1、20 世纪 90 年代,进入衰退期。1985 年美国针对日本半导体产业发起第一次 301 调查,于 1986 年达成第一次半导体协议,要求日本扩大外国半导体企业进入日本市场,并监控日本半导体价格情况。1987 年美国再次指责日本向第三国倾销并征收 100%惩罚性关税,于 1991 达成签订第二次半导体协议,要求日本承诺使美国在日本半导体市场份额提升至 20%。两次日美半导体协定的签订使得日本半导体厂商原来具有的价格优势丧失,市场份额逐渐受到韩国及中国台湾新兴厂商的侵蚀。20 世纪 90 年代,日本 DRAM 竞争力下滑,相关设备开始转卖给韩国、中国台湾企业。2001 年,日本东芝宣布退出通用
2、DRAM 领域,主攻 NAND 闪存,开展 SoC 研发。此时受数码相机、音乐播放器等电子产品促进需求,NAND 闪存成为日本半导体产业新支柱。2000 年以后,日系厂商普遍整合、逐步淡出半导体业务。当前日本仍掌控设备、材料上游领域。尽管日本在芯片设计制造领域失去昔日霸主地位,在上游设备和材料领域依旧占据优势。日本半导体设备、材料材料厂商在 20 世纪 80 年代跟随其设计、制造环节崛起,由于上游市场相对更为稳定,且长期量产积累了较充足的产品经验,并未跟随下游终端市场的变化而发生衰退。目前日本设备、材料行业仍然在全球具有较强竞争力。日本产业兴起的启示:政府引导集中资源重视研发,大规模投资生产参与全球竞争。(1)集中研发高投入,从国外引进到自主研发密切结合。日本早期引进美国技术,并在 20 世纪 70 年代由政府引导成立 VLSI 联合研发体,进行产官学结合的集中式技术研发。(2)参与市场化竞争,成本质量优势取胜。日本 20 世纪 80 年代半导体崛起一方面是官产学集中研发 DRAM,另一方面通过集中研发后规模化的成本优势快速渗透美国市场,且质量高于美国产品。(3)下游需求潮流带动产业的发展。日本半导体产业兴起正值大型机时代及家电兴起,日本家电的快速发展的需求带动了半导体的发展。
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