成立于 2007 年，位于宁夏回族自治区中宁县，主营业务为生产、销售半导体级单晶硅石英坩埚，是隆基股份的石英坩埚供应商。欧晶科技欧晶科技 中国 主营业务一直为耐高温石英制品的研发、生产和销售，主要产品为石英坩埚。石英坩埚主要用于太阳能或半导体单晶拉制行业，是用来装放多晶硅原料(工作中原料处于熔化状态的硅液)的一次性石英器件 南通路博南通路博 中国 南通路博石英材料股份有限公司成立于 2009 年，位于中国江苏海门工业园区，产品主要为各种类型的石英材料，产品

85、应用于半导体工业、光导纤维、化学工业、光学和光源工业。目前主要产品为太阳能用石英坩埚及半导体用石英坩埚。公司于 2015 年 6 月新三板挂牌上市，2017 年公司营业收入为 4,244.35 万元。阳光硅谷电子科技阳光硅谷电子科技 中国 阳光硅谷电子科技有限公司成立于 2004 年，主要生产多晶硅、单晶硅棒、多晶硅片、单晶硅片、石英坩埚等，其中石英坩埚以 16-28 英寸为主，是晶澳太阳能有限公司的全资子公司。锦州佑鑫电子材料锦州佑鑫电子材料 中国 锦州佑鑫电子材料有限公司成立于 2004 年，位于锦州高新技术产业开发区工业园区。公司主要生产太阳能级和半导体级石英坩埚、工业坩埚、石英导流罩等

86、产品。锦州佑鑫是锦州阳光能源控股有限公司的主要供应商。宁夏富乐德宁夏富乐德 日本 宁夏富乐德石英材料有限公司成立于 2011 年，位于银川经济技术开发区，是日本磁性流体技术株式会社（FerrotecCorporation）在华投资全资子公司杭州大和热磁电子有限公司的控股子公司。公司主要产品为单晶石英坩埚。迈图高新材料集团迈图高新材料集团 美国 总部位于美国康涅狄格州威尔顿市，是有机硅及其关联产品的生产商、全球石英及陶瓷材料行业龙头企业。MomentivePerformanceMaterials石英玻璃材料类业务以电熔工艺生产石英玻璃材料为主。HeraeusHolding 德国 HeraeusH

87、olding（德国贺利氏控股集团）成立于 1851 年，总部设在德国哈瑙市，是全球制造和加工石英玻璃公司中历史最悠久的公司之一。德国贺利氏控股集团是一家活跃于全球的贵重金属和科技集团公司，核心业务包括贵金属、传感器、生物材料与医用产品、齿科产品、石英玻璃和特种光源等。该公司生产的石英产品主要服务于光通讯、半导体、光学等领域的高端运用。2019 年德国贺利氏控股集团营业收入为 224 亿欧元。锦州亿仕达石英新材料锦州亿仕达石英新材料股份有限公司股份有限公司 中国 锦州亿仕达石英新材料股份有限公司成立于 2009 年 7 月，座落在辽宁省锦州经济技术开发区西海工业园区，主营业务为高性能石英玻璃材料

88、及制品的研发、生产及销售，主要产品为高纯度大尺寸石英材料，如方形石英锭、石英棒、大口径石英管等，高品质不透明石英系列产品以及石英坩埚、红外石英加热灯等专用石英器件产品，产品广泛应用于半导体、光通信、电光源、光伏、环保等各个领域。公司 2016 年 12 月挂牌新三板上市，2018 年营业收入为 1.46 亿元。数据来源：各公司公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 28/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.3.切片环节：布局金刚线切片机，新一代金刚线耗材投产切片环节：布局金刚线切片机，新一代金刚线耗材投产 2.3.1.设备端：金刚线切片机不断突破，出

89、货量超千台设备端：金刚线切片机不断突破，出货量超千台 图图 33：传统砂浆切割原理示意图传统砂浆切割原理示意图 图图 34：金刚线切割原理示意图金刚线切割原理示意图 数据来源：高测股份，东北证券 数据来源：高测股份，东北证券 表表 15：切割方式对比：切割方式对比 对比项目对比项目 游离磨料砂浆切割游离磨料砂浆切割 固结磨料金刚线切割固结磨料金刚线切割 切割磨损切割磨损 磨料颗粒磨损约为 60m 金刚石颗粒磨损约为 20m 以切割硅材料为例，相同线径下金刚线切割比砂浆切割硅料损耗更低，单位硅料的硅片产出增加 20%左右，且砂浆切割最细线径约为 80m。切割速度切割速度 砂浆切片机线网速度约为

90、580-900m/min。金刚线切片机线网速度已达到 2,000m/min 以上。金刚线切割速度约为砂浆切割的 2-3 倍。辅料消耗辅料消耗 PEG 悬浮液，较难处理。水基切割液，较易处理。金刚线切割工艺更为环保。数据来源：高测股份，东北证券 金刚线切片机具备高线速优势金刚线切片机具备高线速优势。在硅片切割过程中，金刚线网的线速度在 4 秒内从静止状态加速至 2,400 米/分钟（折合 144 公里/小时），并持续运行 30 秒后，再在 4 秒内减速至 0 米/分钟；随后反向加速至 2,400 米/分钟，持续运行 30 秒后，再减速至 0 米/分钟；金刚线网如上往返高速运动切割硅棒。对比砂浆切

91、割单位硅料产出增加约 20%，目前已经成为主流光伏硅片切割方式。金刚线切割设备布局逐步完善，切片技术协同应用多元领域金刚线切割设备布局逐步完善，切片技术协同应用多元领域。除开光伏领域的应用，金刚线切片机在蓝宝石和半导体硅片等硬脆材料切割同样具有重要意义。目前公司研发出了光伏硅、半导体硅、蓝宝石三大领域的晶体切片设备，满足 4 至 12 英寸多规格的高质量切片需求。同样，对后续的截断开方环节，公司也做了多元延伸积极布局了半导体环线截断机、蓝宝石多线开方机、蓝宝石截断机等，进一步完善平台化布局。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 29/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度

92、 图图 35：公司：公司金刚线切割设备金刚线切割设备布局布局 数据来源：半导体材料行业分会，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 30/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.3.2.材料端：材料端：新一代金刚线产品投产，差异化设计值得期待新一代金刚线产品投产，差异化设计值得期待 图图 36：金刚线产业链图：金刚线产业链图 数据来源：美畅股份招股书，东北证券 金刚线金刚线位于光伏产业链上游位于光伏产业链上游。光伏产业链主要包括硅料、硅片、晶硅电池片、光伏组件、光伏发电系统 5 个环节。上游为硅料的采集、硅片的生产环节；中游为晶硅电池片、光伏组件的生产环节；下

93、游为光伏发电系统的集成与运营。其中，硅片切割是切片生产环节的主要工序，电镀金刚石线（简称“金刚线”）可用于硅棒截断、硅锭开方、硅片切割，其切割性能直接影响硅片的质量及光伏组件的光电转换性能。电镀电镀金刚线为当前主流金刚线为当前主流，细线化推动钨丝金刚线，细线化推动钨丝金刚线。电镀金刚石线是用电镀的方法在钢线基体上沉积一层金属镍，金属镍层内包裹有金刚石颗粒，使金刚石颗粒固结在钢线基体上，从而制得的一种线形超硬材料切割工具。2021 年 H1 的金刚线母线主流直径为 42-47m,目前已经下降到 36-40m,部分厂商引进钨丝金刚线实现母线 32m 的金刚线切割。高碳钢丝极限线径约为 35m，随着

94、硅片的进一步薄片化，金刚线细线化或将面临瓶颈。而钨丝钢线具备高破断拉力值、低电阻率和高耐腐蚀能力有效解决细径化瓶颈但成本较高，后续有望通过规模效应降本放量。图图 37：金刚线：金刚线纵向纵向截面图截面图 图图 38：金刚线横向截面图金刚线横向截面图 数据来源：高测股份，东北证券 数据来源：高测股份，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 31/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 39：M10 和和 G12 A 品率品率 图图 40：M10 和和 G12 线径线径(m)数据来源：CPIA，晶澳，东北证券 数据来源：CPIA，晶澳，东北证券 公司公司新一代新

95、一代金刚线项目投产，金刚线项目投产，设备材料相结合助力价值最大化设备材料相结合助力价值最大化。目前光伏领域金刚线的主流线径在 37-42m，对应 M10 和 G12 的 A 品率仍能保持在 90%以上，足以满足现阶段硅片厂生产并且细径化的持续或将进一步打开降本空间。根据PVinfoLink 测算，182 硅片综合耗线量约 3.5-4m/片，210 硅片综合耗线量 4.8-5.3m/片，折合单瓦耗线量约为 0.46-0.53 米。预计到 2022 年末金刚线产能约为 33500 万公里。2022 年 11 月公司新一代金刚线生产项目在上虞投产，同时公司金刚线切片机历经两次技术迭代升级，设备性能和

96、功能均得到大幅提升，结合自研的核心耗材金刚线产品，形成切片设备加核心耗材的综合能力。表表 16：公司金刚线项目：公司金刚线项目 项目项目 环评环评进度进度 情况简介情况简介 浙江晶钰年产浙江晶钰年产 600 万千米金刚线生产项目万千米金刚线生产项目 2022 年 7 月通过 通过购置金刚线生产线、复绕机、镀液处理系统等其它公用工程设备形成年产 600 万千米生产能力 浙江晶钰年产浙江晶钰年产 3000 万千米金刚线生产项目万千米金刚线生产项目 2022 年 10 月通过 通过购置金刚线生产线、复绕机等设备，形成年产3000 万千米金刚线生产能力 数据来源：公司公告，政府公告，东北证券 图图 4

97、1：公司金刚线产品：公司金刚线产品 图图 42：公司金刚线生产车间公司金刚线生产车间 数据来源：公司官网，东北证券 数据来源：公司官方公众号，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 32/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 43：金刚线市场供应能力：金刚线市场供应能力 公司公司 20212021 末产能末产能(万公里万公里)20222022 末产能末产能(万公里万公里)20212021 销量销量(万公里万公里)美畅 7000 12000 4541 高测 1500 3000 829 恒星科技 1200 4600 806 岱勒 1200 3600 336(含

98、部分粗线)三超 720 1200 262(含部分粗线)宇晶 1000 2000 193 东尼 180 600-原轼 1500 5500-聚成 1500 3000-合计合计 1580015800 3350033500 约约 67006700 数据来源：PVInfoLink，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 33/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 2.4.光伏光伏硅片硅片设备设备市场空间测算市场空间测算 2022年和年和 2023年新增硅片设备市场空间约为年新增硅片设备市场空间约为305亿元和亿元和 223亿元亿元。当前光伏领域，硅料和硅片环节面临产能过剩

99、问题，随着 2022Q4 产能逐步释放，硅料价格开始腰斩。因此，我们认为 2022 年为硅片设备投资高点，但是在大尺寸尤其是 210 产能上仍然欠缺，目前 1600 单晶炉对应产能仅 200GW，公司作为龙头企业在大尺寸趋势下仍然有望持续收益。测算假设/条件如下：1）2020-2023E 单晶炉存量升级比例分别为当年硅片产能的 5%/7%/10%/12%2）2019-2023E 截断机、开方机、磨倒一体机的价格相对稳定 3）国外硅片产能相对稳定，2023E 预计硅片产能 700GW 4）随着更多 1600 等大炉径投产，单 GW 所需单晶炉数量下降 图图 44：光伏硅片设备市场空间测算光伏硅片

100、设备市场空间测算 20202020 20212021 2022E2022E 2023E2023E 全球新增光伏装机量全球新增光伏装机量 130 170 240 275 硅片产能硅片产能 247.4 415.1 591 700 每年新增硅片产能 62.1 167.7 175.9 109 单 GW 所需单晶炉数量 85 83 78 78 单台价值量(万元)150 150 140 130 增量市场-单晶炉需求量 5279 13919 13720 8502 存量升级-单晶炉需求量 1051 2412 4610 6552 单晶炉总需求 6330 16331 18330 15054 单晶炉市场空间(亿元)

101、95 245 257 196 单 GW 所需截断机数量 2 2 1 1 单台价值量(万元)100 90 85 80 截断机市场空间(亿元)1 3 1 1 单 GW 所需开方机数量 5 3 2 2 单台价值量(万元)90 80 80 75 开方机市场空间(亿元)3 4 3 2 单 GW 所需磨倒一体机数量 8 7 6 6 单台价值量(万元)130 120 110 100 磨倒一体机市场空间(亿元)6 14 12 7 单 GW 所需切片机数量 16 13 13 12 单台价值量(万元)130 130 140 140 切片机市场空间(亿元)13 28 32 18 合计 118 294 305 223

102、 数据来源：高测股份，CPIA，世纪新能源网，东北证券测算 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 34/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 3.半导体自主可控需求旺盛，持续创新为核心竞争力半导体自主可控需求旺盛，持续创新为核心竞争力 3.1.行业趋势：行业趋势：晶圆厂晶圆厂持续扩产持续扩产，12 英寸大硅片产能英寸大硅片产能存在缺口存在缺口 图图 45：全球半导体硅片平均售价（美元全球半导体硅片平均售价（美元/平方英寸）平方英寸）图图 46：全球硅片出货量全球硅片出货量(百万平方英寸百万平方英寸)数据来源：SEMI，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 图图 47：

103、全球半导体硅片市场规模：全球半导体硅片市场规模(亿美元亿美元)图图 48：全球半导体设备市场规模：全球半导体设备市场规模(亿美元亿美元)数据来源：SEMI，东北证券 数据来源：SEMI，Gartner，东北证券 2022 年全球半导体设备规模或达年全球半导体设备规模或达 1005 亿美元亿美元。自 2017 年以来全球半导体设备市场持续增长，由 2017 年的 507 亿美元增至 2021 年的 923 亿美元，增长近 82.05%，中国大陆市场占比也从 12%提升至 28%。从量价角度，2019-2021 全球硅片出货持续提升，根据 SEMI 数据显示 2021 年全球半导体硅片市场规模达到

104、 126 亿美元。半导体硅片大尺寸演变，半导体硅片大尺寸演变，2021 年年 12 英寸占比英寸占比或或达达 68.47%。2008 年以前，全球半导体硅片中 8 英寸占比最高；2008 年 开始 12 英寸硅片首次超过 8 英寸硅片的市场份额，这主要得益于移动通信、计算机等终端市场持续高速发展。12 英寸硅片出货面积自 2000 年以来市场份额逐步提高，从 9,400 万平方英寸扩大至 2021 年的 95.98 亿平方英寸，市场份额从 1.69%大幅提升至 68.47%，成为半导体硅片市场主流的产品，预计到 2022 年市场份额将接近 70%。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的

105、声明及说明 35/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 49：全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比全球不同尺寸半导体硅片出货面积占比(%)数据来源：SEMI，东北证券 国内国内 12 英寸大硅片产能存在缺口英寸大硅片产能存在缺口。供给端，供给端，中美贸易争端日趋激烈，国内现在处于普及 8 英寸的阶段，但 28nm 以及 14nm 制程工艺的下游应用价值量更高，例如功率器件、各类芯片、计算机、移动计算通讯等领域普遍需要使用 12 英寸大硅片。根据下表统计，五家主要企业合计产能约为 77 万片/月。需求端需求端，2015 年至 2021 年中国硅片市场从 4.3 亿美元增长至 16.5 亿

106、美元，年均复合增长率为 25.5%，远高于全球硅片市场的 9.85%。根据 NSIG 预测，2025 年中国市场需求量可达年中国市场需求量可达 200 万片万片/月月，中国 300mm 半导体硅片存在巨大缺口。表表 17：国内国内 12 英寸英寸半导体硅片产能半导体硅片产能(不完全统计不完全统计)企业企业 年度产能年度产能 业务发展及融资情况业务发展及融资情况 沪硅产业沪硅产业 360 万片/年（1）2019 年首次公开发行股票并在科创板上市募投项目之一为“集成电路制造用 300mm 硅片技术研发与产业化二期项目”，总投资额为21.73 亿元；（2）2021 年向特定对象发行股票募集资金投资项

107、目之一为“集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目”，总投资额为 46.04 亿元 TCL 中环中环 204 万片/年 2020 年非公开发行股票募集资金投资项目之一为“集成电路用 8-12 英寸半导体硅片之生产线项目”，总投资额为 57.07 亿元 立昂微立昂微 180 万片/年（1）2020 年首次公开发行股票并上市募投项目为“年产 120 万片集成电路用 8 英寸硅片项目”；（2）2021 年非公开发行股票募集资金投资项目之一“年产 180 万片集成电路用 12 英寸硅片”；（3）2022 年公开发行 A 股可转换公司债券募集资金投资者项目之一“年产 180 万片 12 英

108、寸半导体硅外延片项目”奕斯伟奕斯伟 60 万片/年 2021 年，奕斯伟完成 B 轮融资，融资金额超过 30 亿元人民币，用于扩大硅片生产的产能 中欣晶圆中欣晶圆 120 万片/年 2021 年，中欣晶圆顺利完成 B 轮融资，融资金额 33 亿元人民币，将用于 12 英寸硅片第二个 10 万片产线建设 数据来源：各公司公告，东北证券(注：(1)年度产能均为 12 英寸硅片产能;TCL 中环与立昂微均为截至 2021 年末;（2）奕斯伟数据为截至 2020 年末产能达产情况；（3）中欣晶圆 12 英寸硅片产能为 2021 年 9 月产能数据。)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及

109、说明 36/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 18：半导体硅片制备及其下游领域：半导体硅片制备及其下游领域 公司公司 对应客户对应客户 应用硅片制应用硅片制备领域备领域 下游应用下游应用 可应用制程工可应用制程工艺艺 晶盛机电晶盛机电 TCL 中环 4-12 英寸 8 英寸及以下：功率器件、逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、图像处理芯片、传感器、微处理芯片、射芯片等；12 英寸：Logic、CIS、Power 等产品门类设计 28nm 以上 晶升装备晶升装备 上海新昇 12 英寸 CIS/BSI 图像传感器芯片、通用处理器芯片、存储芯片；已实现量产 28nm 以上 金瑞泓 12 英寸

110、 CIS 芯片、功率器件芯片；已实现量产 28nm 以上 神工股份 8 英寸 指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动（面板驱动）芯片；送样认证阶段，未实现量产 90nm 以上 连城数控连城数控 麦斯克电子材料 8 英寸 指纹识别芯片、影像传感器、MCU、电源管理芯片、液晶驱动 IC、传感器芯片、影像传感器等 0.13m-0.15m 0.18m-0.25m S-TECH Co.,Ltd.上海新昇 12 英寸 存储芯片、移动计算通讯芯片、数字与模拟集成电路等 14nm 及以上 PVA TePla AG 德国世创 5-12 英寸 存储芯片、高度集成微处理器、电源管理芯片等，主要应用于计算机、平板电脑

111、、智能手机、固态驱动器、汽车辅助和控制系统、可穿戴设备、电信、高压、网络技术等领域 14nm 及以上 14nm 及以下 数据来源：晶升装备招股书，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 37/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 3.2.前道硅片设备多环节打通，前道硅片设备多环节打通，大尺寸确立设备领先性大尺寸确立设备领先性 半导体硅片生产流程：半导体硅片生产流程：拉晶、滚磨切断、线切割、倒角、研磨、腐蚀、热退火、边缘抛光、双面抛光、最终抛光、清洗、检测、外延等步骤和工艺环节。硅片制造过程中涉及到多种生产设备，拉晶、成型和抛光是保证半导体硅片质量的关键环节，涉及

112、包括单晶炉、滚磨机、切片机、倒角机、研磨设备、CMP 抛光设备、清洗设备、检测设备等多种生产设备。图图 50：半导体硅片生产流程半导体硅片生产流程 数据来源：高测股份招股书，东北证券 公司积极公司积极布局前道布局前道硅片硅片，并向，并向封装市场封装市场延伸。延伸。半导体设备主要分为硅片制造硅片制造、芯片芯片制造制造、封装制造封装制造三大主要环节设备。公司主要布局用于半导体晶体的生长和加工的于硅片制造环节设备，同时在部分工艺环节布局至芯片制造和封装制造端。在半导体 8-12 英寸大硅片设备领域，公司产品在晶体生长、切片、抛光、CVD 等环节已基本实现 8 英寸设备的全覆盖，12 英寸长晶、切片、

113、研磨、抛光等设备也已实现批量销售。同时在 8-12 英寸减薄机上不断突破向封装端进军。图图 51：公司半导体设备布局：公司半导体设备布局 数据来源：公司公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 38/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 公司半导体单晶炉性能优异公司半导体单晶炉性能优异，领先布局第四代半导体材料领先布局第四代半导体材料。公司持续推进 12 英寸大硅片设备的下游验证和推广，不断进行技术积累。公司半导体单晶炉在热场兼容性上可达到 28-36 英寸兼容，达到国际领先水平，有效助力半导体大硅片设备的国产化进程，并将逐步实现12英寸硅片设备的自主可控。

114、目前市场占有率在10%-15%，较龙头 S-TECH Co.,Ltd 的 40%仍有较大的替代空间。同时公司成功研发第四代半导体材料 MPCVD 法金刚石晶体生长设备，进一步丰富半导体晶体生长装备产品体系，确保了设备的领先性。发布定增发布定增扩大半导体设备产能扩大半导体设备产能。募投项目中的年产 80 台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目涉及新增产能，在原有 8 英寸减薄、抛光设备批量制造的基础上新增 8-12 英寸减薄机、边缘抛光机、双面抛光机、最终抛光机的规模化生产，提高公司在高端精密零部件的生产能力，提升 8-12 英寸减薄和抛光设备产能，建成后将形成年产 35 台/套减薄设备与 4

115、5 台/套抛光设备的产能，当前半导体行业紧跟国产自主可控趋势，预计项目投产后为公司业绩带来较大增量。表表 19：半导体级单晶炉参数对比：半导体级单晶炉参数对比 设备规格指标参数设备规格指标参数 晶盛机电晶盛机电 晶升装备晶升装备 连城数控连城数控 S-TECH Co.,Ltd PVA TePla AG 主炉室大小(mm)1300 1350 1300-1320 炉体总高(mm)8520 11700 9436 10500 12700 最大装料量(kg)300 420-450 440 440 450 晶棒最大等径长度(mm)-2050-2200-2000 2100 晶体升降速率(mm/min)0-8

116、 0-8 0-8.47 0.1-6 0.05-8 晶体转速(rpm)0-30 0-30 0-30 1-20 0.7-35 坩埚升降速率(mm/min)0-4 0-4 0-2.1 0.01-1 0.025-4 坩埚转速(rpm)0-20 0-20 0-30 0.1-20 0.1-20 热场大小(英寸)28-36 32 32 32 36 数据来源：晶升装备，东北证券(注：300KG 为初始装料量)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 39/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 20：半导体单晶炉竞争情况：半导体单晶炉竞争情况 公司公司 产品单价产品单价(万元万元/台台

117、)市场占有率市场占有率 主要客户主要客户 备注备注 晶盛机电晶盛机电 1000-1600 约 10%-15%TCL 中环 成立于 2006 年，围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开发出一系列关键设备，并适度延伸到材 料领域。主营产品包括全自动晶体生长设备、晶体加工设备、晶片加工设备、碳化硅长晶设备及外延设备等，主要应用于集成电路、太阳能光伏及 LED 等领域。连城数控连城数控-成立于 2007 年，专注于光伏及半导体行业晶体硅生长和加工设备，为光伏及半导体行业客户提供高性能 的晶硅制造和硅片处理等生产设备，主要产品包括单晶炉、线切设备、磨床、和氩气回收装置等产品。S-TECH Co.,L

118、td 1300-2000 约 40%沪硅产业 奕斯伟 成立于 1990 年，是世界领先的半导体及光伏 单晶炉设备供应商，于 1993 成立真空事业部，生产高真空设备。经过多年的研发投入，S-TECH Co.,Ltd.于 2008 年成功商业化硅晶体生长设备，2015 成功生产了韩国最长的铸锭，2016 年进入中国半导体级晶体生长设备市场 PVA TePla AG 1500-2500-成立于 1991 年，总部位于德国 Wettenberg，是一家国际化的设备和系统供应商，主要产品包括高温真空炉设备、晶体生长设备、等离子体设备。PVA TePla AG 于 2003 年在法兰克福证券交易所上市，

119、2021 年营业收入 1.55 亿欧元，净利润 1,215.50 万欧元 晶升装备晶升装备 1300-1700 9.01%-15.63%沪硅产业 立昂微 成立于 2012 年，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，业务聚焦于半导体级晶体生长设备领域，主要向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。公司 2021 年营业收入 1.95 亿元，净利润 4,697.96 万元 数据来源：晶升装备招股书，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 40/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 3.3.创新突破：创新突

120、破：扩产减薄抛光设备，扩产减薄抛光设备，12 英寸双轴减薄机英寸双轴减薄机蓄势待发蓄势待发 图图 52：有载片磨削减薄工艺流程有载片磨削减薄工艺流程 数据来源：晶圆留边磨削减薄工艺基础研究 李彧，东北证券 减薄抛光为硅片平坦化的重要环节减薄抛光为硅片平坦化的重要环节。公司在 8-12 英寸半导体硅片制造上逐步实现国产化自主替代。目前公司的 12 英寸双轴减薄机，立项到成功下线历时 9 个月，研发周期缩短50%，得益于原有的8英寸单/双轴减薄机和12英寸单轴减薄机设备积累，助力公司完善半导体设备产业链。图图 53：公司减薄抛光产品布局：公司减薄抛光产品布局 数据来源：晶盛机电，东北证券 请务必阅

121、读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 41/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 3.4.碳化硅：第三代半导体材料碳化硅：第三代半导体材料，聚焦聚焦前沿技术领域前沿技术领域 3.4.1.行业：功率器件下游应用逐渐成熟行业：功率器件下游应用逐渐成熟 图图 54：碳化硅产业链图：碳化硅产业链图 数据来源：晶升装备，东北证券 碳化硅衬底可分为半绝缘型和导电型碳化硅衬底可分为半绝缘型和导电型。碳化硅晶体主要应用于射频器件（半绝缘型衬底）及功率器件（导电型衬底）领域。碳化硅射频器件碳化硅射频器件（半绝缘型衬底）应用于 5G 通信、卫星、雷达等国防军工领域；碳化硅功率器件（导电型衬底）应用

122、于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、工业、家电、智能电网、航空航天等领域，涉及领域较广，同时光伏逆变和新能源汽车等领域处于高速增长阶段，也是当前国内碳化硅厂的主要目标领域。从尺寸看，从尺寸看，导电型衬底应用的碳化硅二极管以及碳化硅 MOSFET 国内主流量产在 6 英寸及以下，而国外主流厂商已实现 8 英寸衬底量产应用，如 2010 年至 2011 年，美国科锐公司、德国 SiCrystal 已实现碳化硅 MOSFET 器件的发布及量产，通过向意法半导体等客户供应导电型衬底；半绝缘型衬底主要应用的碳化硅射频器件也属于类似情况，国内实现 6 英寸量产应用，国外实现 8 英寸量产，2020 年美国-

123、半绝缘型碳化硅衬底市占率为 35%，市占全球第一。图图 55：半绝缘型碳化硅衬底：半绝缘型碳化硅衬底 图图 56：导电型碳化硅衬底：导电型碳化硅衬底 数据来源：天岳先进，东北证券 数据来源：天岳先进，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 42/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 21：第三代半导体材料参数对比：第三代半导体材料参数对比 指标参数指标参数 硅硅(第一代第一代)砷化镓砷化镓(第二代第二代)碳化硅碳化硅(第三代第三代)氮化镓氮化镓(第三代第三代)禁带宽度（eV）1.12 1.43 3.2 3.4 饱和电子漂移速率（107cm/s）1.0 1.

124、0 2.0 2.5 热导率（Wcm-1K-1）1.5 0.54 4.0 1.3 击穿电场强度（MV/cm）0.3 0.4 3.5 3.3 数据来源：宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路赵正平著，东北证券 第三代半导体第三代半导体有望有望开启新一轮技术升级开启新一轮技术升级。由于碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，可广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域，随着下游行业快速发展，以碳化硅为代表的第三代半导体市场迎来高速发展。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能以碳化硅为衬底

125、制成的功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能 具体如下：具体如下：耐高压。碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。耐高温。碳化硅相较硅拥有更高的热导率，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升，同时降低对散热系统的要求，使终端可以更加轻量和小型化。低能量损耗。碳化硅具有 2 倍于硅的饱和电子漂移速率，使得碳化硅器件具有极低的导通电阻，导通损耗低；碳化硅具有 3 倍于硅的禁带宽度，使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少，从而降低功率损耗 图图 57：同规格碳化硅器件与硅器件同规格碳化硅器件与硅器件电阻电阻对比对比

126、图图 58：碳化硅器件与硅器件碳化硅器件与硅器件能量损失对比能量损失对比 数据来源：天科合达，东北证券 数据来源：天科合达，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 43/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 碳化硅生产核心仍为长晶和切片碳化硅生产核心仍为长晶和切片。长晶环节，长晶环节，将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨坩埚下部和顶部，通过电磁感应将坩埚加热至 2,000以上，控制籽晶处温度略低于下部微粉处，在坩埚内形成轴向温度梯度。碳化硅微粉在高温下升华形成气相的 Si2C、SiC2、Si 等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处，并

127、在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。切片切片环节，环节，将制得的碳化硅晶锭使用 X 射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过 1mm 的薄片。图图 59：碳化硅生产流程：碳化硅生产流程 数据来源：天科合达，东北证券 表表 22：不同不同碳化硅单晶生长方式示意图碳化硅单晶生长方式示意图 物理气相传输物理气相传输(PVT)高温化学气相积淀高温化学气相积淀(HTCVD)液相外延液相外延(LPE)数据来源：晶升装备，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 44/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度

128、 碳化硅单晶炉长晶方式碳化硅单晶炉长晶方式 物理气相传输（物理气相传输（PVT）：）：在高温区（2000）将 SiC 粉末升华，将 SiC 气体沿着温度梯度输送，在较冷的尾部 SiC 籽晶凝聚为晶体 工艺：工艺：目前国际主流大规模应用的晶体生长方法，具有技术方案成熟、生长过程简单、设备成本低等特点。技术难点主要为大尺寸衬底制备缺陷水平控制及良率提升 高温化学气相积淀（高温化学气相积淀（HTCVD）：将 SiH4、C2H4 等反应气体通过载气从反应器的底部通入，在中部热区发生反应并形成 SiC 簇，升华至反应器顶端籽晶处生长，工艺温度为 1800-2300 工艺：工艺：可制备高纯度、高质量的半绝

129、缘型碳化硅晶体，具有工艺参数可调性、产品多样性等优势。受晶体生长设备、高纯气体成本较高、生长工艺尚未成熟等因素制约，商业化进展缓慢，未实现大规模应用 液相外延（液相外延（LPE）：）：在 1800的温度下碳硅溶液共溶，从过冷饱和溶液中析出 SiC晶体 工艺：工艺：目前技术成熟度仍相对较低，具有质量高、易扩径、易实现稳定的 P 型掺杂、长晶过程可观测等特点，有望成为未来制备尺寸更大、结晶质量更高、成本更低的碳化硅单晶生长方法 表表 23：国产碳化硅外延设备供：国产碳化硅外延设备供应商应商 企业企业 进度进度 简介简介 晶盛机电晶盛机电 6 英寸外延 8 英寸长晶 在碳化硅领域，公司开发生产的主要

130、设备有碳化硅长晶设备、核心加工设备及外延设备。目前形成营业收入的设备产品主要属于硅材料领域，其下游为光伏和集成电路两大产业领域。北方华创北方华创 4-6 英寸 2021 年 9 月北方华创在投资者互动平台表示，公司碳化硅外延设备已实现市场销售，产品各项性能满足客户要求。这是北方华创在碳化硅外延设备领域的又一新突破。48 所所-2022 年 9 月 26 日，48 所第三代半导体核心装备 SiC 外延装备批量发往用户现场 深圳纳设智能深圳纳设智能-2021 年 3 月出产的第一台设备至今，纳设智能不断进行产品的创新迭代，在团队的共同努力下，成功开发升级版二代产品机并正式交付客户。2022 年 8

131、 月 3 日公司 7 月与国内龙头碳化硅外延厂商签订了数十台复购订单，这是公司在第三代半导体碳化硅外延设备领域的关键进展。数据来源：各公司公告，东北证券 衬底占功率半导体器件衬底占功率半导体器件 47%的成本的成本，国外垄断大部分份额，国外垄断大部分份额。现有的功率器件大多基于硅半导体材料，由于硅材料物理性能的限制，器件的能效和性能已逐渐接近极限，难以满足迅速增长和变化的电能应用新需求。碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。目前功率半导体器件成本中，衬底和外延分别占成本的47%和23%，合计达70%。从竞争格局来看，美国科锐

132、为市场龙头，根据 Yole 数据显示其 2021 年市占率达62%。同时，新能源汽车作为其重要下游，根据 CASA Research 预测，到 2025 年国内外新能源汽车 SIC/GAN 市场规模约为 45.9 亿元和 100.2 亿元。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 45/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 60：功率半导体器件成本占比：功率半导体器件成本占比 图图 61：2021 年年碳化硅碳化硅竞争格局竞争格局 数据来源：芯 TIP，东北证券 数据来源：Yole，东北证券 图图 62：碳化硅碳化硅新能源下游应用新能源下游应用 数据来源：公司公告，C

133、ASA Research，东北证券 科锐公司,62%II-IV,14%SiCrystal,13%其他,11%科锐公司II-IVSiCrystal其他5.915.819.22226.433.845.914.52027.638.152.672.6100.20204060800202021E2022E2023E2024E2025E中国新能源汽车SICGAN市场规模全球新能源汽车SICGAN市场规模 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 46/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 表表 24：国内碳化硅材料厂商国内碳化硅材料厂商产能情况产能情况(不完全统计

134、不完全统计)企业企业 年度产能年度产能 业务发展及融资情况业务发展及融资情况 三安光电三安光电 7.2 万片/年 主要从事碳化硅等第三代化合物半导体的研发及产业化，投资总额 160 亿元（含土地使用权和流动资金），项目达产后，配套产能约 36 万片/年的生产能力。截至 2022 年 6 月末，湖南三安碳化硅产能达到 6,000 片/月（7.2 万片/年）天岳先进天岳先进 4.81 万片/年 2022 年首次公开发行股票并在科创板上市募投项目之一为“碳化硅半导体材料项目”，总投资额为 25.00 亿元 天科合达天科合达 3.75 万片/年 2020 年首次公开发行股票并在科创板上市募投项目为“第

135、三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目”，总投资额为 9.57 亿元 东尼电子东尼电子-2021 年非公开发行股票募集资金投资项目之一“年产 12 万片碳化硅半导体材料项目”，总投资额为 4.69 亿元 河北同光半导体河北同光半导体-2021 年，河北同光半导体股份有限公司“年 产 10 万片碳化硅单晶衬底项目”正式投产，总投资约 9.5 亿元 山西烁科新材料山西烁科新材料 4 英寸高纯半绝缘晶片产能可达 9.6 万片/年 公司所在的碳化硅产业园一期和二期总投资 40 亿元，用于生产碳化 硅单晶衬底 浙江晶越浙江晶越-2020 年 6 月，浙江晶越碳化硅晶圆生产线项目签订三方投资协议书。该项目

136、签约共分三期，总投资达 100 亿元；2021 年 7 月，浙江晶越碳化硅项目一期拟投资约 1.35 亿元，年产 1.2 万片 6 英寸碳化硅晶片；2022 年 6 月，浙江晶越完成新一轮融资，领投方为红杉资本、和利资本等 露笑科技露笑科技 2.5 万片/年 2022 年非公开发行股票募集资金投资项目包括“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”和“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”，合计总投资额为 26.00 亿元；前期“新建碳化硅衬底片产业化项目”和“碳化硅研发中心项目”，合计总投资额为 7.45 亿元 中电化合物半导体中电化合物半导体 2 万片/年 2019 年，中电化合物半导体项目落户浙江

137、宁波，项目总投资 10.5 亿元，规划建设年产 7 万片 6 英寸 SiC 同质外延片生产线和年产 1 万片 GaN 外延片生产线 数据来源：各公司公告，东北证券(注：三安光电产能为截至 2022 年 6 月末，根据月度产能年化后计算得出)请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 47/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 3.4.2.公司布局：公司布局：拟发布拟发布 6 英寸双片式外延设备，衬底晶片达产采购意向英寸双片式外延设备，衬底晶片达产采购意向 图图 63：主流碳化硅：主流碳化硅企业企业时间时间进度进度 数据来源：公开资料整理，东北证券 公司公司突破突破 8 英寸英

138、寸 N 型型 SIC 晶体，晶体，双片外延设备蓄势待发双片外延设备蓄势待发。公司 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，当前主流应用在 6 英寸，公司于 2022 年 8 月成功生长首颗 8 英寸 N 型 SiC 晶体，缩小国内外技术差距助力宽禁带半导体产业的国产化发展。目前在碳化硅领域，公司已经建立中试产线，同时客户 A 已与公司形成采购意向，2022年-2025 年公司将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于 23 万片。设备方面，公司已经开发了碳化硅的长晶、切片、抛光和外延设备，并实现了外延设备的批量销

139、售。目前公司即将发布 6 英寸双片式外延设备，进一步完善碳化硅领域设备供应能力。图图 64：公司：公司 6 英寸碳化硅生长炉英寸碳化硅生长炉 图图 65：公司：公司碳化硅晶片产品图碳化硅晶片产品图 数据来源：半导体材料行业分会，东北证券 数据来源：半导体材料行业分会，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 48/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 图图 66：公司：公司碳化硅碳化硅业务业务发展历史发展历史 数据来源：公司官网，东北证券 图图 67：公司外延及炉管布局：公司外延及炉管布局 图图 68：公司：公司 8 英寸英寸 N 型碳化硅晶体型碳化硅晶体 数据来

140、源：半导体材料行业分会，东北证券 数据来源：公司官方公众号，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 49/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 4.蓝宝石：掌握领先生长技术，蓝宝石：掌握领先生长技术，逐步爬坡逐步爬坡开启放量开启放量 图图 69：公司公司蓝宝石蓝宝石业务发展历史业务发展历史 数据来源：公司官网，东北证券 公司蓝宝石业务发展历史公司蓝宝石业务发展历史：公司研发蓝宝石的历史已超 11 年。2011 年首台 KY35S蓝宝石生长炉研发成功；2017 年国内首颗 300kg 级蓝宝石晶体出炉；时隔 8 个月，2018 年 450kg 级蓝宝石晶体创该领域

141、研发纪录；2020 年 700kg 级蓝宝石晶体再次刷新研发纪录；2022 年成功生长高品质红宝石。蓝宝石物理性质蓝宝石物理性质优良，优良，LED 衬底材料衬底材料为为蓝宝石蓝宝石当前主要当前主要应用应用。蓝宝石为 Al2O3 晶体，工作温度高达 1,900C。单晶 C 面与 GaN 衬底沉积薄膜间的晶格常数失配率低，且符合 GaN 磊晶制程中耐高温的要求，因此蓝宝石晶片是制作 LED 的关键材料。从全球来看，2020 年全球 LED 照明渗透率达 59.00%；从国内来看，禁白令-逐步淘汰白炽灯，使得国内 LED 对传统灯源的替代需求持续释放。图图 70：GaN-LED 外延片产量外延片产量

142、(4 英寸，英寸，万片万片)图图 71：2021 年蓝宝石下游应用年蓝宝石下游应用 数据来源：TrendForce，东北证券 数据来源：华经产业研究院，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 50/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 新型显示新型显示技术带动技术带动 LED 外延片需求。外延片需求。根据 TrendForce 数据预测到 2025 年，Mini/Micro LED 新型显示带来的 LED 外延片需求量将达到 1011 万片/年。除此之外，UV LED 同样为 LED 应用的后续发展方向。到 2024 年，UV LED 市场规模预计将达到 10.

143、2 亿美金，2019-2024 年复合增长率达到 27%。UV LED 的成长也将会推动 LED 外延片市场需求增长。表表 25：公司蓝宝石产品图：公司蓝宝石产品图 产品产品 应用领域应用领域 产品图示产品图示 特点特点 蓝宝石晶体蓝宝石晶体 LED 1、化学性质和物理性质稳定，硬度高达莫氏9 级，具有很好的透光性、热传导性、电气绝缘性，力学机械性，并且具有耐磨和抗风蚀的特点；2、具备 120Kg 到 700Kg 全系列的泡生法蓝宝石晶体，450Kg 级泡生法蓝宝石晶体已量产，且成功生长出全球领先 700Kg 级蓝宝石晶体。蓝宝石晶棒蓝宝石晶棒 LED 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸衬底级蓝宝

144、石晶棒，高品质、非标大尺寸晶棒可定制。2 2-6 6 寸蓝宝石抛光片寸蓝宝石抛光片 LED 重要的 LED 衬底材料，化学稳定性好，透光性能好，大尺寸、良好抛光，可定制。数据来源：公司公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 51/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 5.盈利预测和投资评级盈利预测和投资评级 1）设备及其服务：设备及其服务：2022 年下游硅片厂呈现快速扩张，公司单晶炉业务充分受益；2023 年后光伏硅片面临产能过剩等问题，但是部分老旧产能无法兼容大尺寸拉晶，同时公司碳化硅设备将开启放量，预计 2022-2024 年实现营收 92.07、9

145、9.44、111.37亿元 2）材料：材料：2021 年公司材料业务以蓝宝石为主，2022 年公司针对光伏关键耗材石英坩埚和金刚线进行产能建设开始投产，同时碳化硅材料也在积极建设，因此 2022 年和 2023 年材料业务收入大幅增长。3）其其他他：假设其他业务保持相对稳定，预计毛利率分别为 25.80%、28%和 29%。图图 72：2021-2024E 公司收入拆分公司收入拆分(亿元亿元)数据来源：公司官网，东北证券 投资评级：投资评级：预计公司2022-2024年公司营收分别为109.51亿、149.75亿和185.85亿；净利润分别为 29.29 亿，39.49 亿和 47.88 亿，

146、对应 PE 分别为 31x、23x、19x，对应每股收益分别为 2.24 元、3.02 元和 3.66 元，上调给予“买入”“买入”评级。202120212022E2022E2023E2023E2024E2024E设备及其服务设备及其服务收入49.7792.0799.44111.37YOY51.93%85.00%8.00%12.00%毛利率42.61%42.82%42.75%41.80%材料材料收入3.8910.8943.5767.53YOY100.78%180.00%300.00%55%毛利率24.54%29.00%36.00%35.50%其他其他收入5.956.556.746.94YOY7

147、4.57%10.00%3.00%3.00%毛利率25.54%25.80%28.00%29.00%合计合计收入59.61109.51149.75185.85YOY56.44%83.71%36.74%24.11%毛利率39.73%40.43%40.12%39.03%请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 52/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 6.风险提示风险提示 硅片扩产不及预期；订单交付不及预期 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 53/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 附表：财务报表预测摘要及指标附表：财务报表预测摘要及指标 资产负债表

148、（百万元）资产负债表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 现金流量表（百万元）现金流量表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 货币资金 1,867 4,291 5,790 10,762 净利润净利润 1,728 2,945 3,967 4,816 交易性金融资产 456 456 456 456 资产减值准备 100 146 5 4 应收款项 1,666 4,826 3,888 6,806 折旧及摊销 159 177 205 233 存货 6,051 6,899 11,636 12,108 公允价值变动损失 0 0 0 0 其他流动资产 3,151 6,3

149、26 8,481 10,437 财务费用 5 2 3 3 流动资产合计流动资产合计 13,190 22,798 30,251 40,569 投资损失-52-94-131-162 可供出售金融资产 运营资本变动-147-993-1,414 1,230 长期投资净额 977 1,201 1,417 1,626 其他-55-2-18-21 固定资产 1,509 1,651 1,787 1,916 经营活动经营活动净净现金流现金流量量 1,737 2,180 2,617 6,104 无形资产 246 259 273 288 投资活动投资活动净净现金流现金流量量-886-705-709-705 商誉 0

150、 0 0 0 融资活动融资活动净净现金流现金流量量 75 949-408-427 非非流动资产合计流动资产合计 3,693 4,314 4,963 5,614 企业自由现金流企业自由现金流 1,259 1,688 2,012 5,469 资产总计资产总计 16,884 27,112 35,214 46,183 短期借款 24 19 14 11 应付款项 4,147 7,998 8,979 12,417 财务与估值指标财务与估值指标 2021A 2022E 2023E 2024E 预收款项 0 591 404 585 每股指标每股指标 一年内到期的非流动负债 5 5 5 5 每股收益（元）1.3

151、3 2.24 3.02 3.66 流动负债合计流动负债合计 9,620 15,806 20,341 26,913 每股净资产（元）5.31 8.30 11.01 14.35 长期借款 2 2 2 2 每股经营性现金流量（元）1.35 1.67 2.00 4.66 其他长期负债 146 146 146 146 成长性指标成长性指标 长期负债合计长期负债合计 147 147 147 147 营业收入增长率 56.4%83.7%36.7%24.1%负债合计负债合计 9,767 15,953 20,488 27,060 净利润增长率 99.5%71.1%34.8%21.3%归属于母公司股东权益合计 6

152、,835 10,861 14,409 18,778 盈利能力指标盈利能力指标 少数股东权益 281 298 317 345 毛利率 39.7%40.4%40.1%39.0%负债和股东权益总计负债和股东权益总计 16,884 27,112 35,214 46,183 净利润率 28.7%26.7%26.4%25.8%运营效率指标运营效率指标 利润表（百万元）利润表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 应收账款周转天数 93.79 106.71 104.75 103.58 营业收入营业收入 5,961 10,951 14,975 18,585 存货周转天数 432.39 357

153、.30 372.07 377.20 营业成本 3,593 6,524 8,967 11,331 偿债能力指标偿债能力指标 营业税金及附加 84 131 207 227 资产负债率 57.9%58.8%58.2%58.6%资产减值损失-60-40-5-4 流动比率 1.37 1.44 1.49 1.51 销售费用 30 82 130 286 速动比率 0.62 0.91 0.81 0.95 管理费用 200 367 675 624 费用率指标费用率指标 财务费用-14 2 3 3 销售费用率 0.5%0.8%0.9%1.5%公允价值变动净收益 0 0 0 0 管理费用率 3.3%3.4%4.5%

154、3.4%投资净收益 52 94 131 162 财务费用率-0.2%0.0%0.0%0.0%营业利润营业利润 1,992 3,399 4,576 5,552 分红指标分红指标 营业外收支净额-8 2 3 3 股息收益率 0.4%0.4%0.5%0.5%利润总额利润总额 1,984 3,401 4,579 5,554 估值指标估值指标 所得税 256 456 611 738 P/E（倍）52.26 30.73 22.79 18.79 净利润 1,728 2,945 3,967 4,816 P/B（倍）13.08 8.29 6.25 4.79 归属于母公司净归属于母公司净利润利润 1,712 2,

155、929 3,949 4,788 P/S（倍）15.00 8.22 6.01 4.84 少数股东损益 17 16 19 28 净资产收益率 28.5%27.0%27.4%25.5%资料来源：东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 54/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 研究团队研究团队简介：简介：Table_Introduction 刘军：华中科技大学动力机械/会计学专业毕业，现任东北证券机械行业首席分析师。有多年的工程机械与重卡行业相关实业经验，曾任长江证券研究所行业研究员，2010 年以来具有 10 年证券研究从业经历。重要重要声明声明 本报告由东北证券股

156、份有限公司（以下称“本公司”）制作并仅向本公司客户发布，本公司不会因任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本公司具有中国证监会核准的证券投资咨询业务资格。本报告中的信息均来源于公开资料，本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。报告中的内容和意见仅反映本公司于发布本报告当日的判断，不保证所包含的内容和意见不发生变化。本报告仅供参考，并不构成对所述证券买卖的出价或征价。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的证券买卖建议。本公司及其雇员不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，在任何情况下，我公司及其雇员对任何人使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损

157、失概不负责。本公司或其关联机构可能会持有本报告中涉及到的公司所发行的证券头寸并进行交易，并在法律许可的情况下不进行披露；可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务、财务顾问等相关服务。本报告版权归本公司所有。未经本公司书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表或引用。如征得本公司同意进行引用、刊发的，须在本公司允许的范围内使用，并注明本报告的发布人和发布日期，提示使用本报告的风险。若本公司客户（以下称“该客户”）向第三方发送本报告，则由该客户独自为此发送行为负责。提醒通过此途径获得本报告的投资者注意，本公司不对通过此种途径获得本报告所引起的任何损失承担任何责任。分析师声明分析师声明

158、作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，并在中国证券业协会注册登记为证券分析师。本报告遵循合规、客观、专业、审慎的制作原则，所采用数据、资料的来源合法合规，文字阐述反映了作者的真实观点，报告结论未受任何第三方的授意或影响，特此声明。投资投资评级说明评级说明 股票 投资 评级 说明 买入 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 15%以上。投资评级中所涉及的市场基准：A 股市场以沪深 300 指数为市场基准，新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为市场基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为市场基准；美国市场以纳斯达克综合指数或标普 500 指数为市场基

159、准。增持 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 5%至 15%之间。中性 未来 6 个月内，股价涨幅介于市场基准-5%至 5%之间。减持 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 5%至 15%之间。卖出 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 15%以上。行业 投资 评级 说明 优于大势 未来 6 个月内，行业指数的收益超越市场基准。同步大势 未来 6 个月内，行业指数的收益与市场基准持平。落后大势 未来 6 个月内，行业指数的收益落后于市场基准。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 55/55 晶盛机电晶盛机电/公司深度公司深度 Table_SalesTable_Sal

160、es 东北证券股份有限公司东北证券股份有限公司 网址：网址：http:/http:/ 电话：电话：-06860686 地址地址 邮编邮编 中国吉林省长春市生态大街 6666 号 130119 中国北京市西城区锦什坊街 28 号恒奥中心 D 座 100033 中国上海市浦东新区杨高南路 799 号 200127 中国深圳市福田区福中三路 1006 号诺德中心 34D 518038 中国广东省广州市天河区冼村街道黄埔大道西 122 号之二星辉中心 15 楼 510630 机构销售联系方式机构销售联系方式 姓名姓名 办公电话办公电话 手机手机 邮箱邮箱 公募销售公募销售 华

161、东地区机构销售华东地区机构销售 王一（副总监） 吴肖寅 李瑞暄 周嘉茜 陈梓佳 chen_ 屠诚 康杭 丁园 吴一凡 王若舟

162、 华北地区机构销售华北地区机构销售 李航（总监） 殷璐璐 曾彦戈 吕奕伟 孙伟豪 陈思 chen_ 徐鹏程  曲浩蕴 华南地区机构销售华南地区机构销售 刘璇（总监）0755-3397

163、5865 liu_ 刘曼 王泉 王谷雨 张瀚波 zhang_ 王熙然 wangxr_ 阳晶晶 yang_ 张楠淇 钟云柯 杨婧 188

164、17867663 梁家潆 非公募销售非公募销售 华东地区机构销售华东地区机构销售 李茵茵（总监） 杜嘉琛 王天鸽 王家豪 白梅柯 刘刚 曹李阳 曲林峰 华北地区机构销售华北地区机构销售 温中朝（副总监） 王动 wang_ 闫琳 张煜苑