2021年半导体产业链发展趋势分析报告（51页）.pdf

编号：40232

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2021年半导体产业链发展趋势分析报告（51页）.pdf

1、在当前全球晶圆产能紧张、需求持续强劲的环境下，美国暴雪及日本地震等自然灾害事件将进一步加剧芯片供应紧张的局面，从而导致产品价格进一步上涨。2 月份以来，美国德克萨斯州暴风雪袭击使多地出现停电，导致当地的三星、英飞凌、恩智浦多座晶圆厂暂时关闭，日本福岛地震导致日本瑞萨的茨城工厂也暂停生产。三星电子位于奥斯汀的首座晶圆厂建于 1996 年，主要生产 DRAM 存储芯片和 NAND Flash 芯片，2007 年追加第二座(2017 年扩产)晶圆厂，从事晶圆代工业务。三星奥斯汀晶圆厂的逻辑芯片主要工艺技术为 14nm、28nm、32nm 等，约占三星逻辑芯片总产能的 28%;恩智浦半导体

2、在德克萨斯州奥斯特有两座 8 寸晶圆厂，主要生产微控制器(MCU)和微处理器(MPU)、电源管理器件、RF 收发器和放大器以及各类传感器;英飞凌，其于去年完成收购的赛普拉斯在奥斯汀也有一座 8 寸晶圆厂，主要生产 130nm 的芯片。除了三星、恩智浦、英飞凌之外，X-FAB 在德克萨斯州有一座 6 寸厂，Skyworks 有一座 12 寸厂，TowerJazz 有一座 8 寸厂，德州仪器有一座 6 寸厂、两座 8 寸厂和两座 12 寸厂以及一座在建的12 寸厂，另外 Qorvo 也有一座 6 寸厂和 8 寸厂在德克萨斯州。NOR Flash 是受影响较为明显领域之一，全球排名前五的 NOR

3、 Flash 供应商 Cypress 在当地的工厂停止生产，该工厂的 NOR Flash 产能约占全球市场的 5%。2021 年 1 月 8 日，三星发布 20Q4 业绩预告，计划将 2021 年 DRAM 资本支出维持在 2020 年水平，并且将部分 DRAM 产线转换为图像传感器产线，因而 2021 年 DRAM 资本支出实际将比 2020 年更低，我们认为三星存储业务偏保守的 Capex 有利于 DRAM 价格的回暖，预计 2021 年三星的投资重点将更加侧重 NAND Flash 及晶圆代工领域。台积电近两年来的资本开支均保持较大幅度增长，2020Q4 业绩说明会中指出，2021 年资本开支预算将达到 250-280 亿美元(vs2020 年资本开支 170 亿美元)，同比增长约 50%，这些资本支出中 80%用于先进制程工艺，包括 3 纳米、5 纳米和 7 纳米，10% 用于先进包装和掩膜制造，10%用于特殊工艺，台积电资本支出大幅提升是半导体行业景气上行的重要标志。另外，近期 Intel 潜在的晶圆外包政策值得关注，IDM 巨头部分晶圆外包可能短期对现有晶圆代工产能产生压力，长期看进一步驱动晶圆代工 Capex 提升

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