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GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升射频器件材料主要有三种: GaAs,基于Si的LDMOS以及GaN。GaAs 器件的缺点是器件功率较低,低于50W; LDMOS器件的缺点是工作频率存在极限,最高有效频率在3GHz以下; GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷,在体现GaAs高频性能的同时,结合了Si基LDMOS的功率处理能力。随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降,GaN在 射频市场的渗透率将提升,预计到2025年将达到50%左右。效率:越高越好,转化成有用信号的能量比率越高,转化成热量的能量比率越低,功率放大器的性能就越好。线性度:线性度越好,信号失真可能性越小增益:功放输入输出功率的比值,也就是放大倍数增益越高,信号放大能力就越强。