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2021年半导体刻蚀机行业竞争格局与国产替代趋势研究报告(105页).pdf

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2021年半导体刻蚀机行业竞争格局与国产替代趋势研究报告(105页).pdf

1、创新驱动:新一轮长周期开启,跃入 850亿美元量级 5G+AIoT赋能下,下游结构性需求增长、技术更新带动晶圆制造设备市场新一轮成长周期。 预计5G时代,全球晶圆制造设备 (WFE)市场规模将达到 850亿美元量级。创新周期:终端市场分化,催生多样需求 5G、新基建、新能源汽车、新能源发电等蓬勃发展的终端应用市场将催生大量半导体需求。 终端应用愈加多样化,制造技术也同步分化,且技术迭代加快,定制化趋势明显。刻蚀潜力:价值量占比高,成长动能足 刻蚀、光刻、薄膜沉积是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据 Gartner数据, 2020 年等离子体刻蚀机、光刻机、化学薄膜沉积设备分别占集成电

2、路前端设备投资比例的25%、21%、17%,相较 2018 年均有所提升。 刻蚀、化学薄膜沉积高速增长。2015-2017年半导体芯片前道设备中,薄膜沉积与等离子刻蚀设备的市场增速远超其他,分别达到16%和17%。随着线宽缩小、3D结构化,以及新材料、新结构的应用,市场刻蚀需求将进一步扩大。刻蚀潜力:线宽缩小带来刻蚀用量增加 先进制程以多重模板工艺为依托从而实现更小微观尺寸 ,凸显刻蚀设备重要性。由于波长限制,14纳米及以下逻辑器件微观结构的加工 无法通过光刻机来实现,必须依靠多重模板技术,进一步提升刻蚀技术及相关设备的重要性和需求量。 线宽缩小进一步提高了对刻蚀技术的精确度和重复性要求,拉动刻蚀技术投资力度 。在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差等指标上,刻蚀技术都需要满足更高的要求,推动刻蚀设备的更新进步。同时由于逻辑器件制造工艺的不断发展 ,刻蚀设备的加工步骤随之增多 ,因而大幅提升了刻蚀工艺的投资规模 。

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