1、引领国产高端集成电路 PVD 薄膜工艺。公司 PVD 产品布局广泛，近几年陆续推出了 TiN PVD、AIN PVD、Al Pad、ALD 等 13 款自主研发的 PVD 产品并成功产业化，可应用于集成电路、先进封装、LED 等领域。公司自主设计和生产的 exiTin H630 TiN 金属硬掩膜 PVD 系统是国内首台专门针对 55-28nm 制程 12 寸金属硬掩膜设备。该设备的研发和量产实现了我国高端集成电路 PVD 设备零的突破和技术跨越，也成为国内首台 28nm 工艺后段金属布线硬掩膜标准制程机台;核心技术和工艺参数与国际最先进的竞争对手在客户端的表现一致，甚至优于竞争对手。2016
2、 年，公司 28nm/12 英寸晶圆生产的 TiN Hardmask PVD 进入国际供应链体系;2017 年公司紧随市场需求，更新设备工艺，推出适用于 28-14nm 制程的大马士革工艺的 exiTin H430 TiN Hardmask PVD 系统。 LPCVD 设备在半导体薄膜淀积中应用最为广泛，具更低成本及更优性能。该工艺是通过将反应器内进行沉积反应时的操作压力降低的一种 CVD 反应。和常压的 CVD 相比， LPCVD 设备有更低的综合成本、更高的产能和更好的薄膜性能。北方华创先后推出 THEORIS 302 LPCVD、HORIS L6371 多功能 LPCVD 等多个系列产品
3、。目前有部分产品已经在国内先进工艺生产线实现突破，未来市场可期。 PECVD 设备是一种低温淀积薄膜的设备，主要应用于光伏领域。其在晶硅太阳电池的实际生产中具有十分重要且广泛的应用。目前市场上 90%以上的太阳能电池都是晶体硅材料制造而成，制造高效、低成本的晶硅电池对于大规模的利用太阳能发电有着十分重要的意义。以公司推出的 HORIS P8571A PECVD 设备为例，单台设备产能可以满足 1 条标准生产线的需求。这不但有助于节省电池产线的占地面积，还能有效降低产品成本。硬掩板(Hard Mask) PVD 应用较为广泛。硬掩膜为金属互连线提供精准控制和区域处理：硬掩膜工艺就是采用选定的图像
4、、图形或物体对待处理图像(全部或局部) 进行遮挡，来控制图像处理的区域或处理过程，广泛应用于 IC 制备流程的前段(FEOL) 和后段工艺(BEOL)。2015 年，北方华创 TiN PVD 沉积系统获得海外主流 IC 厂订单，并正式进入国际先进 IC 大厂。由北方华创微电子自主设计和生产的 exiTin H630 TiN 金属硬掩膜物理气相沉积(Metal hardmask PVD)系统是专门针对 55-28nm 制程 12 寸金属硬掩膜设备。铝衬垫(Al Pad)PVD 60-28nm 导入客户，更先进制程支持加速验证。芯片器件用使用 Al Pad PVD 用于其后道金属互联，提供电子信号
5、、微链接等作用。Al Pad 物理气相沉积系统作为集成电路工艺中的一道重要工序，主要应用于 Bond pad 和 Al interconnect 工艺。公司于 2015 年推出 eVictor A830 Al Pad 物理气相沉积系统(配置 8 个工艺模块，可据客户需求多样化配置)。该设备目前已进入等国内、国外一线厂商，被应用于 9028nm 制程产线，更先进制程正加速验证。2018 年北方华创 Al Pad PVD 成功进驻上海集成电路研发中心。铜互联(CuBS) PVD 已在客户获得放量订单。金属铜可以降低互连线电阻率，因此铜互联技术被广泛使用。北方华创是 02 转向“14-7nm CuBS 多工艺腔室集成装备研发及产业化”项目执行单位。根据招投标统计，公司铜互联 PVD 已经实现突破，打破 AMAT 在该领域的垄断，极大打开公司在 PVD 领域的目标市场。 12 英寸氮化硅沉积设备导入下游龙头企业。2020 年 4 月 7 日，北方华创 THEORIS SN302D 型 12 英寸氮化硅沉积设备 Move in 国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式 LPCVD 设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大
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