1、 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 Table_Info1Table_Info1 东微半导东微半导(688261)(688261)电子电子 Table_Date 发布时间：发布时间：2023-02-11 Table_Invest 买入买入 上次评级：买入 Table_Market 股票数据 2023/02/10 6 个月目标价（元）收盘价（元）268.03 12 个月股价区间（元）140.49314.08 总市值（百万元）18,058.89 总股本（百万股）67 A 股（百万股）67 B 股/H 股（百万股）0/0 日均成交量（百万股）0 Table_PicQuote

2、历史收益率曲线 Table_Trend涨跌幅（%）1M 3M 12M 绝对收益 11%3%106%相对收益 9%-8%118%Table_Report 相关报告 东微半导（688261）：业绩预告符合预期，产品优化产能扩张助力业绩提升-20230202 东微半导（688261）：业绩超预期，汽车新能源占比快速提升-20220829 Table_Author 证券分析师：李玖证券分析师：李玖 执业证书编号：S0550522030001 证券分析师：王浩然证券分析师：王浩然 执业证书编号：S0550522030002 Table_Title 证券研

3、究报告/公司深度报告 国内国内高压高压 MOS 龙头龙头受益光储受益光储/车载车载 OBC/车充桩快速发展车充桩快速发展 报报告摘要：告摘要：Table_Summary 国际一线技术国际一线技术/科研科研背景，造就背景，造就管理层管理层独有前瞻战略眼光。独有前瞻战略眼光。公司是国内Fabless 高压超结 MOS 龙头，专注 MOS 和 IGBT 产品。公司董事长历任美国超威半导工程师、英飞凌技术专家。CTO 历任英飞凌、奇梦达研发工程师、复旦微电子教授。曾在 SCI、IEEE Electron Devices 等知名期刊发表多篇论文。长期专业的积累让公司管理层具备更加前瞻的战略眼光，对技术及

4、行业趋势的洞察力比常人更敏锐。2022年前三季度公司营收7.9亿元，同增 41%；归母净利润 2 亿元，同增 116%。光储光储/车载车载 OBC/充电桩行业高速成长充电桩行业高速成长，公司有望凭技术，公司有望凭技术+先发优势巩固先发优势巩固细分市场龙头地位细分市场龙头地位。我们预计全球光伏微逆/中国公共直流充电桩/中国车载 OBC 对超结 MOS 需求将在 2025 年分别增至 14/144/29 亿元，3 年CAGR 分别为 77%/38%/13%。作为技术驱动型企业，公司在国内率先量产充电桩用高压超结 MOS，打破国外垄断。下游来自汽车+工业级应用营收占比已由 2021 年的 60%+提

5、升至目前的接近 80%。相关市场未来具备极佳成长性，公司有望凭借核心技术及先发优势取得更多市场份额。自研产品性能过硬，自研产品性能过硬，SiC 高速发展。高速发展。根据 Omdia 数据测算，2020 年全球/中国高压超结 MOS 市场规模分别约 9.4/4.2 亿美元，公司市占率分别为3.8%/8.6%，位列国内第一。公司高压超结 MOS 综合性能比肩英飞凌，独创 TGBT 首代产品即达国际主流第七代 IGBT 水平，第二代产品已开始批量生产。2022H1，公司 TGBT 实现营收 1710 万元，同增 70 倍以上，步入高速增长，未来公司有望凭借差异化优势持续扩大市场份额。SiC 方面，公

6、司 SiC 项目于 2021 年 7 月立项。2022H1，相关专利产品即已在积极推广及客户认证阶段，发展迅速。盈利盈利预测与投资评级：预测与投资评级：我们预计公司 2022-2024 年营收 12/17/22 亿元，同增 50%/43%/32%；归母净利润 3/5/6 亿元，同增 105%/51%/31%，对应PE 为 60/40/30 倍。考虑公司自身技术优势+优异的下游结构，维持“买入”评级。风险提示：风险提示：产能增长不及预期产能增长不及预期；市场竞争加剧；市场竞争加剧；下游需求不及预期；下游需求不及预期；Table_Finance财务摘要（百万元）财务摘要（百万元）2020A 202

7、1A 2022E 2023E 2024E 营业收入营业收入 309 782 1,174 1,673 2,216(+/-)%57.51%153.28%50.14%42.50%32.46%归属母公司归属母公司净利润净利润 28 147 301 454 593(+/-)%203.88%430.66%104.66%50.91%30.63%每股收益（元）每股收益（元）0.60 2.91 4.46 6.73 8.80 市盈率市盈率 0.00 0.00 60.07 39.80 30.47 市净率市净率 0.00 0.00 6.33 5.46 4.63 净资产收益率净资产收益率(%)12.66%29.84%1

8、0.55%13.73%15.21%股息收益率股息收益率(%)0.00%0.12%0.00%0.00%0.00%总股本总股本(百万股百万股)51 51 67 67 67-50%0%50%100%150%2022/22022/52022/82022/11东微半导沪深300 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 2/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 目目 录录 1.东微半导：国内东微半导：国内 Fabless 高压超结高压超结 MOS 龙头龙头.4 1.1.聚焦功率器件，管理层国际顶尖技术背景练就前瞻洞察力.4 1.2.产品覆盖电动汽车、新能源等领域，获全球知名终端用户认

9、可.5 1.3.研发人数占比近半，人均创收能力在市场名列前茅.6 1.4.营收净利显著增长，汽车/新能源/工业级收入占比接近 80%.9 2.MOS：超结：超结 MOS 性能指标对标国性能指标对标国际功率龙头英飞凌际功率龙头英飞凌.12 2.1.光伏微逆/车充桩/OBC 需求驱动超结 MOS 高速增长，2022-2025 年 CAGR 分别达77%/38%/13%.12 2.2.公司国内超结 MOS 龙头，细分市场占比国内第一.16 2.3.政策引领+下游需求共振，汽车/光储为超结 MOS 带来广阔增量.19 2.4.自主研发铸就技术壁垒，打入下游多领域头部客户.22 2.5.与华虹多年深度合

10、作铸就高壁垒，产能持续扩张.24 3.IGBT：TGBT 快速放量，性能比肩英飞凌第七代快速放量，性能比肩英飞凌第七代 IGBT 水平水平.26 3.1.IGBT 技术壁垒高、前景广阔.26 3.2.自研 Tri-gate 结构 IGBT 性能处于国际领先水平.27 3.3.IGBT 业务步入高速增长，应用领域有望不断拓宽.27 4.盈利预测与估值盈利预测与估值.30 5.风险提示风险提示.33 图表目录图表目录 图图 1：公司发展历程：公司发展历程.4 图图 2：公司股权结构（截至：公司股权结构（截至 2022 年年 12 月）月）.5 图图 3：2018-2022Q3 东微半导研发费用变化

11、东微半导研发费用变化.7 图图 4：2018-2022H1 东微半导研发人员数量及占比变化东微半导研发人员数量及占比变化.7 图图 5：2021 年人均创收能力同业比较年人均创收能力同业比较.7 图图 6：2018-2022Q3 东微半导营业收入变化东微半导营业收入变化.10 图图 7：2018-2022Q3 东微半导归母净利润变化东微半导归母净利润变化.10 图图 8：2018-2022H1 公司营收结构变化公司营收结构变化.10 图图 9：2018-2022Q3 公司销售毛利率变化及同业比较公司销售毛利率变化及同业比较.11 图图 10：2018-2021H1 公司分业务毛利率变化公司分业

12、务毛利率变化.11 图图 11：功率器件应用领域比较：功率器件应用领域比较.13 图图 12：MOSFET 分类及公司产品覆盖范围分类及公司产品覆盖范围.13 图图 13：2020-2026 年硅基年硅基 MOSFET 市场规模变化（按下游应用分类）市场规模变化（按下游应用分类）.14 图图 14：功率分立器件市场结构（按产品）：功率分立器件市场结构（按产品）.15 图图 15：全球：全球 MOSFET 竞争格局竞争格局.15 图图 16：常规超级结：常规超级结 MOS 与与 GreenMOS 开关过程比较开关过程比较.17 2YkXuZiWoZbWuMzRaQdN9PnPnNsQoNlOrR

13、mOiNoPtO7NoOyRvPnOrNMYrNtQ 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 3/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 17：GreenMOS 高达高达 2MHz 高频开关特性高频开关特性.18 图图 18：东微半导用于充电桩的产品：东微半导用于充电桩的产品.21 图图 19：在家中或商业停车场里使用的典型交流车载充电原理图：在家中或商业停车场里使用的典型交流车载充电原理图.21 图图 20：典型双向：典型双向 OBC 结构框图结构框图.22 图图 21：公司：公司 GreenMOS 系列产品开关特性系列产品开关特性.23 图图 22：东微超级硅：东

14、微超级硅 65W 快充快充 DEMO 与苹果与苹果 61W 充电器体积比较充电器体积比较.23 图图 23：2018-2021H1 主营业务收入结构（按下游）主营业务收入结构（按下游）.24 图图 24：东微半导下游客户（部分）：东微半导下游客户（部分）.24 图图 25：2018-2021H1 公司上游晶圆厂预付款项结构（万元）公司上游晶圆厂预付款项结构（万元）.25 图图 26：2018-2021H1 公司对上游晶圆厂采购金额（亿元）公司对上游晶圆厂采购金额（亿元）.25 图图 27：2020-2026 年年 IGBT 市场规模（按下游）变化市场规模（按下游）变化.26 图图 28：三栅极

15、：三栅极 IGBT 和栅极控制信号和栅极控制信号.27 图图 29：开关转换电压波形和降低开关损耗的效果：开关转换电压波形和降低开关损耗的效果.27 表表 1：公司主要产品及应用领域：公司主要产品及应用领域.6 表表 2：公司终端客户：公司终端客户.6 表表 3：公司核心技术：公司核心技术.8 表表 4：东微半导产品研发工程部门的主要研究方向及具体内容：东微半导产品研发工程部门的主要研究方向及具体内容.9 表表 5：东微半导目前主要研发项目及进展情况：东微半导目前主要研发项目及进展情况.9 表表 6：可比公司业务及产品结构、应用领域、经营模式、毛利率情况可比公司业务及产品结构、应用领域、经营模

16、式、毛利率情况.11 表表 7：全球光伏微逆对超结：全球光伏微逆对超结 MOS 需求测算需求测算.12 表表 8：中国充电桩对超结：中国充电桩对超结 MOS 需求测算需求测算.12 表表 9：中国：中国 OBC 对超结对超结 MOS 需求测算需求测算.13 表表 10：功率器件分类及特点：功率器件分类及特点.14 表表 11：国内外主要厂商：国内外主要厂商 MOSFET 产品电压范围比较产品电压范围比较.15 表表 12：MOSFET 技术演进情况技术演进情况.16 表表 13：公司：公司 GreenMOS 高压超级结产品系列高压超级结产品系列.16 表表 14：公司中低压屏蔽栅：公司中低压屏

17、蔽栅 MOS 产品系列产品系列.17 表表 15：公司高压：公司高压 MOSFET 产品与国内外领先功率厂商产品技术指标对比产品与国内外领先功率厂商产品技术指标对比.18 表表 16：公司第三代：公司第三代 60V 屏蔽栅屏蔽栅 MOSFET 与国内外领先功率厂商产品技术指标对比与国内外领先功率厂商产品技术指标对比.19 表表 17：2019 年中国本土领先功率半导体厂商年中国本土领先功率半导体厂商 MOSFET 功率器件全球销售收入（百万美元）及市场份额功率器件全球销售收入（百万美元）及市场份额.19 表表 18：2022 年年 1-11 月充电基础设施与电动车销量增速对比月充电基础设施与电

18、动车销量增速对比.20 表表 19：充电桩充电能力及应用场景：充电桩充电能力及应用场景.20 表表 20：2022 年中国乘用车年中国乘用车 OBC 装机量装机量 TOP10 企业及市场份额企业及市场份额.22 表表 21：公司：公司 MOSFET 规格数量同业比较规格数量同业比较.23 表表 22：同业公司产品指标对比：同业公司产品指标对比.27 表表 23：同业公司：同业公司 IGBT 营收对比营收对比.28 表表 24：公司：公司 TGBT 器件已进入多家头部客户器件已进入多家头部客户.29 表表 25：公：公司盈利预测司盈利预测.31 表表 26：可比公司估值对比表可比公司估值对比表.

19、32 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 4/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 1.东微半导：东微半导：国内国内 Fabless 高压超结高压超结 MOS 龙头龙头 1.1.聚焦功率器件，管理层国际顶尖技术背景练就前瞻洞察力 专注高性能专注高性能 MOSFET 与与 IGBT 研发，核心技术推动国产化替代。研发，核心技术推动国产化替代。公司是以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，采用 Fabless 模式。公司主营业务聚焦于功率器件的研发与销售，主要产品包括高压超级结 MOSFET、低压屏蔽栅MOSFET、超级硅 MOSFET 和 TGBT 等功率

20、器件产品。基于多年的研发投入、技术积累和产业布局，公司形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，在工业级高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，是国内领先的高性能功率器件设计厂商。图图 1：公司发展历程：公司发展历程 数据来源：公司官网，公司招股书，东北证券 实控人王鹏飞和龚轶合计控制公司实控人王鹏飞和龚轶合计控制公司 25.57%股份，华为哈勃持股股份，华为哈勃持股 5%。公司实际控制人为王鹏飞和龚轶，卢万松为实控人的一致行动人。截至 2022 年 12 月，王鹏飞和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司 25.57%股份。公司于2018 年、2019 年对部分核心

21、员工实施了三次股权激励，部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才合计持有公司 5.34%股份。此外，公司于 2018 年向卢万松亦实施了股权激励，授予卢万松 42.48 万股，截至 2022 年 12 月，卢万松持有公司 3.54%股份。中新创投和原点创投为苏州工业园区经济发展有限公司控制的企业，而原点创投为中新创投的全资子公司，中新创投直接或间接持有公司合计 16.73%股份。哈勃投资为华为全资子公司，持有公司 4.94%股份。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 5/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 2：公司股权结构（截至公司股权结构（截至 2022 年

22、年 12 月月）数据来源：公司公告，企查查，东北证券 多位核心高管拥有丰富的国际龙头功率公司从业经验。多位核心高管拥有丰富的国际龙头功率公司从业经验。董事长兼总经理龚轶先生曾担任美国超微半导体公司工程部工程师、德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家。董事兼首席技术官王鹏飞先生曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心、德国奇梦达公司（QimondaAG）技术创新和集成部门研发工程师。在担任复旦大学微电子学院教授期间，王鹏飞先生主要围绕先进技术节点的器件及工艺进行研究，比如 32nm 以下技术节点的各种逻辑器件和存储器器件，其曾经在 Science、IEEE Trans.Electron Devic

23、es、IEEE Electron Device Letters 等知名期刊上发表过多篇关于先进存储器和隧穿场效应晶体管的论文，且在复旦大学任职期间以及入职东微半导后所取得相关技术成果无权属争议。董事兼副总经理卢万松先生曾担任泰瑞达（上海）有限公司、任施耐德自动化控制系统（上海）有限公司、霍尼韦尔（中国）有限公司采购部全球采购经理。公司高管层丰富的半导体研发技术与采购部工作经验完美结合，可助力企业技术创新高速发展。长期专业的积累让公司管理层具备更加长期专业的积累让公司管理层具备更加前瞻的战略眼光，对技术及行业趋势的洞察力前瞻的战略眼光，对技术及行业趋势的洞察力比常人更比常人更敏锐。敏锐。1.2.

24、产品覆盖电动汽车、新能源等领域，获全球知名终端用户认可 公司产品广泛应用于公司产品广泛应用于电动汽车、电动汽车、新能源、新能源、5G 基站、工业电源等领域。基站、工业电源等领域。产品主要包括高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET 和 TGBT，广泛应用于以新能源汽车充电桩、汽车 OBC、光伏/储能逆变器、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 6/36 东微半导东微半导/公司深度

25、公司深度 表表 1：公司主要产品及应用领域公司主要产品及应用领域 产品产品 规格规格 技术特点技术特点 应用领域应用领域 高压超级结MOSFET 500V-950V；1A-116A 低导通电阻、低栅极电荷、静态与动态损耗低 工业级工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电器、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、光伏逆变器等 消费级消费级：PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等 中低压屏蔽栅 MOSFET 25V-150V；7A-300A 特征导通电阻低，开关速度快，动态损耗低 工业级工业级：电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、逆变器、UP

26、S 电源、动力电池保护板、高密度电源等 消费级消费级:移动电源、适配器、数码类锂电池保护板、多口 USB 充电器、手机快速充电器、电子雾化器、PC 电源、TV 电源板等 超级硅MOSFET 600V-700V；5A-30A 极快的开关速度与极低的动态损耗 工业级工业级：新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源等 消费级消费级：快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器、TV电源板等 Tri-gate IGBT 650V-1350V；15A-120A 大电流密度，开关损耗低，可靠性高，具有自保护特点 工业级工业级：新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能、UPS 电源等

27、消费级消费级：电磁加热等 数据来源：公司招股书，东北证券 公司在工业及汽车领域和消费电子领域积累了全球知名终端用户。公司在工业及汽车领域和消费电子领域积累了全球知名终端用户。公司的超级硅MOS 系列凭借其高效率的特点，目前已通过全球光伏微逆领域头部客户 Enphase Energy 的认证，并开始批量出货。储能逆变领域，公司产品已批量出货给宁德时代等。车载 OBC 领域，公司的超结产品已批量出货给比亚迪、英博尔等领先企业。公司在新能源汽车直流充电桩领域的终端用户有英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等。表表 2：公司：公司终端客户终端客户 应用领域应用领域 细分领域细分领域 终端客户终端客户 光伏

28、/储能 光伏逆变 昱能科技、禾迈股份、爱士惟、Enphase 等 储能逆变 洛伦兹、宁德时代、图为电气等 工业/汽车 车载 OBC 比亚迪、英博尔、铁城科技、英威腾、欣锐科技、威迈斯等 新能源汽车直流充电桩 英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等 5G 基站电源及通信电源 华为、维谛技术、麦格米特等 工业电源 高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等 消费 大功率显示电源 视源股份、美的、创维、康佳等 数据来源：公司招股书，公司公告，东北证券 1.3.研发人数占比近半，人均创收能力在市场名列前茅 2021 年研发费用同增年研发费用同增 159%，2022 年维持高位年维持高位。东微半导是一家以高性能功率器

29、件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业。公司重视研发投入，拥有完整的研发体系，已形成的核心技术均系自主研发成果。公司 2021 年研发费用为 4143 万元,同比增长 159%。2022 年前三季度研发费用为 3607 万元，占营业收入的比例为 4.57%。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 7/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 3：2018-2022Q3 东微半导东微半导研发费用变化研发费用变化 图图 4：2018-2022H1 东微半东微半导研发人员数量及占比变导研发人员数量及占比变化化 数据来源：公司公告，公司招股书，东北证券 数据来源：公司公告，公司

30、招股书，东北证券 研发研发人数占比近半，人均人数占比近半，人均创收能力位列创收能力位列市场前茅市场前茅。2021 年，公司研发人员数量同增38%。2022 年公司加大招聘力度，上半年研发人员数量同增 42%，人均创收能力不断增强。2021 年，公司人均创收 1043 万元，在全市场名列前茅。图图 5：2021 年人均创收能力同业比较年人均创收能力同业比较 数据来源：wind，东北证券。注：人均创收能力=公司总营收/在职员工数量 多年研发投入和技术积累，在功率器件领域自主掌握核心技术。多年研发投入和技术积累，在功率器件领域自主掌握核心技术。公司的主要产品包括高压超级结 MOSFET、SFGMOS

31、 系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。同时，公司已开发了超级硅 MOSFET 及 TGBT 等先进功率器件产品。基于多年的研发投入和技术积累，公司在上述功率器件领域已形成一系列具有自主知识产权的核心技术：1）“深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术”、“屏蔽栅结构中低压MOSFET 设计及其工艺技术”具备高可靠性、低损耗等优良特性，且均已实现 8 英寸和 12 英寸产线的同时量产，技术水平国内、国际领先；2）“超级硅 MOSFET 设计及其工艺技术”具备器件开关速度快、低损耗的特点，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）

32、功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势；3）IGBT 产品的核0%2%4%6%8%10%12%0040005000200219M22研发费用（万元）研发费用/营业收入（%）0%10%20%30%40%50%60%000212022H1研发人员数量（人）研发人数占总人数比例（%）0200400600800002000300040005000600070008000900010000S公司X公司H公司Y公司R公司L公司 东微半导2021年在职员工数量人均创收（万元/人）

33、请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 8/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 心技术包括具备载流子浓度高、电场调制耐压高、高可靠性、自保护等特点，技术水平国际领先。4）“Hybrid-FET 器件及其工艺技术“具备高速关断和大电流的处理能力、稳定性高的特点，技术水平实现国内领先。公司通过自主研发掌握的核心技术具有高性能、高稳定特点，均进入批量生产阶段。表表 3：公司核心技术公司核心技术 产品类产品类别别 核心技术核心技术 技术技术/产品特点产品特点 专利或其他技专利或其他技术保护措施术保护措施 技术先技术先进程度进程度 技术所处阶技术所处阶段段 技术技术来源来源 MO

34、SFET 深槽超级结MOSFET 设计及其工艺技术 1、采用优化电荷平衡技术、优化栅极设计及独创的缓变电容核心原胞结构，形成了低导通电阻、低栅极电荷、低静态与动态损耗等优势 2、高可靠性 3、优化的 EMI 性能 7 项境内发明专利已经授权，另有 10 项正在申请 国内领先，国际先进 批量生产；下 一代超级结处 于研发阶段；2021 年，高压超结 MOSFET已在 12 寸产线实现量产 自主研发 屏蔽栅结构中低压 MOSFET 设计及其工艺技术 1、采用自对准加工专利技术，实现稳定的性能和优秀的良率 2、采用优化电荷平衡技术，对栅极电荷进行优化及分配，形成了较优的特征导通电阻、高可靠性、低动态

35、损耗等优势 6 项境内发明专利已经授权，另有 15 项正在申请 国内领先 批量生产；下一代屏蔽栅处于研发阶段；8 寸和 12 寸产线同时量产 自主研发 Super-Silicon 超级硅MOSFET 设计及其工艺技术 1、在功率器件中集成多种结构，进一步加速器件开关速度 2、采用优化栅极设计结构，形成了超低的动态损耗等优势 3 项境内发明专利正在申请 国际先进 批量生产；下一代超级硅处于研发阶段；8 寸线已经出货，12 寸产线在推进 自主研发 IGBT Tri-gate结 构IGBT 器件设计及其工艺技术 1、采用独创的器件结构实现载流子浓度大幅增强的技术 2、采用独创的器件结构实现电场调制提

36、高耐压的技术 3、高电流密度、低开关损耗、高可靠性、自保护等特点 4 项境内发明专利专利已经授权，另有 11 项正在申请 国际领先 8 寸线小批量生产，12 寸线处于研发阶段 自主研发 Hybrid-FET Hybrid-FET 器件及其工艺技术 1、采用特殊器件结构，实现高速关断和 大电流处理能力 2、采用了电流动态调整技术，使得器件 在不同的应用工作状态下有着不同的电学表现，具有更加宽广的工作区域 3 项境内发明专利已经授权，另有 7 项正在申请 国内领先 2021 年已实现批量出货 自主研发 数据来源：公司招股书，公司公告，东北证券 公司的研发工程部门主要研究方向为高压器件、新型大功率器

37、件。公司的研发工程部门主要研究方向为高压器件、新型大功率器件。产品研发工程部门主要负责各项新型产品的研发、实验测试工作，应用技术部负责产品研发过程中的各项执行与支持工作以及专利的申请及维护工作。其中高压高速器件的研发主要包括高压超级结器件的研发与优化；中低压高速器件的研发主要包括中低压屏蔽栅器件；大功率器件的研发主要包括 IGBT 器件与 Hybrid-FET，以上各项技术研发均已取得相关专利。另外，东微半导目前在多个领域开展研发项目，已经开展风险试产的项目包括第三代超级结器件、超低 FOM 及高性能的 150V SGT 功率器件、12 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明

38、 9/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 英寸大晶圆 60V-100V SGT、12 英寸先进工艺 GreenMOS 超级结 MOSFET 等研发项目。立项阶段的项目有超级硅功率器件、8 英寸线 700V 及以上 GreenMOS 高压的超级结芯片、900V 以下三栅 IGBT（Tri-gate IGBT）、900V 及以上三栅 IGBT（Trigate IGBT）、第三代半导体 SiC 功率器件等自主研发项目。表表 4：东微半导产品研发工程部门的主要研究方向及具体内容东微半导产品研发工程部门的主要研究方向及具体内容 研发方向研发方向 具体内容具体内容 高压器件 高压高速器件的研发，主要

39、包括高压超级结器件的研发与优化 中低压器件 中低压高速器件的研发，主要包括中低压屏蔽栅器件 新型大功率器件 大功率器件的研发，主要包括 IGBT 器件与 Hybrid-FET 数据来源：公司招股书，东北证券 表表 5：东微半导目前主要研发项目及进展情况东微半导目前主要研发项目及进展情况 项目名称项目名称 研发目标研发目标 研发进度研发进度 第三代超级结器件研发 进一步降低高压超级结 MOSFET 产品的原胞尺寸，进一步降低高压超级结 MOSFET 特征导通电阻 风险试产 超低 FOM 及高性能的150VSGT 功率器件研发 优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的沟槽形貌，保证多晶硅和氧化层的填充，

40、通过优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的外延浓度和结构，优化电容参数，提升优值，优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的特征导通电阻，降低开关过程中的过冲电压和电流 风险试产 12 英寸大晶圆 60V-100V SGT研发 实现在 12 英寸大晶圆平台上量产更优性能的屏蔽栅 MOSFET 产品，优化中低压屏蔽栅 MOSFET的器件设计，提升可靠性，提高良率 部分电压规格风险试产 超级硅功率器件 优化 MOSFET 的工作频率，提高开关速度降低开关损耗 立项 8 英寸线 700V 及以上GreenMOS 高压的超级结芯片 进一步提高超级结器件的额定耐压值，将耐压规格扩展到超高压领域 立项 12 英寸先进

41、工艺 GreenMOS超级结 MOSFET 实现在 12 英寸产线上生产超级结工艺，同时提升产品一致性。部分电压规格风险试产 数据来源：公司招股书，东北证券 1.4.营收净利显著增长，汽车/新能源/工业级收入占比接近 80%受益下游需求景气放量，公司受益下游需求景气放量，公司营收营收净利净利增长增长显著显著。公司主营产品广泛应用于新能源车充电桩、新能源车车载充电机、光储逆变等领域。受益于前述领域的需求增长、产能持续扩大、新品不断推出以及产品结构优化。2018-2021 年公司营业收入、归母净利润 CAGR 分别达到 72%/125%。2022Q1Q3 营收为 8 亿元，同增 41%。2021

42、年公司营收同比增长 153.28%。2020 年以来，公司归母净利润增幅均超营收增幅。2022年前三季度归母净利润为 2 亿元，同增 116%；主要系毛利率较去年同期大幅上涨所致，2022H1 公司毛利率同比上涨 6.7 个 pct，主要系公司持续技术迭代、产品组合优化及涨价等综合因素所致。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 10/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 6：2018-2022Q3 东微半导营业收入变化东微半导营业收入变化 图图 7：2018-2022Q3 东微半导归母净利润变化东微半导归母净利润变化 数据来源：wind，东北证券 数据来源：win

43、d，东北证券 营收以高压超级结营收以高压超级结 MOSFET 为主为主，TGBT 快速放量快速放量。从公司产品品类看，公司营收主要来自高压超结 MOS，近年营收占比约 80%。第二大营收来源为中低压屏蔽栅MOS，营收占比约 20%。2021 年，公司 Tri-gate IGBT 产品首次量产出货，全年营收 568 万元。2022 年上半年，公司 TGBT 实现营收 1710 万元，同增 70 倍以上，表现出高速增长态势。图图 8：2018-2022H1 公司营收结构公司营收结构变化变化 数据来源：wind，公司招股书，东北证券 受益于下游需求增长、产能扩张、产品结构优化，受益于下游需求增长、产

44、能扩张、产品结构优化，毛利率提升明显。毛利率提升明显。公司销售产品以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期供需关系变动对公司的影响较大，上游晶圆代工价格出现较大波动，导致公司综合毛利率相应发生较大波动。2022 年前三季度，受下游需求高景气、产品结构优化等影响，公司销售毛利率创新高。22Q3 单季毛利率达 34.08%，同比+2.94pct，环比+0.19pct，连续 4 个季度上升。0%50%100%150%200%0246802020219M22营业收入（亿元）YoY（%）-100%0%100%200%300%400%500%00.51

45、1.522.5200219M22归母净利润（亿元）YoY（%）0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200212022H1高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFETIGBT 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 11/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 9：2018-2022Q3 公司销售毛利率变化及同业比较公司销售毛利率变化及同业比较 图图 10：2018-2021H1 公司分业务毛利率变化公司分业务毛利率变化 数据来源：wind，东北证券。可比公司数据来自：新洁能、

46、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微 数据来源：wind，东北证券 表 6：可比公司业务及产品结构、应用领域、经营模式、毛利率情况可比公司业务及产品结构、应用领域、经营模式、毛利率情况 公司名称公司名称 业务及产品结构业务及产品结构 产品主要应用领域产品主要应用领域 经营模式经营模式 2022 前三季度前三季度毛利毛利率率 斯达半导 IGBT 为主 工控、新能源、变频家电 以 Fabless 模 式为主 41.07%宏微科技 IGBT 模块和单管、MOS 芯片、照明电源模组、受托加工服务 新能源发电、新能源车、工控、家电等 以 Fabless 模 式为主 21.77%新洁能 沟槽型功率 MOSF

47、ET、超级结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT 消费电子、汽车电子、家电、新能源汽车及充电桩、LED 以 Fabless 模 式为主 38.03%华润微 芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化 功率半导体、智能传感器与智能控制等 以 IDM 模式为主 37.36%扬杰科技 电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN 产品、MOSFET、IGBT 等 消费电子、安防、工控、汽车电子、新能源等 IDM、Fabless 模式并行 36.11%士兰微 MOSFET、IGBT 半导体分立器件、功率模块 IPM/PIM、MEMS 传感器和 LED 芯片等

48、 消费电子、白色家电、工业变频器等 IDM 模式 29.90%东微半导东微半导 高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET 新能源汽车充电桩、5G 基站电源及通信电源、工业电源、消费电子等 Fabless 模式 33.72%数据来源：公司招股书，东北证券 0%10%20%30%40%200219M22公司销售毛利率（%）同行业平均销售毛利率（%）0%10%20%30%40%20021H1高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFETIGBT 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 1

49、2/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 2.MOS：超结超结 MOS 性能性能指标对标指标对标国际功率龙头国际功率龙头英飞凌英飞凌 2.1.光伏微逆/车充桩/OBC 需求驱动超结 MOS 高速增长，2022-2025 年CAGR 分别达 77%/38%/13%我们预计我们预计全球光伏微逆全球光伏微逆/中国公共直流充电桩中国公共直流充电桩/中国车载中国车载 OBC对超结对超结 MOS需求需求将迎将迎来大幅增长，来大幅增长，2022-2025 年年 CAGR 分别分别高达高达 77%/38%/13%。其中，全球光伏微逆对超结 MOS 需求将从 2022 年的 3 亿元增长至 2025 年的

50、14 亿元；中国公共直流充电桩对超结 MOS 需求将从 2022 年的 54 亿元增长至 2025 年的 144 亿元。中国新能源车 OBC 对超结 MOS 需求将从 2022 年的 20 亿元增长至 2025 年的 29 亿元。表表 7：全球光伏微逆对超结全球光伏微逆对超结 MOS 需求测算需求测算 类型 2020 2021 2022 2023E 2024E 2025E 全球光伏新增装机(GW)134 175 250 400 500 600 yoy 31%43%60%25%20%微逆占比 0.3%0.5%2%3%4%5%全球微逆新增(GW)0.335 0.875 5 12 20 30 yoy

51、 161%471%140%67%50%微逆单位成本(元/W)0.45 0.43 0.41 0.4 0.39 0.38 超结 MOS 成本占比 12%12%12%12%12%12%超结 MOS 单位(元/W)0.0562 0.0537 0.0515 0.0499 0.0487 0.0474 全球光伏微逆超结全球光伏微逆超结 MOS市场空间市场空间(亿元亿元)0.19 0.47 2.58 5.99 9.73 14.23 yoy 150%449%132%63%46%数据来源：禾迈股份公告，东北证券整测算 表表 8：中国充电桩对超结中国充电桩对超结 MOS 需求测算需求测算 2020 2021 202

52、2E 2023E 2024E 2025E 中国新能源汽车销量（万辆）137 352 650 850 1020 1170 中国充电车桩保有量（万个）168.10 304.67 578.37 986.49 1535.01 2251.5 车桩比 3.23 2.94 2.67 2.42 2.20 2.00 公共直流电充电桩新增量（万个）9.38 28.66 60.67 97.85 142.78 202.01 公共直流车桩平均价格（万元）4.91 4.47 4.11 3.78 3.52 3.27 超结 MOS 占充电桩成本占比 22%22%22%22%22%22%公共直流电充电桩超结公共直流电充电桩超结

53、 MOS 市场市场空间（亿元）空间（亿元）10.02 27.87 54.29 80.55 109.31 143.83 yoy-19%178%95%48%36%32%数据来源：优优绿能公告，东北证券整测算 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 13/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 9：中国中国 OBC 对超结对超结 MOS 需求测算需求测算 2021 2022 2023E 2024E 2025E 中国新能源汽车销量（万辆）352 650 850 1020 1170 yoy 158%85%31%20%15%OBC 单车价值量（元/辆）2021 1759 1583

54、 1504 1429 yoy-18%-13%-10%-5%-5%中国新能源车 OBC 市场空间（亿元）71 114 135 153 167 OBC 单位成本（元/辆）1475 1583 1425 1354 1286 超结 MOS 占 OBC 成本占比（%）19%19%19%19%19%中国新能源车中国新能源车 OBC 超结超结 MOS 市场空间（亿元）市场空间（亿元）10.06 19.92 23.45 26.73 29.13 yoy 98%18%14%9%数据来源：威迈斯公告，东北证券整测算 MOS 与与 IGBT、BJT 同属晶体管，可用于开关或放大电路中的电压。同属晶体管，可用于开关或放大

55、电路中的电压。与 BJT（双极型晶体管）相比，MOSFET 具有开关速度快、所需驱动功率小的特点。以工作电压为衡量指标，可将 MOSFET 分为：1）高压 MOSFET（工作电压 400V 以上），可用于新能源车充电桩、光伏逆变器等大功率领域，结构包括平面型及超级结型。首款超级结 MOSFET 由英飞凌推出，其将传统结构中导通电阻与击穿电压接近立方的关系降至线性，使得其处于开通状态时的电阻显著降低。华虹是国内首家提供超级结产品的晶圆厂，也是全球首家可同时量产 8 英寸和 12 英寸超级结 MOSFET 的晶圆代工企业。2）中低压 MOSFET（工作电压 10V-300V 之间），适用于新能源车

56、电驱、移动电源等低电压场景，包括沟槽栅 VDMOS 和屏蔽栅两类。屏蔽栅 MOSFET导通特性更好，开关损耗更低，制造难度更高。图图 11：功率器件应用领域比较功率器件应用领域比较 图图 12：MOSFET 分类及公司产品覆盖范围分类及公司产品覆盖范围 数据来源：宏微科技招股书，东北证券 数据来源：公司招股书，东北证券整理 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 14/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 10：功率器件分类及特点功率器件分类及特点 器件名称器件名称 电压等级电压等级 类型类型 介绍介绍 MOSFET 高压 平面型 平面型高压的功率 MOSFET 管

57、的耐压主要通过厚的低掺杂的N-的外延层即 epi 层来控制。超级结型 在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性 中低压 沟槽栅型 保持载流子浓度均匀分布，这样可以进一步降低通态损耗，而不会影响拖尾电流和关断损耗 屏蔽栅型 硅衬底中刻蚀形成沟槽，淀积介质层之后填充多晶硅，且多晶硅在沟槽中分为上下两层 IGBT 高压 高压 IGBT 高压在 2800v-3000V 以上，主要集中在轨道交通（高铁、动车、地铁）、智能电网等领域 中压 中压 IGBT 中压的 IGBT-1200V-2800V，技术壁垒和技术门槛较高 低压 低压 IGBT 低压在 12

58、00v 以下，集中于消费电子和光伏逆变、新能源模块 数据来源：东北证券整理 MOSFET 是功率分立器件中份额占比最大的产品，行业由欧美日企业主导，国产是功率分立器件中份额占比最大的产品，行业由欧美日企业主导，国产厂商厂商向高端化升级向高端化升级有望承接市场份额。有望承接市场份额。根据 Omdia，2020 年功率分立器件市场规模 145 亿美元，其中硅基 MOSFET 占比 49%。2020 年 MOSFET 行业 CR4 为53%，其中英飞凌市占率 24%，处于行业领先地位。国外厂商主打高端产品，比如英飞凌生产的 MOSFET 最高电压可达 1700V。近几年在国内政策大力支持及下游需求的

59、持续推动下，国产产品正在向高端化提升，产品竞争力持续升级，加速国产替代进程。图图 13：2020-2026 年硅基年硅基 MOSFET 市场规模变化（按下游应用分类）市场规模变化（按下游应用分类）数据来源：Yole，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 15/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 14：功率分立器件市场结构（按产品）功率分立器件市场结构（按产品）图图 15：全球全球 MOSFET 竞争格局竞争格局 数据来源：IHS，东北证券 数据来源：英飞凌，东北证券 表表 11：国内外主要厂商国内外主要厂商 MOSFET 产品电压范围比较产品电压范围比

60、较 公司 电压范围 英飞凌-250V-1700V 安森美-500V-1700V 意法半导体-500V-1700V 华润微电子-100V-1500V 新洁能 12V-1500V 东微半导 25V-950V 数据来源：公司招股书，东北证券 以更高性能指标为驱动，以更高性能指标为驱动，MOSFET 行业正在向小线宽、超级结、宽禁带材料、集成行业正在向小线宽、超级结、宽禁带材料、集成化发展。化发展。对于 MOSFET 而言，更高的开关频率、更高的功率密度、更低的功耗为主要的性能指标。为实现更高的性能指标，MOSFET 行业正在经历几方面的变化：1）工艺进步、器件结构所带来的变化：缩小线宽可以提升功率器

61、件的密度，目前最小线宽（pitch size）已由 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米，此方面国内厂商与英飞凌等国际大公司的技术水平已旗鼓相当。器件结构正在向高端化演进，未来屏蔽栅 MOS将进一步替代沟槽 MOS，超级结 MOS 也将在高压领域替代更多传统 VDMOS。根据 Yole 和 Omdia 的预测，2020-2025 年，超级结 MOSFET 将由 23.8 万片增长至 35.1万片，年均复合增长率为 8.1%，增速约为硅基 MOSFET 的两倍。2）材料的变化：碳化硅、氮化镓这类宽禁带半导体材料具有热导率高、电子迁移率高等特点，有望在高温、高压、高功率、高频领域取代部分硅材

62、料。比如 SiC MOSFET 在汽车电控中对硅基 IGBT 模块的替代。3）集成化：高功率密度的应用需求带动功率器件集成化发展。36%27%31%3%3%MOSFETIGBT二极管晶闸管其他英飞凌安森美意法半导体东芝瑞萨万国半导体威世科技其他 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 16/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 12：MOSFET 技术演进情况技术演进情况 方式名称方式名称 演进特点演进特点 代表案例代表案例 影响影响 工艺进步 线宽的缩小，但不追求90nm 以下的先进工艺 线宽制程从 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米 提升了功率器件的密度

63、、品质因数以及开关效率 器件结构改造 采用新型器件结构设计改善器件特性 经历平面、沟槽到超级结等结构的演进 进一步提高了器件的功率密度和工作频率 使用宽禁带材料 半导体材料的改变 SiC/GaN 功率器件 进一步提升了器件的开关特性，降低功耗，改进了高温特性 数据来源：公司招股书，东北证券 2.2.公司国内超结 MOS 龙头，细分市场占比国内第一 公司 MOSFET 产品包括高压超级结 MOS、中低压屏蔽栅 MOS 和超级硅 MOS，2022H1 在 MOSFET 收入占比分别为 81%/19%/0.2%。1）高压超级结 MOS：公司高压 MOS 全采用超级结技术，产品主要为 GreenMOS

64、 系列，覆盖 500V-950V 电压，拥有 900 逾种型号。目前已用于新能源车充电桩、车载充电机、数据中心服务器电源、5G 通信电源等领域。进入维谛技术、英飞源、麦格米特等企业。2）中低压屏蔽栅 MOS：公司中低压 MOS 全采用屏蔽栅结构，产品覆盖 25V-150V 电压，合计超 500 种型号。产品系列包括 SFGMOS 和 FSMOS，其中后者兼具 VDMOS 和分裂栅器件的优点，具有高可靠、低功耗、高电流密度的特点。3）超级硅 MOS：是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件的硅基 MOS，目前已有 18 种型号进入量产。该产品在电源应用中已达到接近氮化镓功率器件开关速度的水平，而相

65、比氮化镓，硅基材料具有工艺成熟度高、成本低、高可靠的竞争优势。表表 13：公司公司 GreenMOS 高压超级结产品系列高压超级结产品系列 系列系列 特点特点 电压电流电压电流 基本介绍基本介绍 标 准通 用系列 高性能通用型 500V-950V；2A-116A 标准通用 Generic 系列产品包含 500V-950V 全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种开关电源系统的高性能功率转换领域。S 系列 EMI 优化 550V-700V；2A-80A S 系列产品在 Generic 系列产品的基础上进步优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的 EMI 兼容

66、性，特别适用于对 EMI 要求较高的电源系统如 LED 照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统中 E系列 EMI 性能平衡 600V-700V；5A-20A E 系列产品综合了标准通用系列产品和 S 系列产品的特性，实现了开关速度和 EMI 之间较好的平衡，适用于 TV 电源、工业电源等领域，开关速度介于标准通用系列和 S 系列之间 Z系列 集成快恢复体二极管（FRD）550V-800V；2A-116A Z 系列产品中集成了快速反向恢复二极管 FRD，具有快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗，特 适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域 数据来源：公司招股书，东北证券 请

67、务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 17/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 14：公司中低压屏蔽栅公司中低压屏蔽栅 MOS 产品系列产品系列 系列系列 特点特点 电压电压 介绍介绍 SFGMOS系系列列 低 Vth 系列 Vth 较低，可以用 5V 栅极驱动。高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 25V-150V 主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源系统，如 SV-20V 输出快速充电器、大功率 LED 显示屏电源、服务器电源 DC-DC 模块等领域 高 Vth 系列 Vth 较高，抗干扰能力强。低导通电阻、高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 60

68、V-150V 主要应用于驱动电压在 1V 以上的电源系统，如电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆变器等领域 FSMOS 系列系列 高电流密度、低功耗、高可靠性 25V-150V 主要应用于对功率密度有更高要求的快速充电器、电机驱动、DC-DC 模块、开关电源等领域 数据来源：公司招股书，东北证券 公司高压超公司高压超结结 MOS 动态损耗低至常规超结动态损耗低至常规超结 MOS 的的 2/3，开关速度接近高压，开关速度接近高压 GaN器件。器件。公司是少数专注汽车/工业级高压超级结 MOS 的厂商。根据人民日报报道，公司在 2016 年率先成为量产充电桩用高压超级结 MOSFET 器件的本土企

69、业，打破了国外垄断。同年，公司的 SFGMOS 系列量产，进入新能源车电驱等领域。公司的 GreenMOS 系列成功克服了常规超级结所存在的低成品率、EMI 超标等难题，具有“快而不震”的优点，具体表现在：1）Soft-Switching（软开关）：通过优化常规超级结功率器件的制造流程，使器件内部的杂质分布及电容更适合于外部电路的高速开关动作，减小了纹波噪音和电压尖峰，由此所得到的开关波形更加平滑，开关期间的栅极震荡更低，有利于 EMI 的改善。图图 16：常规超级结常规超级结 MOS 与与 GreenMOS 开关过程比较开关过程比较 数据来源：公司官网，东北证券 2）LOW FOM(低优值)

70、：FOM(Figure of merit)是衡量功率器件设计优劣的重要标准，值越小表明器件性能越佳。GreenMOS 系列通过优化器件制造流程与设计，使产品动态损耗降低到常规超级结器件的 2/3。具体方法为，一方面通过独特的设计方法降低了 Qg，另一方面在保持 Low Qg 的同时通过优化器件制造流程使得器件的比导通 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 18/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 电阻更小，从而降低了 GreenMOS 的开态电阻。GreenMOS 同时支持 2MHz 的开关频率，开关速度甚至接近高压 GaN 功率器件。图图 17：GreenMOS 高

71、达高达 2MHz 高频开关特性高频开关特性 数据来源：公司官网，东北证券 综合产品性能与国际一线功率大厂比肩：综合产品性能与国际一线功率大厂比肩：1）超级结）超级结 MOS 达到国际领先水平，超级硅系列优值高于全部国际品牌可比产品。达到国际领先水平，超级硅系列优值高于全部国际品牌可比产品。优值 FOM 等于导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积，在导通电阻基本一致的情况下可发现，在可比产品中，英飞凌 G7 优值最低，达到 2.95nC，性能最优。公司的 GreenMOS 系列可比产品优值为 3.50nC，略高于英飞凌产品。而超级硅系列优值为 2.53nC，优于全部国际品牌在相同平台下临近规

72、格的优值，优势地位明显。基于深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术，公司 GreenMOS 系列深槽超级结 MOSFET 产品性能比肩国际一流公司。表表 15：公司高压公司高压 MOSFET 产品与国内外领先功率厂商产品技术指标对比产品与国内外领先功率厂商产品技术指标对比 可比公司产品系列可比公司产品系列 规格型号规格型号 Ron 导通电阻典型值导通电阻典型值（单位：）（单位：）Qg 栅电荷（单位：栅电荷（单位：nC）RonQg（优值，（优值，FOM）（单位（单位nC）英飞凌 C7 IPA60R180C7 0.155 24 3.72 英飞凌 G7 IPDD60R190G7 0.164 12

73、 2.95 安森美 FCPF190N60E-D 0.16 63 10.08 意法 STF24N60M6 0.162 23 3.73 东芝 TK16E60W 0.16 38 6.08 华润微 HPA600R160PF-G 0.13 45 5.85 新洁能 NCE60R180F 0.15 45 6.75 士兰微 SVS20N60FJFD2 0.16 39 6.24 吉林华微 JS60R190U 0.14 41 5.74 东微 GreenMOS OSG60R130FF 0.15 23.3 3.50 东微超级硅 OSS60R190FF 0.16 15.8 2.53 数据来源：公司招股书，东北证券 2）

74、中低压）中低压 MOS 与国际差距较小，优值优于大部分国内可比产品。与国际差距较小，优值优于大部分国内可比产品。在相同封装形式下，比较公司第三代 60V 屏蔽栅 MOSFET 与英飞凌、华润微等产品性能，可以看出公司有优值为 113mnC、152mnC 的两种可比产品，前者优值与国外大厂相当（普遍在 110mnC 左右），显著优于国内可比产品（除士兰微外均在 170mnC 以上）请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 19/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 16：公司第三代公司第三代 60V 屏蔽栅屏蔽栅 MOSFET 与国内外领先功率厂商产品技术指标对比与国内

75、外领先功率厂商产品技术指标对比 可 比 公 司可 比 公 司产品系列产品系列 规格型号规格型号 Ron 导通电阻典型导通电阻典型值（单位：值（单位：m）Qg 栅电荷（单栅电荷（单位：位：nC）RonQg（优值，（优值，FOM）（单位（单位 mnC）英飞凌 BSC014N06NST 1.20 89.00 107.00 安森美 NTMFS5C604NL 0.93 120.00 112.00 意法 STL220N6F7 1.20 98.00 118.00 东芝 TPH1R306P1 0.96 91.00 87.00 华润微 CRSM024N06L2 2.40 74.37 178.00 新洁能 NCE

76、P60T15AG 2.70 88.00 238.00 士兰微 SVG069R5NSA 8.00 17.00 136.00 扬杰 YJG9506A 2.10 93.00 195.00 吉林华微 MC85N06A 5.40 34.70 187.00 东微 SFS06R013UGF 1.35 83.60 113.00 东微 SFS06R03GF 2.30 66.10 152.00 数据来源：公司招股书，东北证券 综合市场份额位列中国本土企业前十，高压超级结市占率国内第一。综合市场份额位列中国本土企业前十，高压超级结市占率国内第一。根据 Omdia 数据，2019 年全球 MOSFET 销售额为 84

77、.20 亿美元，其中中国本土厂商市场份额合计12.77%，东微半导市占率增幅最大（同比增 28.84%），位列中国本土企业第七名。根据 Omdia 数据测算，高压超级结方面，2020 年全球/中国市场规模分别约为 9.4/4.2亿美元，公司市场份额占比分别为 3.8%/8.6%，位列国内第一。表表 17：2019 年中国本土领先功率半导体厂商年中国本土领先功率半导体厂商 MOSFET 功率器件全球销售收入（百万美元）及市场份额功率器件全球销售收入（百万美元）及市场份额 排名排名 公司公司 销售额销售额 较上年增长率较上年增长率 市场份额市场份额 市场份额增长率市场份额增长率 1 安世半导体 3

78、30.89 14.14%3.93%14.70%2 华润微 260.52 19.65%3.09%20.24%3 扬杰科技 151.64 -23.71%1.80%-23.33%4 华微电子 132.80 -3.84%1.58%-3.38%5 新洁能 110.40 12.29%1.31%12.83%6 士兰微 35.49 24.96%0.42%25.57%7 东微半导 28.43 28.22%0.34%28.84%8 其他 24.74 0.81%0.29%1.31%合计 5.40 5.48%12.77%6.11%数据来源：公司招股书，东北证券 2.3.政策引领+下游需求共振，汽车/光储为超结 MOS

79、 带来广阔增量 政策引导与政策引导与下游下游需求共振，我国充电桩规模增速将持续超过新能源车销量增速。需求共振，我国充电桩规模增速将持续超过新能源车销量增速。2020 年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一，各省市积极响应并提出相关政策，政策大多围绕提高充电桩保有量、降低车桩比展开。例如 2023 年 2 月，工信部等八部门发布关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知，对充换电基础设施提出要求：包括新增公共充电桩（标准桩）与公共领域新能源汽车推广数量比例力争达到 1：1；高速公路服务区充电设施车位占比预期不低于小型停车位的 10%。城市公交、出租、环卫、邮政快递、城市物流配送领

80、域力争达到 80%。该政策将有力拉动国内大功率直流充电桩需求。海外也在积极推进充电桩建设，如2021 年 11 月，拜登政府在签署的兆元基建法案中宣布，将在 5 年内拨款近 50 亿美 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 20/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 元建造全美充电站网络，预计新增 50 万个充电站。除政策端以外，由于充电桩是新能源车电能补充的主要装置，新能源车渗透率提升也同步带动充电桩需求增长。2022 年 11 月，国内充电桩保有量达 173 万台，相比 2018 年 1 月的 22.51 万台有明显增长。基于降低车桩比的需求，未来充电桩行业规模增速

81、将持续超过新能源车销量增速，行业具备长期确定性上行空间。表表 18：2022 年年 1-11 月充电基础设施与电动车销量增速对比月充电基础设施与电动车销量增速对比 类别类别 单位单位 1-11 月月全国增量全国增量 同比同比 公共充电基础设施数量 万台 58.4 105.40%随车配建充电桩数量 万台 174.7 316.50%充电基础设施（公共+私人）增量 万台 233.2 231.20%新能源汽车销量 万辆 606.7 100.60%桩车增量比 1:2.6 数据来源：EVCIPA，东北证券 我国公共充电桩存量结构中，交流桩占比略高于直流桩，但直流桩增速更快。我国公共充电桩存量结构中，交流桩

82、占比略高于直流桩，但直流桩增速更快。公共充电桩按充电方式可分为交流桩和直流桩。交流桩按充电功率分为单相（7kW 为主）、三相（40kW 为主）。充电时需要借助车载充电机（OBC），充电速度较慢。普通电池容量的纯动车完全放电后通过交流充电桩充满通常需要 8 个小时。直流充电桩俗称“快充”，充电功率普遍60kW，仅需要不到 2-3 小时即可将一辆纯动车电池充满。目前我国交流桩占比 58.7%，略超直流桩（41.3%），但直流桩增速高于交流桩。根据 EVCIPA 数据，2016 年 1 月-2022 年 1 月，我国直流充电桩规模增幅 3950%，交流桩增幅 1718%。政策导向也侧重快充路线，比如

83、上海的充电桩建设原则为“先桩后车、适度超前，公用设施快充为主、慢充为辅，专用设施快慢并重”。表表 19：充电桩充电能力及应用场景充电桩充电能力及应用场景 充电类别充电类别 充电能力充电能力 每充电每充电 1 小时增加的里小时增加的里程程 充电地点充电地点 示意图示意图 1 级 110/120VAC，15 或10A 约 4 至 6 英里/小时 家或工作场所 2 级 3.3kW（低）6.6kW（中）9.6kW（高）19.2kW（最高）208/240VAC，20A 208/240VAC，20A 208/240VAC，20A 208/240VAC，20A 约 3 至 12 英里/小时 约 16 至 2

84、4 英里/小时 约 32 至 48 英里/小时 60 英里/小时 家、工作场所或公共充电桩 3 级 440 或 180VAC 80%90%。领先企业如弗迪动力、英博尔的装机量同比增速均超 100%，凸显行业高增长态势。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 22/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 20：2022 年中国乘用车年中国乘用车 OBC 装机量装机量 TOP10 企业企业及及市场份额市场份额 OBC 企业 市场份额 同比变化 弗迪动力 28.70%223%威迈斯 20.40%74%特斯拉 8.60%42%英博尔 8.60%190%富特科技 8.50%27

85、%欣锐科技 5.90%46%铁城科技 4.20%-12%科世达 3.50%51%华为数字能源 3.10%352%力华集团 2.1%-21%数据来源：NE 时代新能源，东北证券 三大趋势促使三大趋势促使 OBC 降本增效。降本增效。双向 OBC：既能为动力电池充电，又能让动力电池通过 OBC 为其他用电器充电；大功率：OBC 功率越大，充电越快。目前普通OBC 普遍为 3.3-11kW，已有部分企业，例如得润电子等，实现了 22kW 车载充电机的量产。集成化：二合一（OBC+DC/DC）、三合一（OBC+DC/DC+PDU）以降低成本。图图 20：典型双向典型双向 OBC 结构框图结构框图 数据

86、来源：英飞凌官网，东北证券 2.4.自主研发铸就技术壁垒，打入下游多领域头部客户 MOSFET 料号数料号数居国内前列居国内前列，满足下游客户多元化需求，满足下游客户多元化需求。功率器件企业的产品竞争力一方面取决于其技术设计能力及工艺制造水平，另一方面在于是否有完整丰富的料号，以满足下游客户一揽子采购需求。根据公司 2021 年年报，公司共计拥有产品规格型号 1790 余款，其中高压超结 MOS（包括超级硅 MOS）1100 款，中低压 SGT产品 641 款，规格数量居国内厂商前列。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 23/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表

87、 21：公司公司 MOSFET 规格数量同业比较规格数量同业比较 企业企业 产品产品 规格数规格数 东微半导 高压超结 MOS（包括超级硅）1100 中低压屏蔽栅 MOS 641 X 公司 超结 MOS 306 屏蔽栅 MOS 449 Y 公司 高压 SnowMOS 100 中低压 TTMOS 159 数据来源：各公司公告，各公司官网，东北证券 自主研发能力强，超结自主研发能力强，超结 MOS 持续迭代、超级硅持续迭代、超级硅 MOS 性能比肩氮化镓器件。性能比肩氮化镓器件。公司高压超级结 MOSFET 产品为 GreenMOS 系列。采用独特专利器件结构和制造工艺，具有比常规 MOSFET

88、更快的开关速度及更柔和的开关曲线。根据 2022 年半年报，公司第四代超结 MOS 已量产并且出货规模迅速扩大，并已启动第五代技术研发，目前进展顺利。公司的超级硅 MOS 具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点，在主流快充应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。根据公司官网新闻测评，与苹果 61W充电器相比，东微超级硅 65W 快充 DEMO 功率翻倍，体积仅相当于其三分之一。根据 2022 年半年报，公司新一代超级硅 MOSFET 开发成功，进入认证阶段。图图 21：公司公司 GreenMOS 系列产品开关特性系列产品开关特性

89、 图图 22：东微超级硅东微超级硅 65W 快充快充 DEMO 与苹果与苹果 61W充电器体积比较充电器体积比较 数据来源：公司官网，东北证券 数据来源：公司官网，东北证券 2022H1 来自汽车来自汽车、光储、光储、工业级应用收入占总营收工业级应用收入占总营收接近接近 80%。公司营收约半数来自工业级应用，主要包括 5G 基站电源、新能源车充电桩、逆变器等。2020 年以来，公司通信电源收入增长较快，主要系现有客户加大采购+新客户导入。按下游应用领域看，2022H1，公司来自新能源车直流充电桩/工业及通信电源/光伏逆变器/车载充电机营收分别占总营收的 17%/21%/10%/14%。请务必阅

90、读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 24/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 23：2018-2021H1 主营业务收入主营业务收入结构（按下游）结构（按下游）数据来源：公司招股书，东北证券 公司已在全球范围积累众多知名终端品牌客户。公司已在全球范围积累众多知名终端品牌客户。根据公司 2022 半年报，在光伏逆变领域，东微半导产品已批量出货给客户 A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟、日月元等公司。用超结芯片可大量替换 IGBT 芯片，大幅提高系统效率。在数据中心服务器电源领域，公司产品持续批量出货给维谛技术、中国长城、客户 A、高斯宝电气、深圳雷能、麦格米特、超聚变、群光

91、电能、全汉企业、铂科电子等公司；在新能源车直流充电桩领域中，公司产品已批量出货给比亚迪、英搏尔、铁城科技、英威腾、欣锐科技、威迈斯等车载充电机设计制造领先企业；通信电源和基站电源领域，公司对客户 A、维谛技术、动力源、深圳雷能、麦格米特、高斯宝电气、核达中远通、金威源科技、中恒电气等客户批量出货；在消费电子领域，公司进入了 OPPO、安克电子、视源股份、航嘉 Huntkey、天宝电子、奥海科技、立讯精密、Foxlink（台湾正崴集团）、Foxconn（富泰华）、英维克、拓邦股份、博兰得电子等客户。图图 24：东微半导下游客户（部分）东微半导下游客户（部分）数据来源：公司招股书，东北证券 2.5

92、.与华虹多年深度合作铸就高壁垒，产能持续扩张 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20021H1各类工业及通信电源新能源汽车充电桩大功率照明电源逆变器电池保护消费电子设备显示器电源 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 25/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 华虹为公司第一大供应商。华虹为公司第一大供应商。公司将晶圆制造与封测服务外包，合作的晶圆代工厂包括华虹、广州粤芯、DB HiTek 等，其中华虹为一供。公司预付款项主要为定制晶圆采购，公司从 2019 年开始出现对广州粤芯的预付款，在公司对晶圆厂预付款占比由当

93、年的 1.54%快速增长至 2021H1 的 34.18%，广州粤芯成为公司重要供应商之一。图图 25：2018-2021H1 公司上游晶圆厂预付款项结构公司上游晶圆厂预付款项结构（万元）（万元）图图 26：2018-2021H1 公司对上游晶圆厂采购金额（亿公司对上游晶圆厂采购金额（亿元）元）数据来源：公司招股书，东北证券 数据来源：公司招股书，东北证券 华虹及广州粤芯为华虹及广州粤芯为公司提供有效产能保障公司提供有效产能保障：1）华虹：公司主要向华虹采购）华虹：公司主要向华虹采购 8 英寸及英寸及 12 英寸晶圆。英寸晶圆。根据华虹年报，华虹在上海金桥和张江建有 3 座 8 英寸晶圆厂（华

94、虹一、二、三厂），月产能约 18 万片；在无锡有一座 12 寸晶圆厂（华虹七厂），月产能 5.3 万片。在下游需求强劲催化下，公司积极扩展 12 英寸及 8 英寸产线。根据公司公告，华虹 2021Q3 的资本开支中有88.8%用于 12 英寸线扩产，并于 2022 年加快 12 寸线扩产进度。公司作为华虹多年稳定合作的代工客户之一，有望率先受益。2）广州粤芯：公司向广州粤芯采购）广州粤芯：公司向广州粤芯采购 12 英寸晶圆。英寸晶圆。广州粤芯是粤港澳大湾区唯一进入量产的 12 寸晶圆厂，有三期项目。目前粤芯第一期、第二期已经投产，月产能达到 4 万片，而第三期、第四期项目计划月产能各 4 万片

95、。2025 年，粤芯半导体月产能有望达到 12 万片。其中，第三期项目瞄准工业级、车规级芯片，计划新建月产能4 万片，于 2022 年 8 月启动。050010001500华虹中芯绍兴DB HiTek广州粤芯20021H10.000.501.001.502.002.5020021H1华虹半导体广州粤芯DB Hitek中芯绍兴 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 26/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 3.IGBT：TGBT 快速放量，性能比肩英飞凌第七代快速放量，性能比肩英飞凌第七代 IGBT 水水平平 3.1.IGBT

96、 技术壁垒高、前景广阔 IGBT 五年五年 CAGR 达达 21%，市场前景广阔。，市场前景广阔。IGBT 全称绝缘栅双极型晶体管，相对于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。随着新能源汽车、光伏、储能、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球 IGBT分立器件市场将持续扩大。根据 Yole，随着新能源汽车 2020 年回暖，市场需求上升，全球 IGBT 市场规模达到 54 亿美元。时代电气预计，2025 年中国 IGBT 市场规模达 458 亿元，五年 CAGR 达 21%。图图 27：2020-2026 年年 IGBT 市场规模（按下游）变化市场规模（

97、按下游）变化 数据来源：Yole，东北证券 IGBT 技术要求高，性能改善近年趋于极限技术要求高，性能改善近年趋于极限。IGBT 中的功率损耗存在此消彼长的关系，当降低 IGBT 导通损耗时，开关损耗便会增加。在过去的 30 年里，技术人员主要通过改进元件结构来改善导通损耗和开关损耗，但近年来，其性能改善趋于极限，成为行业一大难题。在 ISPSD2021，东芝宣布成功开发三栅极 IGBT，在不增加导通损耗的情况下，最多可使开关损耗整体降低 40.5%。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 27/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 图图 28：三栅极三栅极 IGBT 和

98、栅极控制信号和栅极控制信号 图图 29：开关转换电压波形和降低开关损耗的效果开关转换电压波形和降低开关损耗的效果 数据来源：东芝官网，东北证券 数据来源：东芝官网，东北证券 3.2.自研 Tri-gate 结构 IGBT 性能处于国际领先水平 公司自研公司自研 TGBT 拥有独创器件结构，性能达到国际领先水准。拥有独创器件结构，性能达到国际领先水准。公司 TGBT 产品具有载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构。载流子控制技术优化了器件在导通时内部的载流子分布。原胞功率调制技术使器件在大功率开关的过程中功率分布更加均匀。独创的器件结构通过电场调制，提高了耐压性与载流子浓度，使得在不

99、提高饱和压降 Vce,sat 的情况下，让关闭损耗 eoff 更低。公司高速系列下的产品在饱和压降 Vce,sat 典型值为 1.65V 时，关闭损耗 Eoff 为 0.85mJ，相较国际竞品的关闭损耗 Eoff 值更低，性能更优。公司的低饱和压降系列产品，可以在关闭损耗 Eoff 相对于高速产品基本不变的情况下，将饱和压降 Vce,sat 典型值降低到1.50V，性能处于国际领先水平。表表 22：同业公司产品：同业公司产品指标指标对比对比 公司名称公司名称 料号料号 额定电流（单额定电流（单位：位：A）Vce,sat 饱和压降典饱和压降典型值（单位：型值（单位：V）Eoff（单位：（单位：m

100、J）英飞凌 IKW75N65EH5 75 1.65 0.9 安森美 AFGHL75T65SQ 75 1.6 1.13 意法 STGWA75H65DFB2 75 1.55 1.05 华润微 BT75T60AKFK 75 1.75 2.1 新洁能 NCE75TD60T 75 1.65 1.9 士兰微 SGT75T65SDM1P4 75 1.65 3.1 吉林华微 JT075N065WED 75 1.75 0.97 东微高速系列 OST75N65HZF 75 1.65 0.85 东微低饱和压降系列 OST75N65HSZF 75 1.5 0.9 数据来源：公司招股书，各公司官网，东北证券 3.3.I

101、GBT 业务步入高速增长，应用领域有望不断拓宽 IGBT 业务业务步入高速增长阶段步入高速增长阶段。2021 年，公司 Tri-gate IGBT 产品首次量产出货，全年营收 568 万元。2022H1，公司 TGBT 产品销售额迅速增长，同增超 70 倍，已进入高速增长阶段。但由于公司产品进入市场时间较短、各企业业务重心有一定异质性，公司 IGBT 的业务收入规模相比于其他竞争企业有一定差距。随着 TGBT 的优 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 28/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 质性能得到进一步的测试检验、下游客户的不断拓展，公司该板块的营收与市占率有

102、望进一步提升。表表 23：同业公司：同业公司 IGBT 营收营收对比对比 公司名称 经营模式 IGBT 业务发展历程 IGBT 业务收入规模 IGBT 业务占主营收入比重 东微半导 Fabless 2018 年投入研发，2021 年实现营收 0.17 亿元 3.67%新洁能 Fabless 2013 年成立起专注于 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发和销售 1.25 亿元 14.6%斯达半导 Fabless-2005 年成立起致力于 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及 IGBT 模块的设计、制造和测试 6.83 亿（2021H1 数据）95%士兰微 IDM 201

103、1 年在 IGBT 等分立器件工艺研发中取得阶段性成果，2013 年在 IGBT 等功率器件成品推广上取得成效 1.90 亿（2021H1 数据）5.74%华润微 IDM IGBT 设计及工艺技术系“4500V 新型高压功率芯片工艺开发与产业化项目”的成果之一，项目始于 2011 年 约 9 亿 约 17%数据来源：东微半导，新洁能、华润微 2022 年半年报，斯达半导、士兰微 2021 年半年报、东北证券整理 TGBT 器件在多家头部客户批量应用，产品供不应求器件在多家头部客户批量应用，产品供不应求。根据 2021 年年报，公司已有 52 款 TGBT 产品。2022 年上半年，公司 TGB

104、T 器件在光伏逆变、储能、充电桩领域获得更多头部客户批量使用，代表客户包括爱士惟（光伏逆变）、拓邦股份（储能）、汇川技术（工业电源）、优优绿能（充电桩模块）等。结合下游企业的行业领先地位，公司有望在未来形成紧密合作关系后签署更大规模的订单，使得 TGBT 在车载充电机、新能源汽车充电桩与光伏、储能行业中发挥优质的性能。SiC 业务进展迅速，稳步推进中。业务进展迅速，稳步推进中。公司于 2021 年 7 月立项研发以 SiC 为衬底的三代半材料功率器件。根据 2021 年年报，公司申请了多项第三代半导体相关专利。部分车载电子客户已使用公司开发的并联 SiC 二极管的高速系列 TGBT 对 SiC

105、 MOSFET 进行替代，进展顺利。预期此系列产品将对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 进行替代。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 29/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 24：公司公司 TGBT 器件已进入多家头部客户器件已进入多家头部客户 领域 公司名称 公司简介 行业地位 部分下游企业 公司产能 工业电源 汇川技术 创立于 2003 年，专注于工控产品的研发、生产和销售。产品包括新能源客车、物流车、乘用车的电机控制器、高性能电机、DC/DC 电源、OBC 等。公司是国内工业自动化控制领域的佼佼者，入选“2020 胡润中国500 强民营企业”，

106、排名第 93 位。理想、小鹏、威马、上汽通用五菱等-新能源储能 拓邦股份 公司以电控、电机、电池、物联网平台的“三电一网”技术为核心，面向家电、工具、工业和新能源四大行业提供各种定制化解决方案 公司已成为家电、工具行业智能控制解决方案的领导者，工业、锂电应用行业的创新者 家电方面，包含全球综合类大客户和创新类科创客户；工具方面，国际大客户为主、区域客户为辅；工业方面，拥有 3000 多家自动化设备制造商客户，与客户直接建立并保持着持续、稳定的合作关系 珠三角地区，惠州子公司是主要产能来源；长三角地区，宁波运营基地 2021 年下半年投产使用；东南亚地区，越南厂房、印度厂房逐步释放产能 充电桩

107、优优绿能 公司聚焦于汽车充电桩的核心组件及整体解决方案，主要生产充电桩所使用的电源模块、充电桩监控模块及充电桩运营管理平台等产品。在充电桩电源模块方面，拥有业内最全面的产品系列，保持技术与产品的领先地位，独家量产 30kW 超级充电模块，并具备业界领先的工作效率 主要客户为充电桩生产商、换电设备生产商、充电站运营商、换电站运营商、新能源汽车厂商等类型企业-数据来源：公司官网，鲸准平台，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 30/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 4.盈利预测与估值盈利预测与估值 超结超结 MOS：我们预计东微半导：我们预计东微半导 2022

108、-2024 年年超超结结 MOSFET 营收分别为营收分别为 9/12/16 亿亿元，同比增长元，同比增长 58%/38%/32%。销量：2021 年以来，功率半导体景气度持续向好，公司高压超结 MOS 主要用于光伏储能、新能源车等需求旺盛的领域，预计未来销售规模持续增加。单价：在政策及产业链带动下，下游充电桩、车载 OBC 行业将快速增长。公司的高压超级结 MOS 在国内市占率领先，预计未来单价保持现有水平。中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOS：我们预计东微半导：我们预计东微半导 2022-2024 年中低压屏蔽栅年中低压屏蔽栅 MOSFET 营收营收分别为分别为 2/3/3 亿元，同比增长亿元

109、，同比增长 4%/30%24%。毛利率小幅下降。销量：中低压屏蔽栅 MOS 主要应用于消费电子产品，下游需求受宏观经济、产品创新周期影响较大。目前下游市场需求较弱，预计未来销售规模持平微增。单价：中低压 MOSFET 技术相对成熟，市场准入门槛低。SGT MOSFET 价格 2022 年 2 月以来呈现维稳和部分下降趋势。预计未来 SGT MOSFET 价格将小幅下跌。超级硅 MOS：我们预计东微半导 2022-2024 年超级硅 MOSFET 营收分别为0.04/0.09/0.15 亿元，同比增长 100%/100%/70%。超级硅 MOSFET 由于其具有高性价比、工艺成熟的优势，预计未来

110、营收将稳步增长。IGBT：我们预计东微半导：我们预计东微半导 2022-2024 年年 IGBT 营收分别为营收分别为 0.5/1.5/2.2 亿亿元，同比增元，同比增长长 900%/160%/50%。毛利率基本稳定，预计 2021-2023 年分别为 36%/36%/35.5%。公司 IGBT 产品 2021 年开始小批量销售，目前在手订单充足，已经进入高速发展期。综上所述，我们预计公司 2022-2024 年总营收分别增长 50%/43%/32%至 12/17/22 亿元。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 31/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 25：

111、公司盈利预测公司盈利预测 2020 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入（亿元）3.08 7.82 11.74 16.73 22.16 营收增长率 56.35%153.93%50.14%42.50%32.46%毛利率 17.85%28.72%34.12%33.68%33.69%超结超结 MOS 器件器件 营业收入（亿元）2.38 5.42 8.99 12.38 16.34 营收增长率 60.81%127.91%58.16%37.72%31.93%营收占比 77.27%69.36%76.58%74.01%73.72%毛利率 17.9%28.6%34.5%34.0%34.0%超结

112、超结 MOS 晶圆晶圆 营业收入（亿元）0.11 0.26-营收增长率 10.00%137.54%-营收占比 3.57%3.34%-毛利率 23.8%32.5%-SGT MOS 营业收入（亿元）0.59 2.06 2.14 2.78 3.46 营收增长率 53.71%246.85%3.98%30.21%24.36%营收占比 19.25%26.30%18.21%16.64%15.63%毛利率 16.6%28.3%32.0%31.5%31.5%超级硅超级硅 MOS 营业收入（亿元）-0.02 0.04 0.09 0.15 营收增长率-100.00%100.00%70.00%营收占比 0.00%0.

113、27%0.37%0.51%0.66%毛利率 20.0%31.8%35.0%33.0%33.0%IGBT 营业收入（百万元）-0.06 0.57 1.48 2.22 营收增长率-900.00%160.00%50.00%营收占比-0.73%4.84%8.83%10.00%毛利率-32.7%36.0%36.0%35.5%数据来源：wind，东北证券测算 公司业务以 MOSFET 为主，是国内超结 MOS 龙头。我们选取功率半导体企业新洁能、宏微科技、斯达半导作为可比公司。考虑东微半导产品下游工业级及汽车应用占比接近 80%，持续受益光储、新能源车景气需求。且公司技术积累深厚，已建立坚实的行业壁垒。我

114、们预计公司归母净利润在 2022-2024 年分别同比增长105%/51%/31%至 3.0/4.5/5.9 亿元，对应 PE 60/40/31 倍，低于可比公司平均水平，维持“买入”评级。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 32/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 表表 26：可比公司估值对比表可比公司估值对比表 股票代码股票代码 证券简称证券简称 市值（亿）市值（亿）归母净利润归母净利润（亿元）（亿元）PE（X）2022E 2023E 2024E 2022E 2023E 2024E 605111.SH 新洁能 193 4.8 6.3 8.2 40.2 30.6

115、23.5 603290.SH 斯达半导 560 8.1 11.5 15.8 69.1 48.7 35.4 688711.SH 宏微科技 119.6 0.9 1.6 2.5 132.9 74.8 47.8 平均值平均值 290.9 4.6 6.5 8.8 80.7 51.4 35.6 688261.SH 东微半导 180.6 3.0 4.5 5.9 60.0 39.8 30.5 数据来源：wind，东北证券。除东微半导外，盈利预测取自 2023 年 2 月 11 日 wind 一致预期 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 33/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 5.

116、风险提示风险提示 产能增长不及预期。产能增长不及预期。公司采用 fabless 模式，将晶圆制造和封测环节委外。公司产能主要来自华虹、DBHitek 等代工厂。若代工厂产能支持力度不及预期，将对公司业绩造成不利影响。功率半导体市场竞争加剧的风险。功率半导体市场竞争加剧的风险。随物联网、新能源等新兴领域的兴起，功率半导体需求迅速扩大，吸引了诸多新玩家入场，导致市场竞争日趋激烈。若公司日后无法正确把握行业发展趋势，及时提升产品质量，公司的市场份额、经营业绩可能受到不利影响。下游需求不及预期的风险。下游需求不及预期的风险。由于半导体行业具有较强周期性特征，与宏观经济发展密切相关。若宏观经济下行，则半

117、导体市场需求亦将收到影响。此外，若新能源车、5G 通讯、光伏等行业发展不及预期，公司业绩亦将受到影响。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 34/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 附表：财务报表预测摘要及指标附表：财务报表预测摘要及指标 资产负债表（百万元）资产负债表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 现金流量表（百万元）现金流量表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 货币资金 373 2,476 2,812 3,216 净利润净利润 147 301 454 593 交易性金融资产 0 0 0 0 资产减值准备 3 0 0

118、0 应收款项 105 174 224 303 折旧及摊销 4 8 15 21 存货 100 142 205 255 公允价值变动损失 0 0 0 0 其他流动资产 36 49 68 88 财务费用 0 0 0 0 流动资产合计流动资产合计 614 2,842 3,308 3,863 投资损失 0-1-1-1 可供出售金融资产 运营资本变动-24-134-77-154 长期投资净额 0 0 0 0 其他 1-2 3 0 固定资产 7 51 88 119 经营活动经营活动净净现金流现金流量量 130 172 394 459 无形资产 1 1 0 0 投资活动投资活动净净现金流现金流量量 15-53

119、-58-55 商誉 0 0 0 0 融资活动融资活动净净现金流现金流量量-3 1,984 0 0 非非流动资产合计流动资产合计 15 63 104 138 企业自由现金流企业自由现金流 139 109 271 331 资产总计资产总计 629 2,904 3,412 4,001 短期借款 0 0 0 0 应付款项 43 28 74 61 财务与估值指标财务与估值指标 2021A 2022E 2023E 2024E 预收款项 0 0 0 0 每股指标每股指标 一年内到期的非流动负债 1 1 1 1 每股收益（元）2.91 4.46 6.73 8.80 流动负债合计流动负债合计 60 50 105

120、 101 每股净资产（元）11.20 42.31 49.05 57.84 长期借款 0 0 0 0 每股经营性现金流量（元）2.58 2.56 5.84 6.81 其他长期负债 3 3 3 3 成长性指标成长性指标 长期负债合计长期负债合计 3 3 3 3 营业收入增长率 153.3 50.1 42.5 32.5 负债合计负债合计 63 54 108 104 净利润增长率 430.7 104.7 50.9 30.6 归属于母公司股东权益合计 566 2,851 3,304 3,897 盈利能力指标盈利能力指标 少数股东权益 0 0 0 0 毛利率 28.7 34.1 33.7 33.7 负债和

121、股东权益总计负债和股东权益总计 629 2,904 3,412 4,001 净利润率 18.8 25.6 27.1 26.7 运营效率指标运营效率指标 利润表（百万元）利润表（百万元）2021A 2022E 2023E 2024E 应收账款周转天数 40.98 40.98 40.98 40.98 营业收入营业收入 782 1,174 1,673 2,216 存货周转天数 56.31 56.31 56.31 56.31 营业成本 557 774 1,110 1,470 偿债能力指标偿债能力指标 营业税金及附加 3 3 4 6 资产负债率 10.0 1.8 3.2 2.6 资产减值损失-1 0 0

122、 0 流动比率 10.30 56.42 31.62 38.31 销售费用 8 9 13 17 速动比率 8.09 52.74 29.10 35.02 管理费用 15 22 31 41 费用率指标费用率指标 财务费用-6-11-74-84 销售费用率 1.0 0.8 0.8 0.8 公允价值变动净收益 0 0 0 0 管理费用率 1.9 1.8 1.8 1.8 投资净收益 0 1 1 1 财务费用率-0.8-0.9-4.4-3.8 营业利润营业利润 169 344 531 689 分红指标分红指标 营业外收支净额 0 2-3 0 股息收益率 0.1 0.0 0.0 0.0 利润总额利润总额 16

123、9 346 528 689 估值指标估值指标 所得税 22 45 74 96 P/E（倍）0.00 60.07 39.80 30.47 净利润 147 301 454 593 P/B（倍）0.00 6.33 5.46 4.63 归属于母公司净归属于母公司净利润利润 147 301 454 593 P/S（倍）0.00 15.38 10.79 8.15 少数股东损益 0 0 0 0 净资产收益率 29.8 10.5 13.7 15.2 资料来源：东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 35/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 研究团队研究团队简介：简介：Tabl

124、e_Introduction 李玖：北京大学光学博士，北京大学国家发展研究院经济学学士（双学位），电子科技大学本科，曾任华为海思高级工程师、光峰科技博士后研究员，具有三年产业经验，2019 年加入东北证券，现任电子行业首席分析师。王浩然：上海财经大学金融硕士、理学学士，曾任新财富前三团队及新财富最具潜力团队核心成员，2022 年加入东北证券，任电子行业资深分析师。重要重要声明声明 本报告由东北证券股份有限公司（以下称“本公司”）制作并仅向本公司客户发布，本公司不会因任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本公司具有中国证监会核准的证券投资咨询业务资格。本报告中的信息均来源于公开资料

125、，本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。报告中的内容和意见仅反映本公司于发布本报告当日的判断，不保证所包含的内容和意见不发生变化。本报告仅供参考，并不构成对所述证券买卖的出价或征价。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的证券买卖建议。本公司及其雇员不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，在任何情况下，我公司及其雇员对任何人使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失概不负责。本公司或其关联机构可能会持有本报告中涉及到的公司所发行的证券头寸并进行交易，并在法律许可的情况下不进行披露；可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务、财务顾问等相关服务。本报告版权归本公

126、司所有。未经本公司书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表或引用。如征得本公司同意进行引用、刊发的，须在本公司允许的范围内使用，并注明本报告的发布人和发布日期，提示使用本报告的风险。若本公司客户（以下称“该客户”）向第三方发送本报告，则由该客户独自为此发送行为负责。提醒通过此途径获得本报告的投资者注意，本公司不对通过此种途径获得本报告所引起的任何损失承担任何责任。分析师声明分析师声明 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，并在中国证券业协会注册登记为证券分析师。本报告遵循合规、客观、专业、审慎的制作原则，所采用数据、资料的来源合法合规，文字阐述反映了作者的真实观点，报

127、告结论未受任何第三方的授意或影响，特此声明。投资投资评级说明评级说明 股票 投资 评级 说明 买入 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 15%以上。投资评级中所涉及的市场基准：A 股市场以沪深 300 指数为市场基准，新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为市场基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为市场基准；美国市场以纳斯达克综合指数或标普 500 指数为市场基准。增持 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 5%至 15%之间。中性 未来 6 个月内，股价涨幅介于市场基准-5%至 5%之间。减持 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 5%至 15%之间

128、。卖出 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 15%以上。行业 投资 评级 说明 优于大势 未来 6 个月内，行业指数的收益超越市场基准。同步大势 未来 6 个月内，行业指数的收益与市场基准持平。落后大势 未来 6 个月内，行业指数的收益落后于市场基准。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 36/36 东微半导东微半导/公司深度公司深度 Table_SalesTable_Sales 东北证券股份有限公司东北证券股份有限公司 网址：网址：http:/http:/ 电话：电话：-06860686 地址地址 邮编邮编 中国吉林省长春市生态大街 6666

129、 号 130119 中国北京市西城区锦什坊街 28 号恒奥中心 D 座 100033 中国上海市浦东新区杨高南路 799 号 200127 中国深圳市福田区福中三路 1006 号诺德中心 34D 518038 中国广东省广州市天河区冼村街道黄埔大道西 122 号之二星辉中心 15 楼 510630 机构销售联系方式机构销售联系方式 姓名姓名 办公电话办公电话 手机手机 邮箱邮箱 公募销售公募销售 华东地区机构销售华东地区机构销售 王一（副总监） 吴肖寅 李瑞暄 18801

130、903156 周嘉茜 陈梓佳 chen_ 屠诚 康杭 丁园 吴一凡  王若舟 华北地区机构销售华北地区机构销售 李航（总监） 殷璐璐 曾彦戈 010-58

131、034563 吕奕伟 孙伟豪 陈思 chen_ 徐鹏程 曲浩蕴 华南地区机构销售华南地区机构销售 刘璇（总监） liu_ 刘曼 王泉 王谷雨 1

132、3641400353 张瀚波 zhang_ 王熙然 wangxr_ 阳晶晶 yang_ 张楠淇 钟云柯 杨婧  梁家潆 非公募销售非公募销售 华东地区机构销售华东地区机构销售 李茵茵（总监）

133、杜嘉琛 王天鸽 王家豪 白梅柯 刘刚 曹李阳 曲林峰 华北地区机构销售华北地区机构销售 温中朝（副总监） 王动  wang_ 闫琳 张煜苑