1、公司依靠自主研发的核心技术，致力于为集成电路制造环节提供更先进处理能力和更高生产效率的集成电路设备。通过公司多年的技术研发、工艺和技术积累，公司在集成电路制造使用的干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备领域掌握了双晶圆真空反应腔设计、双晶圆反应腔真空整合传输设备平台设计、电感耦合远程等离子体源设计、远程等离子体源电荷过滤装置、晶圆双面辐射加热快速热退火技术、晶圆表面局部温度均匀度调节技术等核心技术，对公司持续提升产品性能、丰富产品布局起到了关键性的作用。截至 2021 年 5 月 31 日，公司拥有发明专利 309 项，并承担国家重大科研项目/课题。公司相关核心技术在公司销售的产品中得以持续应用并
2、形成公司产品的竞争力，亦是公司产品销售规模得以持续增长的基础。报告期内，公司营业收入分别为 151,831.49 万元、157,357.34 万元和 231,257.23 万元，营业收入复合增长率 23.41%。公司产品的规模化销售以及营业收入的持续增长是公司科技成果与产业深度融合的具体表征。报告期内，公司主要依靠核心技术开展生产经营，具备将专利技术、科技成果有效转化为经营成果的能力。公司干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90 纳米到 5 纳米逻辑芯片、10 纳米系列 DRAM 芯片以及 32 层到 128 层 3D 闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产;干法刻蚀设备主要可用于 65 纳
3、米到5 纳米逻辑芯片、10 纳米系列 DRAM 芯片以及 32 层到 128 层 3D 闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。公司产品已被全球领先的存储芯片制造厂商、逻辑电路制造厂商等集成电路制造厂商所采用。截至 2020 年 12 月 31 日，公司产品全球累计装机数量已超过 3,700 台，在相应细分领域处于全球领先地位。公司干法去胶设备、快速热处理设备国际领先的技术水平奠定了公司全球市场占有率第一、第二的地位，干法刻蚀设备国际先进、国内领先的技术水平奠定了公司全球市场占有率前十的地位，公司与中微公司、北方华创同为国内为数不多可以量产刻蚀设备的厂商。公司坚持自主研发、市场需求导向的研发理
4、念，根据客户需求在持续提高设备工艺性能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新和改进。报告期内公司持续推出新产品，并对成熟产品完善改进。在未来的技术研发与成果转化中，公司会继续坚持自主研发与客户导向有机结合，将科技成果与产业深度融合，实现可持续发展。 具体而言，在干法去胶设备和快速热处理设备领域，公司目前根据行业领先集成电路制造厂商的需求研发应用于 3 纳米及更先进逻辑芯片、先进 10 纳米系列 DRAM 芯片、176 层到 256 层 3D 闪存芯片制造的干法去胶设备和工艺、快速热处理设备和工艺。在干法刻蚀设备领域，公司持续根据客户需求研发可用于10 纳米系列 DRAM 芯片、64 层到 256 层 3D 闪存芯片的刻蚀设备和工艺。
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