1、证券研究报告2021年 12月 31日【方正电子公司深度报告】盛美上海（688082）晶圆厂扩产卖铲人正在崛起的中国Lam投资要点 加速平台型设备企业布局，是国内半导体清洗设备的龙头企业。盛美上海基于多年自主研发的SAPS兆声波技术，实现清洗设备差异化，取得国内外海力士、中芯国际等头部企业的认可，并逐步拓展先进封装湿法、电镀和立式炉等设备，打造平台型设备企业。 清洗步骤随技术节点攀升而增长，下游逻辑/存储/功率扩产，清洗设备需求巨大。IDM与Fab厂方面未来几年合计扩产投资金额超4000亿元；80-60nm制程中清洗工艺约100个步骤，20nm以上制程则快速攀升至200个步骤以上，在资本支出维

2、持高位和技术迭代的背景下，清洗设备需求将扩大。 贸易争端诱发供应链不稳定，国产替代需求迫切且空间巨大。全球半导体设备市场呈现日、欧、美供应商垄断态势，中国大陆半导体设备综合自给率仅近5%；国产化推动下，国内设备厂商厚积薄发。盛美上海在国内清洗设备市占率已超20%，清洗设备未来5年有望全面实现国产化。 盈利预测：我们预计公司2021-2023年营业收入分别为15.8/26.6/40.9亿元，归母净利润分别为2.9/5.0/7.0亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。 风险提示：（1）下游晶圆厂扩产不及预期；（2）产品研发与产业化应用不及预期；（3）行业景气度不及预期。盈利预测单位/百万 2020 2

3、021E 2022E 2023E营业总收入 1007 1577 2675 4085 (+/-)(%) 33.13 56.53 69.66 52.68 归母净利润 197 286 495 695 (+/-)(%) 45.88 45.33 73.15 40.27 EPS(元) 0.50 0.66 1.14 1.60 ROE(%) 18.76 5.94 9.32 11.57 P/E 0.00 190.33 109.92 78.36 P/B 0.00 11.30 10.25 9.06 、方正证券研究所、智通财经注、芯思想、第一财经、EPS预测值按最新股本摊薄 1rQoQoMpRnRvNmOtQwPxP

4、zQ7N8Q8OpNoOoMnPkPpPoPiNmMtP6MrRyRxNmQnRuOsOtP封装(后道）先进封装湿法设备晶圆制造（前道）清洗装备SAPS兆声波单片清洗设备TEBO兆声波单片清洗设备单片（晶圆）清洗设备Tahoe单片槽式组合前道铜互连电镀设备单片背面清洗设备槽式湿法清洗设备半导体电镀设备立式炉其他湿法刻蚀设备涂胶设备显影设备去胶设备无应力抛光设备先进封装刷洗设备先进封装电镀设备半导体电镀装备盛美上海半导体设备布局公司官网、方正证券研究所整理 2中国大陆半导体设备空间：千亿以上、Gartner、北方华创：模型拆解和市值空间测算、方正证券研究所整理中国大陆 半导体设备空间12英寸产线

5、8英寸产线三代半(6吋线)代工 IDM 存储 功率 CIS代工 功率LED 射频 功率2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年836亿976亿225亿795亿1122亿225亿120亿975亿1320亿225亿120亿1200亿1545亿225亿26亿1387亿1639亿102亿3目录盛美上海：独创兆生波技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发4420052008200020盛美有限成立（上海）SAPS技术研发成

6、功海力士第一批订单；SAPS技术提升45nm清洗良率取得海力士重复订单和长电科技先进封装设备订单TEBO设备装机至华虹集团前道铜互连电镀设备，无应力抛光设备进入市场Tahoe技术研发成功后道先进封装镀铜设备进入市场立式炉管设备进入市场取得长江存储，中芯国际和华虹集团SAPS设备订单；TEBO技术研发成功 公司是一家半导体设备制造商，控股股东美国ACMR于1998年在硅谷成立，05年在上海投资设立了公司的前身盛美有限，并将其前期研发形成的半导体专用设备相关技术使用权投入盛美有限。 其SAPS技术在2011-15年得到了海力士，长存，中芯国际，华虹等知名厂商认可。盛美上海: 独创SAPS技术引领清

7、洗设备国产化 公司坚持差异化竞争和创新的发展战略，自主研发SAPS、TEBO和Tahoe等兆声波技术后，开始布局电镀、无应力抛光和立式炉管等设备市场。5盛美上海的制造基地、方正证券研究所整理 原ACM盛美工厂 36,000 平方英尺的设施 8,000 平方英尺的 10,000 级洁净室空间，用于产品组装和测试 800 平方英尺的 1 级洁净室空间，用于产品演示 与ACM上海总部和中国研发中心同地办公工厂#1（上海总部） 设施#2（川沙生产基地） 工厂#3（在建临港） 位于浦东川沙区，距离ACM上海张江区总部约11英里 2018年开设第一栋大楼 2020年增加二楼， 10万平方英尺的可用建筑面积

8、全面投入运营 于2021年Q1租用第二栋建筑，将川沙工厂的可用建筑面积扩大至20万平方英尺后进行生产 2020年7月在上海临港地区的新研发和生产设施破土动工 距离ACM上海张江总部约30英里 100万平方英尺 预计2023年投产6股权结构：实控人间接持股36.79% 本次发行后，公司控股股东美国ACMR持股82.50%，董事长HUI WANG通过美国ACMR间接持股36.79%，为公司实控人。图表：盛美上海股权结构芯时咨询盛美半导体设备（上海）股份有限公司盛帷上海10% 15% 100% 100% 100%青岛聚源 石溪产恒4.3%盛奕科技 香港清芯 盛美无锡芯维咨询润广投资勇崆咨询太湖国联海

9、通旭初美国ACMR浦东产投尚融创新金浦投资海风投资张江科创投善亦企管芯港咨询尚融聚源上电海路集产成投0.05%合计持有投票权44.59%0.41%HUI WANG 其他投资者1.1% 0.35% 0.41% 0.44% 0.53% 1.06% 1.06% 0.48% 0.35%0.44% 0.35% 0.27% 0.17%82.50%合计持有投票权55.41%7客户所属领域 客户名称晶圆制造 海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫先进封装 长电科技、通富微电、中芯长电、Nepes半导体硅片制造及回收 上海新昇、金瑞泓、台湾合晶科技、台湾昇阳科研院所 中国科学院微电子研究所、上海集成电路

10、、华进半导体图表： 盛美上海下游客户分布及前5大客户占比主力客户：长江存储，华虹集团，海力士2018 2019 2020 2 0 2 1 . 1 - 6长江存储 2 3 . 0 % 2 8 . 9 % 2 2 . 1 % 3 6 . 4 %华虹集团 2 3 . 0 % 2 7 . 4 % 3 3 . 5 % 2 3 . 8 %海力士 2 2 . 0 % 2 0 . 1 % 9 . 9 % 1 0 . 1 %长电科技 7 . 4 % 5 . 2 % 4 . 6 %中芯国际 - 1 2 . 7 % 3 . 5 %8目录盛美上海：独创兆生波技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25

11、 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发49亿元图表：盛美上海营收及毛利率、方正证券研究所整理 公司2020年营业收入10亿元，同比增速33.13%；2021年受益行业高景气度，前三季度营收10.88亿元，同比增速78.89%，已超去年全年收入水平。 半导体清洗设备：过去占营收比均高于80%，2020年实现营收8.16亿元，同比增速30.6%。 先进封装湿法设备：第二大业务，过去占营收比平均约8%，2020年实现营业收入0.99亿元。 电镀设备：2018年进入市场，2020年实现营业收入0.53亿元。营业收入高速增长，清洗业务占比近81%图表：

12、 盛美上海主营业务的结构拆分2.545.507.5710.0710.880246810122017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3营收81%10%5% 1%半导体清洗设备 先进封装湿法设备半导体电镀设备 立式炉管设备101.971.494%17% 18%20%14%0%5%10%15%20%25%0112232017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3归母净利润 净利率图表：盛美上海归母净利润及净利率亿元 受益于业务规模扩大，公司归母净利润同样实现高速增长，2020年全年归母净利润为1.97亿元；2020年公司净利率约20%；相较2017年4%的水平实现

13、快速提升，盈利能力得到持续加强。盈利能力持续提升、方正证券研究所整理 11项目2018年 2019年 2020年销量（台） 均价（万元/台） 销量（台） 均价（万元/台） 销量（台） 均价（万元/台）单片清洗 21 2,387 22 2,505 31 2,310 槽式清洗 - - 3 1,699 2 1,655 单片槽式组合清洗 - - 1 2,621 2 3,353 电镀 1 1,191 4 1,964 4 1,323 先进封装湿法 6 440 7 566 20 493 立式炉管 - - - - 1 759 盛美上海：单片清洗占比高，均价超2000万营收 2018年 2019年 2020年收

14、入（亿） 占比 收入（亿） 营收占比 收入（亿） 营收占比半导体清洗设备 5.01 92.9% 6.25 84.1% 8.16 83.7%单片清洗 5.01 92.9% 5.51 74.1% 7.16 73.4%槽式清洗 0.48 6.5% 0.33 3.4%单片槽式组合清洗 0.26 3.5% 0.67 6.9%1245% 45% 45% 45%41% 43%45%34%17%39%25% 26%15%20%25%30%35%40%45%50%2017年 2018年 2019年 2020年半导体清洗设备 先进封装湿法设备 半导体电镀设备 立式炉管设备清洗设备毛利率稳定，约45% 清洗设备的毛

15、利率稳定在45%，已成为公司的成熟产品，并且在国内属于清洗设备行业的龙头，拥有较强的竞争优势。 先进封装湿法设备2020年的毛利率相比往年有所下降，为34%。其背后原因是2020年度销售的先进封装刷洗设备较多，该产品毛利率较低，从而拉低了整体产品组合的毛利率。 电镀设备的毛利率波动较大，原因如下：18年处于推广初期，产品验证等因素使毛利率较低；2019年实现了前道电镀设备的销售，该产品毛利率较高，拉高了毛利率；2020年销售的产品主要为后道封装电镀设备，毛利率低于19年的前道电镀设备，因此毛利率下降。、方正证券研究所整理图表：盛美上海毛利率拆分13成本结构优化，销售费用率下降17%11% 11

16、% 11% 10%6%4% 4% 5% 4%20%14% 13% 14%17%0%5%10%15%20%25%2017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3销售费用率 管理费用率 研发费用率 销售费用率降至约10%。随着公司业务规模的扩大与成本结构的优化，公司销售费用率不断下降，2020年已降至约10%的水平；管理费用保持在4-5%。 研发费用走高，在2021Q3季度升至17%。公司成功研发了单片槽式组合清洗设备、槽式清洗设备、后道先进封装电镀设备、前道铜互连电镀设备、前道刷洗设备、立式炉管设备等新产品。报告期内，公司产品前期研发及后期持续改进的投入较大，研发费用逐年增加。图表

17、：盛美上海费用率拆分、方正证券研究所整理 14持续加大研发投入，技术研发人员占比高达42%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%0.00.20.40.60.81.01.21.41.61.82.02018 2019 2020 2021Q3研发投入 收入占比员工专业结构 人数（名） 占员工总比例管理人员 61 8.69%市场销售人员 14 1.99%售后服务人员 163 23.22%生产人员 153 21.79%财务人员 16 2.28%技术研发人员 295 42.02%合计 702 100% 研发投入逐渐升高，引领清洗设备国产化。2018-2021Q3年期间，公司研发投入为0.79/

18、0.99/1.41/1.84亿元，分别占营业收入的比例为14%/13%/14%/17%，研发投入占比持续提高。 公司技术研发人员295人，占全公司员工的比例近42.02%；售后服务人员占比23.22%，展现出了公司对其客户的售后服务的重视。图表：盛美上海研发投入及收入占比、盛美上海招股书、方正证券研究所整理亿元15图表：盛美上海合同负债亿元 2021年公司合同负债大幅增长，在手订单饱满。合同负债从2020年底的0.86亿元增长到2021年Q3的2.67亿元；与此同时，库存也从6.15亿元增长到11.58，实现近翻倍增长；公司在手订单充沛，并积极加大材料备货，未来订单转收入可期。合同负债与存货大

19、幅增长0.862.676.1511.58024681012142017 2018 2019 2020 2021.Q3合同负债 存货、方正证券研究所整理 16目录盛美上海：独创技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3先进封装：湿法刻蚀+涂胶+显影清洗：单片+槽式+组合平台化拓展：电镀设备 + 立式炉设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发417封装(后道）先进封装湿法设备晶圆制造（前道）清洗装备SAPS兆声波单片清洗设备TEBO兆声波单片清洗设备单片（晶圆）清洗设备Tahoe单片槽式组合前道铜互连电镀设备单片背面清洗设备槽式湿

20、法清洗设备半导体电镀设备立式炉其他湿法刻蚀设备涂胶设备显影设备去胶设备无应力抛光设备先进封装刷洗设备先进封装电镀设备半导体电镀装备盛美上海：半导体产业布局公司官网、方正证券研究所整理 18盛美上海：业务组合拆分上海公司官网、盛美上海招股书、方正证券研究所整理 盛美先后开发了单片、槽式以及单片槽式组合等清洗设备；用于芯片封装的湿法刻蚀、涂胶、显影、去胶、无应力抛光等设备；以及芯片制造的前道铜互连电镀，后道先进封装电镀设备。设备 应用领域单片薄膜沉积前后，干法刻蚀后，离子注入灰化后，机械研磨后，抛光和外延后，化学湿法刻蚀的清洗。SAPS薄膜沉积前后，干法刻蚀后，离子注入灰化后，化学机械研磨后，抛光

21、和外延工艺后的清洗。TEBO 薄膜沉积前，干法刻蚀后，离子注入灰化后的清洗。Tahoe单片槽式组合光刻胶剥离、干法刻蚀后、离子注入后、化学机械研磨后、金属膜层去除的清洗。背面 晶圆背面与晶圆背面湿法刻蚀的清洗。刷洗 芯片制造中前段至后段各道刷洗工艺。槽式湿法 湿法刻蚀、薄膜剥离、光刻胶剥离的清洗。前道清洗设备先进封装湿法设备 应用领域湿法刻蚀 12/8寸晶圆的湿法硅刻蚀和UBM 的铜，钛，镍，锡，金等金属湿法刻蚀工艺。涂胶 12/8 寸晶圆的正负胶和薄厚胶的涂胶工艺。显影 12/8 寸晶圆的显影工艺。去胶 12/8 寸晶圆的去胶工艺。先进封装刷洗 12/8 寸晶圆的刷洗清洗工艺。无应力抛光3D

22、 TSV、2.5D硅中介层、RDL、HD Fan-out。前道铜互连电镀逻辑电路和存储电路中双大马士革电镀铜工艺。后道先进封装电镀先进封装Pillar Bump，RDL，HD Fan-out和TSV中，铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。立式炉管 12/8寸晶圆的湿法硅刻蚀和UBM的铜，钛，镍，锡，金等金属湿法刻蚀工艺电镀+立式炉图表：按业务组合拆分19目录20盛美上海：独创技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3先进封装：湿法刻蚀+涂胶+显影清洗：单片+槽式+组合平台化拓展：电镀设备 + 立式炉设备市场：需求确定，国产替代厚

23、积薄发4盛美上海：兆声波技术用于多个前道清洗步骤清洗氧化热处理激光退火干刻/蚀刻清洗清洗机氧化炉RTP设备激光退火设备干刻/蚀刻机清洗机氧化/扩散（重复步骤）对应设备 具体步骤 对应设备清洗涂胶光刻显影清洗机涂胶机光刻机显影机具体步骤光刻（重复步骤）测量 CD/SEM刻蚀（重复步骤）离子注入去胶离子注入机等离子去胶机离子注入（重复步骤）清洗 清洗机气相沉积清洗气相沉积设备清洗机薄膜沉积（重复步骤）抛光清洗CMP设备清洗机抛光（重复步骤）干刻/蚀刻 电镀设备金属化（重复步骤）检测 检测设备晶圆检测 扩散前清洗 刻蚀后清洗 离子注入后清洗 成膜前/后清洗 机械抛光后清洗 去胶清洗 材料清洗兆声波U

24、ltra C SAPS Ultra C TAHOEUltra C b/wb Ultra C s 兆声波Ultra C TEBO盛美上海清洗设备21盛美上海受专利保护的3样创新设备，解决了先进 IC 制造中的关键挑战，其优点如下：SAPS TEBO Ultra C Tahoe高效率 + 工艺灵活性结果拥有一致性可定制PS针对小和脆弱特征的半导体工艺、提供无损坏解决方案多参数气泡空化控制环保使用的硫酸比传统设备少10%低成本 + 高清洗性能盛美上海三大专利：SAPS + TEBO + Tahoe、方正证券研究所整理 22单片清洗设备官网、方正证券研究所整理单片Ultra C II Ultra C单

25、晶圆清洗系列可广泛应用于先进集成电路制造中多种前段工艺（FEOL）和后段工艺（BEOL） 可跟据不同应用配备不同化学药液与辅助清洗方式 也可应用于晶圆制造、MEMS制造，以及功率器件制造领域。 结合热浸、喷淋、溢流、快速冲洗等清洗方式Ultra C VI 可应用于： 沉积前清洗 蚀刻后清洗 CMP后清洗 RCA标准清洗 W Loop后清洗 Cu Loop后清洗 去除BEOL聚合物 深层Trench/Via清洗Ultra C SAPS II 用于晶圆正、背面清洗工艺，同时匹配兆声波装置以达到优质的清洗表现。 性能优点：清洗药液独立控制，无交叉污染；喷嘴精确控制系统；准确的化学药液供给；对小颗粒的

26、管控和金属管控能力 较低的使用成本；优质的清洗效果；高产出；单片晶圆Ultra C V 薄膜去除TSV后清洗 EPI前清洗 ALD前清洗23SAPS兆声波清洗设备Ultra C SAPS II Ultra C SAPS V盛美专利技术空间交变相位移(SAPS)技术，通过控制兆声波清洗装置与晶圆的间距随兆声波相位的变化，来实现兆声波在晶圆表面的均匀分布，以达到最优化的清洗效果。可配至8个腔体，产能225WPH 双面清洗，可配5种清洗药液。应用场景： 晶圆回收清洗 深沟道清洗 Barrier Metal沉积前清洗 EPI沉积前清洗 ALD沉积前清洗 CMP 后清洗 Hard Mask 沉积后清洗

27、Contact/Via 刻蚀后清洗官网、方正证券研究所整理 24TEBO兆声波，TAHOE清洗设备用于先进器件的清洗技术 应用于去胶和先进清洗Ultra C TahoeUltra C TEBO盛美持有的专利技术时序能激气穴震荡（TEBO）技术，使用创新的兆声波清洗方式来实现无损伤清洗，可应用于现在和未来几代先进器件中，如3D图形片，极小尺寸，高深宽比结构等。盛美的高温硫酸清洗设备Tahoe将槽式模块和单片清洗模块集成于同一设备中，以实现高效的清洗性能，并且其硫酸使用量只有传统SPM单片清洗设备的10%甚至更少。该设备可以广泛应用于先进集成电路制造领域。主要优势 SPM的寿命可通过使用时间和工艺

28、片数来控制。 SPM的使用量跟单片高温清洗设备相比能减少80%。单片晶圆腔体内可配置通用药液。可按要求配置喷嘴/兆声波清洗来提高去除颗粒污染物的效率。工艺的顺序可灵活设置主要优势智能兆声波技术使用便捷精确控制减少成本、保护环境官网、方正证券研究所整理 25背面，槽式湿法，刷洗设备背面Ultra C s II 用于批式晶圆湿法清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺。 提供多个槽体进行化学药液或纯水。 结合热浸、喷淋、溢流、快速冲洗等清洗方式 配合先进的IPA干燥方式。 可同时对25或50片晶圆进行工艺处理。 应用于集成电路领域。Ultra C s I 可广泛应用于集成电路制造和晶圆级封装（WLP）领域 可

29、配有温和的氮气雾化二流体清洗 可选配先进的空间交变相位移兆声清洗技术 可配有背面软刷清洗与边缘刷洗晶圆翻转功能 可依次进行背面与正面清洗适用于超薄晶圆Ultra C b 用于晶圆背面清洗和湿法刻蚀工艺 通过伯努利夹盘为晶圆背面提供氮气保护。 该设备可广泛应用于集成电路制造和晶圆级封装领域。刷洗槽式湿法Ultra C wb官网、方正证券研究所整理 26清洗工艺：湿法工艺市占近90%华经情报网、方正证券研究所整理清洗工艺干法工艺等离子清洗气相清洗法束流清洗法湿法工艺溶液浸泡法机械刷洗法二流体清洗超声波清洗兆声波清洗旋转喷淋法10%90%湿法工艺采用特定的化学药液和去离子水，对晶圆表面进行无损伤清洗

30、干法工艺指不使用化学试剂的清洗技术27清洗方法 清洗介质 工艺简介 应用特点溶液浸泡法 化学药液主要用于槽式清洗设备，将待清洗晶圆放入溶液中浸泡，通过溶液与晶圆表面及杂质的化学反应达到去除污染物的目的应用广泛，针对不同的杂质可选用不同的化学药液；产能高，可进行多片晶圆浸泡工艺；成本低，分摊在每片晶圆上的化学品消耗少；容易造成晶圆之间的交叉污染。机械刷洗法 去离子水主要配置包括专用刷洗器，配合去离子水利用刷头与晶圆表面的摩擦力以达到去除颗粒的清洗方法。成本低，工艺简单，对微米级的大颗粒去除效果好；清洗介质一般为水，应用受到局限；易对晶圆造成损伤。一般用于机械抛光后大颗粒的去除和背面颗粒的去除。二

31、流体清洗 SC-1溶液去离子水在喷嘴的两端分别通入液体介质和高纯氮气（动力），辅助液体微雾化成极微细的液体粒子被喷射至晶圆表面，从而达到去除颗粒的效果效率高，广泛用于辅助颗粒去除的清洗步骤中；对精细晶圆图形结构有损伤的风险，且对小尺寸颗粒去除能力不足。超声波清洗 化学溶剂加超声辅助在20-40kHz超声波下清洗，内部产生空腔泡，泡消失时将表面杂质解吸。能清除晶圆表面附着的大块污染和颗粒；易造成晶圆图形结构损伤。兆声波清洗 化学溶剂加兆声波辅助与超声波清洗类似，但用1- 3MHz工艺频率的兆声波。对小颗粒去除效果优越，在高深宽比结构清洗中优势明显，精确控制空穴气泡后，兆声波也可应用于精细晶圆图形

32、结构的清洗；造价较高。批式旋转喷淋法高高压喷淋去离子水清洗液清洗腔室配置转盘，可一次装载至少两个晶圆盒，在旋转过程中通过液体喷柱不断向圆片表面喷淋液体去除圆片表面杂质。与传统的槽式清洗相比，化学药液的使用量更低；机台占地面积小；化学药液之间存在交叉污染风险，若单一晶圆产生碎片，整个清洗腔室内所有晶圆均有报废风险。主流湿法工艺28盛美上海：兆声波技术可应用于28nm及以下节点项目 盛美上海 中国同行业的企业情况 国际巨头技术特点 通过控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长相对运动，实现晶圆表面兆声波能量的均匀分布 通过精确控制兆声波的输出方式，将气泡振荡控制在稳定空化状态而不会产生内爆或塌陷二流体清

33、洗技术化学液体清洗配合氮气雾化水物理清洗技术节点SAPS技术用于：逻辑28nm，DRAM19nm，可拓展至：逻辑14nm、DRAM17/16nm、32/64/128层3D NAND、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用。TEBO技术用于：45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，逻辑28nm，16-19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估。可拓展至：逻辑14nm，nm级3D FinFET、高深宽比DRAM，多层堆叠3D NAND。技术节点落后应用领域较窄应用于5nm及以上生产线领域更广晶圆尺寸 12英寸为主，也可用于8英寸功率器件的深沟槽清洗 无明显差异 无明显差异市场占有率 中国市场较高，国

34、际市场较低 中国市场较低 中国市场较高国际市场垄断 盛美上海的SAPS和TEBO技术广泛应用于28nm及以下的制程，最高可拓展至14nm的逻辑芯片，其技术领先于国内同行企业，在中国市场有较高的市占率。 其核心SAPS和TEBO技术解决了传统兆声波清洗中由于晶圆翘曲引发的兆声波清洗不均一的难题和气泡爆裂而引起的图形损伤问题。29湿法工艺：单片清洗逐渐成为主流 在集成电路制造的先进工艺中，单片清洗已逐步取代槽式清洗成为主流。其原因是，单片清洗能够在整个制造周期提供更好的工艺控制，改善了单个晶圆和不同晶圆间的均匀性，提高了产品良率；其次，更大尺寸的晶圆和更先进的工艺对于杂质更敏感，槽式清洗出现交叉污

35、染的影响会更大，进而危及整批晶圆的良率，会带来高成本的芯片返工支出。单片清洗原理槽式清洗原理通过机械手实现单片槽式组合、方正证券研究所整理 30单片清洗先进化程度高设备种类 清洗工艺 应用特点 先进程度单片清洗设备旋转喷淋，兆声波清洗，二流体清洗，机械擦洗等具有极高的工艺环境控制能力与微粒去除能力，有效解决晶圆之间交叉污染的问题；每个清洗腔体内每次只能清洗单片晶圆，设备产能较低。很高槽式清洗设备 溶液浸泡，兆声波清洗等 清洗产能高，适合大批量生产；但颗粒，湿法刻蚀速度控制差；交叉污染风险大。 高组合式清洗设备 溶液浸泡+旋转喷淋组合清洗 产能较高，清洗精度较高，并可大幅降低浓硫酸使用量；产品造

36、价较高。 很高批式旋转喷淋清洗设备 旋转喷淋相对传统槽式清洗设备，批式旋转设备可实现120C 以上甚至达到200C 高温硫酸工艺要求；各项工艺参数控制困难，晶圆碎片后整个清洗腔室内所有晶圆均有报废风险。高 盛美的产品包括单片，槽式，组合式清洗设备；其中单片清洗设备占比最高，采用的清洗工艺均为湿法工艺。 湿法清洗工艺路线下主流的清洗设备存在先进程度的区分，主要体现在可清洗颗粒大小，金属污染，腐蚀均一性以及干燥技术等标准。图表：清洗设备种类介绍300020406080100技术节点nm 随着线宽微缩，在晶圆制造过程中，良率随线宽缩小而下降，其中提高良率的

37、方式之一就是增加清洗工艺的步骤。 基于摩尔定律，在一开始的80-60nm制程中清洗工艺约100个步骤；到了20nm以上的制程，清洗工艺上升到了200 个步骤以上。技术节点与清洗步骤良率随线宽缩小而下降清洗需求：工艺步骤随线宽微缩而增加、方正证券研究所整理00020406080100技术节点nm标准化良率曲线清洗步骤32 根据Gartner 统计数据，2018年全球半导体清洗设备市场规模为34.17亿美元，2019和2020年受全球半导体行业景气度下行的影响，有所下降，分别为31.7和33.4亿美元，随着全球半导体行业复苏，全球半导体清洗设备市场将呈逐年增长的趋势，2025

38、年预计全球半导体清洗设备行业将达到40.7亿美元。、Gartner、爱集微、方正证券研究所整理清洗设备需求：远期41亿美元全球空间全球清洗设备市场规模亿美元34.1731.7 33.439.243.239.9 38.7 40.7-7%5%17%10%-8%-3%5%-10%-5%0%5%10%15%20%0554045502018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025全球清洗设备规模 YoY33清洗设备：未来五年有望实现全面国产化、各公司公告、各公司官网、前瞻产业研究院、方正证券研究所整理 清洗设备行业的CR3市占超85%。全球清洗设备龙头

39、是迪恩士、东京电子和SEMEMS公司，其中迪恩士市占率近45%，是绝对的龙头；市占率前三迪恩士、东京电子、SEMES合计占有近85%的市场份额，头部垄断效应显著。 目前有三家国内厂商在湿法工艺设备端提供中高阶湿法制程设备，分别是至纯科技、北方华创和盛美，国内厂商的市场占比在逐年上升中。相比于其他半导体设备行业，清洗设备的技术门槛较低，未来5年有望率先实现全面国产化。图表：2018年全球半导体清洗设备市场企业竞争格局 图表：2019年中国半导体清洗设备招标采购份额应用材料30%泛林半导体30%东京电子30%其他30%qita 其他15%应用材料85%东京电子25%SEMES公司15% 迪恩士45

40、%其他15%34Screen48.0%泛林20.0%TEL6.0%其他4.0%盛美半导体20.5%北方华创1.0%芯源微0.5% 单片清洗机市场规模约23-25亿美元；迪恩士占了单片机的38%的份额。迪恩士：单片市占率38%，槽式市占率70%、方正证券研究所整理 槽式清洗机市场规模约5.6-5.8亿美元；迪恩士占了槽式清洗机的70%的份额。35 迪恩士在2021上半年的1872亿日元营收中，亚洲占比达到59.4%，其中中国大陆的比例为27.5%，达到515亿日元（约29亿人民币），在亚洲中排名第一。 半导体制造设备（SPE）业务占了迪恩士营收的75.6%，其中单片清洗设备贡献的营收占比达到70

41、%，槽式清洗设备贡献的营收占比为25%。、方正证券研究所整理营收￥ 187.2 B打印板关联设备:￥5.8 bn3.1%其他:￥1.4 bn0.7%平板制造设备:￥17.5 bn9.4%图形艺术设备:￥20.9 bn11.2%半导体制造设备:￥141.4 bn75.6%营收￥ 187.2 B迪恩士：超一半营收来自中国图表：迪恩士2021H1主营业务结构拆分（十亿日元） 图表：迪恩士2021H1地域营收拆分36目录盛美上海：独创技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3先进封装：湿法刻蚀+涂胶+显影清洗：单片+槽式+组合平台

42、化拓展：电镀设备 + 立式炉设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发437盛美上海在后道先进封装中的产品应用清洗溅射涂胶曝光显影电镀清洗机溅射设备涂胶机光刻机显影机电镀设备去胶刻蚀涂覆助焊剂回熔焊接清洗检测去胶机刻蚀机涂覆设备回熔焊接设备清洗机检测仪器具体步骤 盛美对应设备 具体步骤 盛美对应设备38后道先进封装：湿法去胶，湿法刻蚀设备晶圆级封装，双管齐下的高效率清洗 晶圆级封装，精确控制刻蚀湿法刻蚀：Ultra C we湿法去胶：Ultra C pr槽式去胶单元-在槽式单元中使用药液浸泡晶圆，该槽体一次可容纳多片晶圆以提高产能。单片去胶腔体-将药液喷洒在旋转晶圆表面，更好地独立控制每片晶圆工艺。

43、智能工序功能 - 对于不同的金属腐蚀工艺，如铜刻蚀后再进行钛刻蚀，可预设工艺菜单与工序后，在设备中一次完成。主要优势 使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。 先进的喷嘴扫描系统 精确的药液控制 药液回收使用可减少成本 专注安全性主要优势 使用便捷 精确的药液控制 槽式单元预浸泡工艺 药液回收使用可减少成本 优化安全配置 结合先进的晶圆清洗工艺39后道先进封装：涂胶，显影，无应力抛光Ultra C ct Ultra V dv Itra SFP晶圆级封装，光刻工艺 晶圆级封装 晶圆级封装，双大马士革 可选配HMDS 涂胶 前烘 创新的双层旋涂方法 精确的涂胶厚度和均一性控制 腔体自动

44、清洗功能 先进的热/冷盘模块 曝光后烘烤(PEB) 显影 坚膜 三种显影方式集于一体 灵活的喷嘴扫描系统 技术先进，使用便捷 精确的药液控制 工艺过程低应力 低耗材成本COC和运营成本COO 低排放可保护环境显影 无应力抛光涂胶40 半导体封测从20世纪80年代至今，封装技术不断进步，经历了插装式封测、表面贴片封装、面积阵列式封测和先进封装。芯片封装技术分为传统封装和先进封装，传统封装和先进封装的主要区别在于有无外延引脚。 球栅阵列 (BGA) 封装向2.5和3D封装发展，而行业现在正朝着扇出封装发展，所有这些不同类型的封装都从放置的角度提出了在精度、吞吐量和施加力方面的特定要求。先进封装市场

45、快速发展、爱彼电路、方正证券研究所整理先进封装发展历程41全球先进封装市场：复合增速7%全球先进封装设备市场需求预期亿美元 根据 Yole 统计数据，2017年全球先进封装产值超过200亿美元，占全球封测总产值的38%左右，预计到2020年将超过300亿美元，占比 44%。 从先进封装增长率来看，2017年到2023年，整个半导体封装市场的营收将以5.2%的复合增长率增长，其中先进封装市场增长率为7%，而传统封装市场为3.3%。05018 2019 2020 2021 2022 2023 202442目录盛美上海：独创技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投

46、入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3先进封装：湿法刻蚀+涂胶+显影清洗：单片+槽式+组合平台化拓展：电镀设备 + 立式炉设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发4432010年 2015年 2020年 2025年SAPS（2009）TEBO（2016）Tahoe（2018）SFP+ECPSemi-CriticalFurnace（2020）FutureProducts可探寻的市场未来布局：ECP+立式炉、方正证券研究所整理 44盛美上海：电镀+立式炉LPCVD、氧化、退火和ALD 大马士革铜金属层沉积电镀：Ultra ECP Map立式炉：Ultra Fn盛美的立式炉设备可大

47、批量处理300毫米的晶圆，该设备平台可应用于高性能的半导体制造。多阳极局部电镀设备应用于55/40/28和28纳米以下的大马士革铜金属层沉积。主要优势 水平式电镀腔体，无交叉污染 可单腔体维护，提高设备正常运行时间（up time） 橡胶密封技术, 更好的密封性能 第二阳极技术,更好地控制均一性 灵活的工序控制主要优势 具有高产、可靠和稳定的性能。通过高精度的温度控制技术、良好的均匀性和小颗粒控制，来保持优异的薄膜质量 通过更高性能的增强设计实现高产能，并减少停机维护时间； 运用气体对腔体进行干法清洗，来控制小颗粒杂质； 装载区运用低氧控制技术以抑制晶圆表面的自然氧化45电镀：前道铜互连+后道

48、先进封装电镀前道铜互连电镀工艺示意图 半导体电镀是指在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互连。 电镀设备在晶圆上沉积一层致密、无孔洞、无缝隙等其他缺陷，并且分布均匀的铜，再配以气相沉积设备、刻蚀设备、清洗设备等，完成铜互连线工艺。招股书、方正证券研究所整理后道先进封装电镀工艺示意图 金属铜的沉积占据主导地位。随着芯片制造工艺越来越先进，芯片内的互连线开始从传统的铝材料转向铜材料，半导体镀铜设备便被广泛采用。铜导线可以降低互联阻抗，降低器件的功耗和成本，提高芯片的速度、集成度、器件密度等。 目前半导体电镀已经不限于铜线的沉积，还有锡、锡银合金、镍、金等金属。46全球电镀市

49、场：Lam垄断01234562018 2019 2020 2021 2022 2023 20242018年-2024年全球半导体电镀市场亿美元招股书、Gartner 、方正证券研究所整理 在前道晶圆制造的电镀设备领域，目前全球市场主要被Lam垄断。除Lam外，盛美上海是全球范围内少数几家掌握芯片铜互连电镀核心技术的公司之一，其自主开发了针对20-14nm 及更先进技术节点的芯片制造前道铜互连镀铜技术（Ultra ECP map）。 在后道先进封装电镀设备领域，全球范围内的主要设备商包括美国的Applied Materials和Lam、日本的EBARA CORPORATION和新加坡的ASM P

50、acific Technology Limited等；在国内企业中，盛美针对先进封装工艺进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。47目录48盛美上海：独创兆生波技术引领清洗设备国产化1公司财务：营收高增长，研发高投入25 盈利预测产品布局：清洗+先进封装湿法+电镀+立式炉3设备市场：需求确定，国产替代厚积薄发4未来五年：全球资本支出维持高位、方正证券研究所整理 全球集成电路行业资本开支继续维持高位。根据Gartner，未来五年集成电路行业资本开支依旧保持较高水平的稳定状态，在1400亿美元上下小幅变动。图表：未来五年全球半导体行业资本开支61374 1