1、 - 1 - 市场价格（人民币） ： 36.07 元 市场数据市场数据( (人民币人民币) ) 总股本(亿股) 12.16 已上市流通 A股(亿股) 2.37 总市值(亿元) 438.58 年内股价最高最低(元) 50.99/35.66 沪深 300 指数 3625 上证指数 2722 郑弼禹郑弼禹 分析师分析师 SAC 执业编号：执业编号：S01 张纯张纯 分析师分析师 SAC 执业编号：执业编号：S04 zhang_ 樊志远樊志远 分析师分析师 SAC 执业编号：执业编号：S03 (8621)61038318 瞄准世界一流的

2、瞄准世界一流的 I IDMDM 模式模式功率半导体龙头功率半导体龙头 公司基本情况公司基本情况( (人民币人民币) ) 项目项目 2017 2018 2019E 2020E 2021E 营业收入(百万元) 5,876 6,271 5,800 6,314 7,554 营业收入增长率 33.6% 6.7% -7.5% 8.9% 19.6% 归母净利润(百万元) 70 429 402 485 665 归母净利润增长率 -123.22% 511.02% -6.43% 20.59% 37.19% 摊薄每股收益(元) n.a 0.489 0.457 0.398 0.546 每股经营性现金流净额 n.a 1

3、.69 1.64 0.32 0.86 ROE(归属母公司)(摊薄) 1.83% 10.35% 9.14% 5.39% 7.07% 来源：公司年报、国金证券研究所 投资逻辑投资逻辑 公司拥有公司拥有四大核心优势四大核心优势：一、公司产能规模、现金流负担能力和盈利承压能 力支持采用 IDM 模式，能通过自身现金流支撑资本开支需求，扩大营收规 模，实现经营的正向闭环。 二、公司在功率半导体布局全面，MOSFET 产 品覆盖低中高压的多个产品系列；IGBT 建立了领先的工艺平台，2018 年出 货量增长 320%，随着更多型号量产出货，出货量将保持高速增长；布局 SiC 和 GaN, 2020 年 S

4、iC 有望实现量产。三、公司提供的特色工艺代工需求 旺盛。我国对特色工艺代工潜在需求为 120 万片/月，远高于目前纯大陆工 厂合计 68 万片/月的有效产能供给。特色工艺产能扩张受限，短中期供需格 局良好。公司的晶圆代工和封测的“一站式”服务，能为客户供应链安全提 供更好保障。四、功率/模拟器件技术工艺需要更长经验积累，公司通过在设 计和制造工艺上的投入，建立了领先国内同行的产品和制造工艺壁垒。 功率半导体行业趋势：功率半导体行业趋势： 一、IDM模式是做强的必然选择。针对客户定制化需 求， IDM 模式能协同优化设计与制造环节，缩短产品开发时间；制造环节是 产品附加值的核心，IDM 模式享

5、受更高产品附加值；IDM 模式利于积累工艺 经验，形成核心竞争力。二、功率半导体市场预计保持较高增速。新能源汽 车等下游应用有望推动 2021 年全球市场规模达到 441 亿美元。三、国产有 望实现逐步替代：下游客户为保障供应链安全给予国内企业更多送样机会； 功率器件技术更新慢，国产技术水平与国际一流差距缩小；国内企业在配合 客户做定制化开发上更具优势。 投资建议投资建议 首次覆盖，给予“买入评级” 。首次覆盖，给予“买入评级” 。2019 年功率半导体整体景气度有所下降，我 们预计公司 2019-2021 年归母净利润分别为 4.0 亿元、 4.9 亿和 6.7 亿元， 对应 EPS 分别为

6、 0.46 元、0.40 元和 0.55 元。考虑到华润微作为国内最大 的 IDM模式半导体公司的龙头地位，以及产品与方案收入占比提升将改善盈 利率和净资产收益率，给予公司一定的估值溢价，给予 2021 年 95 倍 PE 的 目标估值，对应 52.3 元的十二个月目标价，给予“买入”评级。 风险风险提示提示 新冠疫情加剧的风险；产能扩张过快的风险；公司产品技术落后的风险；科 创板估值波动大的风险；限售股解禁的风险 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 35.66 40.09 44.52 48.95 190325 190625 190925 191225 人

7、民币(元) 成交金额(百万元) 成交金额 华 润 微 沪深300 2020 年年 03 月月 25 日日 创新技术与企业服务研究中心创新技术与企业服务研究中心 华 润 微 (688396.SH) 买入（首次评级） 公司深度研究公司深度研究 证券研究报告 公司深度研究 - 2 - 敬请参阅最后一页特别声明 内容目录内容目录 一、四大核心优势 .4 1.公司自身条件支持采用 IDM模式的优势.4 2.以 MOSFET 为基，全面布局功率半导体的优势 .4 3.特色工艺需求旺盛，打造“一站式”服务的优势 .6 4.产品工艺技术建立起坚固壁垒的优势 .7 二、功率半导体行业概况及趋势 .10 1.行业

8、趋势：IDM模式是做强的必然选择 .10 2.功率半导体市场预计保持较高增速. 11 3.竞争格局：欧美日主导，国产有望逐步替代.15 三、华润微电子：专注特色工艺的 IDM半导体龙头 .17 1.公司历史沿革和股权结构.17 2.独具特色的“IDM+代工”模式的半导体龙头 .18 3 下游客户分散，国际一线客户认证 .21 四、盈利预测与投资建议 .22 1.营收、毛利率预测及关键假设.22 2.盈利水平和估值的同业比较 .25 3.公司的合理估值.25 五、风险提示 .26 图表目录图表目录 图表 1：中国销售额前十半导体企业排名 .4 图表 2：功率半导体企业 IDM模式负担能力比较（2

9、018 年，百万元） .4 图表 3：同业 MOSFET 产品组合比较 .5 图表 4：公司 GaN、SiC 和 IGBT 项目研发进展.5 图表 5：华润微功率半导体占收入比例及产品单价 .6 图表 6：2018 年全球半导体产品分类 .6 图表 7：不同种类半导体 2017-2022E市场规模增速 .6 图表 8：半导体产业发展线路.7 图表 9：先进制程工艺晶 圆厂 vs. 特色工艺晶圆厂.7 图表 10：国内 MOSFET 供货期及价格趋势 .7 图表 11：功率半导体公司研发强度比较 .8 图表 12：2008 年公司关键产品与工艺发展情况.9 图表 13：华润微制造与服务核心技术

10、.9 图表 14：定制化的针对不同应用领域的功率半导体 .10 图表 15：功率半导体和标准 CMOS价值链分布比较 . 11 图表 16：全球主要功率半导体企业及模式 . 11 图表 17：2016-2021 年全球功率半导体市场规模预测.12 nMsNrRnRqNqOpNqRoRyRoNbRbP7NmOoOnPpPeRqQnOiNpNtN6MqQwPwMqQrQMYsPmO 公司深度研究 - 3 - 敬请参阅最后一页特别声明 图表 18：2016-2021 年中国功率半导体市场规模预测.12 图表 19：功率半导体产品分类 .12 图表 20：功率半导体器件下游应用市场结构.13 图表 2

11、1：功率半导体器件类型市场结构 .13 图表 22： MOSFET、IGBT 和 BJT 性能对比 .13 图表 23：功率半导体适用电压和工作频率情况 .13 图表 24：全球新能源汽车销量预测（百万辆） .14 图表 25：硅基、GaN和 SiC 功率半导体应用市场区分 .15 图表 26：功率器件各产品中国市场占比.15 图表 27：全球功率分立器件和模组市场格局.16 图表 28：2018 全球分立 IGBTs 各公司占比情况 .16 图表 29：2018 年中国市场 MOSFET 市占率 .16 图表 30：华润微电子历史沿革.17 图表 31： 华润微电子股权架构（截至 2020年

12、 2 月 18 日）.18 图表 32：华润微电子产品收入结构（百万元，人民币） .18 图表 33：华润微电子各业务板块运营主体 .19 图表 34：华润微半导体产品的工艺流程.19 图表 35：公司主要功率器件情况 .19 图表 36：公司功率 IC 产品情况 .20 图表 37：公司传感器产品情况.20 图表 38：公司智能控制产品情况 .21 图表 39：公司制造资源梳理 .21 图表 40：公司 2018 年产品与方案业务前五名客户 .22 图表 41： 2018 年制造与服务业务前五名客户 .22 图表 42：公司主要下游领域及最终客户情况.22 图表 43：公司各产品线营收预测

13、.24 图表 44： 公司各产品线毛利率预测.25 图表 45：同业经营利润率与净资产收益率比较 .25 图表 46：可比公司估值比较（2020.03.23 股价为准,剔除负值） .25 图表 47：华润微高低价预测 .26 公司深度研究 - 4 - 敬请参阅最后一页特别声明 一、四大核心优势一、四大核心优势 1.公司自身条件支持采用公司自身条件支持采用 IDM 模式的优势模式的优势 IDM 模式适应功率半导体企业。华润微是国内最大的 IDM 模式半导体公司, 也是国内销售额前十的半导体公司中唯一一家 IDM 模式为主的企业。相比 Fabless 模式的功率半导体公司，IDM 模式拥有设计与制

14、造环节紧密结合的优 势，能缩短从芯片设计到制造所需的时间，不需要进行硅验证，不存在工艺对 接问题，能加快新产品面世的时间；同时也可以根据客户需求进行高效的特色 工艺定制。由于同时具备设计和制造能力，能获得更高的产品附加值。 图表图表1：中国销售额前十半导体企业排名中国销售额前十半导体企业排名 来源：中国半导体协会、国金证券研究所 IDM 模式对初始资源禀赋和运营能力都有极高要求。对于功率半导体企业， 虽然 IDM 模式有多种好处，但是同时也受限于资本投入要求大、资产较重。以 华润微的 “8 英寸高端传感器和功率半导体建设项目” 募投项目为例，项目总 投资金额为 23 亿，巨额的资本开支需求对所

15、有采用 IDM 模式公司提出挑战； 同时财务费用会对企业盈利产生重大影响，压制企业盈利能力。因此我们认为 IDM 模式是一个门槛极高的模式，对企业初始资源禀赋和运营能力都有极高要 求。企业只有在同时满足上述两个条件之后，才有可能通过运营现金流满足资 本开支需求从而扩大规模和提升技术，实现 IDM模式的正向循环。 华润微的规模体量和资金条件支持它采用华润微的规模体量和资金条件支持它采用 IDM 模式模式，并且已经实现，并且已经实现 IDM 模式的正向循环模式的正向循环。我们从三个维度评价不同企业对 IDM 模式负担能力：现有营 收产能规模、现金流负担能力和盈利承压能力。比较 A股不同 IDM模式

16、，华润 微在这三个维度都处于领先优势。我们认为华润微依靠股东的初始资金支持， 已经建立了 IDM 模式的正向循环营收规模和收入规模领先同业，经营现金 流支持巨额资本开支需求，使得财务负担低于同业，盈利情况好于同业。我们 认为，这样的优势在未来会持续扩大。 图表图表2：功率半导体企业：功率半导体企业IDM模式模式负担能力比较（负担能力比较（2018年，百万元）年，百万元） 现有营收产能规模现有营收产能规模 现金流负担能力现金流负担能力 盈利承压能力盈利承压能力 固定资产固定资产 在建工程在建工程 总收入总收入 经营活动净现金流经营活动净现金流 财务费用财务费用 财务费用占比财务费用占比 净利率净

17、利率 华润微华润微 3898 350 6270 1482 0 0 8.6% 士兰微士兰微 2557 871 3025 240 73 2.4% 2.5% 华微电子华微电子 1026 375 1709 423 48 2.8% 6.3% 杨杰科技杨杰科技 952 122 1852 211 2 0.11% 10.18% 来源：公司公告、国金证券研究所 2.以以 MOSFET为基，全面布局功率半导体的优势为基，全面布局功率半导体的优势 公司在功率半导体布局全面，产品种类包括 MOSFET、IGBT、SiC、SBD 公司深度研究 - 5 - 敬请参阅最后一页特别声明 和 FRD 等。公司已形成较为完整的

18、MOSFET 产品系列。公司是国内营业收入 最大的 MOSFET 厂商，是目前国内少数能够提供 -100V 至 1500V 范围内低、 中、高压全系列 MOSFET 产品的企业，也是目前国内拥有全部 MOSFET 主流 器件结构研发和制造能力的主要企业，生产的器件包括平面栅 VDMOS、沟槽 栅 MOS及超结 MOS等，可以满足不同客户和不同应用场景的需要。 图表图表3：同业：同业MOSFET产品组合比较产品组合比较 项目项目 士兰微士兰微 华微电子华微电子 扬杰科技扬杰科技 华润微华润微 电压覆盖范围 30V-900V 40V-900V -60V-150V -100V-1500V 器件结构覆

19、盖范 围 平面栅 MOS 沟槽栅 MOS 超结 MOS 屏蔽栅 MOS 耗尽型 MOS 平面栅 MOS 超结 MOS 平面栅 MOS 沟槽栅 MOS 屏蔽栅 MOS P 沟道 MOS 平面栅 MOS 沟槽栅 MOS 超结 MOS 屏蔽栅 MOS P 沟道 MOS 耗尽型 MOS 来源：招股说明书、国金证券研究所 公司在 MOSFET 上工艺技术水平领先。公司自主研发的沟槽栅 MOS器件， 在电动二轮车的电机控制器市场、电源及电池保护应用领域表现优异；其中采 用屏蔽栅结构的产品可以应用在使用频率更高的领域，如同步整流等；自主研 发的平面栅 VDMOS 器件已进入台达、光宝、Salcomp（赛尔康

20、）等国际电源 制造商的供应链；采用多层外延超结技术研发和生产的超结 MOS 器件产品的 主要参数指标与国际标杆公司生产的第六代超结 MOS 器件产品的技术指标相 当。 公司在 IGBT 也具有较强的产品竞争力。公司已建立国内领先 Trench-FS 工艺平台，并具备 600V-6500V IGBT 工艺能力。目前公司批量出货的 IGBT 器 件工作电压范围从 600V-1200V，集电极电流范围从 8A-60A。2018 年公司功 率半导体销售数量为 164 亿颗，其中 IGBT 同比增长 316.79%。我们预计随着 公司更多型号 IGBT 量产出货，IGBT 未来几年将保持快速增长。 积极

21、布局新一代功率半导体，SiC 有望在 2020 年实现供货。公司以 6 英寸 产线为基础，进行 650V 硅基 GaN 器件、SiC JBS 器件和 SiC MOSFET 产品 的设计研究和工艺技术研发工作。未来几年，SiC 和 GaN 量产将优化公司功率 半导体产品组合。 图表图表4：公司：公司GaN、SiC和和IGBT项目研发进展项目研发进展 项目名称项目名称 研发目标研发目标 技术来源技术来源 研发进度研发进度 硅基 GaN 功率 器件研发 建立硅基 GaN 器件和材料加工平台，研发硅 基 GaN 功率器件的材料、设计、晶圆加工和 封装测试技术，形成系列化的产品 自主研发 工程样品 阶段

22、 SiC 功率器件 的开发 研发 SiC 功率器件的设计和晶圆加工和封装 测试技术，形成系列化的 SiC 肖特基二极管 （JBS）和 MOSFET 器件产品 合作开发和自 主开发相结合 样品阶段 IGBT 技术升级 研发第四代 TRECH-FS IGBT 产品，提升 IGBT 产品性能 合作开发和自 主开发相结合 研发阶段 来源：招股说明书、国金证券研究所 随着公司中高压 MOSFET 占比提升、IGBT 快速增长和 SiC 器件陆续出货， 公司功率半导体的产品结构将得到优化，产品平均单价和占收入比例将有提升 空间。 公司深度研究 - 6 - 敬请参阅最后一页特别声明 图表图表5：华润微功率半

23、导体占收入比例及产品单价：华润微功率半导体占收入比例及产品单价 来源：招股说明书、国金证券研究所 3.特色特色工艺需求旺盛，打造“一站式”服务的优势工艺需求旺盛，打造“一站式”服务的优势 公司提供特色工艺晶圆代工、 IC 封装及测试服务等“一站式”服务。特色 工艺制程在国内需求旺盛，我们认为在未来几年里，特色工艺制程都将保持良 好的供需格局。而相比一般代工模式的晶圆代工和封装测试分开，公司能够提 供从代工到后道封装测试的“一站式”服务，从而缩短供应链，更好保障客户 的供应安全。 模拟电路带动特色工艺制程需求。我国模拟器件需求增速高于半导体整体 需求增速。集成电路产品主要分为逻辑器件、存储器件、

24、微处理器、模拟器件、 光学器件、传感器和分立器件。2018 年全球半导体销售额约为 4700 亿美元， 从产品结构上看，其中存储器占比为 33.7%、逻辑器件占比为 23.3%、模拟器 件为 12.5%。模拟集成电路 2018 年全球市场规模约为 587 亿美元。根据 IC Insight 预测数字，2017-2022 年模拟集成电路产品复合增速为 6.6%，高于集 成电路行业 5.1%的整体增速。 图表图表6：2018年全球半导体产品分类年全球半导体产品分类 图表图表7：不同种类半导体：不同种类半导体2017-2022E市场规模增速市场规模增速 来源：WSTS、国金证券研究所 来源：IC I

25、nsight、国金证券研究所 我国对特色工艺代工潜在需求为 120 万片/月，远高于目前纯大陆工厂合计 68 万片/月的有效产能供给。模拟电路依赖特色工艺。集成电路制造产业过去 按照三个维度发展尺寸依赖的先进制程工艺、非尺寸依赖的特色工艺和先 进封装技术。先进制程方面，从 130nm 到 5nm 及至 3nm EUV 工艺，制程微 缩是推动逻辑半导体按照摩尔定律发展的最重要动力;而对于以功率 IC、传感器、 射频器件和 MEMS 器件为代表的的模拟电路产品来说，RF-COMS、SOI/RF- SOI、BCD/CDMOS、MEMS 等特色工艺相比先进制程对产品性能起到更为关 键的决定作用。相比先

26、进制程工艺，特色工艺具有工艺相对成熟，资本投入要 求相对更低、产品研发投入相对较少、生命周期更长等特点。2018 年国内模拟 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 20019年1-6月 功率半导体占收入比例 功率半导体平均单价 存储器, 33.7% 微处理器, 14.3% 逻辑器件, 23.3% 模拟器件, 12.5% 光学器件, 8.1% 传感器, 2.9% 分立器件, 5.1% 6.6% 5.4% 5.2% 5.1% 3.9% 0.0% 1

27、.0% 2.0% 3.0% 4.0% 5.0% 6.0% 7.0% 模拟芯片 逻辑芯片 存储芯片 整体增速 微元件 公司深度研究 - 7 - 敬请参阅最后一页特别声明 电路销售额约为 238 亿美元，假设实现 50%自主供应，对应国内生产模拟电路 产业产值 119 亿美元，如果以 35%毛利率计算，对应制造成本约为 77 亿美元， 其中晶圆代工规模约为 58 亿美元，取 8 英寸特色工艺制程晶圆代工 ASP 约为 400 美元/片，国内对特色工艺需求约为 1450 万/年，约合 120 万片/月。而 2019 年，纯大陆工厂可用于模拟芯片的制造产能约为 38 万片/月，可用于功率 半导体的晶圆

28、制造产能约为 37 万片/月，合计 75 万片/月，假设有效产能为总 产能 90%，即有效产能为 68 万片/月，远远低于我国对特色工艺的需求。 图表图表8：半导体产业发展线路：半导体产业发展线路 图表图表9：先进制程工艺晶先进制程工艺晶 圆厂圆厂 vs. 特色工艺晶圆厂特色工艺晶圆厂 来源：集成电路产业发展高峰论坛、国金证券研究所 来源：、国金证券研究所 8 英寸特色工艺制程产能扩张有限，供需格局良好。虽然 12 英寸相对 8 英 寸效能更高，但 12 英寸产线对于工艺指标要求更高，对于原材料的要求也更 高。对于 8 英寸产线，RF-COMS、SOI/RF-SOI、BCD/CDMOS 等成熟

29、的特色 工艺技术可以使尺寸较小的晶粒包含较多的模拟内容。并且大多数 8 英寸设备 已经折旧完毕，固定成本低。出于经济考虑，8 英寸特色工艺制程晶圆厂扩产 多采用二手设备，华润微曾先后购入 Hynix 设备、德国生产线设备等二手生产 设备。而从全行业来看，二手设备来源相对有限，并且国际设备厂大多早已停 产 8 英寸设备，因此 8 英寸厂产能扩张速度受设备制约而受限，使得 8 英寸特 色工艺制程代工市场保持较好的供需格局。 当前代工产能紧张，MOSFET 出现缺货迹象。根据上述分析，CIS、电源 管理 IC、指纹识别 IC 、MCU、IGBT、MOSFET 等代工需求强劲，而特色工 艺产能供给有限

30、，2019 年四季度，华虹 8 英寸晶圆厂产能利用率达到 92.5%， 联电集团旗下 8 英寸厂和舰产能利用率维持在九成的高位水平。受疫情影响导 致部分产能释放受限， MOSFET 库存水 平持续消耗，正导 致部分型号 MOSFET 供货期延长。 图表图表10：国内：国内MOSFET供货期及价格趋势供货期及价格趋势 来源：集微网、国金证券研究所 4.产品工艺产品工艺技术技术建立起坚固壁垒建立起坚固壁垒的优势的优势 高研发投入建立工艺技术优势。公司在产品与工艺的研发上进行了高强度 的投入：2016 年至 2018 年，公司研发投入分别为 34,559 万元、44,742 万元 和 44,976

31、万元，占营业收入的比例分别为 7.86%、7.61%和 7.17%；截至 公司深度研究 - 8 - 敬请参阅最后一页特别声明 2019 年 6 月 30 日，公司拥有 7937 名员工，其中包括 641 名研发人员，2290 名技术人员，研发技术人员占员工总数的比例为 37%。无论是研发人员和研发 费用的绝对数量或者占比，公司的投入相都位于行业前列。 图表图表11：功率半导体公司研发强度比较：功率半导体公司研发强度比较 华润微华润微 士兰微士兰微 斯达半导斯达半导 研发及技术人员数量 2931 2018 132 研发技术人员占比 37% 37% 22% 研发费用（百万元） 450 315 49

32、 研发费用率 7.20% 10.40% 7.30% 来源：公司公告、国金证券研究所 模拟电路的技术壁垒更加稳固。相比数字电路，模拟电路的设计辅助工具 （EDA）相对较少，更多依赖设人工设计，对经验积累要求相对更高，导致模 拟电路人才团队培养周期更长，产品研发周期更长。并且生产过程中涉及到更 多非标准化工艺，使得进入壁垒更高，领先优势一旦建立会相对比较稳固，竞 争对手难以在短时间内追赶。 公司长时间的经验积累，在产品开发和技术工艺方面建立了领先于国内同 行的壁垒。华润微超过十年来持续进行研发投入积累。在产品上形成了 MOSFET、IGBT、光电烟雾检测产品、BMS、GaN 功率芯片等一系列产品线

33、； 在制造工艺方面，形成了 BCD、MEMS 工艺以及功率封装等技术平台，建立 了领先国内同行的产品和制造工艺壁垒。 公司深度研究 - 9 - 敬请参阅最后一页特别声明 图表图表12：2008年公司关键产品与工艺发展情况年公司关键产品与工艺发展情况 来源：招股说明书、国金证券研究所 公司 MOSFET 、IGBT 、 FRD 等产品的设计及制备技术及 MEMS 工艺技 术、功率封装技术等，沟槽型 SBD 设计及工艺技术、光电耦合和传感系列芯片 设计和制造技术及设计及工艺技术、BCD 工艺技术国际领先，上述核心技术已 广泛应用于公司产品的批量生产中。 图表图表13：华润微制造与服务核心技术：华润

34、微制造与服务核心技术 工艺名称工艺名称 工艺特点工艺特点 应用领域应用领域 BCD工 艺 1）覆盖 1.0-0.18m 的各个技术节点 2）支持超大范围的工作电压 5V 700V 3）低导通电阻、高可靠性 4）同步提供 200 600V SOI 基 BCD 工 艺选项 广泛应用于硅基高压 BCD 工艺、硅基高密度 BCD 工艺和 SOI 基 BCD 工艺等主要工艺平台，并 作为基础核心制造技术为晶圆制造代工服务提供支 撑。 MEMS 工 艺 1）提供完整的标准 MEMS 工艺模块，能够灵活调整组合 2）提供多样化的表面或体硅加工技术及客制化的平台 3）丰富的平台组合包含压力、麦克风、光电、温湿

35、度等 MEMS 工 艺制程 广泛应用于麦克风、压力传感器、光电传感器、温 湿度传感器等 MEMS 传感器工艺平台，被作为核 心制造 技术为客户提供优质的代工服务。 功率封装 技术 提供完整的功率器件和 IPM 模块封装技术解决方案，包括 TO- 220、TO-3P、TO247 等常规封装，DPAK、PDFN 和 PQFN 等表 面贴装封装，以及适用于功能集成的 IPM和模块封装。 应用于大电流 MOSFET、IPM 模块等功率器件和 功率模块封装 来源：招股说明书、国金证券研究所 公司深度研究 - 10 - 敬请参阅最后一页特别声明 二、功率半导体行业概况及趋势二、功率半导体行业概况及趋势 1

36、.行业趋势：行业趋势：IDM 模式是模式是做强做强的必然选择的必然选择 IDM 模式在功率半导体、MEMS 等特色工艺半导体产品生产中独具优势。 半导体行业中主要有两种芯片生产模式：IDM 模式(集成器件制造)的自己设计 兼制造，还有 Fabless (无工厂)的芯片设计再委外 Foundry 代工模式( 晶圆代 工 ) 。 对 于 数 字 芯 片 ， 沿 着 “ 摩 尔 定 律 ” 发 展 ， 追 求 先 进 制 程 ， “Fabless+Foundry”模式将晶圆制造与设计环节分开，大大降低了设计行业 的准入门槛，Foundry 通过资源集中得以负担先进制程的巨大资本开支需求， 这种模式近

37、三十年来取得了快速发展。但是对于功率半导体、MEMS 器件等特 色工艺半导体产品的生产，IDM 模式相比 Fabless 模式更具优势，主要原因在 于： 功率半导体高度定制化，功率半导体高度定制化，IDM 模式使得模式使得设计与制造环节协同优化，缩短产设计与制造环节协同优化，缩短产 品开发时间：品开发时间：与数字芯片多为大批量的标准件不同，功率半导体等模拟器 件的定制化需求高。如下图所示，即使同一种类型的功率器件，在不同应 用场景中有不同的功率、频率和尺寸要求，需要针对不同客户开发不同定 制化产品。在 IDM 厂商中，生产工艺的开发和设计是同步的，可以通过设 计部门和制造部门协调，快速解决设计开发中遇到的问题，大大缩短开发 时间。 图表图表14：定制化的针对不同应用领域的功率半导体：定制化的针对不同应用领域的功率半导体 来源：Yole、国金证券研究所 制造环节在功率半导体生产中起到决定作用，是构成产品附加值的核心：制造环节在功率半导体生产中起到决定作用，是构成产品附加值的核心： 由于功率半导体电路相对简单，晶圆制造和封装