1、 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。电子行业 行业研究|深度报告 AI 大模型发展迅速，算力基础建设有望带动存储器需求进一步提升。大模型发展迅速，算力基础建设有望带动存储器需求进一步提升。OpenAI 引领了大模型趋势，AI 模型参数量发展到上亿级甚至百万亿的规模，复杂程度指数上升，需要强大的算力支撑其计算，对存储需求量也将大幅提升，据美光数据，一台人工智能服务器 DRAM 使用量是普通服务器的 8 倍，NAND 是普通服务器的 3 倍，其预计存储芯片行业的市场规模将在 2025 年创下历

2、史新高。此外，DDR 内存用量的增加也将提升对内存接口缓存芯片的需求，叠加 DDR内存从 DDR4向 DDR5升级的确定性，DDR 内存接口缓存芯片市场也迎来高增长。存储厂商业绩见底存储厂商业绩见底，即将迎来即将迎来回暖回暖行情。行情。存储板块具有一定的周期属性，从 22 年中开始下行，全球存储主要厂商库存处于高水位，截至 22 年第四季，三星整体库存资产高达约 2724.84 亿元，创下历史新高纪录，远高于 2021 年同期的 2161 亿元。SK海力士也面临同样困境，整体公司库存资产在2022年第四季窜升75%，至约820亿元。根据 TrendForce 预计，预估 DRAM 23Q2 环

3、比跌幅会收敛至 1015%。此外，NAND Flash 23Q2 环比跌幅会收敛至 510%，有机会于 23Q4 止跌。存储供给格局持续改善，供给增速远不及需求增速。存储供给格局持续改善，供给增速远不及需求增速。据 TrendForce 预测，从供给端看，2023 年，DRAM 增速为-0.3%，NAND 增速为 1.3%。从需求端看，2023 年，服务器 DRAM 位元增速 13.6%，手机 DRAM 位元增速 6.5%，笔记本 DRAM 位元增速-3.0%，DRAM 总需求位元增速为 7.18%；服务器 NAND 位元增速 26.0%，手机 NAND 位元增速 20.3%，笔记本 NAND

4、 位元增速-2.6%，NAND 总需求位元增速为 9.6%。考虑到供需格局改善叠加存储周期情况，以及服务器未来拉动需求预期，我们建议关注存储 IC 设计公司、存储模组公司、相关封测公司澜起科技(688008，买入)、北京君正(300223，买入)、东芯股份(688110，未评级)、聚辰股份(688123，未评级)、恒烁股份(688416，未评级)、普冉股份(688766，未评级)、兆易创新(603986，买入)、太极实业(600667，未评级)、德明利(001309，未评级)、朗科科技(300042，未评级)、江波龙(301308，未评级)、深科技(000021，未评级)。风险提示风险提示 存

5、储下游复苏不及预期、价格上涨不及预期、服务器需求拉动不及预期、供给端超预期释放。投资建议与投资标的 核心观点 国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2023 年 04 月 17 日 蒯剑 *8514 执业证书编号：S0860514050005 香港证监会牌照：BPT856 李庭旭 执业证书编号：S0860522090002 杨宇轩 韩潇锐 张释文 薛宏伟 AI 系列报告之 PCB：AI 算力需求增长，服务器 PCB 厂商受益 2023-04-07 算力需求提升，光芯片正扬帆 2023-03-26 荷兰光刻机禁运细则落地，看好半导体设备国产化加速 2023-03

6、-13 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 看好（维持）电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。2 目 录 1.存储分类、下游应用和市场规模.5 1.1 存储芯片分类繁多，以 DRAM 和 NAND 为主.5 1.2 存储模组形式多样，下游应用领域广泛.6 1.3 存储市场呈成长趋势，国内存储市场发展迅速.7 2.IC 设计公司承接利基市场，模组公司深入下游应用.9 2.1 IC 设计公司承接利基市场.9 2.1.1 兆易创新，NOR F

7、lash 的全球龙头，MCU 领军者 9 2.1.2 北京君正，车规存储领军者，多产品线全面布局 9 2.1.3 东芯股份，国内 SLC NAND 设计龙头，多产品线全面发展 10 2.1.4 恒烁股份，立足 NOR Flash 存储和 MCU 芯片，存算一体取得突破 11 2.1.5 普冉股份，EEPROM 和 NOR 在消费市场广泛布局，向工业、汽车领域拓展 12 2.1.6 聚辰股份，EEPROM 领军，DDR5 和汽车应用开启第二成长曲线 13 2.2 模组公司广泛参与存储产业链条.13 2.2.1 德明利，主控芯片厂商量价齐升 13 2.2.2 朗科科技，模组厂商受益于服务器下游催化

8、 14 2.2.3 江波龙，模组厂商受益于存储周期 14 3.存储厂商已过库存调整高峰期，景气度有所回转.15 4.AI 拉动服务器数据存储需求.17 5.投资建议.19 6.风险提示.19 BVaXkZiYfZnUtWqZrY8O9RbRmOmMoMnOeRmMqMjMrQsNbRqRzRuOmQnMwMqQzQ 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。3 图表目录 图 1：存储芯片分类.5 图 2：存储模组分类.6 图 3：2021 年

9、存储器市场占比.8 图 4：全球存储器市场规模（亿美元）.8 图 5：2021 年全球存储器市场产品占比.8 图 6：22Q4 DRAM 存储器市场格局.9 图 7：22Q4 NAND 存储器市场格局.9 图 8：公司营业收入(百万元).9 图 9：22H1 公司产品结构.9 图 10：公司营业收入(百万元).10 图 11：2022 年公司产品结构.10 图 12：公司营业收入(百万元).11 图 13：2021 年公司产品结构.11 图 14：公司营业收入(百万元).11 图 15：22H1 年公司产品结构.11 图 16：公司下游应用领域占比.12 图 17：公司营业收入(百万元).12

10、 图 18：2022 年公司产品结构.12 图 19：公司营业收入(百万元).13 图 20：2021 年公司产品结构.13 图 21：公司营业收入(百万元).14 图 22：2021 年公司产品结构.14 图 23：公司营业收入(百万元).14 图 24：2021 年公司产品结构.14 图 25：公司产品迭代路径.15 图 26：公司营业收入(百万元).15 图 27：2022 年公司产品结构.15 图 28：存储原厂股价探底.16 图 29：DRAM 总需求变化(GB).16 图 30：NAND 总需求变化（GB）.16 图 31：2017-2021 我国存储容量增量（EB）.17 图 3

11、2：2017-2023E 中国数据存储市场规模及增速.17 图 33：2022-2026E 全球 AI 服务器出货量（千台）.17 图 34：不同类型服务器成本构成.17 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。4 图 35：HBM 的立体结构.18 图 36：HBM 与 GDDR5 对比.18 图 37：2019-2024 服务器 DRAM 与移动 DRAM 产出比重.19 表 1：NAND 与 NOR 性能对比.6 表 2：服务器型号对

12、比.18 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。5 1.存储分类、下游应用和市场规模存储分类、下游应用和市场规模 1.1 存储芯片分类繁多，以 DRAM 和 NAND 为主 存储芯片，又称为存储器，存储芯片，又称为存储器，是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电

13、路的重要分支，被广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。存储芯片的种类繁多，不同技术原理下催生出不同的产品，具有各自的特点和适用领域存储芯片的种类繁多，不同技术原理下催生出不同的产品，具有各自的特点和适用领域。按照信息保存的角度来分类，可以分为易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-volatile Memory）。图 1：存储芯片分类 数据来源：聚辰股份招股书，东方证券研究所 （1）易失性存储主要指随机存取存储器（易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM 需要维持通电以临时保存

14、数据供主系统 CPU 读写和处理。由于 RAM 可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM 根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和）和静态随机存取存储器（静态随机存取存储器（SRAM）。）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM 结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于 SRAM，但访问速度慢于 SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较

15、SRAM 更高。DRAM 作为一种高密度的易失性存储器，主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。（2）非易失性存储主要指只读存储器（非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的 ROM 产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM 经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM

16、）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash 主要包括 NAND Flash 和 NOR Flash。电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。6 NAND Flash 是使用电可擦技术的高密度非易失性存储是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NAND Flash 每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他 ROM；在正常使用情况下，Flash 所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NAND Flash 能够实现快速

17、读写和擦除。NAND Flash 为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NOR Flash 特点在于允许特点在于允许 CPU 直接从存储单元中读取代码执行（直接从存储单元中读取代码执行（eXecute InPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NOR Flash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。表 1：NAND 与 NOR 性能对比 指标名称 NAND NOR 读取速度 慢 快 写入速度 快 慢 擦书速度 快 慢 单位容量 大 小 擦写次数 1-10

18、万次 10 万次 应用 数据存储 代码存储及执行 数据来源：复旦微电招股书，东方证券研究所 1.2 存储模组形式多样，下游应用领域广泛 存储模组主要包括嵌入式存储器，固态硬盘，存储卡存储模组主要包括嵌入式存储器，固态硬盘，存储卡，存储盘，存储盘等等，嵌入式存储器通常指固定内嵌于电子产品主系统内、具有嵌入式接口的半导体存储器，主要形式包括 eMMC、UFS、ePOP、eMCP、SLC NAND 和 LPDDR 等。图 2：存储模组分类 数据来源：德明利招股书，东方证券研究所 （1）嵌入式存储器）嵌入式存储器 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部

19、分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。7 eMMC、UFS 是应用于智能手机、智能电视、平板电脑、机顶盒、智能可穿戴设备等领域的大容量 NAND Flash 嵌入式存储器，特别是作为智能手机的存储模块被广泛使用，是半导体存储的核心产品类别之一。ePoP 和 eMCP 是面向尺寸受限的应用场景开发的小尺寸或高集成嵌入式存储器。ePoP 将存储芯片贴片于 CPU 表面以减少芯片面积占用，适用于智能手表、智能手环、耳机等可穿戴设备。eMCP是利用多芯片封装技术将 eMMC存储晶圆与 LPDDR存储晶圆集成封装以减少对 PCB载板的

20、面积占用，为智能手机、平板电脑提供更小尺寸的存储器。LPDDR 是低功耗的 DRAM 存储器，主要应用于智能手机、平板电脑等功耗限制严格的消费电子产品，DRAM 存储器无需主控芯片及固件驱动，在应用技术层面的核心竞争力体现为存储芯片测试技术能力。SLC NAND 微存储器是应用于网络通信设备、物联网硬件、便携设备等消 费及工业应用场景的小容量 NAND Flash 存储器。（2）固态硬盘）固态硬盘 为了满足大容量存储应用场景需求的存储介质，固态硬盘主要包括 SSD、PSSD 等多种产品形式，被广泛应用于个人电脑(PC)、数据中心、人工智能、工控、安防、网络终端、电力、医疗、航天、军工等诸多行业

21、领域。（3）存储卡）存储卡 根据封装方式及接口协议不同，存储卡主要分为 Micro SD 卡、SD 卡、CF 卡、NM 卡等多种类型，目前市场中主要以 Micro SD 卡为主，Micro SD 卡最初主要用作功能手机及智能手机的基础存储配件。过去 10 年，随着智能手机轻薄化的设计需求及嵌入式存储应用的兴起，Micro SD 卡逐渐从手机市场应用转移至 GPS设备、数码相机、行车记录仪、无人机、智能音箱、电子游戏机等存储应用场景，同时伴随着 5G 应用产业化的加速，高清视频、照片以及海量应用软件等数据存储的需求呈进一步快速增长趋势，并带动智能手机厂商将外接式存储卡槽重新设计进入其设备中作为存

22、储扩展应用，以满足消费者日益增长的数据存储需求。（4）存储盘）存储盘 存储盘即日常所说的 U 盘，其作为信息交换的一种移动式便捷介质主要用于日常信息的存储、转移、携带等，在人们的工作、学习、生活和娱乐中得到广泛的应用.1.3 存储市场呈成长趋势，国内存储市场发展迅速 存储器是集成电路市场产品中市场规模最高的。存储器是集成电路市场产品中市场规模最高的。根据 WSTS 数据，2021 年全球存储器芯片、逻辑芯片、微处理器和模拟芯片的市场规模分别为1.581.61亿美元、1,507.36亿美元、791.02亿美元和 728.42 亿美元,存储器芯片市场规模占比最高。随着电子信息技术的高速发展，随着电

23、子信息技术的高速发展，全球全球存储存储器器出货量持续增长，出货量持续增长，市场规模市场规模呈现周期性成长趋势。呈现周期性成长趋势。据WSTS 数据，2022 年全球集成电路市场总规模约为 4799.9 亿美元，年增长率仅为 3.7%，其中存储芯片市场规模约为 1344.1 亿美元，同比下滑 12.6%。电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。8 图 3：2021 年存储器市场占比 图 4：全球存储器市场规模（亿美元）数据来源：WSTS，东方

24、证券研究所 数据来源：WSTS，东方证券研究所 在半导体存储市场中，在半导体存储市场中，DRAM 和和 NAND Flash 占据主导地位。占据主导地位。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和 CPU 升级迭代，DRAM 器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着 NAND Flash 技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求也不断攀升。根据 IC Insights 数据，2021 年全球半导体存储器市场中 DRAM 占比达 56%，NAND Flash约占41%，系半导体存储市场最主流的两大存储芯片(其他的存储产品形态为以NOR Flash 为

25、代表的小容量存储占比约 2%)图 5：2021 年全球存储器市场产品占比 数据来源：IC Insights，东方证券研究所 全球存储器市场全球存储器市场主要被海外主要被海外存储巨头垄断。存储巨头垄断。据 TrendForce 数据，22Q4 全球 DRAM 市场规模为121.55 亿美元，主要被三星、SK 海力士、美光三家巨头垄断，三家市场份额合计高达 95.8%；22Q4全球 NAND Flash市场规模为 102.87亿美元，主要被三星、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光五家垄断，五家市场份额高达 96.9%。34.32%32.71%17.16%15.81%存储逻辑微处理器模拟-40.00

26、%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%0200400600800042000212022存储器市场规模（亿美元）YoY56%41%2%1%DRAMNANDNOR其他 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。9 图 6：22Q4 DRAM 存储器市场格局 图 7：22Q4 NAND 存储器市场格局 数据来源：TrendF

27、orce，东方证券研究所 数据来源：TrendForce，东方证券研究所 2.IC 设计公司承接利基市场，模组公司深入下游应用设计公司承接利基市场，模组公司深入下游应用 2.1 IC 设计公司承接利基市场 2.1.1 兆易创新，NOR Flash 的全球龙头，MCU 领军者 公司公司多产品线赛道的布局效果显现，业绩快速增长多产品线赛道的布局效果显现，业绩快速增长。公司产品分为存储芯片，微控制器，传感器和技术服务与其他，包括 NOR Flash、NAND Flash 及 MCU，公司存储芯片占比最高，22H1 占比为58.45%，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信

28、设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。图 8：公司营业收入(百万元)图 9：22H1 公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.1.2 北京君正，车规存储领军者，多产品线全面布局 公司拥有全球领先的公司拥有全球领先的 32 位嵌入式位嵌入式 CPU 技术和低功耗技术。技术和低功耗技术。公司主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等 ASIC 芯片产品及整体解决方案的研发和销售。公司拥有较强的自主创新能力，多年45.10%27.70%23%4.20%三星SK海力士美光其他33.80%19.10%17.10%16.10%10.70%

29、三星铠侠SK海力士西部数据美光0204060801000.001,000.002,000.003,000.004,000.005,000.006,000.007,000.008,000.009,000.002002122H1营业总收入同比(%)58.45%36.53%4.48%0.54%存储芯片微控制器传感器技术服务及其他 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。10 来在自主创新 CPU 技术、视频编解码技术、图像和

30、声音信号处理技术、SoC 芯片技术、软件平台技术等多个领域形成多项核心技术。公司发展了微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片和模拟与互联芯片四个主要产品方向。公司发展了微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片和模拟与互联芯片四个主要产品方向。其中，存储芯片占比最高，2022 占比为 74.92%。存储芯片分为 SRAM、DRAM 和 Flash 三大类别，SRAM 产品品类丰富，包括了不同容量的同步 SRAM、异步 SRAM、高速 QDR SRAM 等产品，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。图 10：公司营业收入(百万元)图 11：2022 年公司产品结构 数据来源：wind，东方

31、证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.1.3 东芯股份，国内 SLC NAND 设计龙头，多产品线全面发展 公司是中国大陆领先的存储芯片设计公司公司是中国大陆领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，并能为优质客户提供芯片定制开发服务。公司研发团队通过多年在存储芯片设计领域积累的大量技术经验，基于自有知识产权和研发设计体系，自主开发了 NAND、NOR、DRAM 等主流存储芯片，凭借高可靠性、低功耗等特点，多款代表公司先进技术水平的核心产品通过国内外多家知名企业的认证

32、。公司已建立完整的产品线，下游应用公司已建立完整的产品线，下游应用面广。面广。目前公司产品覆盖了 5G 基站、工业控制、监控安防、消费类电子、穿戴式设备、物联网等多场景应用领域。其中，公司 NAND 系列产品营收占比最高，下游应用主要面向网通，其次是监控安防、工业控制以及消费类电子。0050060000400050006000200212022营业总收入同比(%)74.92%14.23%8.85%1.76%0.21%0.03%存储芯片芯片模拟及互联芯片技术服务其他业务其他主营业务 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底

33、部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。11 图 12：公司营业收入(百万元)图 13：2021 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.1.4 恒烁股份，立足 NOR Flash 存储和 MCU 芯片，存算一体取得突破 公司是一家主营业务为存储芯片和公司是一家主营业务为存储芯片和 MCU 芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括 NOR Flash 存储芯片和基于 ArmCo

34、rtex-M0+内核架构的通用 32 位 MCU 芯片。同时，公司还在致力于开发基于 NOR闪存技术的存算一体终端推理 AI芯片。公司聚焦“存储+控制”领域，已掌握高可靠性、高速、低功耗 65/50nm NOR Flash 和 55nm MCU 设计技术，基于上述技术不断升级迭代相关产品，并完成首款基于 NOR Flash 制程的存算一体 AI 芯片的研发、流片和系统演示。公司公司 NOR Flash 芯片和芯片和 MCU 芯片均获得客户的广泛认可，芯片均获得客户的广泛认可，与杰理科技、乐鑫科技、泰凌微、芯海科技、兆讯恒达、翱捷科技、上海巨微及赛腾微等客户建立了长期稳定的合作关系，多款产品进入

35、小米、360、OPPO、星网锐捷、新大陆、中兴、联想、奇瑞汽车、江铃汽车及欧菲光等终端用户供应链体系。图 14：公司营业收入(百万元)图 15：22H1 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 NOR Flash 芯片占公司主要营收占比最高，芯片占公司主要营收占比最高，下游下游消费电子类消费电子类营收营收占比呈现下降趋势占比呈现下降趋势。其中，公司产品面向的下游应用领域主要有消费电子、工业控制、物联网，计算机及人工智能，通信，其他行业。00020040060080002002120

36、22营业总收入同比(%)58.16%16.53%15.72%6.97%2.54%0.07%NAND系列产品NOR系列产品MCP系列产品DRAM系列产品技术服务其他业务-40-2002040608000200300400500600700200212022营业总收入同比(%)78.10%21.54%0.36%NOR Flash产品MCU产品其他业务 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。12 图

37、16：公司下游应用领域占比 数据来源：wind，东方证券研究所 2.1.5 普冉股份，EEPROM 和 NOR 在消费市场广泛布局，向工业、汽车领域拓展 公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，成为了国内公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，成为了国内 NOR Flash 和和 EEPROM 的主要供应的主要供应商之一。商之一。公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括：NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业

38、控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。公司客户矩阵丰富。公司客户矩阵丰富。在 NOR Flash 业务方面，公司已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商。在 EEPROM 业务方面，公司已经和舜宇、欧菲光、丘钛、信利、合力泰、三星电机、三赢兴、盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等 ODM 厂商形成了稳定的合作关系，产品广泛应用于 OPPO、vivo、华为、小米、美的等知名厂商的终端产品。现阶段公司正积极开拓海外

39、市场，寻求和其他品牌厂商的潜在合作机会。图 17：公司营业收入(百万元)图 18：2022 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 0%20%40%60%80%100%20021消费电子物联网通信工业控制计算机及人工智能其他(行业)-40-2002040608000400600800820022营业总收入同比(%)94.27%5.73%存储芯片微控制器及其他 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信

40、息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。13 2.1.6 聚辰股份，EEPROM 领军，DDR5 和汽车应用开启第二成长曲线 公司已成为全球领先的公司已成为全球领先的 EEPROM 芯片设计企业芯片设计企业。公司主营业务为集成电路产品的研发设计和销售，并提供应用解决方案和技术支持服务。公司目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线，产品广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等众多领域。公司公司 EEPROM 2019 市场份额市场份额全球第三，国内排名第一。全

41、球第三，国内排名第一。公司 EEPROM 产品线包括 I2C、SPI和 Micro-wire 等标准接口的系列 EEPROM 产品，以及主要应用于计算机和服务器内存条的 SPD产品，具有高可靠性、宽电压、高兼容性、低功耗等特点，常温条件下的耐擦写次数最高可达400 万次，数据存储时间最长可达 200 年。图 19：公司营业收入(百万元)图 20：2021 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.2 模组公司广泛参与存储产业链条 2.2.1 德明利，主控芯片厂商量价齐升 公司的主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发

42、、优化，以公司的主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发、优化，以及存储模组产品的销售。及存储模组产品的销售。公司以闪存主控芯片的自主设计、研发为基础，结合主控芯片固件方案及量立工具开发、存储模组测试等形成完善的存储管理应用方案，高效实现对 NAND Flash 存储颗粒进行数据管理和应用性能提升。公司产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组公司产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组，主要聚焦于移动存储市场，相关产品广泛应用于消费电子、工控设备、家用电器、汽车电子、智能家居、物联网等诸多领域。-200204060800080010

43、009202020212022营业总收入同比(%)82.76%7.22%9.60%0.41%EEPROM产品智能卡芯片音圈马达驱动芯片其他主营业务 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。14 图 21：公司营业收入(百万元)图 22：2021 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.2.2 朗科科技，模组厂商受益于服务器下游催化 公司是闪存盘的发明者，是全球闪存盘及

44、闪存应用领域产品与解决方案的领导者公司是闪存盘的发明者，是全球闪存盘及闪存应用领域产品与解决方案的领导者。专注于存储产品研发、生产和销售，致力于为全球闪存应用领域提供解决方案。自公司成立以来，通过核心技术及自主创新能力实现了多元化和有序扩张，目前产品已经覆盖固态存储、动态存储、嵌入式存储和移动存储领域。公司主要业务为闪存盘、移动硬盘、固态硬盘、存储卡等的研发、生产和销售，已形成优盘、优公司主要业务为闪存盘、移动硬盘、固态硬盘、存储卡等的研发、生产和销售，已形成优盘、优卡、优信通三大支柱产品卡、优信通三大支柱产品，以“优盘”为商标的闪存盘是基于 USB接口、采用闪存介质的新一代存储产品。公司研发

45、实力强大，拥有多项知识产权和专利，在移动存储和无线数据领域居于全球领先地位。公司已与东芝、金士顿、美国 PNY、群联等全球知名企业签订专利授权许可协议，产品远销到美国、欧洲、日本、中东、东南亚等数十个国家与地区，客户遍及电信、政府、金融、教育、能源和医药等领域。图 23：公司营业收入(百万元)图 24：2021 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 2.2.3 江波龙，模组厂商受益于存储周期 公司主要从事公司主要从事 Flash及及 DRAM 存储器的研发、设计和销售。存储器的研发、设计和销售。公司聚焦存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片

46、测试、集成封装设计、存储产品定制等核心竞争力，提供消费级、工规级、车规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。-50050030002004006008008202H1营业总收入同比(%)61.02%18.49%18.20%1.39%0.90%存储产品存储晶圆销售半成品销售(晶圆封装片)半成品销售(SSD套件)其他主营业务-20-0500025002002122H1营业总收入同比(%)52.29%0.89%44.07%1.97%0.59%0.19%闪存应用产品移动

47、存储产品闪存控制芯片及其他房屋租赁专利授权许可收入其他主营业务 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。15 图 25：公司产品迭代路径 数据来源：江波龙，东方证券研究所 公司四大产品公司四大产品线线，广泛覆盖行业应用。，广泛覆盖行业应用。公司面向消费电子、工业、通信、汽车、安防、监控等行业应用市场和消费者市场，为客户提供高性能、高品质、创新领先的存储芯片与产品。公司已形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，拥有行业

48、类存储品牌FORESEE 和国际高端消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）。其中，公司业务占比最高的是嵌入式存储，2022 年为 52.41%。图 26：公司营业收入(百万元)图 27：2022 年公司产品结构 数据来源：wind，东方证券研究所 数据来源：wind，东方证券研究所 3.存储存储厂商已过库存高峰期，景气度回厂商已过库存高峰期，景气度回暖暖 全球存储主要厂商库存处于高水位。全球存储主要厂商库存处于高水位。根据三星向韩国金融监督院申报的文件显示，截至 2022 年第四季，公司整体库存资产高达约 2724.84 亿元，创下历史新高纪录，远高于 2021 年同期的2161亿元。SK海力士

49、也面临同样困境，整体公司库存资产在2022年第四季窜升75%，至约820亿元。各原厂积极库存应对需求逆风，导致存储器价格跌幅较大。各原厂积极库存应对需求逆风，导致存储器价格跌幅较大。根据 TrendForce 数据，由于部分供应商如美光（Micron）、SK 海力士（SK hynix）已经启动 DRAM 减产，23Q1 DRAM 均价跌幅约为 20%。NAND Flash 市场 22Q4 NAND Flash 合约价格环比下跌 2025%，其中 Enterprise SSD 是下跌最剧烈的产品，跌幅约 2328%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得 22Q

50、4 NAND Flash 位元出货量环比增长仅 5.3%，平均销售单价环比减少 22.8%，22Q4 NAND Flash 产业营收环比下跌 25.0%，达 102.9 亿美元。-20-0.002,000.004,000.006,000.008,000.0010,000.0012,000.00200212022营业总收入同比(%)52.41%24.47%18.06%5.00%0.06%嵌入式存储移动存储固态硬盘内存条其他主营业务 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之

51、后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。16 存储厂商业绩见底，存储厂商业绩见底，2022 年第四季部分厂商面临量价齐跌。年第四季部分厂商面临量价齐跌。其中，三星 22Q4 营业收入为 565 亿美元，同比下滑 8%；SK 海力士 22Q4 营收为 56.65 亿美元，同比下滑 38%；铠侠 22Q4 营收为19.64 亿美元，同比下滑 30.9%；美光 2022 财年第四季度营收下滑至 66.4 亿美元，同比下降约19.71%。全球存储主要厂商已过库存调整高峰期，景气度有所回转。全球存储主要厂商已过库存调整高峰期，景气度有所回转。根据 TrendForce

52、预计，预估 DRAM 于 23Q2 环比跌幅会收敛至 1015%。此外，NAND Flash 23Q2 环比跌幅会收敛至 510%，有机会于 23Q4 止跌。从各存储原厂股价变动趋势看，存储厂商股价已从 2021 年回落至今，目前已探底，股价有所回转。图 28：存储原厂股价探底 数据来源：wind，东方证券研究所 存储供给格局持续改善，供给增速远不及需求增速。存储供给格局持续改善，供给增速远不及需求增速。据 TrendForce 预测，从供给端看，预计2023 年 DRAM 增速为-0.3%，NAND 增速为 1.3%。从需求端看，预计 2023 年服务器 DRAM 平均单机容量为 602.9

53、GB，位元增速 17.4%，手机 DRAM 平均单机容量为 5.6GB，位元增速 2.6%，笔记本 DRAM 平均单机容量为 10.6GB，位元增速 5.5%，DRAM 总需求位元增速为 9.49%；服务器 NAND平均单机容量为 4166.5GB，位元增速 39.3%，手机 NAND 平均单机容量为 219.0GB，位元增速 9.8%，笔记本 NAND平均单机容量为 610.3GB，位元增速 9.8%，NAND总需求位元增速为 15.39%。图 29：DRAM 总需求变化(GB)图 30：NAND 总需求变化（GB）数据来源：TrendForce，东方证券研究所 数据来源：TrendForc

54、e，东方证券研究所 -50.00%-40.00%-30.00%-20.00%-10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%2020/12/312021/1/312021/2/282021/3/312021/4/302021/5/312021/6/302021/7/312021/8/312021/9/302021/10/312021/11/302021/12/312022/1/312022/2/282022/3/312022/4/302022/5/312022/6/302022/7/312022/8/312022/9/302022/10/312022/11/302022

55、/12/312023/1/312023/2/282023/3/31三星旺宏SK 海力士华邦电美光科技 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。17 4.AI 拉动服务器存储需求拉动服务器存储需求 AI 模型数据量和算力需求大。模型数据量和算力需求大。美光首席商务官萨达纳表示，一个典型的人工智能服务器的 DRAM容量是普通服务器的 8 倍，NAND 容量是普通服务器的 3 倍。ChatGPT3 相较 ChatGPT2 在数据存储端从百 G 提

56、升至 40T，在存储量上有约 100 倍的提升，算力需求同样也呈几何倍增长。据Open AI 测算，2012 年以来全球头部 AI 模型训练算力需求 3-4 个月翻一番，每年头部训练模型所需算力增长幅度高达 10倍，远超摩尔定律的增长速度，而大容量存储是大算力数据稳定运算的重要基础。随着算力的不断进步，所需存储的数据量在以指数级的增长速度攀升，数据激增将刺激存储芯片需求逐年上升。得益于人工智能、物联网、云计算、边缘计算等新兴技术在中国的快速发展，中国数据圈正在迎来快速增长。据此前 IDC 预测，预计到 2025 年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的 27.8%，成为全球最大的数据

57、圈。图 31：2017-2021 我国存储容量增量（EB）图 32：2017-2023E 中国数据存储市场规模及增速 数据来源：中国信通院、东方证券研究所 数据来源：观研报告网、东方证券研究所 存储市场有望随服务器增长。存储市场有望随服务器增长。根据 TrendForce，在自动驾驶汽车、AIoT 与边缘运算等新兴应用的带领下，自 2018 年起诸多大型云端业者开始大量投入 AI 相关的设备建设，预计 2022 年搭载GPGPU（General Purpose GPU）的 AI 服务器年出货量占整体服务器比重近 1%，而 2023 年ChatGPT 相关应用有望再度刺激 AI 相关领域，预计

58、2023 年出货量增长率可达 8%，2022-2026年复合成长率将达 10.8%。在高性能服务器和机器学习型服务器中，存储成本占总成本的比重分别为 27-35%和 5-10%，同时 AI 服务器单价相对较高，服务器存储规模有望进一步增长。图 33：2022-2026E 全球 AI 服务器出货量（千台）图 34：不同类型服务器成本构成 数据来源：TrendForce、东方证券研究所 数据来源：行行查研究中心、东方证券研究所 0500300350200202021存储容量增量（EB）349446245270543459837000850032%14%3

59、%10%17%21%0%5%10%15%20%25%30%35%004000500060007000800090002002020212022E2023E市场规模（亿元）YoY050020222023E2024E2025E2026E全球AI服务器出货量（千台）30-35%20-25%5-10%27-30%70-75%25-30%25-30%5-10%15-20%2-5%20-25%20-25%5-10%0%20%40%60%80%100%基础型高性能型机器学习型CPUGPU内存硬盘其他 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业

60、景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。18 表 2：服务器型号对比 浪潮普通服务器浪潮普通服务器 浪潮浪潮 AI 服务器服务器 英伟达英伟达 AI 服务器服务器 英伟达英伟达 AI 服务器服务器 服务器型号服务器型号 NF5280M6 NF5688M6 DGX A100 DGX H100 CPU 型号 英特尔第三代 至强系列可扩展处理器 英特尔第三代 至强系列可扩展处理器 AMD 第二代 Epyc 处理器 Rome 7742 英特尔第四代Xeon处理器 Sapphire Rapi

61、ds CPU 数量 1-2 2 2 2 CPU DDR 最大支持 32根内存条，支持 RDIMM 类型 支 持32 条DDR4 RDIMM/LRDIMM内存 2TB 2TB GPU 型号/NVIDIA A800 A100 Tensor Core H100 Tensor Core GPU 数量/8 8 8 GPU HBM/每 个 对 应80GB HBM2e 每 个 对 应80GB HBM2e 每个对应80GB HBM3 硬盘 NAND 最大支持 20 块 3.5 英寸硬盘或 39 块 2.5 英寸硬盘 8 块 2.5 英寸 NVMe SSD/16 块 2.5 英寸SATA/SAS SSD 操 作

62、 系 统：2个1.92TB NVMe M.2 驱动器 内 部 存 储：8个3.84TB NVMe U.2 驱动器 操作系统：2 块 1.9TB NVMe M.2 硬盘 内 部 存 储：8块3.84TB NVMe U.2 硬盘 数据来源：浪潮信息官网、英伟达官网、东方证券研究所 AI 应用推动内存升级。应用推动内存升级。如今搭载于新兴 AI 应用的内存芯片亟待升级，而 HBM 是一种基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，被安装在 GPU、网络交换设备、AI 加速器及高效能服务器上。HBM能大幅提高数据处理速度，每瓦带宽比 GDDR5 高出 3 倍还多，且 HBM 比 GDDR5 节省了 9

63、4%的表面积。HBM 作为一种带宽远超 DDR/GDDR 的高速内存，将为大算力芯片提供能力支撑，同时生成类模型也会加速 HBM 内存进一步增大容量和增大带宽。TrendForce 预估 2023-2025 年HBM 市场年复合成长率有望成长至 40-45%以上。图 35：HBM 的立体结构 图 36：HBM 与 GDDR5 对比 数据来源：AMD、东方证券研究所 数据来源：AMD、东方证券研究所 各各厂商看好服务器存储前景厂商看好服务器存储前景。面对全球兴起的 AI 热潮，尽管去年营收下滑，美光仍计划在美国爱达荷州和纽约州兴建两座新工厂。此外，三星电子也表示，考虑到AI、5G等关键基础设施投

64、资，将在 2023 年增加用于服务器、数据中心的产品。而 SK 海力士则强调，从中长期看，企业削减本地 IT 支出可能会转向使用更多的云服务，数据中心的存储器需求将持续增长。自 2022 年起DRAM 厂商持续将移动 DRAM 的产能转移至前景稳健的服务器 DRAM，试图减轻移动 DRAM 供需失衡的压力。由于 2023 年移动出货增长率与平均搭载容量增长率仍保守，DRAM 厂商将持续加大服务器 DRAM 比重。TrendForce 预测 2023 年服务器 DRAM 位产出比重约 37.6%，将正式超越移动 DRAM 的 36.8%。电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有

65、关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。19 图 37：2019-2024 服务器 DRAM 与移动 DRAM 产出比重 数据来源：TrendForce、东方证券研究所 此外，DDR 内存用量的增加也将提升对内存接口缓存芯片的需求，叠加 DDR 内存从 DDR4 向DDR5 升级的确定性，DDR 内存接口缓存芯片市场也迎来高增长。5.投资建议投资建议 考虑到供需格局改善叠加存储周期情况，以及服务器未来拉动需求预期，我们建议关注考虑到供需格局改善叠加存储周期情况，以及服务器未来拉动需求预期，我们建议

66、关注：存储 IC设计公司、存储模组公司、相关封测公司澜起科技(688008，买入)、北京君正(300223，买入)、东芯股份(688110，未评级)、聚辰股份(688123，未评级)、恒烁股份(688416，未评级)、普冉股份(688766，未评级)、兆易创新(603986，买入)、太极实业(600667，未评级)、德明利(001309，未评级)、朗科科技(300042，未评级)、江波龙(301308，未评级)、深科技(000021，未评级)6.风险提示风险提示 存储下游复苏不及预期存储下游复苏不及预期：消费电子，PC，服务器，汽车等下游领域可能出现需求增长缓慢，复苏进度不及预期；价格上涨不及

67、预期：价格上涨不及预期：各类存储器市场价格浮动较大，若市场价格恢复速度不及预期或影响行业发展；服务器需求拉动不及预期服务器需求拉动不及预期：随着 AI 市场发展及竞争状况不断演变，对服务器的需求可能不如预期或影响整体产业发展。供给端超预期释放供给端超预期释放：当前龙头厂商持续减产，若供给端超预期释放，可能将持续影响行业供求关系。41.0%40.0%39.6%38.5%36.8%36.0%32.2%33.3%33.8%34.9%37.6%40.0%30.0%32.0%34.0%36.0%38.0%40.0%42.0%200222023E2024F移动DRAM产出比重服务器D

68、RAM产出比重 电子行业深度报告 大模型增加存储需求，行业景气底部反暖 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。20 分析师申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明：每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明：分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该证券或发行人的看法和判断；分析师薪酬的任何组成部分无论是在过去、现在及将来，均与其在本研究报告中所表述的具体建议或观点无任何直接或间接的关系。投资评级和相关定义

69、 报告发布日后的 12 个月内的公司的涨跌幅相对同期的上证指数/深证成指的涨跌幅为基准；公司投资评级的量化标准公司投资评级的量化标准 买入：相对强于市场基准指数收益率 15%以上；增持：相对强于市场基准指数收益率 5%15%；中性：相对于市场基准指数收益率在-5%+5%之间波动；减持：相对弱于市场基准指数收益率在-5%以下。未评级 由于在报告发出之时该股票不在本公司研究覆盖范围内，分析师基于当时对该股票的研究状况，未给予投资评级相关信息。暂停评级 根据监管制度及本公司相关规定，研究报告发布之时该投资对象可能与本公司存在潜在的利益冲突情形；亦或是研究报告发布当时该股票的价值和价格分析存在重大不确

70、定性，缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确投资评级；分析师在上述情况下暂停对该股票给予投资评级等信息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该股票的投资评级、盈利预测及目标价格等信息不再有效。行业投资评级的量化标准行业投资评级的量化标准：看好：相对强于市场基准指数收益率 5%以上；中性：相对于市场基准指数收益率在-5%+5%之间波动；看淡：相对于市场基准指数收益率在-5%以下。未评级：由于在报告发出之时该行业不在本公司研究覆盖范围内，分析师基于当时对该行业的研究状况，未给予投资评级等相关信息。暂停评级：由于研究报告发布当时该行业的投资价值分析存在重大不确定性，缺乏足够的研究依据支持分析师给出明确

71、行业投资评级；分析师在上述情况下暂停对该行业给予投资评级信息，投资者需要注意在此报告发布之前曾给予该行业的投资评级信息不再有效。免责声明 本证券研究报告（以下简称“本报告”）由东方证券股份有限公司（以下简称“本公司”）制作及发布。本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。本报告的全体接收人应当采取必要措施防止本报告被转发给他人。本报告是基于本公司认为可靠的且目前已公开的信息撰写，本公司力求但不保证该信息的准确性和完整性，客户也不应该认为该信息是准确和完整的。同时，本公司不保证文中观点或陈述不会发生任何变更，在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的证券研究报告。本

72、公司会适时更新我们的研究，但可能会因某些规定而无法做到。除了一些定期出版的证券研究报告之外，绝大多数证券研究报告是在分析师认为适当的时候不定期地发布。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需求。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况，若有必要应寻求专家意见。本报告所载的资料、工具、意见及推测只提供给客户作参考之用，并非作为或被视为出售或购买证券或其他投资标的的邀请或向人作出邀请。本报告中提及的投资价格和价值以及这些投资带来的收入可能会波动。过去的表现并不代表未来的表现，未来的回报也无法保证，投资者可能会

73、损失本金。外汇汇率波动有可能对某些投资的价值或价格或来自这一投资的收入产生不良影响。那些涉及期货、期权及其它衍生工具的交易，因其包括重大的市场风险，因此并不适合所有投资者。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任，投资者自主作出投资决策并自行承担投资风险，任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。本报告主要以电子版形式分发，间或也会辅以印刷品形式分发，所有报告版权均归本公司所有。未经本公司事先书面协议授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容。不得将报告内容作为诉讼、仲裁、传媒所引用之证明或

74、依据，不得用于营利或用于未经允许的其它用途。经本公司事先书面协议授权刊载或转发的，被授权机构承担相关刊载或者转发责任。不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。提示客户及公众投资者慎重使用未经授权刊载或者转发的本公司证券研究报告，慎重使用公众媒体刊载的证券研究报告。HeadertTable_Address东方证券研究所 地址：上海市中山南路 318 号东方国际金融广场 26 楼 电话：传真： 东方证券股份有限公司经相关主管机关核准具备证券投资咨询业务资格，据此开展发布证券研究报告业务。东方证券股份有限公司及其关联机构在法律许可的范围内正在或将要与本研究报告所分析的企业发展业务关系。因此，投资者应当考虑到本公司可能存在对报告的客观性产生影响的利益冲突，不应视本证券研究报告为作出投资决策的唯一因素。