1、0YOY 立足核心赛道，前道设备迎来全面突破 Table_CoverStock 芯源微（688037.SH）深度报告 Table_ReportTime 2021 年 12 月 14 日 2 证券研究报告 公司研究 深度报告 芯源微芯源微( (688068803737.SH.SH) ) 投资评级投资评级 买入买入 上次评级上次评级 资料来源：万得，信达证券研发中心 公司主要数据 收盘价（元） 210.34 52 周内股价 波动区间(元) 75.32-302.35 最近一月涨跌幅() -4.82 总股本(亿股) 0.84 流通 A 股比例() 53.2 总市值(亿元) 177 资料来源：万得，信达

2、证券研发中心 立足核心赛道，前道设备迎来全面突破立足核心赛道，前道设备迎来全面突破 2021 年 12 月 14 本期内容提要本期内容提要: : 前道涂胶显影设备国内唯一供应商前道涂胶显影设备国内唯一供应商。 公司主营业务为光刻工序涂胶显影设 备和单片式湿法设备，立足晶圆制造光刻环节的黄金赛道。2020 年以来 公司业绩迎来爆发式增长，21 年 Q1-Q3 公司实现营收 5.47 亿元，同比 高增 158.20%， 主要得益于涂胶显影后道设备旺盛需求、 前道设备开始贡 献业绩以及单片湿法设备的超预期表现。截止 Q3 公司在手订单 13.31 亿 元，较 20 年末新增 5.63 亿元，其中前道

3、新签订单同比增长 221%，后道 新签订单同比增长 217%。为应对下游需求的增长，公司持续加大扩产力 度，宣布定增预案，将募集资金不超过 10 亿元，进行上海临港和沈阳二 期两处项目扩产。供需两侧的同步扩张将奠定公司长期高增基础。 涂胶显影：空间广阔，国产替代渡过起步期涂胶显影：空间广阔，国产替代渡过起步期。涂胶显影是光刻环节的核心 工序，在前道晶圆制造、后道先进封装、LED 等领域均有可观的用量。涂 胶显影设备市场亦稳步增长， 据 VLSI 数据， 2021 年全球涂胶显影设备市 场规模将达 23 亿美元。而当前市场格局呈现日本东京电子一家独大的场 面， 占据全球 91%的市场份额。芯源微

4、在后道涂胶显影领域有丰富、 成熟 的产品线，产品广泛应用于先进封装各环节，为国内领军者。自 18 年以 来， 公司前道设备亦有顺利突破， Offline 设备在上海华力通过验证并完成 验收，i-line、Krf、Arf 设备亦在长江存储、中芯绍兴、青岛芯恩等主流晶 圆厂相继获得订单。 湿法设备：产品线铺开，蓄势第二增长曲线湿法设备：产品线铺开，蓄势第二增长曲线。基于涂胶显影的技术积累， 公司拓展单片湿法设备业务，横向延伸，成长空间打开。根据台湾工研院 数据， 2020 年全球湿法设备市场规模为 49 亿美元， 占半导体设备市场规 模近 10%， 并随先进工艺带来的清洗步骤增加而持续增长。 芯源

5、微则在单 片湿法设备有较广泛的覆盖，清洗、去胶、刻蚀均有布局，在物理刷片清 洗领域为国内龙头，在中芯国际、上海华力等多个客户处通过验证，并获 国内多家 Fab 厂商的批量重复订单。 盈利预测与投资评级盈利预测与投资评级：我们预计公司 2021/22/23 年，营收分别为 7.62/12.51/17.60 亿元，对应当前股价 PS 分别为 23/14/10 倍。对比同行 业可比公司，芯源微当前估值仍处于合理区间。公司作为涂胶显影设备龙 头，前道设备顺利突破，市占率有望持续提升。首次覆盖，给予“买入”评 级。 风险因素：风险因素：行业周期性波动风险；下游客户扩产不及预期风险；国际贸易 摩擦风险。

6、主要财务指标 主要财务指标主要财务指标 2019 2020 2021E 2022E 2023E 营业总收入 213.16 328.90 761.75 1,251.00 1,760.00 同比(%) 1.51% 54.30% 131.61% 64.23% 40.69% 归属母公司净利润 29.28 48.83 87.69 140.69 204.77 同比(%) -3.94% 66.79% 79.58% 60.44% 45.55% 毛利率(%) 46.62% 42.58% 41.11% 41.93% 43.48% ROE(%) 6.01% 6.29% 10.43% 14.81% 18.33% EP

7、S（摊薄） （元） 0.35 0.58 1.04 1.67 2.43 P/E 604 363 202 126 86 资料来源：万得，信达证券研发中心预测 ; 股价为2021年12月13收盘价 -50% 0% 50% 100% 150% 200% 250% 20-12 21-01 21-02 21-03 21-04 21-05 21-06 21-07 21-08 21-09 21-10 21-11 芯源微沪深300 lVgVdYiYcXaZzRyQzRyQ9PcM7NtRpPoMrQjMmNtRkPrQmR7NrQqNMYsPqNNZpOxO 3 投资聚焦投资聚焦 公司目前正处于前道涂胶显影设备

8、验证通过，开始批量出货的拐点，放量在即。公司目前正处于前道涂胶显影设备验证通过，开始批量出货的拐点，放量在即。前道涂胶显 影市场东京电子一家独大， 占据 90%的市场份额， 而芯源微是目前国内唯一有前道量产机型 的涂胶显影供应商。公司 offline 设备已在下游客户验证通过，i-line、Krf 设备亦有顺利的验 证进展，在手订单饱满，有望在 22-23 年实现放量增长。后道设备方面，公司更是国内市场 领先者，产品广泛应用于 Bumping、WLCSP、Fanout 等多种先进封装工艺， 物理清洗龙头，在手订单饱满物理清洗龙头，在手订单饱满。公司单片式湿法设备已有 20%以上收入占比，在物理

9、清洗领 域为国内龙头，化学清洗亦在积极研发中。单片湿法设备与涂胶显影设备有技术共通性，公 司有望实现内生外延，在湿法领域获得快速成长。 4 目 录 投资聚焦投资聚焦 . 3 一、芯源微：前道涂胶显影设备国内唯一供应商一、芯源微：前道涂胶显影设备国内唯一供应商 . 6 1、国内半导体设备厂商五强，打破国外涂胶显影设备垄断 . 6 2、厚积薄发，业绩启动高增长 . 8 3、研发投入持续，股权激励彰显信心 . 9 4、下游景气度持续高涨，设备国产化核心供应商 . 11 5、募投加码，扩产持续 . 14 二、涂胶二、涂胶显影显影：空间广阔，国产替代渡过起步期空间广阔，国产替代渡过起步期 . 15 1、

10、涂胶显影：光刻环节核心工序 . 15 2、应用场景丰富：从先进封装到前道制造 . 16 3、空间广阔，需求增长持续 . 18 4、巨头垄断，行业集中度高 . 20 5、后道产品线成熟，前道产品验证顺利 . 21 三、湿法设备：产品线铺开，蓄势第二增长曲线三、湿法设备：产品线铺开，蓄势第二增长曲线 . 24 1、贯穿晶圆制造全过程的关键工艺 . 24 2、市场规模稳健增长，日韩巨头垄断 . 26 3、湿法设备国内率先实现国产化 . 28 4、产品线广阔，客户导入顺利 . 29 四、盈利预测、估值与投资评级四、盈利预测、估值与投资评级 . 32 五、风险因素五、风险因素 . 33 表 目 录 表

11、1：芯源微主要产品 . 6 表 2：公司核心技术产业化情况 . 10 表 3：激励计划考核目标值及对应营收 . 11 表 4：全球半导体设备企业排名（百万美元） . 14 表 5：募集资金投向 . 14 表 6：涂胶显影应用分类 . 16 表 7：成熟制程涂胶显影设备市场规模测算（亿美元） . 20 表 8：公司与同行业可比公司在产品应用、相关技术具体差别方面的对比 . 20 表 9：后道先进涂胶/显影机简介 . 22 表 10：清洗工艺介绍 . 24 表 11：半导体设备国产化率及已达到制程节点 . 28 表 12：国内湿法设备行业格局 . 29 表 13：公司清洗设备简介 . 30 表 1

12、4：湿法刻蚀设备简介 . 30 表 15：芯源微盈利预测 . 32 表 16：芯源微财务预测（百万元） . 32 表 17：估值分析 . 33 图 目 录 图 1：公司主要产品 . 6 图 2：公司主营营业收入及归母净利润(亿元) . 9 图 3：公司分业务的营收(百万元) . 9 图 4：公司毛利率及净利率 . 9 图 5：在职员工专业构成类别 . 10 图 6：研发团队教育程度 . 10 图 7：公司研发支出及增长率 . 11 图 8：全球半导体市场规模（亿美元） . 12 图 9：全球及中国半导体设备市场规模（亿美元） . 12 图 10：国内 8 英寸和 12 英寸晶圆产能情况（万片/

13、月） . 12 图 11：中国半导体设备市场规模在全球的占比 . 13 图 12：2020 年 1-11 月中国大陆半导体设备进口市场情况(单位:百万美元) . 13 图 13：公司产品在集成电路制造前道晶圆加工工艺中的应用 . 15 图 14：光刻工艺流程 . 15 图 15：WLSCP 工艺示意图 . 16 图 16：FlipChip 工艺示意图 . 17 图 17：Bumping 制程运用 . 17 图 18：3D-TSV . 17 图 19：前道制造中的不同线宽 . 18 图 20：涂覆和未涂覆 BARC 的反射光路图 . 18 5 图 21：2013-2023 年全球前道涂胶显影设备

14、销售额 . 19 图 22：2013-2023 年全球后道涂胶显影设备销售额 . 19 图 23：涂胶显影设备市占率 . 21 图 24：KS-FT200/300 前道 8/12 寸涂胶显影机 . 21 图 25：单片式清洗机 . 25 图 26：槽式清洗机 . 25 图 27：湿法去胶示意图 . 25 图 28：湿法刻蚀示意图 . 26 图 29：清洗步骤与制程关系 . 26 图 30：半导体清洗机市场规模（亿美元） . 27 图 31：清洗设备价值量占比 . 27 图 32：全球清洗设备竞争格局 . 27 图 33：国内晶圆厂（中芯+华虹）清洗设备招标情况 . 28 图 34：国产清洗设备

15、供应商版图 . 28 图 35：2013-2023 年全球前道单片式清洗设备销售额 . 29 6 一、一、芯源微：前道芯源微：前道涂胶显影设备国内唯一供应商涂胶显影设备国内唯一供应商 1、国内半导体设备厂商五强，打破国外涂胶显影设备垄断 公司成立于 2002 年 12 月 17 日，公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，产品 包括光刻工序涂胶显影设备（涂胶/显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、 湿法刻蚀机） ，可用于 8/12 英寸单晶圆处理（如集成电路制造前道晶圆加工及后道先进封装 环节）及 6 英寸及以下单晶圆处理（如化合物、MEMS、LED 芯片制造等环节） 。 公

16、司生产的涂胶显影设备产品成功打破国外厂商垄断并填补国内空白，其中，在集成电路前 道晶圆加工环节，作为国产化设备已逐步得到验证及应用，实现小批量替代；在集成电路制 造后道先进封装、化合物、MEMS、LED 芯片制造等环节，作为国内厂商主流机型已广泛应 用在国内知名大厂，成功实现进口替代。根据中国半导体行业协会发布的 2018 年中国半导 体设备行业数据，公司当期位列国产半导体设备厂商五强。 图图 1：公司主要产品公司主要产品 资料来源：公司公告，信达证券研发中心 作为公司标杆产品， 光刻工序涂胶显影设备系集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备作为公司标杆产品， 光刻工序涂胶显影设备系集成电路制

17、造过程中不可或缺的关键处理设备， 主要与光刻机（芯片生产线上最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备）配合进 行作业，通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理，从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显 影、 坚膜等工艺过程。 作为光刻机的输入 （曝光前光刻胶涂覆） 和输出 （曝光后图形的显影） ， 涂胶/显影机的性能不仅直接影响到细微曝光图案的形成，其显影工艺的图形质量和缺陷控 制对后续诸多工艺（诸如蚀刻、离子注入等）中图形转移的结果也有着深刻的影响。公司生 产的集成电路前道晶圆加工领域用单片式清洗机 Spin Scrubber 设备已经达到国际先进水平， 在国内多个重要客户处获得批量重复订单，成

18、功实现进口替代。 表表 1：芯源微主要产品芯源微主要产品 产品类产品类别别 图图示示 晶圆尺晶圆尺寸寸 应用领应用领域域 涂胶/显影机 6 英寸及以下 可用于 LED 芯片制造、MEMS 芯片制造、化合物芯片制造及功 率器件制造等领域的光刻工序 7 涂胶/显影机（集 成电路制造后道 先进封装） 8/12 英寸 可用于集成电路制造后道先进封装的 Bumping 制备工艺、 WLCSP 封装工艺、Fanout 封装工艺等领域的光刻工序 涂胶/显影机（集 成电路制造前道 晶圆加工） 8/12 英寸 可用于集成电路制造前道晶圆加工环节的光刻工序 喷胶机 8/12 英寸 可用于集成电路制造后道先进封装的

19、圆片级封装（WLP）、3D- TSV 工艺及 MEMS 芯片制造等领域的光刻工序 去胶机 6 英寸及以下 可用于 LED 芯片制造、MEMS 芯片制造、通讯芯片制造等领域 去胶机 8/12 英寸 可用于集成电路制造后道先进封装的 Bumping 制备工艺、 WLCSP 封装工艺、Fanout 封装工艺及新型显示 OLED 制造等 领域湿法刻蚀机 8/12 英寸可用于集成电路制造后道先进 8 湿法刻蚀机 8/12 英寸 可用于集成电路制造后道先进封装的 Bumping 制备工艺、 WLCSP 封装工艺、Fanout 封装工艺等领域 清洗机（集成电 路制造后道 先进 封装） 8/12 英寸 可用于

20、集成电路制造后道先进封装的 Bumping 制备工艺、 WLCSP 封装工艺、Fanout 封装工艺等领域 清洗机（集成电 路制造前道 晶圆 加工） 8/12 英寸 可用于集成电路制造前道晶圆加工领域 数据来源：公司招股说明书，信达证券研发中心。 2、厚积薄发，业绩启动高增长 公司主要业务由光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备两大板块构成。公司主要业务由光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备两大板块构成。 2016-2019 年公司 营收稳步增长，2020 年伴随公司涂胶显影和单片清洗设备取得突破式进展，全年营收 3.29 亿元， 同比增长 54.3%， 启动高增。 2016-2020 年归母净

21、利润由 0.05 亿元增长至 0.49 亿元， 年均复合增速 76.9%，总体呈现良好发展势头。2021 年 Q1-Q3，公司实现营收 5.47 亿元， 同比增长 158.2%，实现归母净利润 0.53 亿元，同比增长 18.8%，主要得益于半导体行业景 气度持续向好，订单较上年同期有大幅增长所致。 9 图图 2：公司主营公司主营营业收入营业收入及及归母净利润归母净利润(亿元亿元) 资料来源：Wind，信达证券研发中心 图图 3：公司公司分分业务的营收业务的营收( (百万元百万元) ) 资料来源：Wind，信达证券研发中心 利润率方面，利润率方面，公司毛利率总体维持在较高水平，公司毛利率总体维

22、持在较高水平，净利率则稳步提升净利率则稳步提升。2016-2020 年，公司主 营业务毛利率分别达到 42.14%，41.68%，46.49%，46.62%和 42.58%。2018 年公司毛利 率出现一定增长主要是因为当期公司毛利相对较高的单片湿法设备占比提升且该业务的毛 利率也有所提升。净利率方面，分别达到 3.34%，13.83%，14.51%，13.73%和 14.85%。 2021 年年 Q1-Q3，公司毛利率，公司毛利率 39.59%，净利率，净利率 9.7%，略有下降，略有下降，主要由于主要由于新产品推出新产品推出初期初期 毛利率相对较低毛利率相对较低。未来随着技术水平不断提升、

23、产品结构继续优化、成本控制能力增强，公 司有望进一步提升市场地位，提升盈利能力。 图图 4：公司公司毛利率毛利率及净利及净利率率 资料来源：Wind，信达证券研发中心 3、研发投入持续，股权激励彰显信心 公司高度注重优秀人才的引进、培养和研发团队的建设。公司高度注重优秀人才的引进、培养和研发团队的建设。在人才引进方面，公司从国内外吸 引了行业经验丰富的管理和技术人才；在人才培养方面，在外公司与知名高校建立合作培养 机制，定向培养符合公司研发和生产需要的人才后备力量，在内通过不断优化绩效评估体系 及晋升机制鼓励员工发挥积极性与创造性，不断提高自身为公司、为客户创造价值的能力。 公司当前研发人员占

24、比达 37%，其中硕士以上学历占 47%。 0 1 2 3 4 200192020 主营业务收入(亿元)归母净利润(亿元) 0 50 100 150 200 250 300 350 200192020 光刻工序涂胶显影设备单片式湿法设备 0% 10% 20% 30% 40% 50% 200192020 毛利率净利率 10 成立以来，公司十分重视核心技术的自主研发，拥有一系列具有自主知识产权的核心技术，成立以来，公司十分重视核心技术的自主研发，拥有一系列具有自主知识产权的核心技术， 并广泛应用于公司产品的批量生产中并广泛应用于公司

25、产品的批量生产中。通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了 相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方 面不断进行创新。这些核心技术都在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争 力。 表表 2：公司核心技术产业化情况公司核心技术产业化情况 类别类别 核心技术名称核心技术名称 核心技术产业化情况核心技术产业化情况 LED 等领域 集成电路后道先进封装领域 集成电路前道晶圆加工领域 光刻工序涂胶显影设 备 光刻工艺胶膜均匀涂敷技术 已量产 已量产 已通过上海华力工艺验证并实现销售 不规则晶圆表面喷涂技术 / 已量产 / 精细化显影技术 已量产 /

26、 正在工艺验证，尚未量产 高产能设备架构及机械手优化调度 技术 已量产 已量产 已通过上海华力工艺验证并实现销售 内部微环境精确控制技术 已量产 已量产 已通过上海华力工艺验证并实现销售 光刻机联机调度技术 / / 正在工艺验证，尚未量产 单片式湿法设备 工艺单元参数精确控制技术 已量产 已量产 已通过中芯国际（深圳厂）工艺验证并 实现销售 高产能设备架构及机械手优化调度 技术 已量产 已量产 已通过中芯国际（深圳厂）工艺验证并 实现销售 晶圆正反面颗粒清洗技术 / / 已通过中芯国际（深圳厂）工艺验证并 实现销售 化学药品精确供给及回收技术 已量产 已量产 / 内部微环境精确控制技术 已量产

27、 已量产 已通过中芯国际（深圳厂）工艺验证并 实现销售 不同尺寸晶圆兼容高效能浸泡单元 技术 / 已量产 / 数据来源：公司年报，信达证券研发中心。 近年来， 公司研发投入大幅增长， 2017-2020 年公司支出 （包括资本化和费用化部分） 从 1659 万元增长至 4541 万元，2021 年 H1 高达 4940 万元，同比增长 247%。主要由于 20 年以来 公司在前道设备业务领域发力，不断加大投入力度。 图图 5：在职员工专业构成类别在职员工专业构成类别 资料来源：Wind，信达证券研发中心 图图 6：研发团队研发团队教育程度教育程度 资料来源：Wind，信达证券研发中心 生产人员

28、 27% 销售人员 13% 研发人员 37% 财务人员 2% 行政人员 21% 博士 1% 硕士 46% 本科 52% 大专 1% 11 图图 7：公司公司研发研发支出支出及及增长率增长率 资料来源：Wind，信达证券研发中心 在人才激励方面，公司推出了 2020 年限制性股票激励计划、2021 年限制性股票激励计划， 被激励对象均为公司核心骨干， 明确了公司 2021-2023 年的业绩考核目标， 充分调动核心员 工的积极性和主动性，力争在公司内部培养一批优秀的管理和技术人才。2020 年 9 月公司 进行了首次激励授予，以 39.8 元/股的授予价格向 51 名激励对象授予 55.50 万

29、股限制性股 票，约占公司全部职工人数 341 人的 15%。此次限制性股票激励计划实施后，将进一步提 升员工的凝聚力、团队稳定性，并有效激发管理团队的积极性，从而提高经营效率，给公司 带来更高的经营业绩和内在价值。 此外，公司指定了较高的考核目标，彰显业绩增长信心此外，公司指定了较高的考核目标，彰显业绩增长信心。本次激励计划设置年度营业收入增 长率（相对于 2019 年营业收入值的增长率）作为考核指标，指标分为触发值和目标值。其 中，触发值是公司 2020-2022 年设定的最低经营目标，即年度营业收入增长率相对于 2019 年分别不低于 20%、60%、150%，触发值则为增长率 30%、9

30、0%、200%。 表表 3：激励计划激励计划考核目标考核目标值及值及对应营收对应营收 对应考核年度对应考核年度 年度营业收入相对于年度营业收入相对于 2019 年增长率（年增长率（A） 目标值（目标值（Am） 对应营收（亿元）对应营收（亿元） 触发值（触发值（An） 对应营收（亿元）对应营收（亿元） 2020 30% 2.77 20% 2.56 2021 90% 4.05 60% 3.41 2022 200% 6.39 150% 5.33 考核指标考核指标 业绩完成度业绩完成度 公司层面归属比例（公司层面归属比例（X） 年度营业收入相对于 2019 年增长率（A） AAm X=100% AnA

31、 X=80% A X=0 数据来源：公司公告，信达证券研发中心。 4、下游景气度持续高涨，设备国产化核心供应商 全球半导体市场持续景气，驱动设备行业整体规模快速增长。全球半导体市场持续景气，驱动设备行业整体规模快速增长。2011 年以来，全球市场半导 体市场规模持续扩张。根据 WSTS 数据，2021 年全球半导体销售额全球半导体销售额预计为预计为 8494.52 亿美元亿美元 -50% 0% 50% 100% 150% 200% 250% 300% 0 10 20 30 40 50 60 200202021H1 研发支出（百万元）YOY 12 同比增长同比增长 24.1

32、5%。半导体制造产业的繁荣带动晶圆制造、封装的需求，进而为设备厂商带 来持续的订单，带动设备市场的规模增长。据 SEMI 统计，2020 年全球全球半导体设备销售额半导体设备销售额 为为711.9亿美元，亿美元， 同比增长同比增长19.00%。 中国的市场规模中国的市场规模预计为预计为187.3亿美元， 同比增长亿美元， 同比增长39.26%。 国产化浪潮之下， 近年来国内半导体企业亦掀起了建厂潮， 据我们统计， 2021 年国内晶圆厂 新增产能将达 71 万片/月，其中 12 寸 24 万片/月，8 寸 19 万片/月。在建晶圆厂全部达产后 总产能将拥有 273 万片/月的 12 英寸晶圆产

33、能和 175 万片/月的 8 英寸晶圆产能，较现有产 能增长 130%。 图图 10：国内国内 8 英寸和英寸和 12 英寸晶圆产能情况英寸晶圆产能情况（万片（万片/月）月） 资料来源：集微咨询，信达证券研发中心 大量的晶圆厂项目新建投产将带来巨大的资本开支，大量的晶圆厂项目新建投产将带来巨大的资本开支， 使得中国半导体设备的市场规模快速增使得中国半导体设备的市场规模快速增 长。长。 SEMI 的数据显示， 中国设备市场全球占比逐年提升， 从从 2012 年的年的 6.74%提升到了提升到了 2020 年的年的 26.31%。 0 50 100 150 200 250 300 现有规划 8寸1

34、2寸 图图 8：全球半导体市场规模（亿美元）全球半导体市场规模（亿美元） 资料来源：WSTS，信达证券研发中心 图图 9：全球及中国半导体设备市场规模（亿美元）全球及中国半导体设备市场规模（亿美元） 资料来源：SEMI，信达证券研发中心 -15% -10% -5% 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 全市场YoY -40% -20% 0% 20% 40% 60% 80% 0 100 200 300 400 500 600 700 800 2012 2013 2014 2015 2016

35、 2017 2018 2019 2020 全球设备市场规模中国设备市场规模 全球增速中国增速 13 图图 11：中国半导体设备市场规模在全球的占比：中国半导体设备市场规模在全球的占比 资料来源：SEMI，信达证券研发中心 半导体设备需求半导体设备需求旺盛增长，旺盛增长，而与之不平衡的是设备供给端的较低自给率而与之不平衡的是设备供给端的较低自给率。根据中国电子专用 设备工业协会数据统计， 2018 年国产半导体设备销售额预计为 109 亿元， 自给率约为 13%。 如仅考虑集成电路设备，国内自给率仅有 5%左右，在全球市场仅占 1-2%。目前我国半导体 设备还主要依赖进口。 图图 12：2020

36、 年年 1-11 月中国大陆半导体设备进口市场情况月中国大陆半导体设备进口市场情况(单位单位:百万美元百万美元) 资料来源：中国海关,前瞻产业研究院整理，信达证券研发中心 根据中国海关公布数据，2020 年 1-11 月前道半导体制造设备的进口金额达到 12730.5 百万 美元，同比增长 38.4%，占行业整体进口额的 75%。当前在半导体设备领域，当前在半导体设备领域，美国美国和日本和日本企企 业拥有绝对领先优势，业拥有绝对领先优势，两地两地设备出货量设备出货量显示目前设备市场热度仍处于历史最高水平显示目前设备市场热度仍处于历史最高水平。目前全 球半导体设备企业中，营收排名前十的企业除荷兰

37、的 ASML 和欧洲 ASM 国际外，其余全为 美国和日本企业。两地在半导体设备领域拥有绝对领先优势，因此北美地区和日本的设备出 货量对于全市场的影响也最大。 2020年年11月以来， 北美及日本半导体设备出货量持续增长，月以来， 北美及日本半导体设备出货量持续增长， 北美出货量更是连续多月创历史新高，随着下半年设备市场旺季的到来，全球出货量预计还北美出货量更是连续多月创历史新高，随着下半年设备市场旺季的到来，全球出货量预计还 将维持高位运行。将维持高位运行。 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 20001820192020 0 20

38、00 4000 6000 8000 10000 12000 14000 16000 18000 整体前道设备晶圆制造设备封装辅助设备 14 表表 4：全球半导体设备企业排名（百万美元）全球半导体设备企业排名（百万美元） 排名排名 公司公司 国家国家 19 年营收年营收 20 年营收年营收 1 应用材料 Appliedmaterials 美国 13468 16365 2 阿斯麦 ASML 荷兰 12770 15396 3 泛林半导体 Lamresearch 美国 9549 11929 4 东电电子 TokyoElectron 日本 9552 11321 5 科磊 KLA 美国 4704 5443

39、 6 爱德万测试 Advantest 日本 2470 2531 7 斯科半导体 SCREEN 日本 2200 2331 8 泰瑞达 Teradyne 美国 1553 2259 9 日立高科 HitachiHigh-Tech 日本 1490 1717 10 ASM 国际 ASMInternational 欧洲 1261 1516 资料来源：VLSI，信达证券研发中心 我们看好芯源微我们看好芯源微在国内涂胶显影及湿法设备在国内涂胶显影及湿法设备市场市场的长期成长的长期成长， 公司在公司在牢牢占据后道设备的市牢牢占据后道设备的市 场场领先地位的同时领先地位的同时，还在前道设备领域不断取得新的进展。，

40、还在前道设备领域不断取得新的进展。 截至目前，公司生产的用于集成电路前道晶圆加工领域及后道先进封装、LED、MEMS、化 合物、功率器件、特种工艺等领域的涂胶显影设备和单片式湿法设备已累计销售 1000 余台 套。 已作为主流机型应用于台积电、长电科技、 华天科技、通富微电、 晶方科技、华灿光电、 乾照光电、澳洋顺昌等国内一线大厂。 5、募投加码，扩产持续 公司为了进一步扩充产能，满足下游需求，于 2021 年 9 月宣布定增计划，募集资金 10 亿 元，用于加建上海临港研发及产业化项目、高端晶圆处理设备产业化项目（二期）和补充流 动资金。 临港项目旨在把握产业化集群优势，完善公司产品结构，主

41、要在上海临港新片区建设上海临 港研发及产业化项目，建设周期 30 个月，将于 2024 年 6 月投产。 高端晶圆处理设备产业化二期项目旨在完善公司的产品布局，满足业务规模快速增长的需求， 主要提升现有量产半导体设备的供货能力，建设周期 30 个月，将于 2024 年 6 月投产。 本次定增完成后， 公司将提高公司科技创新水平， 推出更高工艺等级的产品， 扩充产品产能， 产能进一步扩张，满足下游客户多元化的定制需求。 表表 5：募集资金投向募集资金投向 序号序号 项目名称项目名称 项目投资总额（万元）项目投资总额（万元） 募集资金使用金额（万元）募集资金使用金额（万元） 1 上海临港研发及产业

42、化项目 64,000.00 47,000.00 2 高端晶圆处理设备产业化项目（二期） 28,939.27 23,000.00 3 补充流动资金 30,000.00 30,000.00 合计 122,939.27 100,000.00 资料来源：公司定增募集说明书，信达证券研发中心 15 二二、涂胶显影涂胶显影：空间广阔，国产替代渡过起步期空间广阔，国产替代渡过起步期 1、涂胶显影：光刻环节核心工序 晶圆制造前道工艺晶圆制造前道工艺和和封装测试后道工艺都需要涂胶显影设备。封装测试后道工艺都需要涂胶显影设备。 半导体设备按半导体加工过程 主要分为前道工艺（Front-End，即晶圆制造）设备和后

43、道工艺（Back-End，即封装测试） 设备两大类。 涂胶/显影机在前道工艺中是光刻工艺重要环节的设备， 主要作用是作为光刻机 的输入和输出，主要与光刻机配合进行作业，在曝光前进行光刻胶涂覆，在曝光后进行图形 的显影。而后道的先进封装是使用类似前道的制造方式，制作后道连接电路，故先进封装的 工艺流程与前道相似，所需设备类别也大体相同，只在关键尺寸与精度上同前道有区别，涂 胶显影设备所需尺寸与前道相同，主要为 8/12 寸涂胶显影设备。 图图 13：公司产品在集成电路制造前道晶圆加工工艺中的应用公司产品在集成电路制造前道晶圆加工工艺中的应用 资料来源：公司招股说明书，信达证券研发中心 公司生产的

44、涂胶/显影机可与光刻机设备联机作业（inline）或者独立作业（offline） ，工艺范 围涵盖 LED 芯片制造、集成电路制造后道先进封装制程以及前道的 I-line、KrF、ArF 等制程 工艺，根据不同工艺需求，可搭载不同的温湿度控制模块以及相应的涂胶和显影模块。 图图 14：光刻工艺流程光刻工艺流程 资料来源：公司招股说明书，信达证券研发中心 16 2、应用场景丰富：从先进封装到前道制造 涂胶显影设备在涂胶显影设备在 LED、化合物半导体、先进封装、晶圆前道制造中都有应用、化合物半导体、先进封装、晶圆前道制造中都有应用，其工作方式根 据是否与光刻机联机可分为 Offline 和 In

45、line 两种。Offline 即涂胶显影机独立工作，与光刻 机不联机工作，常用于低端应用。而 Inline 即涂胶显影机直接与光刻机接口连接，每一台光 刻机对应一台涂胶显影，晶圆在涂胶显影机的涂胶腔中完成涂胶后送入光刻机曝光，再送回 涂胶显影机的显影腔显影。前道 EUV，ArF-i，ArF，KrF，i-line 一般采用此种联机方式。 此外，在晶圆前道工艺中，由于涂胶后无需立即曝光，但曝光后需要立刻显影，亦有晶圆厂 将显影机与光刻机联机作业，涂胶机独立工作。台积电即采用此种做法。 表表 6：涂胶显影涂胶显影应应用用分类分类 应用场景应用场景 与光刻机联机方式与光刻机联机方式 小尺寸（小尺寸（

46、4/6 寸）寸） LED、化合物半导体等 Offline 后道后道 先进封装 TSV、Fanout、WLCSP、Bumping 等 前道前道 PI、Barc EUV，ArF-i，ArF，KrF，i-line Inline 资料来源：信达证券研发中心整理 （1）先进封装）先进封装 在后道的封装环节中， 传统封装工艺为先将晶圆划片， 再对单个的芯片进行固晶 （die bond） 、 焊线（wire bond）和塑封，称为芯片级封装（CSP，chip-scale package） 。随着工艺进步， 芯片体积微缩的要求，晶圆级封装（WLSCP，wafer level CSP）出现。 WLSCP 在划片

47、之前，先在完整晶圆上，采用晶圆制造的制程及电镀技术取代现有打金线及 机械灌胶封模的制程进行封装工艺，不需导线架或基板。晶圆级封装只有晶粒般尺寸，能够 有较好的电性效能，由于是按每批或每片芯片来生产，因此能用较低的成本生产。由于采用由于采用 了类似前道的光刻、薄膜、电镀等工艺，涂胶显影应用到该过程中。了类似前道的光刻、薄膜、电镀等工艺，涂胶显影应用到该过程中。 图图 15：WLSCP 工艺示意图工艺示意图 资料来源：Research Gate，信达证券研发中心 晶圆级封装中，晶圆级封装中，bumping 制程是涂胶显影应用的一个重要环节。制程是涂胶显影应用的一个重要环节。在倒片封装工艺中（FC：

48、 17 flip-chip） ，用焊锡凸块取代焊线，此技术可大幅缩小 IC 的体积，并具有密度大、低感应、低 成本、散热能力佳等优点。 更先进的封装方式则开始向更先进的封装方式则开始向 3D 集成发展集成发展，将多层平面器件堆叠起来，器件层之间通过穿透 硅的 Z 方向通孔（TSV，Through Silicon Via）来实现垂直互联，使其在 Z 轴方向上形成立 体集成和信号连通。TSV 技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电 气互连，从而获得更好的互联性能，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗， 高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。 当前，芯源微用于后道

49、封装的涂胶显影设备当前，芯源微用于后道封装的涂胶显影设备产品线充分成熟，已广泛应用于国内主要封装厂产品线充分成熟，已广泛应用于国内主要封装厂 的的 WLSCP 封装工艺，封装工艺，bumping 制备工艺，制备工艺，3D-TSV 工艺等工艺等产线。产线。 图图 18：3D-TSV 资料来源：飞芯电子官网，信达证券研发中心 （2）前道制造）前道制造 图图 16：FlipChip 工艺示意图工艺示意图 资料来源：PCMag，信达证券研发中心 图图 17：Bumping 制制程程运运用用 资料来源：台湾波律股份有限公司，信达证券研发中心 18 在前道晶圆制造中需要用到不同种类的光刻胶和涂胶显影设备。

50、在前道晶圆制造中需要用到不同种类的光刻胶和涂胶显影设备。微米级别线宽往往采用 i- line 光刻胶，Krf 光刻胶用到 90nm 制程，Arf 光刻胶用于 90nm 以下，Arf-i（浸没式）在 40- 55nm 开始切入，最为先进的 EUV 光刻则需要用到 EUV 光刻胶。例如，在 65nm 制程芯片 中，该制程数字对应的是最前段的栅极宽，而中段的 M1 铜互连金属线路宽度约 0.2um，后 段线宽则要更大。这导致在制造产线上需要用到从 Arf 到 i-line 的多种光刻机、光刻胶、涂胶 显影设备。 图图 19：前道前道制造中的不同线宽制造中的不同线宽 资料来源：iST，信达证券研发中心